JPS6281641A - オ−バ−コ−テイング型無定形ケイ素像形成部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光里皇互量 本発明は一般に無定形ケイ素像形成部材に関し、さらに
詳細には、本発明は水素化無定形ケイ素およびチッ化ケ
イ素の２つのオーバーコーテイング層とからなる感光性
像形成部材に関する。本発明の１つの実施態様において
は、支持基層、ドパント（ｄｏｐａｎｔ）含有水素化無
定形ケイ素のブロッキング層、任意成分としてのドパン
トを含有する水素化無定形ケイ素のバルク（ｂｕｌｋ）
光導電性層、過剰のケイ素を含む非化学量論量のチッ化
ケイ素の第１のオーバーコーテイング層、および該第１
のオーバーコーテイング層と接触した近化学量論量（化
学量論量近くの量）　　（ｎｅａｒ　ｓｔｏｉｃｈｉｏ
ｍｅｔｒｉｃ　）のチッ化ケイ素、即ち、例えば存在す
るケイ素の量が約４３〜６７原子％であるチッ化ケイ素
の第２オーバーコーテイング層とからなる多層型感光性
像形成部材が提供される。さらに、本発明の特定の実施
態様によれば、支持基層、高濃度例えば約１１００ｐｐ
のほう素を含有する水素化無定形ケイ素のブロッキング
層、少量の例えば５　ｐｐｍのほう素を含有する水素化
無定形ケイ素のバルク光導電性層、過剰のケイ素を含む
非化学量論量のチッ化ケイ素の第１オーバーコーテイン
グ層、および該第１オーバーコーテイング層と接触した
近化学量論量のチッ化ケイ素の第２オーバーコーテイン
グ層とからなる多層型感光性像形成部材が提供される。

これらの像形成部材は電子写真複写装置、特に静電複写
像形成装置において使用できる。さらに、本発明の像形
成部材は例えば４０ボルト／ミクロンを越える高電荷ア
クセプタンス値を有し、さらに例えば約１００ミクロン
以下の極めて望ましい厚さで作製し得る。また、本発明
の像形成部材は望ましい低暗減衰特性を有している。さ
らに、本発明の感光性像形成部材は、静電複写像形成装
置で用いたとき、湿気およびコロナ荷電装置から発生す
るイオンに不感性であり、殆んどの場合１００．０００
回の像形成サイクルを越える延長した期間で高解像力の
受は入れ可能な像の形成を可能にする。また、本発明の
特定の２つのオーバーコーテイングは光導電性層と近化
学量論量の千フ化ケイ素オーバーコーテイング層と間の
界面での電荷の非常に望ましくない横方向移動を低減さ
せ、それによって従来技術の問題であるバンド屈曲（ｂ
ａｎｄ　ｂｅｎｄｔｎｇ）を減少させかくして増大した
解像力を有しプリント消失のない像を与える。

先行技術 静電電子写真像形成法特に、静電複写像形成法は良く知
られており、従来技術において広汎に記載されている。

これらの方法において、感光性即ち光導電性材料はその
上に静電潜像を形成するのに用いられる。感光体は一般
に表面上に光導電性材料の層を含む導電性基層からなり
、多くの場合、その間には薄いバリヤ一層が置かれ、得
られる像の品質に悪影響を与え得る基層からの電荷注入
を防止している。公知の有用な光導電性材料の例には無
定形セレン、セレン−テルル、セレン−ひ素のようなセ
レン合金等がある。さらに、感光性像形成部材としては
、例えば、トリニトロフルオレノンとポリビニルカルバ
ソールとの複合体を含む各種有機光導電性材料も使用で
きる。最近、アリールアミン正孔移送分子と光励起層と
を含む多層型有機感光性装置が開示されている（米国特
許第４、２６５．９９０号参照。）。

また、無定形ケイ素光導電体も公知である。例えば、米
国特許第４．２６５．９９１号および第４．２２５．２
２２号を参照されたい。米国特許第４．２６５．９９１
号には、基層と１０〜４０原子％の水素を含み５〜８０
ミクロンの厚さを有する無定形ケイ素の光導電性上部層
とからなる電子写真感光性部材が開示されている。さら
に、該米国特許はいくつかの無定形ケイ素の自製方法を
記載している。該米国特許による１つの方法においては
、電子写真感光性部材は、ケイ素および水素原子含有ガ
スを導入し、電気エネルギーによって電気放電を行って
上記ガスをイオン化し、次いで電子写真基層上に、この
基層の温度を５０℃〜３５０℃に維持しながら、電気放
電を用いて０．５〜１００オングストロ一ム／秒の速度
で無定形ケイ素を析出させそれによって所定厚の無定形
ケイ素光導電性層を得ることによって作製される。この
米国特許に記載された無定形ケイ素装置は感光性である
けれども、最小回数の例えば約１０００回以下の像形成
サイクル後、多くの消失を含む乏しい解像力の受は入れ
難い低品質の像が得られる。さらにサイクル操作すると
、即ち、ｉ、　ｏ　ｏ　ｏ回の像形成サイクルから１０
．０００回の像形成サイクルの後では、像品質はしばし
ば像が部分的に脱落するまで劣下し続ける。

