JPH01319528A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH01319528A JPH01319528A JP15307488A JP15307488A JPH01319528A JP H01319528 A JPH01319528 A JP H01319528A JP 15307488 A JP15307488 A JP 15307488A JP 15307488 A JP15307488 A JP 15307488A JP H01319528 A JPH01319528 A JP H01319528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor encapsulation
- formulas
- tables
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関し、
さらに詳しくは、特定の硬化剤を配合した耐熱性、耐湿
性、ならびに耐冷熱衝察性を有する半導体封Ij二用エ
ポキシ樹脂組成物に係るものである。
さらに詳しくは、特定の硬化剤を配合した耐熱性、耐湿
性、ならびに耐冷熱衝察性を有する半導体封Ij二用エ
ポキシ樹脂組成物に係るものである。
一般に、IC,LSIなとの半導体装置においては、そ
の半導体素子をシリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによ
って封止するようにした樹脂封止法が広く採用されてお
り、これらの封止樹脂のなかでも、特に、エポキシ樹脂
については、封止後の気密性を効果的かつ良好に保持で
きると共に、しかも、これが比較的安価であることさも
相俟って、半導体装置のための素子封止用の樹脂として
汎用されている。
の半導体素子をシリコーン樹脂、エポキシ樹脂などによ
って封止するようにした樹脂封止法が広く採用されてお
り、これらの封止樹脂のなかでも、特に、エポキシ樹脂
については、封止後の気密性を効果的かつ良好に保持で
きると共に、しかも、これが比較的安価であることさも
相俟って、半導体装置のための素子封止用の樹脂として
汎用されている。
しかして、この種の樹脂封止パッケージにあっては、I
C,LSIなどの半導体装置における実装手段の多様化
に伴ない、パッケージそのものが益々小型化、かつ薄型
化される傾向にあり、このような現況に基ついて、従来
のエポキシ樹脂によって封止された樹脂封止パッケージ
の場合には、その封止樹脂であるエポキシ樹脂自体の耐
熱性が十分ではなく、例えば、基板への実装後、溶融半
田内にデイツプすると、封止樹脂にクラックを生じたり
、あるいは素子特性が変動したりすると云う不都合があ
り、また、 150℃以上の耐熱性が要求される自動車
搭載用の素子には、信頼性の点で到底、適し得ないもの
であった。
C,LSIなどの半導体装置における実装手段の多様化
に伴ない、パッケージそのものが益々小型化、かつ薄型
化される傾向にあり、このような現況に基ついて、従来
のエポキシ樹脂によって封止された樹脂封止パッケージ
の場合には、その封止樹脂であるエポキシ樹脂自体の耐
熱性が十分ではなく、例えば、基板への実装後、溶融半
田内にデイツプすると、封止樹脂にクラックを生じたり
、あるいは素子特性が変動したりすると云う不都合があ
り、また、 150℃以上の耐熱性が要求される自動車
搭載用の素子には、信頼性の点で到底、適し得ないもの
であった。
こ)で、封止樹脂としてのエポキシ樹脂硬化物における
耐熱性、耐湿性、それに耐冷熱衝撃性については、その
エポキシ樹脂骨格、官能基数などによって大きく異なる
ことが知られ、従来から、これを基にした耐熱性エポキ
シ樹脂の開発が盛んに進められており、例えば、特公昭
62−53528号公報には、剛直なビフェノール構造
を骨格中にもつエポキシ樹脂組成物が開示されているが
、この例では、その硬化剤にフェノールノボラック樹脂
を用いているために、硬化物のガラス転移温度が、18
0℃程度であってそれほど耐熱性に優れるものではない
。
耐熱性、耐湿性、それに耐冷熱衝撃性については、その
エポキシ樹脂骨格、官能基数などによって大きく異なる
ことが知られ、従来から、これを基にした耐熱性エポキ
シ樹脂の開発が盛んに進められており、例えば、特公昭
62−53528号公報には、剛直なビフェノール構造
を骨格中にもつエポキシ樹脂組成物が開示されているが
、この例では、その硬化剤にフェノールノボラック樹脂
を用いているために、硬化物のガラス転移温度が、18
0℃程度であってそれほど耐熱性に優れるものではない
。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、耐熱性、耐
湿性、それに耐冷熱衝撃性に優れた。この種の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、耐熱性、耐
湿性、それに耐冷熱衝撃性に優れた。この種の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を提供することである。
前記11的を達成するために、この発明に係る半導体対
1L用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂組成物中に
