JPH01321440A

JPH01321440A - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH01321440A
Application number: JP63154796A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Karakida; 唐木田　健一; Shigeru Yagi; 茂八木; Yuzuru Fukuda; 福田　讓; Masayuki Nishikawa; 雅之西川; Yasuo Ro; 盧　泰男; Noriyoshi Takahashi; 高橋　徳好; Masahito Ono; 雅人小野; Masanori Yokoi; 横井　正紀; Yumiko Komori; 由美子小森
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1988-06-24
Filing date: 1988-06-24
Publication date: 1989-12-27
Anticipated expiration: 2012-07-09
Also published as: JP2627427B2; US5008170A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、非晶質ケイ素を含む電子写真用感光体に関す
る。

従来の技術電子写真用感光体の寿命は主として電気特性上の劣化、
表面にあける傷の発生、感光体材料自体の変質（特に熱
的変化）などの要因によって支配されていることが知ら
れている。近年、非晶質ケイ素を主体とする材料を用い
た感光体が注目されているのは、その材料か従来の感光
体のもつ上記寿命要因を根本的に除去できる可能性を有
しているからである。すなわら、非晶質ケイ素材料は、
電気特性上安定な繰返し特性を有し、高硬度かつ熱的に
も安定であり、極めて長寿命な感光体を提供できるポテ
ンシャルを有している。

また、非晶質ケイ素は単に長寿命を期待させるばかりで
なく、従来の感光体材料に比較すると、長波長側まで高
い光感度を呈し、また適切な処方によってその感度をさ
らに長い波長領域まで延ばすこともできる。従って、小
型かつ低コスｌ−な半導体レーザーを光源としたプリン
ターにも適用が可能でおる。

発明か解決しようとする課題非晶質ケイ素は、感光体用材料としてこのように優れた
ポテンシャルを有するものであるが、現実には暗抵抗、
機械的強度（とりわけ延性）、経時安定性、ざらには画
質の環境雰囲気（温度、湿度）依存性において問題を有
している。

非晶質ケイ素材料は確かに高硬度で必って、ウィッカー
ス硬度は１０００オーダーの値を示すが、それよりも低
硬度の材料（たとえば、複写用紙の喘あるいは複写機内
のクリーニングブレードなど）と接触することによって
、その接触部分が画像ぬけを呈するという問題を有して
いる。

さらに、非晶質ケイ素感光体は、複写機（又はプリンタ
ー）内で比較的長期にわたって繰り返し使用した場合、
解像度の低下（画像流れ）を引き起こすことが知られて
いる。この原因は感光体表面への異物の付着及び／必る
いは感光体自身の変質によるものと考えられる。

ざらに、画像流れ現象は、感光体への異物の付着や変質
によるもののほかに、感光体の構成上の理由、（例えば
不適切な表面層の使用）によっても生じるが、この場合
には画像流れは、初期時、すなわち、数サイクルないし
数１０サイクル程度以内で発生する。

本発明者等は、先に異なった濃度の窒素原子を含む二層
の非晶質ケイ素表面層を有する非晶質ケイ素感光体を提
案し、これにより上記の諸問題を解決した（特願昭６１
−１３８１７７号）。

しかしながら、その感光体は、使用される複写機或いは
プリンター内の条件から要求される耐刷性を満たすよう
に表面層の全体膜厚を設定すると、残留電位と短波長光
（５００ｎｍ付近）に対する感度とを両立させることが
困難であった。すなわち、残留電位は、表面層中の窒素
原子濃度に比例し、又、表面層の短波長光に対する吸収
係数は、窒素原子濃度に反比例する。したがって、残留
電位を低くしようとして表面層中の窒素原子濃度を低下
させると、表面層による吸収のため、光感度の低下が発
生するという問題がおった。