また、いくつかの米国特許出願においても、無定形ケイ
素からなる光導電性像形成部材が開示されている。例え
ば、“エレクトロフォトグラフィックティバイシス　コ
ンナインニング　コンベンセイティド　アモホラス　シ
リコン　コンポジションズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏ
ｇｒａｐｈｉｃ　Ｄｉｖｉｃｅｓ　Ｃｏｎｔａｉｎ−ｉ
ｎｇ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　
５ｉｌｉｃｏｎ　Ｃｏｍｐｏｓｉ−ｔｉｏｎｓ）”なる
名称の米国特許出願第６９５．９９０号には、支持基層
と約２５重量ｐｐｍ〜約１重量％のほう素を含み実質的
に等量のりんで調整した無定形水素化ケイ素化合物とか
らなる像形成部材が例示されている。さらに、“エレク
トロフォトグラフインク　ディバイシス　コンテインニ
ング　オーバーコーテッド　アモルファス　シリコン　
コンポジションズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｇｒａｐ
ｈｉｃ　Ｄｉｖｉｃｅｓ　Ｃｏｎ−ｔａｉｎｉｎｇ　０
ｖｅｒｃｏａｔｅｄ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　５ｉｌｉｃ
ｏｎ　Ｃｏｓ＋ｐｏｓｉ−ｔｉｏｎｓ）”なる名称の米
国特許出願第５４８．１１７号には、支持基層、無定形
ケイ素層、ドーピングした無定形ケイ素からなる捕捉層
、およびチッ化ケイ素のトップオーバーコーテイング層
とからなる像形成部材が記載されている。

また、無定形ケイ素像形成部材用の非化学量論量のチッ
化ケイ素オーバーコーテイングは上記米国特許出願に記
載されている。さらに、“ヘテロゲナース　エレクトロ
フォトグラフィック　イメージング　メンバーズ　オブ
アモホラス　シリコン（Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ　
Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ　Ｉｍａｇ
−ｉｎｇ　Ｍｅｍｂｅｒｓ　ｏｆ　Ａｓｏｒｐｈｏｕｓ
　５ｉｌｉｃｏｎ）　　″なる名称の米国特許出願第６
６２　、３２８号には、水素化無定形ケイ素光励起化合
物と、プラズマ沈着酸化ケイ素の電荷移送層とからなる
像形成部材が記載されている。

さらに、従来技術におては、例えば、化学量論量のチッ
化ケイ素オーバーコーテイングを含む無定形ケイ素感光
体像形成部材が開示されている。

しかしながら、これらの部材は、ある場合、バンド屈曲
現象の結果としての低解像力のプリントを形成する。し
かも、上述したチッ化ケイ素オーバーコーテイングによ
れば、解像力の損失が多くの場合極端であり、それによ
って例えば像形成そのものさえも妨げ得る。

他のオーバーコーテイングを含む無定形ケイ素像形成部
材を開示している代表的な従来技術には、米国特許第４
．４６０．６６９号、第４，４６５．７５０号、第４．
３９４．４２６号、第４．３９４．４２５号、第４．４
０９．３０８号、第４，４１４．３１９号、第４．４４
３．５２９号、第４，４５２．８７４号、第４．４５２
．８７５号、第４．４８３，９１１号、第４．３５９．
５１２号、第４．４０３．０２６号、第４．４１６．９
６２号、第４，４２３．１３３号、第４．４６０．６７
０号、第４．４６１．８２０号、第４．４８４．８０９
号および第４．４９０．４５３号がある。

さらに、無定形ケイ素感光体部材に関連して背景的に興
味ある特許には、例えば、米国特許第４．３５９，５１
２号、第４．３７７．６２８号、第４，４２０，５４６
号、第４．４７１，０４２号、第４，４７７．５４９号
、第４．４８６，５２１号および第４，４９０，４５４
号がある。

