JPH01317573A - レジストの塗布方法 - Google Patents
レジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPH01317573A JPH01317573A JP63149830A JP14983088A JPH01317573A JP H01317573 A JPH01317573 A JP H01317573A JP 63149830 A JP63149830 A JP 63149830A JP 14983088 A JP14983088 A JP 14983088A JP H01317573 A JPH01317573 A JP H01317573A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- regist
- outer edge
- speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はスピンナによりレジスト膜を基板上に均一に塗
布する回転塗布方法に関する。
布する回転塗布方法に関する。
して、ターンテーブルとに設置された基板の中心にレジ
ストをおき、ターンテーブルで基板を回転させ、遠心力
で基板とにレジストを塗布する回転塗布法がある。この
回転塗布方法に用いられるスピンナーは、主として塗布
される基板を乗せるターンテーブルと該ターンテーブル
を回転させる鉛直な回転軸とこれに回転力を与えるモー
ター、そして基板の中心に塗布液を供給する給液ノズル
から構成されている。この使用方法としては、まずター
ンテーブル上に基板が乗せられ、次に給液ノズルから一
定量のレジスト櫓布液が供給される。そしてターンテー
ブルを回転させて遠心力でレジストを拡げ一定膜厚の塗
膜を得ることができるのである。
ストをおき、ターンテーブルで基板を回転させ、遠心力
で基板とにレジストを塗布する回転塗布法がある。この
回転塗布方法に用いられるスピンナーは、主として塗布
される基板を乗せるターンテーブルと該ターンテーブル
を回転させる鉛直な回転軸とこれに回転力を与えるモー
ター、そして基板の中心に塗布液を供給する給液ノズル
から構成されている。この使用方法としては、まずター
ンテーブル上に基板が乗せられ、次に給液ノズルから一
定量のレジスト櫓布液が供給される。そしてターンテー
ブルを回転させて遠心力でレジストを拡げ一定膜厚の塗
膜を得ることができるのである。
末法はレジスト膜厚が塗布するレジストの粘度あるいは
固形分の濃度及び、高速回転における回転数、回転時間
を変えることにより任意に選べるという特徴があり、塗
布方法として最も一般的に行われているものである。
固形分の濃度及び、高速回転における回転数、回転時間
を変えることにより任意に選べるという特徴があり、塗
布方法として最も一般的に行われているものである。
〈発明が解決しようとする課題〉
この方法では、基板の中心においたレジストを基板を回
転させることにより基板全体に引きのばすところに特色
がある。しかしながらこの場合、基板の回転速度が比較
的速い場合、基板の状態によっては形成された塗膜に問
題が生じることがわかった。
転させることにより基板全体に引きのばすところに特色
がある。しかしながらこの場合、基板の回転速度が比較
的速い場合、基板の状態によっては形成された塗膜に問
題が生じることがわかった。
すなわち、最初にレジストをのせた部分と、その外側の
基板の回転による遠心力によって拡げられた部分の膜厚
及び基板とレジストの一着性が明瞭に異なる現象が生じ
たのである。その結果露光現像後のレジストパターンの
線巾にバラツキが出る、すなわち基板の位置によって得
られる半導体の特性が異ったりして好まじくない。さら
１に最初にレジストをのせた部分と、遠心力によって拡
げられた部分との境界部分にお−いて特に密着性が低下
する現象が見出されている。この現象は密着露光方式を
行う場合特に問題となる。露光後マスクをレジストから
はがす際に、この境界部のレジストが基板からはがれて
しまう可能性があるからである。これは特に基板に対す
るレジストの濡れ性がよくない場合この傾向が大きい。
基板の回転による遠心力によって拡げられた部分の膜厚
及び基板とレジストの一着性が明瞭に異なる現象が生じ
たのである。その結果露光現像後のレジストパターンの
線巾にバラツキが出る、すなわち基板の位置によって得
られる半導体の特性が異ったりして好まじくない。さら
１に最初にレジストをのせた部分と、遠心力によって拡
げられた部分との境界部分にお−いて特に密着性が低下
する現象が見出されている。この現象は密着露光方式を
行う場合特に問題となる。露光後マスクをレジストから
はがす際に、この境界部のレジストが基板からはがれて
しまう可能性があるからである。これは特に基板に対す
るレジストの濡れ性がよくない場合この傾向が大きい。
〈課題の解決手段〉
を回転しレジストを基板全面に拡げるとの工程を導入す
ることにより上述の問題を解決できることを見出し本発
明を完成した。
ることにより上述の問題を解決できることを見出し本発
明を完成した。
すなわち本発明は、基板の中心にレジストを置き、この
基板を回転させて塗布するレジストの塗布方法において
、始動時は基板に接するレジストの外縁部に不均一が生
じない低速度で基板を回転させ、レジストの外縁が基板
の外端に到達するまで拡がったところで、所定の膜厚に
するために必要な高速回転を行うことを特徴とするレジ
