JPH01319528A - Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation - Google Patents

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation

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JPH01319528A
JPH01319528A JP15307488A JP15307488A JPH01319528A JP H01319528 A JPH01319528 A JP H01319528A JP 15307488 A JP15307488 A JP 15307488A JP 15307488 A JP15307488 A JP 15307488A JP H01319528 A JPH01319528 A JP H01319528A
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JP
Japan
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epoxy resin
resin composition
semiconductor encapsulation
formulas
tables
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Application number
JP15307488A
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Japanese (ja)
Inventor
Takamitsu Fujimoto
隆光 藤本
Yuzo Kanegae
鐘ケ江 裕三
Shuichi Kita
喜多 修市
Atsuko Shinoda
信田 アツコ
Norimoto Moriwaki
森脇 紀元
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関し、
さらに詳しくは、特定の硬化剤を配合した耐熱性、耐湿
性、ならびに耐冷熱衝察性を有する半導体封Ij二用エ
ポキシ樹脂組成物に係るものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation,
More specifically, the present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation IJ, which has heat resistance, moisture resistance, and cold impact resistance, and which contains a specific curing agent.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

一般に、IC,LSIなとの半導体装置においては、そ
の半導体素子をシリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによ
って封止するようにした樹脂封止法が広く採用されてお
り、これらの封止樹脂のなかでも、特に、エポキシ樹脂
については、封止後の気密性を効果的かつ良好に保持で
きると共に、しかも、これが比較的安価であることさも
相俟って、半導体装置のための素子封止用の樹脂として
汎用されている。
Generally, in semiconductor devices such as ICs and LSIs, resin encapsulation methods are widely used in which semiconductor elements are encapsulated with silicone resin, epoxy resin, etc. Among these encapsulation resins, In particular, epoxy resin is effective and good at maintaining airtightness after encapsulation, and is relatively inexpensive, making it a popular resin for encapsulating semiconductor devices. It is commonly used.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかして、この種の樹脂封止パッケージにあっては、I
C,LSIなどの半導体装置における実装手段の多様化
に伴ない、パッケージそのものが益々小型化、かつ薄型
化される傾向にあり、このような現況に基ついて、従来
のエポキシ樹脂によって封止された樹脂封止パッケージ
の場合には、その封止樹脂であるエポキシ樹脂自体の耐
熱性が十分ではなく、例えば、基板への実装後、溶融半
田内にデイツプすると、封止樹脂にクラックを生じたり
、あるいは素子特性が変動したりすると云う不都合があ
り、また、 150℃以上の耐熱性が要求される自動車
搭載用の素子には、信頼性の点で到底、適し得ないもの
であった。
However, in this type of resin-sealed package, I
With the diversification of mounting methods for semiconductor devices such as C and LSI, the packages themselves tend to become smaller and thinner. In the case of resin-sealed packages, the epoxy resin used as the sealing resin itself does not have sufficient heat resistance; for example, if it is dipped into molten solder after being mounted on a board, the sealing resin may crack. Another problem is that the device characteristics may vary, and in terms of reliability, it is completely unsuitable for devices installed in automobiles, which require heat resistance of 150° C. or higher.

こ)で、封止樹脂としてのエポキシ樹脂硬化物における
耐熱性、耐湿性、それに耐冷熱衝撃性については、その
エポキシ樹脂骨格、官能基数などによって大きく異なる
ことが知られ、従来から、これを基にした耐熱性エポキ
シ樹脂の開発が盛んに進められており、例えば、特公昭
62−53528号公報には、剛直なビフェノール構造
を骨格中にもつエポキシ樹脂組成物が開示されているが
、この例では、その硬化剤にフェノールノボラック樹脂
を用いているために、硬化物のガラス転移温度が、18
0℃程度であってそれほど耐熱性に優れるものではない
It is known that the heat resistance, moisture resistance, and cold shock resistance of cured epoxy resins used as sealing resins vary greatly depending on the epoxy resin skeleton, number of functional groups, etc. The development of heat-resistant epoxy resins is actively underway. For example, Japanese Patent Publication No. 62-53528 discloses an epoxy resin composition having a rigid biphenol structure in its skeleton. Since phenol novolac resin is used as the curing agent, the glass transition temperature of the cured product is 18
The temperature is about 0°C, and the heat resistance is not so excellent.