さらに、無定形ケイ素像形成部材を開示する追加の代表
的な従来技術には、例えば、高密度の無定形ケイ素また
はゲルマニウムを含む像形成部材の調製方法に関する米
国特許第４，３５７．１７９号；アンモニアを反応チャ
ンバーに導入することからなる水素化無定形ケイ素の調
製方法を開示している米国特許第４，２３７，５０１号
；第４．３５９，５１４号；第４．４０４，０７６号；
第４，４０３，０２６号；第４，３９７，９３３号；第
４，４２３．１３３号；第４，４６１，８１９号；第４
，２３７．１５１号；第４，３５６，２４６号；第４．
３６１，６３８号；第４．３６５，０１３号；第３，１
６０．５２１号；第３．１６０．５２２号；第３，４９
６，０３７号；第４．３９４，４２６号および第３．８
９２，６５０号がある。特に興味あるものは米国特許第
４，３９４．４２５号、第４，３９４，４２６号および
第４．４０９，３０８号に開示された無定形ケイ素感光
体であり、これらにはチッ化ケイ素および炭化ケイ素の
ようなオーバーコーテイングが使用されている。

チッ化ケイ素オーバーコーテイングの例は約４３〜約６
０原子％のチッ素含有量を有するものである。

また、シランガスのグロー放電により無定形ケイ素の大
面積欠陥なしフィルムを析出させる方法はＣｈｉｔｔｉ
ｃｋ等の“ザ　ジャーナル　オブ　ザ　エレクトロケミ
カル　ソサエティー（ｔｈｅ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　ｔ
ｈｅ　Ｂｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｔｅｔ
ｙ）　、ｖｏｌ、　１１６．７７、（１９６９）　　”
に記載されている。無定形ケイ素調製および調製中の基
層温度の最適化は、ウォルター　スピア（Ｗａｌｔｅｒ
　５ｐｅａｒ）により、１９６３年の西ドイツ、ジャー
マニラシュ　バルテンキルチェンで開催された“無定形
および液体半導体に関する第５回国際会！！！（ｔｈｅ
　Ｆｉｆｔｈ　ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅ
ｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ａｎｄ　Ｌｉ
ｑｕｉｄ　Ｓｅｍ１−ｃｏｎｄｕｃ　ｔｏｒｓ）　　”
において例示されている。他の作製方法は“ジャーナル
　オブ　ノンクリスタリンソリツブ（ｔｈｅ　Ｊｏｕｒ
ｎａｌ　ｏｆ　Ｎｏｎｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　５ｏｌ
ｉｄｓ）。

ｖｏｌ、　８〜１０．７２７、（１９７２）″および“
ジャーナル　オブ　ノン　クリスクリン　ツリツブ（ｔ
ｈｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｎｏｎｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ　５ｏｌｉｄｓ）、ｖｏｌ。

１３．５５、（１９７３）”に記載されている。

さらに、６オーバーコーテイド　アモルファスシリコン
　イメージング　メンパース（Ｏｖｅｒｃｏａｔ−ｅｄ
　Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　５ｉｌｉｏｎ　Ｉｍａｇｉｎｇ
　Ｍｅｍｂｅｒｓ　）”なる名称の米国特許出願第（Ｄ
／８４２２９）号には、支持基層、ほう素のようなバン
ド含有水素化無定形ケイ素のブロッキング層、水素化無
定形ケイ素のバルク光導電性層、および非化学量論量の
チッ化ケイ素のオーバーコーテイング層とからなる像形
成部材が開示されている。この米国特許出願に記載され
た部材に比較して本発明の感光性像形成部材によりもた
らされる１つの主な利点は近化学量論量のチッ化ケイ素
の第２の硬質トップオーバーコーテイング層によりより
耐久性のある像形成部材を提供することである。

発明の解決しようとする問題点 上述した無定形ケイ素感光性部材、特に上記米国特許出
願のいくつかに開示された部材は、その意図する目的に
は適しているけれども、無定形ケイ素からなる改良され
た像形成部材が要求されている。さらに、所望の高電荷
アクセプタンス値と暗中での低電荷損失特性を有する無
定形ケイ素像形成部材が要求されている。さらにまた、
非化学量論量のチッ化ケイ素の第１のオーバーコーテイ
ングと近化学量論量の第２のオーバーコーテイングとを
含み、電荷の望ましくない横方向移動を実質的になくし
それによって増大した解像力の像を発生させ得る改良さ
れた無定形ケイ素像形成部材が要求されている。さらに
また、本発明の像形成部材は、チッ化ケイ素の非化学量
論量のオーバーコーテイングのみを有する無定形ケイ素
像形成部材に比較して、現像剤材料の摩耗により一層耐
久性である。さらに、湿気に不感性であり、ひっかきお
よび摩耗に由来する電気的結果に悪影響を及ぼされない
改良された無定形ケイ素の多層型像形成部材が要求され
ている。また、繰返しの像形成および複写装置で使用で
きる無定形ケイ素像形成部材が要求されている。さらに
また、暗中での低表面電位減衰速度、および可視および
可視光線近くの波長領域での感光性を有する水素化無定
形ケイ素像形成部材が要求されている。さらに、暗固形
物の像におけるホワイトスポットのような像欠陥の極め
て少ない改良された多層型無定形ケイ素像形成部材が要
求されている。