本発明は、表面層を有する非晶質ケイ素感光体の上記の
問題を解決しようとするもので必る。

すなわら、本発明の目的は、耐刷性に優れ、低残留電位
かつ可視光領域の全範囲に光感度の高い電子写真用感光
体を提供することにある。

本発明の他の目的は、高品位の初期画像を与え、かつ経
時安定性に優れた電子写真用感光体を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、暗抵抗が高く帯電能力に優れた電
子写真用感光体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、使用環境に対する特性の依存
性の小ざい感光体を提供することにおる。

本発明のその他の目的は、すべての使用環境において安
定かつ高品位な初期画質を与え、かつ、繰返し使用によ
っても劣化を生じない電子写真用感光体を提供すること
にある。

課題を解決するための手段本発明の前記開目的は、次の電子写真用感光体によって
達成できる。すなわち、本発明の電子写真用感光体は、
支持体上に非晶質ケイ素系の光導電層、第一の表面層、
第二の表面層および第三の表面層を順次積層された構成
を有し、ぞして、第一の表面層、第二の表面層及び第三
の表面層が、それぞれ窒素原子が添加された非晶質ケイ
素を主体としてなり、かつ第一の表面層の膜厚ｄ１、第
二の表面層の膜厚ｄ２及び第三の表面層の膜厚ｄ３が、
Ｃ２〉ｄｌ、Ｃ２〉Ｃ３の関係を有し、又、第一の表面
層の窒素濃度Ｃ１、第二の表面層の窒素濃度Ｃ２及び第
三の表面層の窒素濃度Ｃ３が、Ｃ＜Ｃ２〈Ｃ３の関係を
有することを特徴とする。

又、本発明の上記目的は、上記の電子写真用感光体にお
いて、光導電層にｏ、　ｏｉ〜１１００ｐｐの第■族原
子を添加することにより一層効果的に達成できる。更に
また、支持体と光導電層との間に　１〜５０００ｐｐｍ
の第■族原子または第Ｖ族原子が添加された非晶質ケイ
素からなる電荷注入阻止層を設けることによって本発明
の効果は一層顕著となる。

更に、本発明の電子写真用感光体においては、光導電層
と第一の表面層との間に０，１〜５０００ｐｐｍの範囲
の第■族原子または第Ｖ族原子が添加された非晶質ケイ
素からなる電荷捕獲層を設けることもできる。

以下、図面に従い本発明の電子写真用感光体について詳
細に説明する。

第１図は、本発明の電子写真用感光体の典型的構造を例
示する模式図でおる。図中の１は支持体、２は電荷注入
阻止層、３は光導電層、４は電荷捕獲層、そして５，６
及び７は、それぞれ第一の表面層、第二の表面層及び第
三の表面層である。２の電荷注入阻止層は１〜５０００
１）ｐｍの第■族または第Ｖ族原子が添加された非晶質
ケイ素である。添加物のより望ましい量は、５〜１１０
００ｐｐの範囲である。３の光導電層は０．０１〜１１
００ｐｐの第■族原子が添加された非晶質ケイ素である
。添加物のより望ましい量は０．０５〜５０ｐｐｍの範
囲である。４の電荷捕獲層は０．１〜５０００ｐｐｍの
第■族または第Ｖ族原子が添加された非晶質ケイ素であ
る。添加物のより望ましい量は、１〜１１０００ｐｐの
範囲でおる。

５．６及び７の表面層は、それぞれ窒素原子が添加され
た非晶質ケイ素であって、それらの膜厚をそれぞれｄｌ
、Ｃ２及びＣ３とし、又窒素原子濃度をそれぞれＣ１、
Ｃ２及びＣ３としたとき、Ｃ２〉ｄｌ、Ｃ２〉Ｃ３の関
係、及びＣ１＜０２くＣ３の関係を有する。

支持体１としてはアルミニウム、ニッケル、クロム、ス
テンレス鋼等の金属類、または導電膜を有するプラスチ
ックシート、ガラス、紙、など目的に応じて適宜選択す
ることができる。