この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、耐熱性、耐
湿性、それに耐冷熱衝撃性に優れた。この種の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を提供することである。
This invention was made to solve these conventional problems, and its purpose is to provide excellent heat resistance, moisture resistance, and cold shock resistance. An object of the present invention is to provide an epoxy resin composition of this type for semiconductor encapsulation.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

前記11的を達成するために、この発明に係る半導体対
1L用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂組成物中に
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
ることにより、封止樹脂のカラス転移温度を高め、かつ
耐熱強度を向上させて冷熱衝撃サイクル後にもパッケー
ジに損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼさないよう
にしたものである。
In order to achieve the above-mentioned objective 11, the epoxy resin composition for semiconductor pair 1L according to the present invention contains a bisimide phenol compound as a curing agent in the epoxy resin composition, thereby increasing the glass transition temperature of the sealing resin. It also has improved heat resistance and strength so that it does not damage the package or affect device characteristics even after thermal shock cycles.

すなわち、この発明は、−数式 て示される中から選ばれた4僅の有機基〕によって示さ
れるビスイミドフェノール化合物。
That is, the present invention provides a bisimidophenol compound represented by -4 organic groups selected from the following formula:

エポキシ樹脂、および無機質充填剤を含有してなること
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation characterized by containing an epoxy resin and an inorganic filler.

〔作   用〕[For production]

従って、この発明においては、エポキシ樹脂組成物中に
、硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有さ
せであるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め、か
つ耐熱強度を向上させることができ、冷熱衝撃サイクル
後にもパッケージに損傷を与えたり、素子特性に影響を
及ぼす惧れかない。
Therefore, in this invention, since the epoxy resin composition contains a bisimide phenol compound as a curing agent, it is possible to increase the glass transition temperature of the sealing resin and improve the heat resistance strength. Even after a thermal shock cycle, there is no risk of damaging the package or affecting device characteristics.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物
について詳細に説明する。
Hereinafter, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention will be explained in detail.

この発明による半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、−
数式 で示される中から選ばれた4価の有機基〕によって示さ
れるビスイミドフェノール化合物。
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention is -
A bisimidophenol compound represented by a tetravalent organic group selected from the following formula:

エポキシ樹脂、および無機質充填剤を含有してなるもの
である。
It contains an epoxy resin and an inorganic filler.

この発明に用いられるビスイミドフェノール化合物は、
アミノフェノールと、−数式 で示されるテトラカルボン酸2無水物とを、フェノール
性溶媒中で縮合させることによって得られる。
The bisimidophenol compound used in this invention is
It is obtained by condensing aminophenol and a tetracarboxylic dianhydride represented by the formula - in a phenolic solvent.

しかして、前記テトラカルボン酸2無水物としては、ビ
フェニールテトラカルボン酸2無水物。
Therefore, the tetracarboxylic dianhydride is biphenyltetracarboxylic dianhydride.

ピロメリット酸2無水物、ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸2無水
物、ブタンテトラカルボン酸2無水物などを挙げ得る。
Examples include pyromellitic dianhydride, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, butanetetracarboxylic dianhydride, and the like.

こ\で、前記縮合は、アミンフェノール2モルに対して
、テトラカルボン酸2無水物1モルで反応させる。そし
てこのとき、アミノフェノールの量としては、これを2
〜2.2モルの範囲内で用いることができるが、テトラ
カルボン酸2無水物の1モルに対し、アミノフェノール
が2モル未満の場合には、反応生成物に酸が残って耐熱
性、耐湿性に悪影響を及ぼし、反対にアミノフェノール
が22モルを越える場合には、副反応を生じて同様に耐
熱性、耐湿性に悪影響を与える。
In this condensation, 2 moles of amine phenol are reacted with 1 mole of tetracarboxylic dianhydride. At this time, the amount of aminophenol is 2
It can be used within the range of ~2.2 moles, but if the amount of aminophenol is less than 2 moles per mole of tetracarboxylic dianhydride, the acid will remain in the reaction product, resulting in poor heat resistance and moisture resistance. On the other hand, if the amount of aminophenol exceeds 22 moles, side reactions occur, which also adversely affects heat resistance and moisture resistance.