発ユ■旦煎 従って、本発明の目的は高電荷アクセプタンスと低暗減
衰特性とを有する感光性像形成部材を提供することであ
る。

本発明の別の目的はチッ化ケイ素の２つのオーバーコー
テイング層を有する無定形ケイ素からなる多層型像形成
部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的はドーピングされた無定形ケイ
素のブロッキング層と複数のチッ化ケイ素のオーバーコ
ーテイングとからなる多層型光導電性像形成部材を提供
することである。

また、本発明の別の目的はドーピングされた無定形ケイ
素のブロッキング層と、底部でケイ素リッチの材料を上
部でチッ素リッチの材料を含むチッ素の勾配を有するチ
ッ化ケイ素のオーバーコーテイングとからなる多層型光
導電性像形成部材を提供することにある。

本発明のさらに別の目的は、無定形ケイ素感光体層をゲ
ルマニウムとすず、または炭素とゲルマニウム系化合物
によって適当に合金化することによって、近赤外線領域
で感光性を付与した多層型感光性像形成部材を提供する
ことである。

本発明のさらに別の目的は、過剰のケイ素を含む非化学
量論量のチッ化ケイ素の第１オーバーコーテイングと近
化学量論量のチッ化ケイ素の第２オーバーコーテイング
とを含む無定形ケイ素からなり、それによって光導電性
層とオーバーコーテイング間の界面での電荷の横方向移
動を実質的に低減させて不鮮明さを減少しかつ増大した
解像力の像を与える多層型像形成部材を提供することで
ある。

本発明のさらに別の目的は過剰のケイ素を含む非化学量
論量のチッ化ケイ素の第１オーバーコーテイングと近化
学量論量のチッ化ケイ素の第２オーバーコーイングとを
有する無定形ケイ素からなり、それによってホワイトス
ポットのような像欠陥を実質的に減少させた多層型像形
成部材を提供することである。

さらに、本発明の別の目的は、過剰のケイ素を含む非化
学量論量のチッ化ケイ素の第１オーバーコーテイングと
近化学量論量のチッ化ケイ素の第２オーバーコーテイン
グとを含む水素化無定形ケイ素からなり増大した耐摩耗
性と電子写真像形成工程での延長した寿命を有するよう
にした多層型像形成部材による像形成および複写方法を
提供することである。

発１ηｌ戊 本発明の上記および他の目的はオーバーコーテイング型
無定形ケイ素感光性像形成部材を提供することによって
達成される。さらに詳しくは、本発明によれば、支持基
層、ドーピングした無定形ケイ素のブロッキング層、任
意成分としてのドパントを含む無定形ケイ素のバルク光
導電性層、５〜３３原子％のチッ素および９５〜６７原
子％のケイ素を含む非化学量論量のチッ化ケイ素の第１
オーバーコーテイング層、および約３３〜５７原子％の
チッ素および６７〜４３原子％のケイ素を含む近化学量
論量のチッ化ケイ素のトップ第２オーバーコーテイング
層とからなる多層型感光性像形成部材が提供される。本
発明の１つの特定の実施態様においては、支持基層、例
えば約１１００ｐｐのほう素を含む水素化無定形ケイ素
のブロッキング層、約３　ｐｐｍのほう素を含む水素化
無定形ケイ素の光導電性層、非化学量論量のチッ化ケイ
素の第１オーバーコーイング層、および近化学量論量の
チッ化ケイ素のトップ第２オーバーコーテイング層とか
らなる感光性像形成部材が提供される。

さらに、本発明の別の実施態様においては、チッ化ケイ
素オーバーコーテイング中のチッ素含有量が光導電性層
の表面からオーバーコーテイング層の方向に過剰のケイ
素を含む非化学量論量から近化学量論量に増大する勾配
型像形成部材が提供される。

本発明の感光性部材は、静電複写像形成法で使用すると
きは、例えば４０ボルト／ミクロン以上の高電荷アクセ
プタンスを有し、１００ポルト／秒以下の極めて低い暗
減衰特性を有し、さらに本発明の感光性部材は１００ミ
クロンまたはそれ以下の厚さで作製できる。また、本発
明の感光性部材は第１のオーバーコーテイングと光導電
性層との界面での電荷の横方向移動を低減させる結果と
して増大した解像力を有する像を発生させることができ
る。さらに、本発明の像形成部材は近化学量論量のチッ
化ケイ素トップ第２オーバーコーテイングの耐摩耗性が
増大する結果としてすぐれた耐久性を有する。さらに、
本発明の像形成部材は殆んど複写欠陥のない像の発生を
可能にする。