上記２から７までの各層は非晶質ケイ素を主体とする層
であって、グロー放電分解法、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法、真空蒸着法などの手段によって形
成することができる。グロー放電分解を例にとってその
製造法を示すと次のようになる。まず、原料ガスとして
は、ケイ素原子を含む主原料カスと必要な添加物原子を
含む原料カスの混合体を用いる。この場合、必要によっ
て、この混合体に、ざらに水素ガスあるいは不活性ガス
などのキャリアガスを混合してもよい。成膜条件は、周
波数０〜５ＧＨ２、反応器内圧１０−５〜１０Ｔｏｒｒ
（０，００１〜１３３０Ｐａ）　、放電電力１０〜３０
００Ｗ１また支持体温度は３０〜３００　’Ｃである。

各層の膜厚は放電時間の調整により適宜設定することが
できる。

また、上記ケイ素原子を含む主原料ガスとしてはシラン
類、特にＳ　ｉ　Ｈ４および／あるいはＳｉ２Ｈ６が用
いられる。

電荷注入阻止層２は、第■族元素または第Ｖ族元素が添
加された非晶質ケイ素よりなる。膜厚は０．０１〜１０
μｍの範囲が好ましい。添加物として第■族元索を用い
るか或いは第Ｖ族元素を用いるかは、感光体の帯電符号
によって決められる。層形成にさいして、第■族元索を
含む原料ガスとしては、典型的にはジポラン（８２ト１
６）が、また、第Ｖ族元素を含む原料ガスとしては、典
型的にはホスフィン（’ＰＨ３＞が用いられる。非晶質
ケイ素を主体とするこの電荷注入阻止層には、第■族或
いは第Ｖ族元素に加え、さまざまな目的で、更に伯の元
素を添加することも可能である。

光導電層３は、第■族原子が添加された非晶質ケイ素よ
り構成される。膜厚は１〜１００即の範囲が望ましい。

第■族原子を含む原料ガスとしては、典型的にはジボラ
ンが用いられる。非晶質ケイ素を主体とするこの光導電
層には、さまざまな目的で第■族原子に加え、ざらに他
の元素を添加することも可能である。また、この光導電
層は電荷発生層と電荷輸送層との二層から構成されてい
てもよい。

電荷捕獲層４は、第■族元素または第Ｖ族元素が添加さ
れた非晶質ケイ素よりなる。膜厚は０．０１〜１０μｍ
の範囲が望ましい。添加物として第■族元索を用いるか
或いは第Ｖ族元素を用いるかは、感光体の帯電符号によ
って決められる。第■族元素を含む原料ガスとしては典
型的にはジボランが、また、第Ｖ族元素を含む原料ガス
としては典型的にはホスフィンが用いられる。非晶質ケ
イ素を主体とするこの電荷捕獲層には、第■族或いは第
Ｖ族元素に加え、さまざまな目的で、更に他の元素を添
加することも可能である。

表面層５．６及び７は、窒素原子が添加された非晶質ケ
イ素を主体としてなる。層形成に際して、窒素原子を含
む原料ガスとしては、窒素原子を構成要素とし気相で使
用し得る単体或いは化合物でおればすべて用いることが
できるが、例としては、Ｎ２単体ガス或いはＮＨ３、Ｎ
２Ｈ４、トＩＮ３等の水素化窒素化合物のガスを挙げる
ことができる。

各表面層で使用される窒素原子を含む原料ガスは同一で
あっても或いは異なっていてもよい。又各人面層には、
さまざまな目的で、更に他の元素を添加することも可能
である。

本発明においては、表面層５．６及び７における窒素原
子濃度をそれぞれＣ１、Ｃ２及びＣ３とし、又それらの
膜厚をそれぞれｄｌ、Ｃ２及びＣ３としたとき、それら
はＣ１くＣ２くＣ３、Ｃ２〉ｄｌ、かつ、Ｃ２〉Ｃ３の
関係を満足するものでなければならない。

