JPH01319733A - 光導波素子 - Google Patents
光導波素子Info
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- JPH01319733A JPH01319733A JP15211388A JP15211388A JPH01319733A JP H01319733 A JPH01319733 A JP H01319733A JP 15211388 A JP15211388 A JP 15211388A JP 15211388 A JP15211388 A JP 15211388A JP H01319733 A JPH01319733 A JP H01319733A
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- optical waveguide
- layer
- polymer liquid
- polymer
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/061—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material
- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は情報を光の形態て伝送する光導波素子に関する
ものである。
ものである。
[従来の技術]
従来、情報を光の形て伝送することにより大量の情報を
効率よく取扱うことが出来る為、種々の光導波路が検討
されている。
効率よく取扱うことが出来る為、種々の光導波路が検討
されている。
光導波路材料としては、ガラス、カルコゲナイクト、L
iNbO3等の無機系のものと、ポリウレタン、エポキ
シ、フォトクロミック等の有機系、高分子系のものが研
究されている。
iNbO3等の無機系のものと、ポリウレタン、エポキ
シ、フォトクロミック等の有機系、高分子系のものが研
究されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、無機系の材料は光導波路を作成する為に
、熱蒸着、スパッタリング、 CVD 、エピタキシャ
ル成長等の方法が必要であり、製法が複雑な為にコスト
アップにつながり、また大面積化が難しいという欠点が
あった。
、熱蒸着、スパッタリング、 CVD 、エピタキシャ
ル成長等の方法が必要であり、製法が複雑な為にコスト
アップにつながり、また大面積化が難しいという欠点が
あった。
また、ポリウレタン、エポキシ等の有機系材料は、機能
素子化が不可能であるこ・と、フ才トリソグラフィー等
により光導波路のパターニングは出来るかパターンの変
更が出来ないという欠点かあった。
素子化が不可能であるこ・と、フ才トリソグラフィー等
により光導波路のパターニングは出来るかパターンの変
更が出来ないという欠点かあった。
一方、フォトクロミック材料は光導波路のバターニング
および変更は可能であるか、外部にパターニング用光源
か必要となるために、素子の小型化か図れない点、また
外部光によりフォトクロミック材料か徐々に劣化する点
に問題があり、また実用化されて゛いない現状である。
および変更は可能であるか、外部にパターニング用光源
か必要となるために、素子の小型化か図れない点、また
外部光によりフォトクロミック材料か徐々に劣化する点
に問題があり、また実用化されて゛いない現状である。
本発明は、この様な従来技術の問題に鑑みてなされたも
のてあり、光導波路を高分子液晶により構成することに
より、フレキシブルてバターニング及びその変更か可能
てあり、必要箇所のみ簡便にスイッチング薄膜を作成す
ることができ、耐久性か良く、低コスト化が可能な光導
波素子を提供することを目的とするものである。
のてあり、光導波路を高分子液晶により構成することに
より、フレキシブルてバターニング及びその変更か可能
てあり、必要箇所のみ簡便にスイッチング薄膜を作成す
ることができ、耐久性か良く、低コスト化が可能な光導
波素子を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明は、基板上に高分子液晶からなる光導波路
を有することを特徴とする光導波素子である。
を有することを特徴とする光導波素子である。
本発明の光導波素子は、高分子液晶からなる光導波路を
有するものであるか、該高分子液晶としては、サーモト
ロピック液晶性を示す材料か好適である。この例として
は、メタクリル酸ポリマーやシロキサンポリマー等を主
鎖とし、低分子液晶をペンダント状に付加したいわゆる
側鎖型高分子液晶、また高強度、高弾性、耐熱性m維や
樹脂の分野て用いら・れているポリエステル系またはポ
リアミド系等の主鎖型高分子液晶等を用いることかてき
る。
有するものであるか、該高分子液晶としては、サーモト
ロピック液晶性を示す材料か好適である。この例として
は、メタクリル酸ポリマーやシロキサンポリマー等を主
鎖とし、低分子液晶をペンダント状に付加したいわゆる