前述したように、本発明の感光性部材は各種の像形成お
よび複写装置で使用することができる。

従って、本発明の感光性像形成部材は、これら部材がそ
の光導電性層がゲルマニウムまたはすずで適当に合金化
されているかまたはゲルマニウム−炭素合金から作製さ
れているときには、７８００オングストロームまでの波
長に対し十分に感応性となり得るので、固体レーザーま
たはエレクトロルミネッセンス光源による装置を包合す
る静電複写法において使用できる一本発明の感光性像形
成部材は、これら装置で使用するとき、湿気およびコロ
ナ荷電装置から発生するイオンに対し実質的に非感応性
であり、殆んどの場合、１００，０００回を越える延長
された回数の像形成サイクルで高解像力を有する受は入
れ可能な像を発生させ得る。

光所■尖狙胆帽 以下、本発明およびその特徴をより一層良好に理解する
ために、好ましい実施態様について説明する。

第１図において、支持基層３、ドパントおよび好ましく
は約Ｉθ〜４０原子％の水素を含む水素化無定形ケイ素
からなり、約０．０２〜１ミクロン厚のブロッキング層
５、好ましくは約１０〜約４０原子％の水素を含む水素
化無定ケイ素からなり、約２〜１００ミクロンの厚さを
有する光導電性層７．５〜３３原子％のチッ素および９
５〜６７原子％のケイ素を含む非化学量論量のチッ化ケ
イ素の第１オーバーコーテイング層９．および該第１オ
ーバーコーイング層と接触した３３〜５７原子％のチッ
素および６７〜４３原子％のケイ素を含む近化学量論量
のチッ化ケイ素からなる第２オーバーコーテイング１１
とからなり、各チッ化ケイ素オーバーコーテイングは約
０．０１〜２ミクロンの厚さを有する本発明の感光性像
形成部材が例示される。

第２図では、支持基層１５・、約１１００ｐｐのほう素
を含み、好ましくは約１０〜約４０原子％の水素を含む
水素化無定形ケイ素のブロッキング層１７、約３　ｐｐ
ｍのほう素を含み好ましくは約１０〜約４０原子％の水
素を含む水素化無定形ケイ素の約２ミクロン〜約１００
ミクロン厚の光導電性層１９、非化学量論量のチッ化ケ
イ素の第１オーバーコーテイング層２１、およびこの第
１オーバーコーテイング層と接触した近化学量論量のチ
ッ化ケイ素からなる透明な第２オーバーコーテイング２
３とからなり、各オーバーコーテイング層は約０．０１
〜約２ミクロンの厚さを有する本発明の感光性像形成部
材が例示される。さらに、第２図のオーバーコーテイン
グに関しては、層２１において６９原子％のケイ素と３
１原子％のチッ素が存在し、層２３においては５０原子
％のケイ素と５０原子％のチッ素が存在する。

第３図においては、支持基層３１、約ｔ　ｏ　Ｏｐｐｍ
のほう素を含む水素化無定形ケイ素のブロッキング層３
３、約３　ｐｐｍのほう素を含む水素化無定形ケイ素の
約２ミクロン〜約１００ミクロン厚の光導電性層３５、
チッ化ケイ素オーバーコーテイングが上記バルク光導電
性層の表面からオーバーコーテイング層に向って、非化
学量論量的でケイ素リッチ（Ｎ／Ｓｉ　＝Ｏ）の１００
原子％のケイ素と０原子％のチッ素から化学量論量（Ｎ
／Ｓｉ　＝１、３３　）の４３原子％のケイ素と５７原
子％のチッ素へと増大する勾配型チッ化ケイ素の０．０
１〜２ミクロン厚のオーバーコーテイング層３７とから
なる本発明の感光性像形成部材が例示される。

無定形ケイ素中に存在する水素の割合は第１図に関して
示したとおりである。

第４図においては、支持基層４１、約１００ｐｐｍのほ
う素を含む水素化無定形ケイ素のブロッキング層４４、
約３　ｐｐｍのほう素を含み厚さ約２．０ミクロン−約
１００ミクロンの水素化無定形ケイ素の光導電性層４５
．および４３原子％のケイ素および５７原子％のチッ素
（Ｎ／Ｓｔ　＝１．３３）を含む化学量論量のチッ化ケ
イ素のトップオーバーコーテイング層４７とからなる従
来技術の像形成部材が例示される。

水素化無定形ケイ素像形成部材にゲルマニウムまたはす
すのような他の元素を含ませるには、例えば、シランお
よびゲルマンまたはスタンナンの同時グロー放電によっ
て容易に行うことができる。

水素化無定形ケイ素のゲルマニウムおよび／またはすす
による合金化は、合金のバンドギャップが水素化無定形
ケイ素自体のバンドギャップよりも小さいので有用であ
り、より長波長に対して感光性にする。さらに、水素化
無定形ケイ素とゲルマニウムの薄層はバリヤーと光導電
性層の間または第１図、第２図および第３図の光導電性
層と第１オーバーコーテイング層の間に導入できる。

