JPH01319313A - 弾性表面波素子の製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH01319313A JPH01319313A JP15309188A JP15309188A JPH01319313A JP H01319313 A JPH01319313 A JP H01319313A JP 15309188 A JP15309188 A JP 15309188A JP 15309188 A JP15309188 A JP 15309188A JP H01319313 A JPH01319313 A JP H01319313A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface acoustic
- acoustic wave
- pattern
- manufacturing
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は弾性表面波を伝播させる圧電基板上に少なく
とも２個のトランスデユーサを設け、−方を入力側、他
方を出力側とする弾性表面波素子の製造方法に関するも
のである。
とも２個のトランスデユーサを設け、−方を入力側、他
方を出力側とする弾性表面波素子の製造方法に関するも
のである。
第４図は圧電基板上に入出力電極を形成する際に行う手
順のフローチャー１・を示す。又、この手順によって得
られた基板上の断面図を第３図に示す。
順のフローチャー１・を示す。又、この手順によって得
られた基板上の断面図を第３図に示す。
第３図において、圧電基板（３）上にアルミ（２）を真
空蒸着やスパッタ法等により成膜する。次に、レジスト
を塗布し、前熱処理後、光露光やＥＢｉｌ光により、レ
ジスト（６）上に、弾性表面波素子のパターンを形成す
る。この後再度熱処理を加えて、エツチングを行ないダ
イシングソウ（５）によってダイシング（４）を行う。
空蒸着やスパッタ法等により成膜する。次に、レジスト
を塗布し、前熱処理後、光露光やＥＢｉｌ光により、レ
ジスト（６）上に、弾性表面波素子のパターンを形成す
る。この後再度熱処理を加えて、エツチングを行ないダ
イシングソウ（５）によってダイシング（４）を行う。
この後、それぞれパッケージにチップ（図示せず）を装
着し、アセンブリを行う。
着し、アセンブリを行う。
次に作用について説明する。前処理を行った後、圧電基
板（３）上に、真空蒸着やスパッタ法によりアルミ薄膜
（２）を形成する。次にアルミ薄ｆｆｌ！ （２＋に、
弾性表面波素子のパターンを形成する為、レジスト（６
）を塗布し、露光の為に熱処理を加える。そして光露光
、電子ビーム露光等によりパターン形成後、再度熱処理
を加える。この処理後、アルミ薄膜をエツチングするこ
とにより、パターンを形成する。
板（３）上に、真空蒸着やスパッタ法によりアルミ薄膜
（２）を形成する。次にアルミ薄ｆｆｌ！ （２＋に、
弾性表面波素子のパターンを形成する為、レジスト（６
）を塗布し、露光の為に熱処理を加える。そして光露光
、電子ビーム露光等によりパターン形成後、再度熱処理
を加える。この処理後、アルミ薄膜をエツチングするこ
とにより、パターンを形成する。
その後、ダイシング（４）をし、最後にパッケージに組
み入れる。
み入れる。
ところで、このダイシングの処理は、ダイシングソウ（
５）により、直接切断する為、アルミパターン（２）は
汚れてパターンの切断等がおこる為に、通常保護膜（非
導電性物質）（６）を塗布する。又ダイシングソウ（５
）は高速に回転している為、圧電性を持った基板（３）
は帯電をおこす。
５）により、直接切断する為、アルミパターン（２）は
汚れてパターンの切断等がおこる為に、通常保護膜（非
導電性物質）（６）を塗布する。又ダイシングソウ（５
）は高速に回転している為、圧電性を持った基板（３）
は帯電をおこす。
従来の弾性表面波素子は以上のように製造されていたの
で、ダイシング時に帯電をおこし、又その為にアルミ薄
膜（パターン形成後）と保護膜間の劣化が早まり、電極
のパターン切れなどが起り、歩留りが低下する等の問題
点があった。
で、ダイシング時に帯電をおこし、又その為にアルミ薄
膜（パターン形成後）と保護膜間の劣化が早まり、電極
のパターン切れなどが起り、歩留りが低下する等の問題
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する為になされた
もので、ダイシングを行う際塗布する保護膜を非導電性
物質から導電性の物質に変えることより、帯電を防止で
き、歩留りが向上することを目的とする。
もので、ダイシングを行う際塗布する保護膜を非導電性
物質から導電性の物質に変えることより、帯電を防止で
き、歩留りが向上することを目的とする。
この発明による弾性表面波素子の製造方法はダイシング
の際に発生する帯電を防止する為に保護膜を導電性物質
にしたものである。
の際に発生する帯電を防止する為に保護膜を導電性物質
にしたものである。
この発明における製造方法の処理は保護膜を導電性にす
ることで、パターン面を同電位にすることが出来、圧電
基板に帯電は起らず、又アルミパターンの劣化も減少す
る。
ることで、パターン面を同電位にすることが出来、圧電
基板に帯電は起らず、又アルミパターンの劣化も減少す
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）は導電性保護膜、（２）は弾性
表面波素子のパターン、（３）は圧電性基板、（４）は
ダイシングソウによる切断箇所、（５）はダイシングソ
ウである。
表面波素子のパターン、（３）は圧電性基板、（４）は
ダイシングソウによる切断箇所、（５）はダイシングソ
ウである。
又、第４図は製造方法のフローチャートを示しており、
ダイシング時に保護膜塗布を行う。
ダイシング時に保護膜塗布を行う。