側鎖型高分子液晶、また高強度、高弾性、耐熱性m維や
樹脂の分野て用いら・れているポリエステル系またはポ
リアミド系等の主鎖型高分子液晶等を用いることかてき
る。
さらに、高分子液晶中に不斉炭素を導入した5IIC′
を示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶も好ましく
用いることかできる。また、高分子液晶に低分子液晶を
ブレンドした系ても良い。
を示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶も好ましく
用いることかできる。また、高分子液晶に低分子液晶を
ブレンドした系ても良い。
以下、高分子液晶の具体例を例示するが、本発明はこれ
らに限定されるものてはない。
らに限定されるものてはない。
上記高分子液晶は正の誘電異方性を示し、屈折率は、印
加電界に対してnz=1.6. nよ=1.5である
。
加電界に対してnz=1.6. nよ=1.5である
。
[作用]
本発明の光導波素子は、基板上に高分子液晶からなる光
導波路を有するので、薄膜作製が簡便て、異なる箇所に
異なる配向処理を行なうことか可能て、膜厚制御も容易
で、必要箇所のみに簡便にスイッチング薄膜を作成する
ことか出来、液晶状態の固定か可能な光導波素子とする
ことかできる。
導波路を有するので、薄膜作製が簡便て、異なる箇所に
異なる配向処理を行なうことか可能て、膜厚制御も容易
で、必要箇所のみに簡便にスイッチング薄膜を作成する
ことか出来、液晶状態の固定か可能な光導波素子とする
ことかできる。
[実施例]
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
第1図(a) 、 (b)は本発明の光導波素子の一実
施例を示す説明図である。第1図(c)は光導波素子の
応用例を示す説明図である。
施例を示す説明図である。第1図(c)は光導波素子の
応用例を示す説明図である。
同第1図(a)において、光導波素子1はAI!からな
る電極6を蒸着したスチレンとメタクリル酸メチルの共
重合体からなる屈折率1.5の基板5に、電子ビームレ
ジストにより屈折率1.55の高分子導波路層8を形成
し、その上に高分子液晶からなる光導波路(以下、高分
子液晶層と記す)4をワイヤーパーコーティングにより
形成し、さらにその上に表面にAfからなる電極3を蒸
着した配向膜7を圧着し、該電極3の上に絶縁層を介し
て加熱層2としてチッ化タンタル(TaN )を蒸着し
てなるものである。
る電極6を蒸着したスチレンとメタクリル酸メチルの共
重合体からなる屈折率1.5の基板5に、電子ビームレ
ジストにより屈折率1.55の高分子導波路層8を形成
し、その上に高分子液晶からなる光導波路(以下、高分
子液晶層と記す)4をワイヤーパーコーティングにより
形成し、さらにその上に表面にAfからなる電極3を蒸
着した配向膜7を圧着し、該電極3の上に絶縁層を介し
て加熱層2としてチッ化タンタル(TaN )を蒸着し
てなるものである。
上記のように高分子導波路8と高分子液晶層4を積層し
て2層構成にすることにより、大面積導波路の作成が容
易となると同時に両層の間の密着性が良くなり、又両者
の屈折率の選択度か高くなる利点がある。
て2層構成にすることにより、大面積導波路の作成が容
易となると同時に両層の間の密着性が良くなり、又両者
の屈折率の選択度か高くなる利点がある。
次に、高分子液晶層4における高分子液晶の2種類の分
子配列状態の形成方法を第1図(a)、(b)により説
明する。
子配列状態の形成方法を第1図(a)、(b)により説
明する。
第1図(a)は加熱層2に電流を流して加熱し、画電極
3.6間は開放にして電圧無印加の状態を示している。
3.6間は開放にして電圧無印加の状態を示している。
加熱層2の加熱により高分子液晶層4の高分子液晶はガ
ラス転移点以上に加熱されるが、電極3,6間には電圧
が印加されていない為、配向膜7により、図示されるよ
うに面に平行に配向されている。
ラス転移点以上に加熱されるが、電極3,6間には電圧
が印加されていない為、配向膜7により、図示されるよ
うに面に平行に配向されている。
第1図(b)は加熱層2に電流を流して加熱し、画電極
3,6間に電圧を印加した状態を示す。加熱層2の加熱
と電極3.6間の電圧印加により、高分子液晶は図示さ
れるように面に垂直に配向される。
3,6間に電圧を印加した状態を示す。加熱層2の加熱
と電極3.6間の電圧印加により、高分子液晶は図示さ
れるように面に垂直に配向される。
一般にネマチック液晶は、第2図(a)に示すように分
子配向の軸方向に偏光している光波に対してはnlの屈
折率を示し、これと直交する偏光に対しては第2図(b
)に示すようにnl (〈n、)を示す。
子配向の軸方向に偏光している光波に対してはnlの屈
折率を示し、これと直交する偏光に対しては第2図(b
)に示すようにnl (〈n、)を示す。
又、高分子導波路層の屈折率をnfとすると、本実施例
では屈折率をn工<n(<nlとなるように設定する必
要があり、例えば、nz=1.6゜nr =1.55.
