JPS6370548A - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6370548A JPS6370548A JP61216342A JP21634286A JPS6370548A JP S6370548 A JPS6370548 A JP S6370548A JP 61216342 A JP61216342 A JP 61216342A JP 21634286 A JP21634286 A JP 21634286A JP S6370548 A JPS6370548 A JP S6370548A
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- JP
- Japan
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- tie bar
- cut
- resin
- tie
- lead
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型半導体装置の組立工程において使
用されるリードフレームに関するものである。
用されるリードフレームに関するものである。
第４０は、集積回路（、ＩＣ）等に供される従来のリー
ドフレームの形状を示す斜視図である。リードフレーム
は、薄い金属条からエツチング処理又は金型による抜き
により、所定のパターンに形成される。第４図において
、１はアウタリード２間を接続するタイバ、３は樹脂中
に封止されるインナリード、４はチップをのせるダイス
パッドである。
ドフレームの形状を示す斜視図である。リードフレーム
は、薄い金属条からエツチング処理又は金型による抜き
により、所定のパターンに形成される。第４図において
、１はアウタリード２間を接続するタイバ、３は樹脂中
に封止されるインナリード、４はチップをのせるダイス
パッドである。
第５図は、ダイスパッド４にチップ５が接合され、チッ
プ５とインナリード３との間が電気的接続のために金線
等の細線６で接続された状態を示す斜視図である。この
後、チップ５は、熱硬化型樹脂により封止、成形される
。
プ５とインナリード３との間が電気的接続のために金線
等の細線６で接続された状態を示す斜視図である。この
後、チップ５は、熱硬化型樹脂により封止、成形される
。
成形後の状態を第６図に示す。同図において、７はタイ
バ１とアウタリード２により挾まれた所に成形された樹
脂（以下「ダムバリ」という）、８はパッケージである
。第６図に示すように、タイバ１はアウタリード２の変
形防止のための補強と樹脂封止時の樹脂の流出を防ぐ役
目がある。
バ１とアウタリード２により挾まれた所に成形された樹
脂（以下「ダムバリ」という）、８はパッケージである
。第６図に示すように、タイバ１はアウタリード２の変
形防止のための補強と樹脂封止時の樹脂の流出を防ぐ役
目がある。
この後、第７図に示すように、破線部９の抜き落としく
以下「タイバカット」という）、破線部１０のカット（
リードカット）および破線部１１のカット（ピンチカッ
ト）を行なうことにより、リード部分以外をリードフレ
ームより切り離し、第８図に示すようにリードを曲げる
ことにより最終外形を形成する。
以下「タイバカット」という）、破線部１０のカット（
リードカット）および破線部１１のカット（ピンチカッ
ト）を行なうことにより、リード部分以外をリードフレ
ームより切り離し、第８図に示すようにリードを曲げる
ことにより最終外形を形成する。
従来のリードフレームにおいては、第７図に示すタイバ
カット時、金属部分であるタイバ１と樹脂からなるダム
バリアを同時に打ち抜くが、第９図、第１０図に示すよ
うに、ダムバリ周辺が残部１２ａ、１２ｂで示すように
樹脂側に残り、実際使用時にトラブルを引き起こす。ま
た、ダムバリア切断時の飛散くずによりリード曲げ時に
パリのかみこみが発生し、外観不良を生じる。タイバ１
と同時にダムバリアも打ち抜くため、樹脂中のフィシ（
シリカ）により刃物の摩耗が激しく、刃物の交換頻度が
多くなるという不具合を有していた。
カット時、金属部分であるタイバ１と樹脂からなるダム
バリアを同時に打ち抜くが、第９図、第１０図に示すよ
うに、ダムバリ周辺が残部１２ａ、１２ｂで示すように
樹脂側に残り、実際使用時にトラブルを引き起こす。ま
た、ダムバリア切断時の飛散くずによりリード曲げ時に
パリのかみこみが発生し、外観不良を生じる。タイバ１
と同時にダムバリアも打ち抜くため、樹脂中のフィシ（
シリカ）により刃物の摩耗が激しく、刃物の交換頻度が
多くなるという不具合を有していた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、外観不良を生ぜず、刃物の寿命
を延ばすことができる半導体装置用リードフレームを得
ることにある。
の目的とするところは、外観不良を生ぜず、刃物の寿命
を延ばすことができる半導体装置用リードフレームを得
ることにある。
このような目的を達成するために本発明は、樹脂封止型
半導体装置の組立工程に使用されるリードフレームにお
いて、封止樹脂より外側のアウタリード間をつなぐタイ
バを設け、このタイバの内側を封止樹脂側面に接近させ
、アウタリード近傍のタイバ内に２個の穴を設け、この
穴と封止樹脂側面との間の最終的にタイバを切り離す位
置にシャーカットを設けるようにしたものである。
半導体装置の組立工程に使用されるリードフレームにお
いて、封止樹脂より外側のアウタリード間をつなぐタイ
バを設け、このタイバの内側を封止樹脂側面に接近させ
、アウタリード近傍のタイバ内に２個の穴を設け、この
穴と封止樹脂側面との間の最終的にタイバを切り離す位
置にシャーカットを設けるようにしたものである。
本発明においては、パリによる曲げ時のかみこみが゛な
く、外観不良が生じない。また、タイバカ７トの刃は金
属部のみ打ち抜（ので、刃の寿命を延ばすことができる
。
く、外観不良が生じない。また、タイバカ７トの刃は金
属部のみ打ち抜（ので、刃の寿命を延ばすことができる
。
第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフレームの
一実施例の部分図であり、第２図は第１図のＡ部拡大図