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
ることにより、封止樹脂のカラス転移温度を高め、かつ
耐熱強度を向上させて冷熱衝撃サイクル後にもパッケー
ジに損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼさないよう
にしたものである。
1L用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂組成物中に
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
ることにより、封止樹脂のカラス転移温度を高め、かつ
耐熱強度を向上させて冷熱衝撃サイクル後にもパッケー
ジに損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼさないよう
にしたものである。
すなわち、この発明は、−数式
て示される中から選ばれた4僅の有機基〕によって示さ
れるビスイミドフェノール化合物。
れるビスイミドフェノール化合物。
エポキシ樹脂、および無機質充填剤を含有してなること
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
従って、この発明においては、エポキシ樹脂組成物中に
、硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有さ
せであるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め、か
つ耐熱強度を向上させることができ、冷熱衝撃サイクル
後にもパッケージに損傷を与えたり、素子特性に影響を
及ぼす惧れかない。
、硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有さ
せであるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め、か
つ耐熱強度を向上させることができ、冷熱衝撃サイクル
後にもパッケージに損傷を与えたり、素子特性に影響を
及ぼす惧れかない。
以下、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
この発明による半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、−
数式 で示される中から選ばれた4価の有機基〕によって示さ
れるビスイミドフェノール化合物。
数式 で示される中から選ばれた4価の有機基〕によって示さ
れるビスイミドフェノール化合物。
エポキシ樹脂、および無機質充填剤を含有してなるもの
である。
である。
この発明に用いられるビスイミドフェノール化合物は、
アミノフェノールと、−数式 で示されるテトラカルボン酸2無水物とを、フェノール
性溶媒中で縮合させることによって得られる。
アミノフェノールと、−数式 で示されるテトラカルボン酸2無水物とを、フェノール
性溶媒中で縮合させることによって得られる。
しかして、前記テトラカルボン酸2無水物としては、ビ
フェニールテトラカルボン酸2無水物。
フェニールテトラカルボン酸2無水物。
ピロメリット酸2無水物、ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸2無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸2無水
物、ブタンテトラカルボン酸2無水物などを挙げ得る。
ン酸2無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸2無水
物、ブタンテトラカルボン酸2無水物などを挙げ得る。
こ\で、前記縮合は、アミンフェノール2モルに対して
、テトラカルボン酸2無水物1モルで反応させる。そし
てこのとき、アミノフェノールの量としては、これを2
〜2.2モルの範囲内で用いることができるが、テトラ
カルボン酸2無水物の1モルに対し、アミノフェノール
が2モル未満の場合には、反応生成物に酸が残って耐熱
性、耐湿性に悪影響を及ぼし、反対にアミノフェノール
が22モルを越える場合には、副反応を生じて同様に耐
熱性、耐湿性に悪影響を与える。
、テトラカルボン酸2無水物1モルで反応させる。そし
てこのとき、アミノフェノールの量としては、これを2
〜2.2モルの範囲内で用いることができるが、テトラ
カルボン酸2無水物の1モルに対し、アミノフェノール
が2モル未満の場合には、反応生成物に酸が残って耐熱
性、耐湿性に悪影響を及ぼし、反対にアミノフェノール
が22モルを越える場合には、副反応を生じて同様に耐
熱性、耐湿性に悪影響を与える。
前記フェノール性溶媒としては、o−、p−、m−クレ
ゾールとp−クロルフェノール、およびこれらの混合物
などを用いることができ、アミノフェノールとテトラカ
ルボン酸2無水物の濃度が5〜30重量%の範囲内、好
ましくは、10〜20重量%の範囲内で前記反応を行な
うもので、このときの反応温度は、20〜200℃の範
囲内であるのが望ましい。そして、このようにして得た
ビスイミドフェノール化合物は、単独で用いるか、ある
いは他の硬化剤と混合して用いる。
ゾールとp−クロルフェノール、およびこれらの混合物