ストの塗布方法を提供するものである。
基板を回転させて塗布するレジストの塗布方法において
、始動時は基板に接するレジストの外縁部に不均一が生
じない低速度で基板を回転させ、レジストの外縁が基板
の外端に到達するまで拡がったところで、所定の膜厚に
するために必要な高速回転を行うことを特徴とするレジ
ストの塗布方法を提供するものである。
ここでレジストの外縁部に不均一が生じない速度とは、
図−１に示すように基板との中心に円形状にのったレジ
ストがその形を朗すことなく基板の外周方向に均一に拡
がる速度である。
図−１に示すように基板との中心に円形状にのったレジ
ストがその形を朗すことなく基板の外周方向に均一に拡
がる速度である。
例えば４インチの基板に粘度８０〜８０ＣＩ）のレジス
トを塗布する場合回転数は１２０１．１）、ｍ以下が好
ましい１回転数が大きく遠心力がレジストの表面張力を
大きく上回るようになると図−２に示す、ように基板上
のレジストの拡がりに不均一が生じ好ましく、ない。回
転時間についてはレジストが基板の外端に到達し完全か
２−様に基板上に広がるまでの時間に数秒の余裕をもた
せた時間が好ましい。例えば４インチの基板に粘度８０
〜８０Ｃｐのレジストを１００〜１２ Ｏｒ、ｐｏｍの
回転数で塗布する場合は１５〜２０秒が適当である。こ
のようにしてレジストを基板全体に広げた後、基板の高
速回転を行う。この高速回転の回転数、回転時間は任、
意であり目標とする膜厚に応じて適宜選ぶことができる
。
トを塗布する場合回転数は１２０１．１）、ｍ以下が好
ましい１回転数が大きく遠心力がレジストの表面張力を
大きく上回るようになると図−２に示す、ように基板上
のレジストの拡がりに不均一が生じ好ましく、ない。回
転時間についてはレジストが基板の外端に到達し完全か
２−様に基板上に広がるまでの時間に数秒の余裕をもた
せた時間が好ましい。例えば４インチの基板に粘度８０
〜８０Ｃｐのレジストを１００〜１２ Ｏｒ、ｐｏｍの
回転数で塗布する場合は１５〜２０秒が適当である。こ
のようにしてレジストを基板全体に広げた後、基板の高
速回転を行う。この高速回転の回転数、回転時間は任、
意であり目標とする膜厚に応じて適宜選ぶことができる
。
〈発明の効果〉
本発明により、膜厚及び密着性の均一なレジスト塗布膜
を形成することが可能となった。その結果として、それ
以後のバターニング工程における高精細化が可能となり
、併せて同工程の歩留まり向上が期待できる。又、密着
露光方式においてレジストと基板が部分的にはがれる心
配がなくなった。
を形成することが可能となった。その結果として、それ
以後のバターニング工程における高精細化が可能となり
、併せて同工程の歩留まり向上が期待できる。又、密着
露光方式においてレジストと基板が部分的にはがれる心
配がなくなった。
さらに本発明の方法ではレジストは従来通り最小限です
み、又塗布装置の改良を必要としない。
み、又塗布装置の改良を必要としない。
〈実施例〉
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
４インチ径のシリコン・ンエハーをＨＭＤＭ−（ヘキサ
メチレンジシラザン）蒸気中で２５’Ｃ，×５分間表面
処理する。そのシリコンウニ八−をスピナーのターンテ
ーブルとに設置し、その中心にスミレシスト（ノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤及びエチルセル
ソルブ、アセテートからなるレジスト、住友化学製）を
約２ ｃｃ滴下する。滴下後ウェハーをレジストが図１
のように基板とに拡がる速度１００ ｒ、ｐ、ｍ、で２
０秒面回転後らにｔｏｏ’ｃに設定したホットプレート
上で６０砂量プリベークした。ウェハーを冷却後、この
上にセロハンテープを密着さオた後テープをはがし塗布
したレジストの剥離状態を１察した。レジストのシリコ
ンウェハーからの剥離は見出されなかった。
メチレンジシラザン）蒸気中で２５’Ｃ，×５分間表面
処理する。そのシリコンウニ八−をスピナーのターンテ
ーブルとに設置し、その中心にスミレシスト（ノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤及びエチルセル
ソルブ、アセテートからなるレジスト、住友化学製）を
約２ ｃｃ滴下する。滴下後ウェハーをレジストが図１
のように基板とに拡がる速度１００ ｒ、ｐ、ｍ、で２
０秒面回転後らにｔｏｏ’ｃに設定したホットプレート
上で６０砂量プリベークした。ウェハーを冷却後、この
上にセロハンテープを密着さオた後テープをはがし塗布
したレジストの剥離状態を１察した。レジストのシリコ
ンウェハーからの剥離は見出されなかった。
を
塗布の回転数をレジストが基板との図２のように不均一
に拡がる速度５００ ｒ、Ｉ）、ｍ、で５検閲、４００
０ ｒ、Ｉ）、ｍ で２０秒間にかえた以外は同様のプ
ロセスで基板とにレジスト暎を形成したセロハンテープ
剥離試験を行った。ウェハ中心に静置したレジストのウ
ェハを回転する直前の外縁部（ａ）に幅約１〜２ｗ＋の
レジスト塗膜の剥離が観察された。
に拡がる速度５００ ｒ、Ｉ）、ｍ、で５検閲、４００
０ ｒ、Ｉ）、ｍ で２０秒間にかえた以外は同様のプ
ロセスで基板とにレジスト暎を形成したセロハンテープ
剥離試験を行った。ウェハ中心に静置したレジストのウ
ェハを回転する直前の外縁部（ａ）に幅約１〜２ｗ＋の
レジスト塗膜の剥離が観察された。
図−１は基板の回転によりレジストが凸板上を均一に拡