第一の表面＠５における窒素原子濃度は、ケイ素原子に
対する原子数比として、０．１〜１．０の範囲にあるの
が好ましい。また、その膜厚は０．０１〜０．１μｍの
範囲であることが望ましい。

第二の表面層６における窒素原子Ｓ度は、ケイ素原子に
対する原子数比として、０．１〜１．０の範囲におるの
が好ましい。また、その膜厚は０．０５〜１即の範囲で
あることが望ましい。

第三の表面層７における窒素原子濃度は、ケイ素原子に
対する原子数比として、０．５〜１．３の範囲にあるの
が好ましい。また、その膜厚は０．０１〜０．１珈の範
囲であることが望ましい。

本発明の電子写真用感光体は、どのような電子写真プロ
セスにおいても使用できるが、特に、感光体の少なくと
も表面が３５〜５０℃に加熱された状態で操作する電子
写真プロセスにおいて、−層有利に使用することができ
る。なぜならば、感光体表面が上記の範囲に加熱された
状態で用いると、どのような使用環境の下でも安定かつ
高品位な初期画像を与え、かつ繰り返し使用しても画質
の劣化を生じることがないからである。

この様な電子写真プロセスについて、第２図によって説
明する。

第２図は、本発明の電子写真用感光体を使用した電子写
真装置の概略の構成を示すもので、８は本発明の電子写
真用感光体であり、９は感光体を暗所にて一様帯電する
ための帯電手段、１０は原画像に対応する光像を感光体
に露光して潜像を形成するための潜像形成手段、１１は
潜像をトナー粉末により顕像化するための現像手段、１
２は現像した像を転写部材上に転写するための転写手段
、１３は転写画像を定着するための定着手段、１４はク
リーニング手段、１５は転写紙、１６は感光体加熱手段
で、回動軸中に石英ランプが取り付けられたものでおる
。

感光体を加熱する手段は任意の位置に設けることができ
る。第２図においては、感光体加熱手段１６は、感光体
を回動するための回動軸内部に設けられでいるが、その
ほか、現像手段、帯電手段、転写手段などと同様に感光
体周面の適当な位置に設けてもよい。支持体側に設ける
場合、その位置は任意に設定できるが、例えば、感光体
内側に一様に密着して感光体を加熱する面状のヒーター
の形態が好ましい。

感光体加熱手段としては、加熱ランプ、例えば石英ガラ
ス中にニクロム線を設けてなる石英ランプ（クォーツラ
ンプ）或いはシリコーンゴム等の耐熱可撓性ゴム中にニ
クロム線を配置した面状ヒーター等がめげられ、その他
、熱風送風型のヒーター、赤外線などの輻射熱を利用し
たもの、定着部の熱を利用したちの等か適用可能である
。これ等感光体加熱手段への通電手段としては、任意の
ものが使用できるか、特に加熱手段か感光体支持体より
も内側に設けられる場合には、感光体が回動するため、
スリップリングを介して通電するようなものか好ましい
。

実施例以下、実施例と比較例とにより本発明を具体的に説明す
る。

円筒上支持体上への非晶質ケイ素膜の生成が可能な容量
結合型プラズマＣＶＤ装置を用い、シラン（ＳｉＨ４）
カス、水素（町）カス、及びジポラン（８２Ｈ６）ガス
の混合体をグロー放電分解することにより、円筒上アル
ミニウム支持体上に約４．３μｍの膜厚を有する電荷注
入阻止層を生成した。この際の製造条件は次の通りでめ
った。