前記フェノール性溶媒としては、o−、p−、m−クレ
ゾールとp−クロルフェノール、およびこれらの混合物
などを用いることができ、アミノフェノールとテトラカ
ルボン酸2無水物の濃度が5〜30重量%の範囲内、好
ましくは、10〜20重量%の範囲内で前記反応を行な
うもので、このときの反応温度は、20〜200℃の範
囲内であるのが望ましい。そして、このようにして得た
ビスイミドフェノール化合物は、単独で用いるか、ある
いは他の硬化剤と混合して用いる。
As the phenolic solvent, o-, p-, m-cresol, p-chlorophenol, a mixture thereof, etc. can be used, and the concentration of aminophenol and tetracarboxylic dianhydride is 5 to 30% by weight. The reaction is carried out within the range of 10 to 20% by weight, preferably within the range of 10 to 20% by weight, and the reaction temperature at this time is desirably within the range of 20 to 200°C. The bisimidophenol compound thus obtained is used alone or mixed with other curing agents.

また、この発明に用いられるエポキシ樹脂としては、例
えば、ノボラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂環式系エポキシ樹脂なとの種々のタイ
プのエポキシ樹脂を挙げ得るが、これらのなかでも、ノ
ボラック系エポキシ樹脂が高温特性に優れているので好
ましく、かっこわらのエポキシ樹脂については、これを
単独で用いても、あるいは、その2種以上を併用するよ
うにしてもよい。
Further, as the epoxy resin used in the present invention, various types of epoxy resins can be mentioned, such as novolak epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, and alicyclic epoxy resin. Among these, Novolac-based epoxy resins are preferred because they have excellent high-temperature properties, and as for the epoxy resins, they may be used alone or two or more of them may be used in combination.

そして、必要に応じては、これらのエポキシ樹脂と共に
、臭素化ノボラック系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を併用しても
よく、この場合、これらのエポキシ樹脂の使用量として
は、前記エポキシ樹脂の100重量部に対して、併用さ
れるエポキシ樹脂が50重量部以下であるのが好ましい
If necessary, epoxy resins such as brominated novolac epoxy resins and brominated bisphenol A epoxy resins may be used in combination with these epoxy resins, and in this case, the amount of these epoxy resins used is It is preferable that the epoxy resin used in combination is 50 parts by weight or less per 100 parts by weight of the epoxy resin.

また、前記ビスイミドフェノール化合物などの硬化剤と
エポキシ樹脂との配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ
基1当量あたり、ビスイミドフェノール化合物のOH当
量が0.7〜1.2であることが好ましいもので、エポ
キシ樹脂のエポキシ基1当量に対して、ビスイミドフェ
ノール化合物のOH当量が0.7未満の場合には、組成
物のガラス転移温度が低くなって耐熱性が低下し、反対
にOH当量が1.2をを越える場合には、硬化物中にビ
スイミドフェノール化合物が未反応物として残るために
、耐熱性、耐湿性が低下すること\なる。
Further, the blending ratio of the curing agent such as the bisimidophenol compound and the epoxy resin is preferably such that the OH equivalent of the bisimidephenol compound is 0.7 to 1.2 per equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. If the OH equivalent of the bisimidophenol compound is less than 0.7 with respect to 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin, the glass transition temperature of the composition will become low and the heat resistance will decrease, and on the contrary, the OH equivalent will decrease. If it exceeds 1.2, the bisimidophenol compound remains as an unreacted product in the cured product, resulting in a decrease in heat resistance and moisture resistance.

さらに、この発明に用いられる無機質フィラーとしては
、例えば、結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉
、タルク、石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊
維などを挙げることかできる。そして、これらの無機質
フィラーの添加量としては、組成物中に50〜80%程
度含有させるのがよく、その添加量が50%未満の場合
には、線膨張係数、および硬化収縮を低下させる効果が
小さくなり、添加量が80%を越える場合には、流動性
が悪くなって作業性が低下する傾向にあるので、このよ
うに50〜80%程度の範囲内で要求される特性に対応
し、その配合量を適宜に選択して用いるのが好ましい。
Furthermore, examples of the inorganic filler used in the present invention include crystalline silica powder, fused silica powder, alumina powder, talc, quartz glass powder, calcium carbonate powder, and glass fiber. The amount of these inorganic fillers added is preferably about 50 to 80% in the composition, and if the amount added is less than 50%, the effect of lowering the coefficient of linear expansion and curing shrinkage is reduced. If the amount becomes small and the amount added exceeds 80%, fluidity tends to deteriorate and workability tends to decrease. It is preferable to appropriately select and use the blending amount.