各図で例示した像形成部材用の支持基層は不透明または
実質的に透明でもよく、所定の機械的性質を有する各種
の適当な物質よりなり得る。基層の具体的例は無機また
は有機高分子化合物のような絶縁性材料、表面にインジ
ウムスズ酸化物のような半導体表面層を有する有機また
は無機材料の層、または例えばアルミニウム、クロム、
ニッケル、黄銅、ステンレススチール等の導電性材料で
ある。基層は可撓性でも剛性でもよく、例えば、プレー
ト、円筒状ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベル
ト等の多くの種々の形状を有し得る。

好ましいのは、基層の形状は円筒状ドラムまたはエンド
レス可撓性ベルトである。ある場合には、特に基層が有
機高分子材料である場合には、基層の背面に、例えば、
マクロロン（Ｍａｋｒｏｌｏｎ　）として商業的に人手
できるポリカーボネート材料のような抗カール層をコー
ティングすることが望ましい。基層は、好ましくは、酸
化アルミニウムの層ヲ有スるアルミニウム、ステンレス
スチールスリーブまたは酸化ニッケル化合物である。

また、基層の厚さは経済性および必要な機械的性質を含
む多くの要因に依存している。従って、支持基層は約０
．０１インチ（２５４ミクロン）〜約０．２インチ（５
０８０ミクロン）の厚さであり得、好ましいのは約０．
０５インチ（１２７０ミクロン）〜約０．１５インチ（
３８１０ミクロン）の厚さを有するものである。１つの
特に好ましい実施態様においては、支持基層は約１ミル
〜約ｌＯミル（２５，４〜２５４ミクロン）厚の酸化ニ
ッケルからなる。

各種のブロッキング層即ちバリヤ一層が本発明の感光性
像形成部材に使用でき、ほう素またはりんのようなｐま
たはｎドパントを含有する無定形ケイ素よりなるものが
包合される。即ち、例えば、ｐまたはｉ　（直性：　１
ｎｔｒｉｎｓｉｃ）バルク光導電性層には、高濃度のほ
う素によりドーピングすることによって得られるｐ゛型
バリヤーが使用され、ｎタイプ光導電性層には、高濃度
のりんでドーピングすることによって得られるｎ０型バ
リヤーが使用される。これらのドパントは支持基層から
注入される少数キャリヤーの捕捉を行い得る量で通常存
在させ、上記キャリヤーは感光性像形成部材の放電を行
うのに使用する電荷と反対の記号または電荷を有する。

かくして、一般に、約５０ｐｐｍ〜約５００ｐｐｎ＋の
ドパントがブロッキング層に存在する。また、ブロッキ
ング層は約０．０１１ミクロン〜１ミクロンの厚さを有
する。

光導電性層に使用できる材料の具体的例には、好ましく
は１０〜４０原子％の水素を含む水素化無定形ケイ素が
あり、前述の各米国特許出願に記載されている水素化無
定形ケイ素を包含する。また、光導電性材料として特に
有用なのはほう素およびりんで調整した水素化無定形ケ
イ素である（米国特許出願第５２４，８０１号参照。）
。さらに詳細には、前述したように、上記米国特許出願
には、約２５重量ｐｐ＋ｗ〜約１重量％のほう素を含み
、約２５重量ｐｐｍ〜約１重量％のりんで調整した無定
形ケイ素化合物が開示されている。好ましいのは、光導
電性バルク層は約１　ｐｐｍ〜約１０ｐｐｎ＋のほう素
でドーピングされた水素化無定形ケイ素からなリ、暗導
電性の望ましい低下をもたらすものである。

本発明の像形成部材に関して重要な層は非化学量論量の
チッ化ケイ素の第１オーバーコーテイング層である。こ
のオーバーコーテイングは本発明の目的を達成するため
に過剰のケイ素を含有していなければならない。さらに
詳しくは、この層には、約９５〜約６７原子％のケイ素
と約５〜約３３原子％のチッ素とが存在する。この態様
において、光導電性層と上記オーバーコーテイング層間
の界面での電荷の横方向移動を低減させる結果として、
発生した像の解像力の増大がもたらされる。

３３〜５７原子％のチッ素および６７〜４３原子％のケ
イ素を含む近化学量論量のチッ化ケイ素の第２オーバー
コーテイング層も、例えば、このオーバーコーテイング
が像形成装置の耐摩耗性を改良し、それによって清浄剤
系により、および現像剤材料との相互作用によって引き
起される摩耗を改良する点で、本発明の像形成部材にと
って重要である。