などを用いることができ、アミノフェノールとテトラカ
ルボン酸2無水物の濃度が5〜30重量%の範囲内、好
ましくは、10〜20重量%の範囲内で前記反応を行な
うもので、このときの反応温度は、20〜200℃の範
囲内であるのが望ましい。そして、このようにして得た
ビスイミドフェノール化合物は、単独で用いるか、ある
いは他の硬化剤と混合して用いる。
また、この発明に用いられるエポキシ樹脂としては、例
えば、ノボラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂環式系エポキシ樹脂なとの種々のタイ
プのエポキシ樹脂を挙げ得るが、これらのなかでも、ノ
ボラック系エポキシ樹脂が高温特性に優れているので好
ましく、かっこわらのエポキシ樹脂については、これを
単独で用いても、あるいは、その2種以上を併用するよ
うにしてもよい。
えば、ノボラック系エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、脂環式系エポキシ樹脂なとの種々のタイ
プのエポキシ樹脂を挙げ得るが、これらのなかでも、ノ
ボラック系エポキシ樹脂が高温特性に優れているので好
ましく、かっこわらのエポキシ樹脂については、これを
単独で用いても、あるいは、その2種以上を併用するよ
うにしてもよい。
そして、必要に応じては、これらのエポキシ樹脂と共に
、臭素化ノボラック系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を併用しても
よく、この場合、これらのエポキシ樹脂の使用量として
は、前記エポキシ樹脂の100重量部に対して、併用さ
れるエポキシ樹脂が50重量部以下であるのが好ましい
。
、臭素化ノボラック系エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノ
ールA型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂を併用しても
よく、この場合、これらのエポキシ樹脂の使用量として
は、前記エポキシ樹脂の100重量部に対して、併用さ
れるエポキシ樹脂が50重量部以下であるのが好ましい
。
また、前記ビスイミドフェノール化合物などの硬化剤と
エポキシ樹脂との配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ
基1当量あたり、ビスイミドフェノール化合物のOH当
量が0.7〜1.2であることが好ましいもので、エポ
キシ樹脂のエポキシ基1当量に対して、ビスイミドフェ
ノール化合物のOH当量が0.7未満の場合には、組成
物のガラス転移温度が低くなって耐熱性が低下し、反対
にOH当量が1.2をを越える場合には、硬化物中にビ
スイミドフェノール化合物が未反応物として残るために
、耐熱性、耐湿性が低下すること\なる。
エポキシ樹脂との配合割合は、エポキシ樹脂のエポキシ
基1当量あたり、ビスイミドフェノール化合物のOH当
量が0.7〜1.2であることが好ましいもので、エポ
キシ樹脂のエポキシ基1当量に対して、ビスイミドフェ
ノール化合物のOH当量が0.7未満の場合には、組成
物のガラス転移温度が低くなって耐熱性が低下し、反対
にOH当量が1.2をを越える場合には、硬化物中にビ
スイミドフェノール化合物が未反応物として残るために
、耐熱性、耐湿性が低下すること\なる。
さらに、この発明に用いられる無機質フィラーとしては
、例えば、結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉
、タルク、石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊
維などを挙げることかできる。そして、これらの無機質
フィラーの添加量としては、組成物中に50〜80%程
度含有させるのがよく、その添加量が50%未満の場合
には、線膨張係数、および硬化収縮を低下させる効果が
小さくなり、添加量が80%を越える場合には、流動性
が悪くなって作業性が低下する傾向にあるので、このよ
うに50〜80%程度の範囲内で要求される特性に対応
し、その配合量を適宜に選択して用いるのが好ましい。
、例えば、結晶性シリカ粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉
、タルク、石英ガラス粉、炭酸カルシウム粉、ガラス繊
維などを挙げることかできる。そして、これらの無機質
フィラーの添加量としては、組成物中に50〜80%程
度含有させるのがよく、その添加量が50%未満の場合
には、線膨張係数、および硬化収縮を低下させる効果が
小さくなり、添加量が80%を越える場合には、流動性
が悪くなって作業性が低下する傾向にあるので、このよ
うに50〜80%程度の範囲内で要求される特性に対応
し、その配合量を適宜に選択して用いるのが好ましい。
さらにまた、この発明による半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、必要に応じて、イミタゾール系化合物、第
3級アミン、リン系化合物などの硬化促進剤、カーホン
ブラックなどの着色剤、カルナバワックス、合成ワック
スなどの離型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤、γ−