nt =1.5となるように材料を選択すればよい。
では屈折率をn工<n(<nlとなるように設定する必
要があり、例えば、nz=1.6゜nr =1.55.
nt =1.5となるように材料を選択すればよい。
第1図(a)においては、高分子導波路層8中のTE、
7Mモードの光に対しては高分子液晶層は屈折率nA
となるので、高分子導波路層8中の導波光は減衰せずに
高分子導波路層8の中をそのまま伝搬する。
7Mモードの光に対しては高分子液晶層は屈折率nA
となるので、高分子導波路層8中の導波光は減衰せずに
高分子導波路層8の中をそのまま伝搬する。
これに対し、第1図(b)においては、液晶分子は面に
対し垂直に配列し、この方向に偏光する光に対して高分
子液晶層4はnz (>nr )となるので、7Mモ
ードは高分子液晶層4中に漏れ出し、散乱して徐々に消
滅する。しかしながら、TEモートの光に対しては、印
加電圧の有無に拘らず高分子液晶層8は常にn工 (<
nr)となりTEモートの光は高分子導波路層8中をそ
のまま透過する。
対し垂直に配列し、この方向に偏光する光に対して高分
子液晶層4はnz (>nr )となるので、7Mモ
ードは高分子液晶層4中に漏れ出し、散乱して徐々に消
滅する。しかしながら、TEモートの光に対しては、印
加電圧の有無に拘らず高分子液晶層8は常にn工 (<
nr)となりTEモートの光は高分子導波路層8中をそ
のまま透過する。
即ち、高分子液晶層の状態を換えることにより。
7Mモードに対する光スイッチングを行なうことかてき
る。
る。
第1図(C)に光導波回路としての応用例を示す、基板
5の上に高分子導波路層8および高分子液晶層4を図の
ようなパターンに形成し、不図示の配向I!!7、電極
3.加熱層2を順次第1図(a)に示す様に積層してな
るものである。この様に構成された光導波素子において
は、常時は光信号を高分子導波路層8中を100%通過
させ、必要時のみ熱および電圧を印加することによって
高分子液晶層4に光信号を漏洩させて、漏洩光を不図示
のセンサでモニターしたり、高分子導波路中の透過光量
を制御することが出来る。
5の上に高分子導波路層8および高分子液晶層4を図の
ようなパターンに形成し、不図示の配向I!!7、電極
3.加熱層2を順次第1図(a)に示す様に積層してな
るものである。この様に構成された光導波素子において
は、常時は光信号を高分子導波路層8中を100%通過
させ、必要時のみ熱および電圧を印加することによって
高分子液晶層4に光信号を漏洩させて、漏洩光を不図示
のセンサでモニターしたり、高分子導波路中の透過光量
を制御することが出来る。
このような光導波路のスイッチングの原理は、低分子液
晶を例として、例えば「光集積回路」318頁(昭和6
0年 オーム社発行)に示されているが、本発明は高分
子液晶からなる光導波路を使用することにより、薄膜作
製が簡便で、異なる箇所に異なる配向処理を行なうこと
が可能で、膜厚制御も容易で、必要箇所のみに簡便にス
イッチング薄膜を作成することが出来、液晶状態の固定
が可能な従来の低分子液晶では出来なかった新規な光導
波素子を提供することができる。
晶を例として、例えば「光集積回路」318頁(昭和6
0年 オーム社発行)に示されているが、本発明は高分
子液晶からなる光導波路を使用することにより、薄膜作
製が簡便で、異なる箇所に異なる配向処理を行なうこと
が可能で、膜厚制御も容易で、必要箇所のみに簡便にス
イッチング薄膜を作成することが出来、液晶状態の固定
が可能な従来の低分子液晶では出来なかった新規な光導
波素子を提供することができる。
第3図(a)においては、高分子液晶層4を中間層とし
て利用し、高分子導波路層8a 、Bb間の光スイッチ
ングを行なう第1図(a)の光導波素子の変形例を示す
。第1図(a)と同様に、不図示の電極に電圧を印加し
てスイッチングを行なうことが出来る。
て利用し、高分子導波路層8a 、Bb間の光スイッチ
ングを行なう第1図(a)の光導波素子の変形例を示す
。第1図(a)と同様に、不図示の電極に電圧を印加し
てスイッチングを行なうことが出来る。
この場合、高分子導波路層8aに入射した光に対して高
分子導波路層8a 、8bの屈折率n8.。
分子導波路層8a 、8bの屈折率n8.。
nab及び高分子液晶の2つの状態の屈折率をnよr”
lとした時に、nz <naa<nz <nabとなる
ように設定しておけば、高分子液晶の液晶状態によって
光は高分子導波路層8aを直接透過したり、または高分
子導波路層8bへ導いたりすることができ、光スイッチ
ングが可能となる。このように、高分子導波路層8a
、8bを主導波路とすることによって、高分子液晶層4
中の光減衰が大きいという短所をカバーすることができ
る。
lとした時に、nz <naa<nz <nabとなる
ように設定しておけば、高分子液晶の液晶状態によって
光は高分子導波路層8aを直接透過したり、または高分
子導波路層8bへ導いたりすることができ、光スイッチ
ングが可能となる。このように、高分子導波路層8a
、8bを主導波路とすることによって、高分子液晶層4
中の光減衰が大きいという短所をカバーすることができ