上述の各オーバーコーテイング層は一般に約０．０１〜
約５ミクロンの厚さ、好ましくは約０．０２〜約２ミク
ロンの厚さを有する。

さらに、本発明の像形成部材に関して、理論によって拘
束することは望まないけれども、ＳｔＮ、のバンドギャ
ップはチッ素含有量が０から１．３３に増大するにつれ
、１．６から４．０電子ボルト以上に連続的に変化する
ものと信じている。Ｘが小さい値、即ち、約０．０５〜
約０，５である場合、小濃度のほう素でドーピングした
例えば５０ｐｐｍ以下のほう素を含む光導電性層と例え
ば第１図と第２図で例示したケイ素リッチの非化学量論
量の第１オーバーコーテイング層との間のバンドギャッ
プは約０．５電子ボルト以下と比較的小さい。第１図、
第２図および第３図で例示した像形成部材で潜像を形成
する場合、先ず、これら部材はコロトロン（ｃｏｒｏｔ
ｒｏｎ）によって正の極性に帯電させ、次いで像形成的
（ｉｍａｇｅｗｉｓｅ）に露光せしめる。光励起した（
ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄ）正孔はバルク層に注入
されて基層に移動し、光励起した電子は非化学量論量の
ケイ素リッチ第１層に注入されてそれを通って移送され
る。これらの電子は、例えば第１図、第２図で示した非
化学量論量と近化学量論量の各チッ化ケイ素層間の界面
で捕捉される。第３図の勾配化（ｇｒａｄｅｄ）オーバ
ーコーテイングチッ化ケイ素においては、光励起電子は
オーバーコーテイングトップ層に注入され、それを通っ
て移動する。

要するに、第１〜３図のバルク光導電性層からの光励起
電子は該層から取り除かれ、高解像力の像の形成を可能
にするものと信じられている。

これに対し、第４図で示した像形成部材によれば、少量
のほう素でドーピングした５０ｐｐｍ以下のほう素を含
むバルク光導電性層とチッ化ケイ素の近化学量論量のオ
ーバーコーテイング層との間のバンドギャップの差は比
較的高く、２．４電子ボルト以上である。第４図の像形
成部材で像を形成するときには、該部材を先ず正極性に
帯電させ次いで像形成的に露光する。これにより光励起
正孔をバルク光導電性層に注入し基層に移動させる。

しかしながら、バルク光導電性層とオーバーコーテイン
グ層間の大きいバンドギャップの差の結果として、光励
起電子はバルク層に残存する。これら電子の存在はバン
ド屈曲現象（ｂａｎｄ　ｂｅｎｄｉｎｇｐｈｅｎｏｍｅ
ｎｏｎ）を引起し、電荷の横方向の移転をもたらしそれ
によって潜像の電荷パターンを破壊するものと信じられ
ている。従って、このバンド屈曲現象は像の解像力の実
質的な減少を生じ、ある場合には、像すらも得ることが
できない。いずれにしても、これまで詳述して来たよう
に、第１図、第２図および第３図の部材によって得た像
は高解像力を有し、これに対し、第４図の部材で得られ
た像は乏しい解像力しか有さず、或いは像すらも得るこ
とができない。

本発明の像形成部材は前述した各米国特許出願および米
国特許に記載されているような方法および装置によって
製造できる。さらに詳細には、本発明の像形成部材は、
シランガスを、多くの場合ドーピングまたは合金化目的
の他のガスと組合せて反応チャンバー中に同時に導入し
、次いでオーバーコーティング層を形成できる追加のシ
ランガスとアンモニアとを導入することにより作製でき
る。１つの特定の実施態様においては、その製造方法は
、第１の基層電極手段と該第１電極手段上に円筒状表面
を与える第２対向電極手段とを収容する容器を用意し；
第１電極手段を軸回転せしめながら、円筒状表面を第１
電極手段内に収容された加熱要素によって加熱し；反応
容器にケイ素含有ガス源を、多くの場合他の希釈用、ド
ーピング用または合金化用ガスと組合せて、円筒状部材
に対して直角に導入し；第２電極手段上にｒｆ電圧を適
用し、それによってシランガスを分解し、円筒状部材上
に水素化無定形ケイ素またはドーピングした水素化無定
形ケイ素の析出物を得ることを包含する。その後、反応
チャンバー内にさらにシランガスとジボランガスを導入
しバルク光導電性層の形成を可能にし、次いで非化学量
論量の第１層に、アンモニア対シランガス比１．５５以
′下のアンモニア・シランガス混合物を、近化学量論量
の第２層に比１〜２００のシランガスとアンモニアの混
合物を導入する。各ガスの合計流速は５０〜４００ｓｅ
ｃｍである。ガス混合物圧は２５０〜１、０００ミリト
ールに維持し、ラジオ周波数電力密度は電極領域の０．
０１〜１ｗ／ｃｄである。析出処理中の基層温度は１５
０〜３００℃であり得る。