グリシロキシプロビルトリメトキシシランなどのカップ
リング剤、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどのゴム成分
を、組成物中での含有量が10%を越えない範囲でそれ
ぞれに添加してもよい。
組成物には、必要に応じて、イミタゾール系化合物、第
3級アミン、リン系化合物などの硬化促進剤、カーホン
ブラックなどの着色剤、カルナバワックス、合成ワック
スなどの離型剤、三酸化アンチモンなどの難燃剤、γ−
グリシロキシプロビルトリメトキシシランなどのカップ
リング剤、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどのゴム成分
を、組成物中での含有量が10%を越えない範囲でそれ
ぞれに添加してもよい。
そして、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成
物については、これを−射的に使用されている公知の混
合装置1例えば、ローラー、ニーダミキサー、エクスト
ルータ、ヘンシェルミキサー(■三井三池製作所製)な
どを用いて容易に調製し得る。
物については、これを−射的に使用されている公知の混
合装置1例えば、ローラー、ニーダミキサー、エクスト
ルータ、ヘンシェルミキサー(■三井三池製作所製)な
どを用いて容易に調製し得る。
次に、この発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の実施例につき、その比較例と併せて詳細に説明する。
の実施例につき、その比較例と併せて詳細に説明する。
(製造例1〜5)
次の第1表に示す配合・組成によって芥原料を再結晶さ
せ、減圧乾燥させたものを、ヒスイミドフェノール化合
物の合成に用いた。
せ、減圧乾燥させたものを、ヒスイミドフェノール化合
物の合成に用いた。
こきて、N、N−ビス(p−ヒドロキシフェノール)ビ
フェニールテ]・ラカルボキシリックジイミドの合成は
、まず、 1f!、の四ツ]二1フラスコ内にm−クレ
ソール500g、キシレン1oog、および再結晶・減
圧乾燥させたp−アミンフェノール32.7gを入れ、
窒素気流下に20〜30℃で均一溶解させると共に、再
結晶・減圧乾燥させたビフェニールテトラカルボン酸2
無水物44.1gを徐々に加えて、20〜30℃で2h
r撹拌2反応させた。
フェニールテ]・ラカルボキシリックジイミドの合成は
、まず、 1f!、の四ツ]二1フラスコ内にm−クレ
ソール500g、キシレン1oog、および再結晶・減
圧乾燥させたp−アミンフェノール32.7gを入れ、
窒素気流下に20〜30℃で均一溶解させると共に、再
結晶・減圧乾燥させたビフェニールテトラカルボン酸2
無水物44.1gを徐々に加えて、20〜30℃で2h
r撹拌2反応させた。
つし\で、徐々にン闇度を120〜150℃まで一トげ
て:l0m1n加熱還流させ、 Ihrで反応生成水を
キシレンと共沸させて除去し、さらに続いて、 180
℃でIhr、また、 200℃でlhr反応を行なった
。生成水の量は、5.:]99g理論量5.40.tH
)であった。
て:l0m1n加熱還流させ、 Ihrで反応生成水を
キシレンと共沸させて除去し、さらに続いて、 180
℃でIhr、また、 200℃でlhr反応を行なった
。生成水の量は、5.:]99g理論量5.40.tH
)であった。
その後1m−クレゾールの約届量を減圧蒸留により除い
た+で、 3.5Ilのメチルアルコール中に再沈させ
て濾別し、メチルアルコールで洗浄したのち、20〜3
0℃で減圧乾燥を8hr行なって合成反応物を得た。
た+で、 3.5Ilのメチルアルコール中に再沈させ
て濾別し、メチルアルコールで洗浄したのち、20〜3
0℃で減圧乾燥を8hr行なって合成反応物を得た。
そして、このようにして得た化合物は、赤外吸収スペク
トルで3300cm−’にOH基に基づく吸収と、17
20cm−’および1.780cm−’にイミド基のC
=O基に基づく特徴的な吸収とが得られ、これによって
目的物であることを確認できたく製造例1)。
トルで3300cm−’にOH基に基づく吸収と、17
20cm−’および1.780cm−’にイミド基のC
=O基に基づく特徴的な吸収とが得られ、これによって
目的物であることを確認できたく製造例1)。
また、前記ビフェニールテトラカルボン酸2無水物の代
わりに、ピロメリット酸2無水物(製造例2)、ベンゾ
フェノンテトラカルポン酸2無水物(製造例3)、シク
ロペンタンテトラカルボン酸2無水物(製造例4)、ブ
タンテトラカルボン酸2無水物(製造例5)を用い、航
記製造例1と同様な方法によって、それぞれに合成反応
物を得た。千1ノて、これらの各化合物についても、同
様な手段で同定することによって、それぞれに目的物で
あることを確認できた。
わりに、ピロメリット酸2無水物(製造例2)、ベンゾ
フェノンテトラカルポン酸2無水物(製造例3)、シク
ロペンタンテトラカルボン酸2無水物(製造例4)、ブ
タンテトラカルボン酸2無水物(製造例5)を用い、航
記製造例1と同様な方法によって、それぞれに合成反応
物を得た。千1ノて、これらの各化合物についても、同
様な手段で同定することによって、それぞれに目的物で
あることを確認できた。
(実施例1〜10.比較例1〜3.)