っている様子を表わす。 図−２は基板の回転が速くレジストが基板上を不均一に
拡っている様子を表わす。 図中（ａ）はウェハの中心に静置したレジストの基板回
転直前の外縁部を（ｂ）は回転中のレジストの外縁を、
（Ｃ）は基板を表わす。 （７完） 図−１ 図−２
っている様子を表わす。 図−２は基板の回転が速くレジストが基板上を不均一に
拡っている様子を表わす。 図中（ａ）はウェハの中心に静置したレジストの基板回
転直前の外縁部を（ｂ）は回転中のレジストの外縁を、
（Ｃ）は基板を表わす。 （７完） 図−１ 図−２
Claims (1)
- 基板の中心にレジストを置き、この基板を回転させて塗
布するレジスト塗布方法において、始動時は基板に接す
るレジストの外縁部に不均一を生じない速度で基板を回
転させ、レジストが基板全体に拡がったところで、所定
の膜厚にするために必要な高速回転を行うことを特徴と
するレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149830A JPH01317573A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63149830A JPH01317573A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | レジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01317573A true JPH01317573A (ja) | 1989-12-22 |
Family
ID=15483601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63149830A Pending JPH01317573A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01317573A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002235045A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 複合基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63149830A patent/JPH01317573A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002235045A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 複合基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09246173A (ja) | 塗布方法 | |
| US20020160319A1 (en) | Method for forming resist film | |
| JPH01317573A (ja) | レジストの塗布方法 | |
| JPH1092734A (ja) | レジスト材料の塗布方法 | |
| JPS61150332A (ja) | 半導体レジスト塗布方法 | |
| JPS62190838A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS60198818A (ja) | フオトレジストの現像装置 | |
| JPH04333218A (ja) | レジストパターニング方法 | |
| JPS58207631A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS62185322A (ja) | フオトレジスト塗布装置 | |
| JPH0656832B2 (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| KR100272521B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPH09162108A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP2001319851A (ja) | フォトレジスト塗布方法 | |
| JPH10294266A (ja) | レジスト膜形成方法およびそれに用いるチャック並びに乾燥装置 | |
| JPH03227009A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3478933B2 (ja) | スピンコート法およびその装置 | |
| JPS5840171A (ja) | 液体塗布方法 | |
| JPS60138925A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP2580082B2 (ja) | 基板の回転処理装置 | |
| JPS6269611A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH0744142B2 (ja) | フォトレジスト飛散物の除去方法 | |
| KR20010036694A (ko) | 반도체장치 제조용 웨이퍼의 포토레지스트 도포방법 | |
| JPH04133415A (ja) | 半導体基板現像装置 |