１００％シランカス流ｍ　：　　１８０ｃｒＩｉ／ｍｉ
眠ｉｏｏ％水素ガス流Ｆｆ１　：　９０ｃ屑／ｍｉｎ。

２００ｐｐｍ水素希釈ジポランガス流量：　９０ｃｉ／
Ｉｎ１ｎ、反応器内圧：　　ｉ、ｏ　Ｔｏｒｒ　。

放電型カニ２００Ｗ。

放電時間：６０ｍ１ｎ。

放電周波数：　　１３．５６　）ＩＨｚ。

支持体温度：　　２５０’Ｃ０（なあ、以下に記述する実施例及び比較例において、各
層の製造条件における放電周波数及び支持体温度は、上
記の値に固定した。）電荷注入阻止層生成ののち、反応器内を十分に排気し、
次いでシランガス、水素ガス、及びジボランガスの混合
体を導入してグロー放電分解することにより電荷注入阻
止層上に約１５１ＩＡの膜厚を有する光導電層を生成し
た。この際の製造条件は次の通りであった。

１００％シランガス流１　：　　１８０ｒｎ／ｍｉｎ。

１００％水素カス流但：　　１６２ｃ屑／ｍｉｎ。

２０ｐｐｍ水素希釈ジボランガス流量：　１８Ｃｆｆｌ
／ｍｉｎ。

反応器内圧：　　１．ＯＴｏｒｒ　。

放電型カニ２００Ｗ。

放電時間：２１０ｍ団。

光導電層生成ののち、反応器内を十分に排気し、次いで
シランカス、水素ガス、及びジボランガスの混合体を導
入してグロー放電分解することにより、光導電層上に約
０．９μｍの膜厚を有する電荷捕獲層を生成した。この
際の製造条件は次の通りであった。

１００％シランカス流量：　１８０　ｃ１７ｉ／ｍｉｎ
。

ｉｏｏ％水素ガス流ｍ　：　９０ｃｍ／ｍｉｎ、２０ｐ
ｐｍ水素希釈ジポランガス流ｆｆｉ　：　　９０　Ｃｆ
ｆ１／ｍｉｎ、反応器内圧：　　１．ＯＴｏｒｒ　。

放電型カニ２００Ｗ。

放電時間：１２ｍ１ｎ。

電荷捕獲層生成ののち、反応器内を十分に排気し、次い
でシランカス、水素ガス、及びアンモニア（ＮＨ３）カ
スの混合体を導入してグロー放電分解することにより電
荷捕獲層上に約０．０５朗の膜厚を有する第一の表面層
を生成した。この際の製造条件は次の通りでめった。

１００％シランガス流量：２６ｃ屑／ｍｉｎ、１００％
水素ガス流量：　　１８００屑／ｍｉ眠１００％アンモ
ニアガス流量：３０ｃ屑／ｍｉｎ。

反応器内圧：　０．５　Ｔｏｒｒ　。

放電型カニ５０讐、放電時間：６ｍ１ｎ。

第一の表面層生成ののち、シランガス、水素ガス、及び
アンモニアガスの混合体を導入してグロー放電分解する
ことにより、第一の表面層上に約０．２５μｍの膜厚を
有する第二の表面層を生成した。

この際の製造条件は次の通りであった。

１００％シランガス流ｍ　：　　２４　ｃｍ／ｍｉ口、
１００％水素ガス流量：　　１８０ｃｍ／ｍｉ眠１００
％アンモニアガス流Ｌｉ　：　　３６　ｃｍ／ｍｉｎ、
反応器内圧：０．５Ｔｏｒｒ　。

放電型カニ５０Ｗ、放電時間：４０ｍ１ｎ。

第二の表面層生成ののち、シランガス、水素ガス、及び
アンモニアガスの混合体を導入してグロー放電分解する
ことにより、第二の表面層上に約０．１踊の膜厚を有す
る第三の表面層を生成した。

この際の製造条件は次の通りであった。

１００％シランガス流量；１５ｃ屑／ｍｉ眠１００％水
素ガス流量：　　１８０ｃｆｆｌ／ｍｉｎ。

１００％アンモニアガス流ｍ　：　　４３　ｃｍ／ｍｉ
ｎ。

反応器内圧二０．５１ｏｒｒ、放電電カニ５０Ｗ、放電時間：２０ｍ１ｎ。

以上のようにしてアルミニウム支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層、電荷捕獲層、第一の表面層、第二の表面
層及び第三の表面層を有する電子写真用感光体を得た。