さらにまた、この発明による半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、必要に応じて、イミタゾール系化合物、第
3級アミン、リン系化合物などの硬化促進剤、カーホン
ブラックなどの着色剤、カルナバワックス、合成ワック
スなどの離型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤、γ−
グリシロキシプロビルトリメトキシシランなどのカップ
リング剤、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどのゴム成分
を、組成物中での含有量が10%を越えない範囲でそれ
ぞれに添加してもよい。
Furthermore, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention may optionally contain a curing accelerator such as an imitazole compound, a tertiary amine, a phosphorus compound, a coloring agent such as carphone black, and carnauba wax. , mold release agents such as synthetic wax, flame retardants such as antimony trioxide, γ-
A coupling agent such as glyciloxypropyltrimethoxysilane, a rubber component such as silicone rubber, fluororubber, etc. may be added to each of them in an amount that does not exceed 10% in the composition.

そして、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成
物については、これを−射的に使用されている公知の混
合装置1例えば、ローラー、ニーダミキサー、エクスト
ルータ、ヘンシェルミキサー(■三井三池製作所製)な
どを用いて容易に調製し得る。
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention can be mixed using known mixing devices such as rollers, kneader mixers, extruders, and Henschel mixers (manufactured by Mitsui Miike Manufacturing Co., Ltd.). ) etc. can be easily prepared.

次に、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の実施例につき、その比較例と併せて詳細に説明する。
Next, examples of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention will be described in detail together with comparative examples thereof.

(製造例1〜5) 次の第1表に示す配合・組成によって芥原料を再結晶さ
せ、減圧乾燥させたものを、ヒスイミドフェノール化合
物の合成に用いた。
(Manufacturing Examples 1 to 5) The raw materials for waste were recrystallized according to the formulations and compositions shown in Table 1 below, dried under reduced pressure, and used for the synthesis of a hisimide phenol compound.

こきて、N、N−ビス(p−ヒドロキシフェノール)ビ
フェニールテ]・ラカルボキシリックジイミドの合成は
、まず、 1f!、の四ツ]二1フラスコ内にm−クレ
ソール500g、キシレン1oog、および再結晶・減
圧乾燥させたp−アミンフェノール32.7gを入れ、
窒素気流下に20〜30℃で均一溶解させると共に、再
結晶・減圧乾燥させたビフェニールテトラカルボン酸2
無水物44.1gを徐々に加えて、20〜30℃で2h
r撹拌2反応させた。
The synthesis of N,N-bis(p-hydroxyphenol)biphenylte]-carboxylic diimide begins with 1f! , 21 Put 500 g of m-cresol, 10 g of xylene, and 32.7 g of recrystallized and vacuum-dried p-amine phenol into a flask.
Biphenyltetracarboxylic acid 2 was uniformly dissolved at 20 to 30°C under a nitrogen stream, recrystallized and dried under reduced pressure.
Gradually add 44.1g of anhydride and keep at 20-30℃ for 2h.
r Stir 2 to react.

つし\で、徐々にン闇度を120〜150℃まで一トげ
て:l0m1n加熱還流させ、 Ihrで反応生成水を
キシレンと共沸させて除去し、さらに続いて、 180
℃でIhr、また、 200℃でlhr反応を行なった
。生成水の量は、5.:]99g理論量5.40.tH
)であった。
Gradually increase the darkness to 120 to 150°C at 10ml and reflux, remove the reaction product water by azeotroping with xylene at 1hr, and then
Ihr reactions were carried out at 200°C and 200°C. The amount of produced water is 5. : ] 99g theoretical amount 5.40. tH
)Met.