る。
例えば、高分子導波路層8aをスチレンとメタクリル酸
メチルの共重合体(n = 1.55) 、高分子導波
路層8bをポリサルホン(n = 1.63)で作成す
れば、前述の式(1)の高分子液晶に対して本実施例の
動作を実際に行なわせることが可能である。
メチルの共重合体(n = 1.55) 、高分子導波
路層8bをポリサルホン(n = 1.63)で作成す
れば、前述の式(1)の高分子液晶に対して本実施例の
動作を実際に行なわせることが可能である。
又、高分子液晶層4の作成は、第3図(b)に示すよう
に、高分子導波路層8a 、8bの間隙にスクリーン印
刷によって高分子液晶層を塗布して形成しても良いし、
第3図(C)に示すように、前高分子導波路層8a 、
8bにかかるように高分子液晶を塗布して形成しても良
い。
に、高分子導波路層8a 、8bの間隙にスクリーン印
刷によって高分子液晶層を塗布して形成しても良いし、
第3図(C)に示すように、前高分子導波路層8a 、
8bにかかるように高分子液晶を塗布して形成しても良
い。
次に、本発明においては高分子液晶を利用することによ
って、必要に応じて異なる光導波路パターンを有する可
変パターン導波路を得ることも可能である。
って、必要に応じて異なる光導波路パターンを有する可
変パターン導波路を得ることも可能である。
第4図(a)、(b)に基づいて、高分子液晶を利用し
た光導波路のバターニングについて説明する。
た光導波路のバターニングについて説明する。
第4図(a)、(b)の(ア)〜(1)は、光導波素子
を層方向に主要層構成単位に分離し、その各層を説明す
るものである。始めに、(ア)〜(1)の各層について
その構成を概説し、続いて層全体てバターニングする原
理について説明する。
を層方向に主要層構成単位に分離し、その各層を説明す
るものである。始めに、(ア)〜(1)の各層について
その構成を概説し、続いて層全体てバターニングする原
理について説明する。
(ア)2a 、2bは加熱層を示し、例えば抵抗発熱層
か形成されていて通電により面状加熱を行なうことか出
来る。この層は光導波路全面てあってもよいし、バター
ニングに対応する部位のみてもよい。
か形成されていて通電により面状加熱を行なうことか出
来る。この層は光導波路全面てあってもよいし、バター
ニングに対応する部位のみてもよい。
(イ)3a 、3bは電極層を示し、パターニングに対
応する形状を有する。電極層を支持する電極支持層を設
け、高分子液晶層に接する側には、例えばラビング処理
されたポリイミド膜からなる配向膜を有してもよい。
応する形状を有する。電極層を支持する電極支持層を設
け、高分子液晶層に接する側には、例えばラビング処理
されたポリイミド膜からなる配向膜を有してもよい。
ここで、(ア)、(イ)のいずれかがパターンに対応し
ていれば必要な高分子液晶の分子状態を得ることかでき
、また(ア)、(イ)が一体化されていてもよい。
ていれば必要な高分子液晶の分子状態を得ることかでき
、また(ア)、(イ)が一体化されていてもよい。
(つ)基板5に高分子液晶層4を、例えばスピナーによ
り1鉢臘の厚さに塗布して形成したちのである。高分子
液晶を塗布する基板表面には配向膜を設けてもよい。
り1鉢臘の厚さに塗布して形成したちのである。高分子
液晶を塗布する基板表面には配向膜を設けてもよい。
(1)6a 、6bは(イ)に対向する電極層を示し、
パターニングに対応する形状であってもよいし、平面全
域にわたっていてもよい。また、(つ)と一体であって
も良い。
パターニングに対応する形状であってもよいし、平面全
域にわたっていてもよい。また、(つ)と一体であって
も良い。
次に、光導波路のバターニング法について説明する。
第4図(a)において、(ア)〜(1)の4層を密着積
層して、加熱層2aに電流を流して高分子液晶層4が液
晶相状態を示すように加熱する。
層して、加熱層2aに電流を流して高分子液晶層4が液
晶相状態を示すように加熱する。
次いて、(イ)、(1)の電極3a 、6a間に電圧を
印加すると、(つ)の4a+の部分の液晶分子は基板に
垂直方向に配列し、電圧無印加の482の部分の液晶分
子は基板に平行に配列する。この配列方向は配向膜によ
って、例えば光の進行方向に制御すれば良い。
印加すると、(つ)の4a+の部分の液晶分子は基板に
垂直方向に配列し、電圧無印加の482の部分の液晶分
子は基板に平行に配列する。この配列方向は配向膜によ
って、例えば光の進行方向に制御すれば良い。
その後、(ア)の発熱層における加熱と(イ)、(1)
間の電圧印加をとり去ればパターニングか完了する。
間の電圧印加をとり去ればパターニングか完了する。
導波光の振動方向を基板に垂直とすれば、導波光は電圧
印加により垂直配向された高分子液晶層内を選択的に通
過する。
印加により垂直配向された高分子液晶層内を選択的に通
過する。
パターンを変更する場合には、例えば、(ア)、(イ)
を第1層、(つ)を第2層、(1)を第3層として分離
回走にして電圧印加する電極のパターン層(イ)、(1
)を第4図(a)→第4図(b)と変更して、上記と同