この電子写真用感光体の残留電位は４５Ｖであり、又、
半減露光量の逆数で表わされた感度は４５０ｎｍの光に
対して０．１３ｃ〆／ｅｒｇであった。この電子写真用
感光体を用い、複写機の中で画質評価試験を行った。複
写機内のドラム加熱装置は、ドラム表面が約４５℃とな
るように作動させた。この電子写真用感光体は、約１０
万枚にわたる複写試験の後にも、鮮明な画像を保ち、画
像ぼけ、或いは感光体上の傷等に基づく画質欠陥は観察
されなかった。

比較例１実施例におけると同一の装置、同一の条件及び方法によ
って、アルミニウム支持体上に電荷注入阻止層、光導電
層、及び電荷捕獲層を順次生成させた。

電荷捕獲層生成ののち、反応器内を十分に排気し、次い
で実施例における第一の表面層と同一の条件で、約０．
０５μｍの膜厚を有する第一の表面層を生成した。

上記第一の表面層生成の後、実施例における第二の表面
層と同一の条件で、第二の表面層を生成した。但し、放
電時間は１６ｍ１ｎとし、膜厚を　約０．１μｍとした
。

上記第二の表面層生成の後、実施例における第三の表面
層と同一の条件で、約０．１ｉＩＩｒｉの膜厚を有する
第三の表面層を生成した。

以上のようにしてアルミニウム支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層、電荷捕獲層、第一の表面層、第二の表面
層及び第三の表面層を有する電子写真用感光体を１ｑた
。この電子写真用感光体の残留電位は４０Ｖであり、又
、半減露光量の逆数で表わされた感度はａｓｏｎｍの光
に対してＯ，Ｉ７ｃ屑／ｅｒ（１であった。この電子写
真用感光体を用い、複写機の中で画質評価試験を行った
。複写機内のドラム加熱装置は、ドラム表面が約４５℃
となるように作動させた。この電子写真用感光体は、約
５０００枚の複写試験ののち、複写機内の用紙剥離用フ
ィンガーとの接触跡に対応する傷がプリントアウトされ
ることが見出された。

比較例２実施例におけると同一の装置、同一の条件及び方法によ
って、アルミニウム支持体上に電荷注入阻止層、光導電
層、及び電荷捕獲層を順次生成させた。

電荷捕獲層生成ののち、反応器内を十分に排気し、次い
で実施例における第一の表面層と同一の条件で、下部表
面層を生成した。但し、放電時間は２５ｍ１口とし、膜
厚を約０．２μｍとした。

上記下部表面層生成ののち、実施例における第三の表面
層と同一の条件で、約０．１μｍの膜厚を有する上部表
面層を生成した。

以上のようにしてアルミニウム支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層、電荷捕獲層、下部表面層及び上部表面層
を有する電子写真用感光体を得た。