次に作用について説明する。アルミの薄膜形成、レジス
ト塗布、熱処理、露光、熱処理は前記従来のものと同じ
であるが、ダイリング時に導電性体３３ ｖ４（１）を
塗布することで、帯電を防止でき、その為アルミパター
ン（２）の劣化（腐食）を防止する。
ト塗布、熱処理、露光、熱処理は前記従来のものと同じ
であるが、ダイリング時に導電性体３３ ｖ４（１）を
塗布することで、帯電を防止でき、その為アルミパター
ン（２）の劣化（腐食）を防止する。
なお上記実施例ではダイシング時の保：Ｉ膜（１）に導
電性物質を加えたものを示しｔコが、弾性表面波素子の
プロセスにおいて、パターン形成の為のレジストａＯ１
中に導電性を持たすことにより、帯電を防止でき、又パ
ターン形成後も、導電性を持つレジストα■を塗布し、
熱処理を加えるプロセスで、帯電を防止する効果を得る
ことが出きる。（半導体で行うようなシンター等の場合
、）効果として、レジストの為除去が容易であり、又帯
電に対しても効果がある（第２図）。
電性物質を加えたものを示しｔコが、弾性表面波素子の
プロセスにおいて、パターン形成の為のレジストａＯ１
中に導電性を持たすことにより、帯電を防止でき、又パ
ターン形成後も、導電性を持つレジストα■を塗布し、
熱処理を加えるプロセスで、帯電を防止する効果を得る
ことが出きる。（半導体で行うようなシンター等の場合
、）効果として、レジストの為除去が容易であり、又帯
電に対しても効果がある（第２図）。
以上のようにこの発明によれば、従来の製造方法におい
て、ダイシング時の保護膜を非導電性から導電性のもの
に変えることにより、帯電によるアルミ劣化を防止する
ことが出き、このために歩留抄の向上が得られる。
て、ダイシング時の保護膜を非導電性から導電性のもの
に変えることにより、帯電によるアルミ劣化を防止する
ことが出き、このために歩留抄の向上が得られる。
第１図は、この発明の一実施例による弾性表面波素子の
製造方法による断面図、第２図は、この発明の他の実施
例を示す熱処理工程を含むプロセスの断面図、第３図は
従来の弾性表面波素子の製造方法による断面図、第４図
は、弾性表面波素子製造プロセスのフロチャートを示す
。 図において、（１）は保護膜（導電性物質）、（２）は
ＳＡＷアルミｆ４１ｊｉパターン、（３）は基板（圧電
性）、（４）はダイシングソウの切断箇所、（５）はダ
イシングソウ、（６）は保護膜（非導電性物質）である
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相等部分を示す。
製造方法による断面図、第２図は、この発明の他の実施
例を示す熱処理工程を含むプロセスの断面図、第３図は
従来の弾性表面波素子の製造方法による断面図、第４図
は、弾性表面波素子製造プロセスのフロチャートを示す
。 図において、（１）は保護膜（導電性物質）、（２）は
ＳＡＷアルミｆ４１ｊｉパターン、（３）は基板（圧電
性）、（４）はダイシングソウの切断箇所、（５）はダ
イシングソウ、（６）は保護膜（非導電性物質）である
。 なお、図中、同一符号は同一、又は相等部分を示す。
Claims (1)
- 圧電基板上に形成された少なくとも２個のトランスデュ
ーサを持ち、いずれか一方を入力、他方を出力とする弾
性表面波素子の製造方法において、特に弾性表面波素子
のウェハーの状態からチップの状態にするダイシング過
程及び熱処理過程において、ウェハーの帯電を防止する
処理を行うことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15309188A JPH01319313A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15309188A JPH01319313A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319313A true JPH01319313A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15554773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15309188A Pending JPH01319313A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 弾性表面波素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210664A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598420A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Citizen Watch Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15309188A patent/JPH01319313A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS598420A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Citizen Watch Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210664A (ja) * | 1999-07-02 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷発生半導体基板用バンプ形成装置、電荷発生半導体基板の除電方法、電荷発生半導体基板用除電装置、及び電荷発生半導体基板 |
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