様の工程を繰返せば良い。又、パターン形成は電極を透
明電極とし全面に電圧を印加して1例えば (fl:21ts)2N(YXトN(C2H5)2cp
o、e て与えられるような光吸収剤を含有する高分子液晶に部
分的に、例えば発光波長8:lOnm 、発光出力30
mWの半導体レーザーて光照射することにより加熱を行
なっても良い。
を第1層、(つ)を第2層、(1)を第3層として分離
回走にして電圧印加する電極のパターン層(イ)、(1
)を第4図(a)→第4図(b)と変更して、上記と同
様の工程を繰返せば良い。又、パターン形成は電極を透
明電極とし全面に電圧を印加して1例えば (fl:21ts)2N(YXトN(C2H5)2cp
o、e て与えられるような光吸収剤を含有する高分子液晶に部
分的に、例えば発光波長8:lOnm 、発光出力30
mWの半導体レーザーて光照射することにより加熱を行
なっても良い。
第5図(a)、(b)は光導波素子の可変パターン導波
路の変形例を示す説明図である。同図においては、電極
を同一基板上に複数種類設けて随時パターンの変更を行
なうことがてきる様に構成したものである。例えば、加
熱層2により高分子液晶層4を液晶層温度以上に加熱し
、第5図(a) 、 (b)に示すように、電極3c、
6c間或いは電極3d、60間に電圧を印加することに
より高分子液晶層に所望の導波パターンを形成すること
ができる。
路の変形例を示す説明図である。同図においては、電極
を同一基板上に複数種類設けて随時パターンの変更を行
なうことがてきる様に構成したものである。例えば、加
熱層2により高分子液晶層4を液晶層温度以上に加熱し
、第5図(a) 、 (b)に示すように、電極3c、
6c間或いは電極3d、60間に電圧を印加することに
より高分子液晶層に所望の導波パターンを形成すること
ができる。
加熱層を利用して高分子液晶をガラス転移点より低い一
定温度に制御する事により、光学素子として利用する際
の温度安定性を良くすることも可能である。また、これ
をスイッチング素子として機能させることも可能である
。
定温度に制御する事により、光学素子として利用する際
の温度安定性を良くすることも可能である。また、これ
をスイッチング素子として機能させることも可能である
。
本発明においては、光導波路は低分子液晶と異なり、高
分子液晶からなるので、膜厚制御が容易で層構成が簡易
となり、高分子液晶層を積層することにより三次元導波
路を容易に製作することが可能となる。
分子液晶からなるので、膜厚制御が容易で層構成が簡易
となり、高分子液晶層を積層することにより三次元導波
路を容易に製作することが可能となる。
上記実施例においては、高分子導波路と高分子液晶から
なる光導波路の組合せについて説明したが、勿論これに
限ることなく無機導波路と高分子液晶からなる光導波路
の組合せに適用することも可能である。
なる光導波路の組合せについて説明したが、勿論これに
限ることなく無機導波路と高分子液晶からなる光導波路
の組合せに適用することも可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、光導波路に高分
子液晶を利用することによって、フレキシブルでパター
ニング及びその変更が可能で、必要箇所のみに簡便にス
イッチング薄膜を作成することが出来、耐久性が良く、
低コスト化が可能な光導波素子を提供することが出来る
。
子液晶を利用することによって、フレキシブルでパター
ニング及びその変更が可能で、必要箇所のみに簡便にス
イッチング薄膜を作成することが出来、耐久性が良く、
低コスト化が可能な光導波素子を提供することが出来る
。
第1図(a)、(b)は本発明の光導波素子の一実施例
を示す説明図、第1図(C)はその光導波素子の応用例
を示す説明図、第2図(a)、(b)はネマチック液晶
の分子配向に対する屈折率の変化を示す説明図、第3図
(a)〜(C)は光導波素子の他の実施例を示す説明図
、第4図(a)、(b)は高分子液晶を利用した光導波
路のパターニングを示す説明図および第5図(a)、(
b)は光導波素子の可変パターン導波路の変形例を示す
説明図である。 l・・・光導波素子 2.2a 、2b・・・加熱層 3 、3a 〜3d 、 6 、6a 〜6c −電極
4・・・高分子液晶層 5・・・基板 7・・・配向膜 8.8a 、8b・・・高分子導波路層第1図 第2図 (a) (b)
を示す説明図、第1図(C)はその光導波素子の応用例
を示す説明図、第2図(a)、(b)はネマチック液晶
の分子配向に対する屈折率の変化を示す説明図、第3図
(a)〜(C)は光導波素子の他の実施例を示す説明図
、第4図(a)、(b)は高分子液晶を利用した光導波
路のパターニングを示す説明図および第5図(a)、(
b)は光導波素子の可変パターン導波路の変形例を示す
説明図である。 l・・・光導波素子 2.2a 、2b・・・加熱層 3 、3a 〜3d 、 6 、6a 〜6c −電極
4・・・高分子液晶層 5・・・基板 7・・・配向膜 8.8a 、8b・・・高分子導波路層第1図 第2図 (a) (b)
Claims (5)
- (1)基板上に高分子液晶からなる光導波路を有するこ
