JPH01316964A - 半導体集積回路用リードフレーム - Google Patents

半導体集積回路用リードフレーム

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Publication number
JPH01316964A
JPH01316964A JP15050788A JP15050788A JPH01316964A JP H01316964 A JPH01316964 A JP H01316964A JP 15050788 A JP15050788 A JP 15050788A JP 15050788 A JP15050788 A JP 15050788A JP H01316964 A JPH01316964 A JP H01316964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dam
lead
lead frame
recess
view
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Pending
Application number
JP15050788A
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English (en)
Inventor
Seiji Takemura
竹村 誠次
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体集積回路の製造に用いるリードフレー
ムに関するものである。
〔従来の技術〕
第6図は従来のリードフレームを示す斜視図で、図にお
いて、(11はリードフレーム、(2)はリードフレー
ム枠、(3)はインナーリード、(4)はダム、(51
は外部リード、(6)はアイランドである。第7図は樹
脂封止前の状態を示す斜視図で、図において、(7)は
半導体集積回路チップ、(8)はチップ(7)に設けら
れた電極(図示せず)とインナーリード(3)を接続す
る金属細線である。
第8図は樹脂封止後の状態を示す斜視図で、図において
、(9)は封止樹脂で図中、(A)は外部リード(5)
間のピッチである。
また、第9閏はダム(4)の切断方法を示す斜視図で、
図において、θωはダム切断の為の上型バンチ、卸は下
型ダイである。
第10図(alはダムを切断した後の状態を示す斜視図
、第10図(blは第10図(8108部の拡大斜視図
で、図において、亜はダム(4)の残り部である。
次に製造工程について説明する。
半導体集積回路チップ(7)はリードフレーム+11の
アイランド+6)に装着された後に金属細線(8)によ
ってインナーリード(3)と接続される。
この状態で樹脂封止された後にダム(4)を切断するこ
とによって、各リード(31(51が電気的に独立する
。この後、所定の外部リード形状に加工され(図示せず
)製造工程は完了する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のリードフレームは、以上のごとくダムを外部リー
ド間に設けただけの為、ダム切断時のグイとフレームの
ずれ分を考慮してパンチを作りダム切断残り部を設ける
寸法でダム切断を行う事によってダム切断時のパンチの
外部リードへの喰い込みを防止する必要があり、又ダム
切断残り部がある為、この部分に位置決めの為のピンを
挿入する事が出来ず部品装着機の位置決めが困難である
という問題点もあった。
この発明は上記の様な問題点を解決する為になされたち
ので、ダム切断時のグイとリードフレームのずれ分のダ
ム切断残り部を凹部内に吸収し、リードフレームの設計
リード中値をそのまま使用して外部リード間を位置決め
に使える様にすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るリードフレームは相対向する外部リード
のダム部に凹部を設け、この凹部間にダムを設けること
によってダム切断時のずれによる外部リードへの喰い込
みを防止する為のタイバー切断残り部を凹部に吸収した
ものである。
〔作用〕
この発明におけるリードフレームはダムを外部リードの
凹部に設けることによって、切断時のずれが発生しても
、その凹部の為に外部リード寸法はリードフレーム設計
寸法値通りで取り扱え、その外部リード間を位置決め等
に使用することが出来る。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明によるリードフレームの斜視図で、図にお
いて、(11はリードフレーム、(2)はリードフレー
ム枠、(3)はインナーリード、(5)は外部リード、
(6)はアイランド、0罎はこの発明による外部リード
(5)の凹部に設けられたダムである。第2図はこの発
明によるリードフレームの樹脂封止後の状態を示す斜視
図で、図において、(9)は封止樹脂である。第3図は
第2図におけるダム01部の拡大斜視図、第4図はダム
止のダム切断後の状態の拡大斜視図で、図において、ダ
ム切断残り部である。
製造工程は従来のものと同様であるが、ダムα罎の切断
後の形状は第4図に示すようにダム切断残り部θ優を外
部リード(5)の凹部内に収めることが出来、外部リー
ド(5)間の寸法はダム部α濁以外の部分以上を確保す
ることが出来る。
なお、上記実施例ではダム01を外部リード(5)に直
角−例に配置した場合を示したが外部リードピッチが小
さくなった場合第5図に示すように、ダムQ31とQ勺
を交互にずらすことによってダム切断パンチの強度を確
保出来る(大きく設計出来る)効果もある。
〔発明の効果〕
以上の様にこの発明によれば、外部リードに凹部を設け
この凹部にダムを設けるようにしたので、ダム切断残り
部があっても外部リード間に突出することがなく外部リ
ード間を位置決めに使うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明によるリードフレームを示す斜視図、
第2図は第1図のリードフレームの樹脂封止後の状態を
示す斜視図、第3図は第2図におけるダム部の拡大斜視
図、第4図はダム切断後の状態の拡大斜視図、第5図は
この発明の他の実施例を示す斜視図、第6図は従来のリ
ードフレームを示す斜視図。第7図は樹脂封止前の状態
を示す斜視図、第8図は第7図の樹脂封止後の状態を示
す斜視図、第9図はダムの切断状態を示す展開斜視図、
第10図(al (b)はダム切断後の状態を示す斜視
図およびB部拡大斜視図である。 図において、+11はリードフレーム、(2)はリード
フレーム枠、(3)はインナーリード、(5)は外部リ
ード、(6)はアイランド、(7)は半導体集積回路チ
ップ、(8)は金属細線、(9)は封止樹脂、(131
051はダム、αaはダム切断残り部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人    大  岩  増  雄 即v5大岩増雄 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 (Q) !

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂封止における樹脂漏れ防止用ダムの距離を大きく
    得る為に相対向する外部リードに凹部を設け、この凹部
    にダムを載置したことを特徴とする半導体集積回路用リ
    ードフレーム。
JP15050788A 1988-06-17 1988-06-17 半導体集積回路用リードフレーム Pending JPH01316964A (ja)

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JP15050788A JPH01316964A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体集積回路用リードフレーム

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JPH01316964A true JPH01316964A (ja) 1989-12-21

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ID=15498378

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JP15050788A Pending JPH01316964A (ja) 1988-06-17 1988-06-17 半導体集積回路用リードフレーム

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JP (1) JPH01316964A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012069780A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012069780A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム

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