この電子写真用感光体の残留電位は３５Ｖであったが、
半減露光量の逆数で表わされた感度は４５０ｎｍの光に
対して０．０５ｃｍ／ｅｒｇであり、減感が観察された
。

比較例３実施例と同一の装置、同一の条件及び方法によって、ア
ルミニウム支持体上に電荷注入阻止層、光導電層及び電
荷捕獲層を順次生成させた。

電荷捕獲層生成ののち、反応器内を十分に排気し、次い
で実施例における第一の表面層と同一の条件で、約０．
０５μｍの膜厚を有する下部表面層を生成した。

上記基部表面層生成ののち、実施例における第三の表面
層と同一の条件で上部表面層を生成した。

但し、放電時間は４０ｍ　ｉ　ｎとし、膜厚を約０．２
μｍとした。

以上のようにしてアルミニウム支持体上に電荷注入阻止
層、光導電層、電荷捕獲層、下部表面層、及び上部表面
層を有する電子写真用感光体を得た。

この電子写真用感光体の感度は、４５０１ｍの光に対し
て約０．２０ｃｔｔｔ　／　ｅＪ’Ｑであったが、残留
電位は８０Ｖと高い値を示した。

発明の効果本発明の電子写真用感光体は上記のような構成を有する
から、高品位の初期画像を与え、かつ経時安定性及び耐
刷性にすぐれている。また、この電子写真用感光体は、
全可視光領域において高い光感度を有すると同時に、残
留電位が低く、また暗抵抗が高く帯電能力に優れ、ざら
に、使用環境に対する特性の依存性も小さいという優れ
た性質を有している。

したがって、得られた複写画像は、解像度及び階調再現
性に優れ、かつ初期時及び長時間の反復操作後のいずれ
においても、かぶりのない高い像濃度を示す。

ざらにまた、本発明の電子写真用感光体は、感光体の少
なくとも表面が３５〜５０℃に加熱された状態で操作す
る電子写真プロセスにおいて、特に有利に使用すること
ができる。すなわち、感光体表面が上記の範囲に加熱さ
れた状態で用いると、どのような使用環境の下でも安定
かつ高品位な初期画像を与え、かつ繰り返し操作しても
画質の劣化を生じることがない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真用感光体の構造を示す模式
図、第２図は、本発明の電子写真用感光体を使用した電
子写真装置の概略の構成を示す説明図である。１・・・支持体、２・・・電荷注入阻止層、３・・・光
導電層、４・・・電荷捕獲層、５・・・第一の表面層、
６・・・第二の表面層、７・・・第三の表面層、８・・
・電子写真用感光体、９・・・帯電手段、１０・・・潜
像形成手段、１１・・・現像手段、１２・・・転写手段
、１３・・・定着手段、１４・・・クリーニング手段、
１５・・・転写紙、１６・・・感光体加熱手段。特許出願人　　富士ゼロックス株式会社代理人　　　　
弁理士　　製部　剛第１図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）支持体上に非晶質ケイ素系の光導電層、第一の表
面層、第二の表面層および第三の表面層を順次積層して
なる電子写真用感光体において、第一の表面層、第二の
表面層及び第三の表面層が、それぞれ窒素原子が添加さ
れた非晶質ケイ素を主体としてなり、かつ第一の表面層
の膜厚ｄ＿１、第二の表面層の膜厚ｄ＿２及び第三の表
面層の膜厚ｄ＿３が、ｄ＿２＞ｄ＿１、ｄ＿２＞ｄ＿３
の関係を有し、又、第一の表面層の窒素濃度Ｃ＿１、第
二の表面層の窒素濃度Ｃ＿２及び第三の表面層の窒素濃
度Ｃ＿３が、Ｃ＿１＜Ｃ＿２＜Ｃ＿３の関係を有するこ
とを特徴とする電子写真用感光体。
（２）前記光導電層が０．０１〜１００ｐｐｍの範囲の
第III族原子を含むことを特徴とする請求項１記載の電
子写真用感光体。
（３）前記支持体と光導電層との間に１〜５０００ｐｐ
ｍの範囲の第III族または第Ｖ族原子を含む非晶質ケイ
素からなる電荷注入阻止層を有することを特徴とする請
求項１又は２記載の電子写真用感光体。
（４）前記光導電層と第一の表面層との間に０．１〜５
０００ｐｐｍの範囲の第III族または第Ｖ族原子を含む
非晶質ケイ素からなる電荷捕獲層を有することを特徴と
する請求項１、２又は３記載の電子写真用感光体。
（５）感光体の少なくとも表面が３５〜５０℃に加熱さ
れた状態で操作する電子写真プロセスにおいて使用する
ための請求項１、２、３又は４記載の電子写真用感光体
。