とを特徴とする光導波素子。 - (2)前記高分子液晶に熱エネルギー又は熱エネルギー
及び光エネルギーを印加することにより所望の光導波路
を形成する加熱層が設けられている請求項1記載の光導
波素子。 - (3)前記高分子液晶に熱エネルギー及び電圧を印加す
ることにより高分子液晶の光学特性を制御する一対の電
極が設けられている請求項1記載の光導波素子。 - (4)前記光導波路が複数の高分子液晶層からなる請求
項1記載の光導波素子。 - (5)前記光導波路の少なくとも一方の面に高分子液晶
の温度制御を行なう電極が設けられている請求項1記載
の光導波素子。
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|---|---|---|---|
| JP63152113A JP2999199B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光導波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152113A JP2999199B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光導波素子 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319733A true JPH01319733A (ja) | 1989-12-26 |
| JP2999199B2 JP2999199B2 (ja) | 2000-01-17 |
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ID=15533342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152113A Expired - Fee Related JP2999199B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 光導波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2999199B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996010209A1 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Polymeric liquid-crystal element and process for producing the same |
| JP2006194993A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | 光学素子及び光スイッチ |
| JP2020525863A (ja) * | 2017-06-09 | 2020-08-27 | オーピーイー エルエルシー | アナログコンポーネントを備えたデータセキュリティ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227122A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nec Corp | 高分子液晶の配向方法 |
| JPH01101522A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非線形光学材料とそれを用いた非線形光学素子 |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63152113A patent/JP2999199B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227122A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nec Corp | 高分子液晶の配向方法 |
| JPH01101522A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非線形光学材料とそれを用いた非線形光学素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006194993A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Fujitsu Ltd | 光学素子及び光スイッチ |
| JP2020525863A (ja) * | 2017-06-09 | 2020-08-27 | オーピーイー エルエルシー | アナログコンポーネントを備えたデータセキュリティ装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2999199B2 (ja) | 2000-01-17 |
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