次の第2表に示す組成・配合割合で、ヒスイミドフェノ
ール化合物、およびエポキシ樹脂、あるいはフェノール
ノボラック樹脂を70〜90℃の熱ロールにより15〜
20m1n、さらに]、30〜150℃で10〜15m
1n混練して予備混合物を得た。
ール化合物、およびエポキシ樹脂、あるいはフェノール
ノボラック樹脂を70〜90℃の熱ロールにより15〜
20m1n、さらに]、30〜150℃で10〜15m
1n混練して予備混合物を得た。
そして、これらの予備混合物、エポキシ樹脂。
フェノールノボラック樹脂、無機質フィラー、硬化促進
剤およびその他の成分を、次の第3表に示す組成・配合
となるように調製し、70〜100℃の熱ロールにより
4〜7 min間混練したのち、プレス装置を用いて
、直径45mm、高さ35mmのタブレットに、そのか
さ密度が1.5〜1.7となるようにして成形した。
剤およびその他の成分を、次の第3表に示す組成・配合
となるように調製し、70〜100℃の熱ロールにより
4〜7 min間混練したのち、プレス装置を用いて
、直径45mm、高さ35mmのタブレットに、そのか
さ密度が1.5〜1.7となるようにして成形した。
続いて、このようにして得たタブIノットを用いて、金
型温度か180℃±5℃、プランジャー圧力か80kg
/cm′、成形時間が90secの条件でトランスファ
ー成形し、各種の信頼性評価用モニターチップと各種の
評価用試験片とをそれぞれに作成し、かつこわらの各信
頼性評価用モニターチップおよび各評(tfi用試験片
に対して、 175℃、 8hrの後硬化処理を施した
。
型温度か180℃±5℃、プランジャー圧力か80kg
/cm′、成形時間が90secの条件でトランスファ
ー成形し、各種の信頼性評価用モニターチップと各種の
評価用試験片とをそれぞれに作成し、かつこわらの各信
頼性評価用モニターチップおよび各評(tfi用試験片
に対して、 175℃、 8hrの後硬化処理を施した
。
また、前記のように処理された各評価用試験片を用いて
、曲げ弾性率2曲げ強度、線膨張係数。
、曲げ弾性率2曲げ強度、線膨張係数。
カラス転移温度および流動性のそれぞれについて測定し
た。その結果を次の第4表に示す。
た。その結果を次の第4表に示す。
さらに、前記のように処理された各信頼性評価用モニタ
ーチップを用いて、耐熱信頼性試験、耐湿信頼性試験お
よび耐冷熱衝撃試験を次の手段で行なった。その結果を
次の第5表に示す。
ーチップを用いて、耐熱信頼性試験、耐湿信頼性試験お
よび耐冷熱衝撃試験を次の手段で行なった。その結果を
次の第5表に示す。
°゛耐熱信頼性試験”
空気中、250℃の条件で、モニターチップに不良が発
生するまでの時間を測定した。
生するまでの時間を測定した。
“耐湿信頼性試験”
PCT (Pressure Cooker Te5t
) 1.30℃、2.7気圧の条件で、1000hrJ
lでのモニターチップの不良数によって評価した。
) 1.30℃、2.7気圧の条件で、1000hrJ
lでのモニターチップの不良数によって評価した。
゛′耐冷熱衝撃試験”
一65℃で30m1nと 150℃で30m1nとを1
サイクルとし、 500サイクル後でのモニターチップ
の不良数によって評価した。
サイクルとし、 500サイクル後でのモニターチップ
の不良数によって評価した。
すなわち、前記第4表から判るように、この実施例での
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、装
置自体の曲げ弾性率5曲げ強度および線膨張係数などの
基本的特性とか、組成物の流動性などを著しく変えるこ
となく、そのガラス転移温度を高くでき、しかも、前記
第5表から判るように、装置自体の耐熱性、耐湿性およ
び耐冷熱衝撃性についても非常に優れた特性を有するも
のである。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いた場合には、装
置自体の曲げ弾性率5曲げ強度および線膨張係数などの
基本的特性とか、組成物の流動性などを著しく変えるこ
となく、そのガラス転移温度を高くでき、しかも、前記
第5表から判るように、装置自体の耐熱性、耐湿性およ
び耐冷熱衝撃性についても非常に優れた特性を有するも
のである。
〔発明の効果]
以−ト詳述したように、この発明に係る半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物によれば、エポキシ樹脂組成物中に、
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
であるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め得ると
共に、その耐熱強度を向−ヒさせることができ、これに
よって冷熱衝撃サイクル後にもあっても、パッケージに
損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼしたりする惧れ
がなく、優れた耐熱性、耐湿性、および耐冷熱衝撃性を
発揮し得て、IC,LSIなどの半導体封止網脂として
好適に使用できるなどの特長を有するものである。
ポキシ樹脂組成物によれば、エポキシ樹脂組成物中に、
硬化剤としてのビスイミドフェノール化合物を含有させ
であるために、封止樹脂のガラス転移温度を高め得ると
共に、その耐熱強度を向−ヒさせることができ、これに
よって冷熱衝撃サイクル後にもあっても、パッケージに
損傷を与えたり、素子特性に影響を及ぼしたりする惧れ
がなく、優れた耐熱性、耐湿性、および耐冷熱衝撃性を
発揮し得て、IC,LSIなどの半導体封止網脂として
好適に使用できるなどの特長を有するものである。
代理人 大 岩 増 雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔上式中、Rは▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼、で示される中から
選ばれた4価の有機基〕 によつて示されるビスイミドフェノール化合物、エポキ
シ樹脂、および無機質充填剤を含有してなることを特徴
とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15307488A JPH01319528A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15307488A JPH01319528A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319528A true JPH01319528A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15554409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15307488A Pending JPH01319528A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01319528A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351254C (zh) * | 2005-01-13 | 2007-11-28 | 吉林大学 | 含有酰亚胺结构双酚单体的合成方法 |
| WO2011111847A1 (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-15 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
| JP2013023503A (ja) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、樹脂シート、積層板、金属ベース回路基板、インバータ装置及びパワー半導体装置 |
| WO2016101538A1 (zh) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种环氧树脂组合物以及使用它的预浸料和层压板 |
| US9873789B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-01-23 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Halogen-free epoxy resin composition, prepreg and laminate using same |
| US10544255B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-01-28 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Epoxy resin composition, prepreg and laminate prepared therefrom |
| US10696844B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-30 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Halogen-free flame retardant type resin composition |
| WO2026047961A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | 株式会社レゾナック | ポジ型感光性樹脂組成物、絶縁樹脂膜、絶縁樹脂膜を形成する方法、半導体装置、イミド化合物、及びアルカリ可溶性樹脂 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15307488A patent/JPH01319528A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100351254C (zh) * | 2005-01-13 | 2007-11-28 | 吉林大学 | 含有酰亚胺结构双酚单体的合成方法 |
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| US10696844B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-30 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Halogen-free flame retardant type resin composition |
| WO2016101538A1 (zh) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种环氧树脂组合物以及使用它的预浸料和层压板 |
| US9873789B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-01-23 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Halogen-free epoxy resin composition, prepreg and laminate using same |
| US10208156B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-02-19 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Epoxy resin composition, prepreg and laminate using same |
| US10544255B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-01-28 | Shengyi Technology Co., Ltd. | Epoxy resin composition, prepreg and laminate prepared therefrom |
| WO2026047961A1 (ja) * | 2024-08-29 | 2026-03-05 | 株式会社レゾナック | ポジ型感光性樹脂組成物、絶縁樹脂膜、絶縁樹脂膜を形成する方法、半導体装置、イミド化合物、及びアルカリ可溶性樹脂 |
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