である。第１図、第２図において、２はアウタリード、
１３はタイバ、１３ａおよび１３ｂはタイバ１３の内側
および外側、１４は穴、１５はシャーカット、１６はタ
イバカットパンチの刃でカットされる部分を示す破線部
、１７はダムバリ、１８は封止樹脂としてのパッケージ
である。
一実施例の部分図であり、第２図は第１図のＡ部拡大図
である。第１図、第２図において、２はアウタリード、
１３はタイバ、１３ａおよび１３ｂはタイバ１３の内側
および外側、１４は穴、１５はシャーカット、１６はタ
イバカットパンチの刃でカットされる部分を示す破線部
、１７はダムバリ、１８は封止樹脂としてのパッケージ
である。
第１図、第２図に示すように、タイバ１３の内側１３ａ
をパフケージ１８に近づけ、フレーム寸法公差等で発生
する封止工程での位置ずれによるタイバ１３のパッケー
ジ１８中への食い・込みのない程度のすきまをあけてお
（。通常このすきまは０．１ｍｍ程度以下なので、ダム
バリ１７として残ったとしても全（問題にならない。ま
た、アウタリード２の近傍のタイバ１３内の穴１４を１
つの接続部に２個設け、内側１３ａに近い部分のタイバ
１３の左右両側を破線部１６で示すタイバカットの幅又
はこれに近い寸法の幅でシャーカットし、アウタリード
２と切り離し、このシャーカット１５でタイバ１３とア
ウタリード２とがすきまない状態で接するようにする。
をパフケージ１８に近づけ、フレーム寸法公差等で発生
する封止工程での位置ずれによるタイバ１３のパッケー
ジ１８中への食い・込みのない程度のすきまをあけてお
（。通常このすきまは０．１ｍｍ程度以下なので、ダム
バリ１７として残ったとしても全（問題にならない。ま
た、アウタリード２の近傍のタイバ１３内の穴１４を１
つの接続部に２個設け、内側１３ａに近い部分のタイバ
１３の左右両側を破線部１６で示すタイバカットの幅又
はこれに近い寸法の幅でシャーカットし、アウタリード
２と切り離し、このシャーカット１５でタイバ１３とア
ウタリード２とがすきまない状態で接するようにする。
上述したようなリードフレームを用いて樹脂封止を行な
うと、樹脂はタイバ１３の内側１３ａで止められ、かつ
、シャーカット１５でタイバ１３とアウタリード２とは
すきまなく接しているため、樹脂の流出はない。次に、
タイバカットの刃で、破線部１６に示すように、タイバ
１３を穴１４を介して切断することにより、タイパ１３
全体がアウタリード２より切り離される。次にリード曲
げを行なう。リードを曲げた状態を第３図に示す。
うと、樹脂はタイバ１３の内側１３ａで止められ、かつ
、シャーカット１５でタイバ１３とアウタリード２とは
すきまなく接しているため、樹脂の流出はない。次に、
タイバカットの刃で、破線部１６に示すように、タイバ
１３を穴１４を介して切断することにより、タイパ１３
全体がアウタリード２より切り離される。次にリード曲
げを行なう。リードを曲げた状態を第３図に示す。
上述の実施例においては、デュアルインライン型のＩＣ
について説明したが、本発明はこれに限らず、タイバを
有する樹脂封止型の半導体装置全般に適用できると共に
、半導体装置以外でも、タイバに類する樹脂流れ止めを
有し、最終的にはこの樹脂流れ止めを取り除くものにつ
いては応用が可能である。
について説明したが、本発明はこれに限らず、タイバを
有する樹脂封止型の半導体装置全般に適用できると共に
、半導体装置以外でも、タイバに類する樹脂流れ止めを
有し、最終的にはこの樹脂流れ止めを取り除くものにつ
いては応用が可能である。
以上説明したように本発明は、封止樹脂より外側のアウ
タリード間をつなぐタイバを備え、このタイバの内側を
封止樹脂側面に接近させ、アウタリード近傍のタイバ内
に２個の穴を設け、この穴と封止樹脂側面との間の最終
的にタイバを切り離す位置にシャーカットを設けたこと
により、ダムバリ残りがなくなるので実際の使用時にダ
ムバリの落下によるトラブルを防ぐことができ、ダムバ
リを切断しないのでダムバリの飛散による曲げ時のかみ
こみがなく外観不良がなくなり、またパリのかみこみに
よる接触不良が発生しないという効果がある。また、タ
イバカットの刃は金属部のみ打ち抜くため、刃の寿命を
延ばす効果がある。
タリード間をつなぐタイバを備え、このタイバの内側を
封止樹脂側面に接近させ、アウタリード近傍のタイバ内
に２個の穴を設け、この穴と封止樹脂側面との間の最終
的にタイバを切り離す位置にシャーカットを設けたこと
により、ダムバリ残りがなくなるので実際の使用時にダ
ムバリの落下によるトラブルを防ぐことができ、ダムバ
リを切断しないのでダムバリの飛散による曲げ時のかみ
こみがなく外観不良がなくなり、またパリのかみこみに
よる接触不良が発生しないという効果がある。また、タ
イバカットの刃は金属部のみ打ち抜くため、刃の寿命を
延ばす効果がある。
第１図は本発明に係わる半導体装置用リードフレームの
一実施例の一部を示す部分平面図、第２図は第１図のＡ
部拡大図、第３図はリード曲げの状態を示す部分斜視図
、第４図および第５図は従来の半導体装置用リードフレ
ームを示す斜視図、第６図は半導体装置を樹脂封止した
状態の従来のリードフレームを示す斜視図、第７図は従
来の半導体装置用リードフレームを示す平面図、第８図
は半導体装置の最終外形を示す斜視図、第９図は従来の
半導体装置用リードフレームにおけるダムバリの残部を
示す部分平面図、第１０図はそのリード曲げの状態を示
す部分斜視図である。 ２・・・アウタリード、１３・・・タイバ、１３ａ・・
・内側、１３ｂ・・・外側、１４・・・穴、１５・・・
シャーカット、１６・・・破線部、１７・・・ダムバリ
、１８・・・パッケージ。
一実施例の一部を示す部分平面図、第２図は第１図のＡ
部拡大図、第３図はリード曲げの状態を示す部分斜視図
、第４図および第５図は従来の半導体装置用リードフレ
ームを示す斜視図、第６図は半導体装置を樹脂封止した
状態の従来のリードフレームを示す斜視図、第７図は従
来の半導体装置用リードフレームを示す平面図、第８図
は半導体装置の最終外形を示す斜視図、第９図は従来の
半導体装置用リードフレームにおけるダムバリの残部を
示す部分平面図、第１０図はそのリード曲げの状態を示
す部分斜視図である。 ２・・・アウタリード、１３・・・タイバ、１３ａ・・
・内側、１３ｂ・・・外側、１４・・・穴、１５・・・