その後1m−クレゾールの約届量を減圧蒸留により除い
た+で、 3.5Ilのメチルアルコール中に再沈させ
て濾別し、メチルアルコールで洗浄したのち、20〜3
0℃で減圧乾燥を8hr行なって合成反応物を得た。
After that, approximately 1 m-cresol was removed by vacuum distillation, and the mixture was reprecipitated into 3.5 Il of methyl alcohol, filtered, washed with methyl alcohol, and then washed with 20 to 3 ml of methyl alcohol.
Drying under reduced pressure was performed at 0° C. for 8 hours to obtain a synthetic reaction product.

そして、このようにして得た化合物は、赤外吸収スペク
トルで3300cm−’にOH基に基づく吸収と、17
20cm−’および1.780cm−’にイミド基のC
=O基に基づく特徴的な吸収とが得られ、これによって
目的物であることを確認できたく製造例1)。
In the infrared absorption spectrum, the compound obtained in this way has an absorption based on the OH group at 3300 cm-' and an absorption at 17 cm-'.
Imide group C at 20cm-' and 1.780cm-'
A characteristic absorption based on the =O group was obtained, which confirmed that the product was the desired product.Production Example 1).

また、前記ビフェニールテトラカルボン酸2無水物の代
わりに、ピロメリット酸2無水物(製造例2)、ベンゾ
フェノンテトラカルポン酸2無水物(製造例3)、シク
ロペンタンテトラカルボン酸2無水物(製造例4)、ブ
タンテトラカルボン酸2無水物(製造例5)を用い、航
記製造例1と同様な方法によって、それぞれに合成反応
物を得た。千1ノて、これらの各化合物についても、同
様な手段で同定することによって、それぞれに目的物で
あることを確認できた。
In addition, instead of the biphenyltetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride (Production Example 2), benzophenonetetracarboxylic dianhydride (Production Example 3), cyclopentanetetracarboxylic dianhydride (Production Example 4) and butanetetracarboxylic dianhydride (Production Example 5) were used to obtain synthetic reaction products in the same manner as in Production Example 1. By identifying each of these compounds using the same method, we were able to confirm that each of them was the desired product.

(実施例1〜10.比較例1〜3.) 次の第2表に示す組成・配合割合で、ヒスイミドフェノ
ール化合物、およびエポキシ樹脂、あるいはフェノール
ノボラック樹脂を70〜90℃の熱ロールにより15〜
20m1n、さらに]、30〜150℃で10〜15m
1n混練して予備混合物を得た。
(Examples 1 to 10. Comparative Examples 1 to 3.) A hisimide phenol compound and an epoxy resin or a phenol novolac resin were heated with a heated roll at 70 to 90°C for 15 minutes with the composition and blending ratio shown in Table 2 below. ~
20m1n, further], 10-15m at 30-150℃
A preliminary mixture was obtained by kneading 1n.

そして、これらの予備混合物、エポキシ樹脂。And these premixes, epoxy resin.

フェノールノボラック樹脂、無機質フィラー、硬化促進
剤およびその他の成分を、次の第3表に示す組成・配合
となるように調製し、70〜100℃の熱ロールにより
 4〜7 min間混練したのち、プレス装置を用いて
、直径45mm、高さ35mmのタブレットに、そのか
さ密度が1.5〜1.7となるようにして成形した。
The phenol novolac resin, inorganic filler, curing accelerator, and other components were prepared to have the composition and combination shown in Table 3 below, and kneaded for 4 to 7 minutes using hot rolls at 70 to 100°C. Using a press machine, it was molded into a tablet with a diameter of 45 mm and a height of 35 mm so that its bulk density was 1.5 to 1.7.

続いて、このようにして得たタブIノットを用いて、金
型温度か180℃±5℃、プランジャー圧力か80kg
/cm′、成形時間が90secの条件でトランスファ
ー成形し、各種の信頼性評価用モニターチップと各種の
評価用試験片とをそれぞれに作成し、かつこわらの各信
頼性評価用モニターチップおよび各評(tfi用試験片
に対して、 175℃、 8hrの後硬化処理を施した
Next, using the tab I knot obtained in this way, the mold temperature was 180℃±5℃, and the plunger pressure was 80kg.
/cm', and the molding time was 90 sec to make various reliability evaluation monitor chips and various evaluation test pieces, and each reliability evaluation monitor chip and each evaluation test piece. (The TFI test piece was subjected to post-curing treatment at 175°C for 8 hours.