シャーカット、１６・・・破線部、１７・・・ダムバリ
、１８・・・パッケージ。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置の組立工程に使用されるリード
フレームにおいて、封止樹脂より外側のアウタリード間
をつなぐタイバを備え、このタイバは、内側が前記封止
樹脂側面に接近し、前記アウタリード近傍に設けられた
２個の穴を有し、この穴と前記封止樹脂側面との間の最
終的にタイバを切り離す位置にシャーカットを有するこ
とを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216342A JPS6370548A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216342A JPS6370548A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370548A true JPS6370548A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0545063B2 JPH0545063B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=16687046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61216342A Granted JPS6370548A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370548A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0298165A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Goto Seisakusho:Kk | 電子部品用リードフレーム及びこれを用いた電子部品の製造方法 |
| JPH03257836A (ja) * | 1990-03-07 | 1991-11-18 | Rohm Co Ltd | 合成樹脂封止型電子部品におけるモールド部の成形方法 |
| JPH04121755U (ja) * | 1991-04-22 | 1992-10-30 | ローム株式会社 | 電子部品用リードフレームの構造 |
| US5821610A (en) * | 1995-01-18 | 1998-10-13 | Nec Corporation | Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device |
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| US20130341779A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
| CN116690399A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-05 | 烟台一诺电子材料有限公司 | 一种键合丝抛光涂层一体化装置 |
Citations (5)
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| JPS5988854A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS59134857A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6123348A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-01-31 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61216342A patent/JPS6370548A/ja active Granted
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| US6553657B2 (en) | 1998-12-24 | 2003-04-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6777262B2 (en) | 1998-12-24 | 2004-08-17 | Renesas Technology Corp. | Method of packaging a semiconductor device having gull-wing leads with thinner end portions |
| US20130341779A1 (en) * | 2012-06-25 | 2013-12-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
| US8859338B2 (en) * | 2012-06-25 | 2014-10-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device |
| DE102013200944B4 (de) * | 2012-06-25 | 2020-10-15 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung |
| CN116690399A (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-05 | 烟台一诺电子材料有限公司 | 一种键合丝抛光涂层一体化装置 |
| CN116690399B (zh) * | 2023-08-07 | 2023-09-26 | 烟台一诺电子材料有限公司 | 一种键合丝抛光涂层一体化装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0545063B2 (ja) | 1993-07-08 |
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