また、前記のように処理された各評価用試験片を用いて
、曲げ弾性率2曲げ強度、線膨張係数。
In addition, using each evaluation test piece treated as described above, the bending elastic modulus 2 bending strength and linear expansion coefficient were measured.

カラス転移温度および流動性のそれぞれについて測定し
た。その結果を次の第4表に示す。
The glass transition temperature and fluidity were each measured. The results are shown in Table 4 below.

さらに、前記のように処理された各信頼性評価用モニタ
ーチップを用いて、耐熱信頼性試験、耐湿信頼性試験お
よび耐冷熱衝撃試験を次の手段で行なった。その結果を
次の第5表に示す。
Furthermore, using each of the reliability evaluation monitor chips treated as described above, a heat resistance reliability test, a moisture resistance reliability test, and a cold shock resistance test were conducted by the following means. The results are shown in Table 5 below.

°゛耐熱信頼性試験” 空気中、250℃の条件で、モニターチップに不良が発
生するまでの時間を測定した。
゛Heat Resistance Reliability Test'' The time until failure occurs in the monitor chip was measured in air at 250°C.

“耐湿信頼性試験” PCT (Pressure Cooker Te5t
) 1.30℃、2.7気圧の条件で、1000hrJ
lでのモニターチップの不良数によって評価した。
“Moisture resistance reliability test” PCT (Pressure Cooker Te5t
) 1000hrJ at 1.30℃ and 2.7atm
The evaluation was based on the number of defective monitor chips in 1.

゛′耐冷熱衝撃試験” 一65℃で30m1nと 150℃で30m1nとを1
サイクルとし、 500サイクル後でのモニターチップ
の不良数によって評価した。
``Cold thermal shock resistance test'' - 30 m1n at 65℃ and 30m1n at 150℃ 1
The evaluation was made based on the number of defective monitor chips after 500 cycles.

すなわち、前記第4表から判るように、この実施例での
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、装
置自体の曲げ弾性率5曲げ強度および線膨張係数などの
基本的特性とか、組成物の流動性などを著しく変えるこ
となく、そのガラス転移温度を高くでき、しかも、前記
第5表から判るように、装置自体の耐熱性、耐湿性およ
び耐冷熱衝撃性についても非常に優れた特性を有するも
のである。
That is, as can be seen from Table 4 above, when the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation in this example is used, the basic properties such as the flexural modulus of elasticity 5 flexural strength and linear expansion coefficient of the device itself , the glass transition temperature of the composition can be raised without significantly changing its fluidity, etc., and as can be seen from Table 5 above, the device itself has excellent heat resistance, moisture resistance, and cold shock resistance. It has the following characteristics.

〔発明の効果] 以−ト詳述したように、この発明に係る半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物によれば、エポキシ樹脂組成物中に、
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
であるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め得ると
共に、その耐熱強度を向−ヒさせることができ、これに
よって冷熱衝撃サイクル後にもあっても、パッケージに
損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼしたりする惧れ
がなく、優れた耐熱性、耐湿性、および耐冷熱衝撃性を
発揮し得て、IC,LSIなどの半導体封止網脂として
好適に使用できるなどの特長を有するものである。
[Effects of the Invention] As described in detail below, according to the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to the present invention, the epoxy resin composition contains
Since it contains a bisimidophenol compound as a hardening agent, it is possible to increase the glass transition temperature of the sealing resin and improve its heat resistance strength. , there is no risk of damaging the package or affecting the device characteristics, and it exhibits excellent heat resistance, moisture resistance, and cold shock resistance, and is used as a sealant for semiconductors such as ICs and LSIs. It has the advantage that it can be suitably used as a.

代理人  大  岩  増  雄Agent Masao Dai Iwa

Claims (1)

【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔上式中、Rは▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、で示される中から
選ばれた4価の有機基〕 によつて示されるビスイミドフェノール化合物、エポキ
シ樹脂、および無機質充填剤を含有してなることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
[Claims] General formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ [In the above formula, R is ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲
There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼, ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼,
▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ A tetravalent organic group selected from among those shown by] It is characterized by containing a bisimidophenol compound shown by, an epoxy resin, and an inorganic filler. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
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