さらに詳しくは、無定形ケイ素光導電性層はシランガス
単独のグロー放電分解または少量のジボランおよび／ま
たはホスフィンのようなドパントガスの存在下での分解
によって製造できる。使用できる流速範囲、ラジオ周波
数出力値および反応器圧力は前述した各米国特許出願に
記載されたものとおよそ同じである。具体的には、２０
０ｓｃｃｍのシランおよび６　ｓｅｃ＋ｓの１１００ｐ
ｐジボランドーピングシランを使用できる。また、使用
する特定の圧力は８５０ｍ１−−ルであり、総ｒｆ出力
は１００ワツトである。

また、２つのオーバーコーテイングは、例えば、所望す
るケイ素とチッ素の原子割合に基づく変化量のシランと
アンモニア混合物からプラズマ沈着されるチッ化ケイ素
のような種々の材料を用いて作製できる。

災胤適 以下、本発明を特定の好ましい実施例に関して説明する
がこれらの実施例は単に例示のみを目的とするものであ
ることを理解されたい。本発明を実施例で示した材料、
条件またはプロセスパラメーターに限定する積りはない
。すべての部およびパーセントは特に断わらない限り重
量による。

次の実施例においては、特に示さない限り、ほう素ドー
ピング水素化無定形ケイ素およびチッ化ケイ素のオーバ
ーコーテイング層はステンレススチール反応器中で記載
するようなガス組成、圧力、ｒｆ小出力析出時間および
他のパラメーターによって作製した。また、支持基層と
しては、２つの大きさのアルミニウムドラム、即ち、１
つが８４ｕの外径と４０（１０）の長さを有するドラム
ともう１つが８４鰭の外径と３３５鰭の長さを有するド
ラムとを使用した。これらのドラムをステンレススチー
ル真空反応器中に据え付け、次いで回転させ、２１０℃
の温度に加熱した。その後、反応器を真空処理すること
によって減圧し、適当なガスを流量計および流量バルブ
によってステンレススチール反応チャンバー内に導入し
た。スロットルバルブを用いて圧力を調整し、さらに、
作製は例示した各ガスのｒｆ（１３，６メガサイクル）
プラズマ分解によって行った。容量結合形状（ｃａｐａ
ｃｉｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄ　ｃｏｎｆｉｇｕｒａ
ｔｉｏｎ）はドラムを接地し、ｒｆ電極として大きい同
心静置電極（ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｃｓｔａｔｉｃ　ｅｌ
ｅｃｔｒｏｄｅ　）を用いることによって選定した。適
当な各層の作製後、支持基層ドラムを同時に冷却しなが
らアルゴンを反応器に通した。

次に、作製した無定形ケイ素感光体部材はその光導電性
特性を測定する目的で標準のスキャナー中で試験した。

このスキャナーはドラムをその軸に沿って据え付は回転
させる設備を有する装置である。荷電用コロトロン露光
、消去ランプおよび電圧測定用プローブはその周面に沿
って設けである。この試験はスキャナーを２０ｒｐｎ＋
の表面速度で操作し、感光体を長さ１０ｃ１１１のコロ
トロンでもって７．０００ボルトコロナ電位の正極性に
することによって行った。その後、暗減衰と光誘起（ｉ
ｎ−ｄｕｃｅｄ）　減衰電位とを感光体周面に沿って設
けられた一連の電位プローブによって測定した。スキャ
ナーの結果は感光性構造体の帯電能力即ち、暗減衰値お
よび光照射を受けたときの感光体の放電特性を示す。さ
らに、各実施例で作製した感光体部材の各々をゼロック
スコーポレーション３１００または２８３０複写装置で
複写試験した。この複写試験は作製した感光体の解像能
力を測定するのに用いることができる。

叉衡拠土 ３層無定形ケイ素感光体を、反応チャンバー内に１１０
０ｐｐのジボランでドーピングした２００ｓｅｃｍのシ
ランガスを導入することによって長さ４００龍のアルミ
ニウムドラム上で作製した（完全な装置および処理条件
は米国特許第４，４６６．３８０号に記載されている）
。反応器上に存在するスロットルを調整して３７５ミク
ロンの反応容器内プラズマ圧を得、一方ｒｆ出力を１６
０ワ７）に維持した。厚さｓ、ｏｏｏオングストローム
のこのブロッキングバリヤ一層をアルミニウムドラム上
に５分後に析出させて、１１００ｐｐ＋のほう素でドー
ピングした約４０原子％の水素を含む水素化無定形ケイ
素からなる層を得た。

次いで、バルク光導電性層を上記ブロッキング層に２０
０ｓｃｃｍのシランガスと６　ｓｃｃｍの１１００ｐｐ
＋のジボランでドーピングしたシランガスとを反応チャ
ンバー内に導入することによって適用した。

チャンバー内のプラズマ圧は８００ミクロンに維持し、
ｒｆ比出力、１００ワツトであり、析出時間は１８０分
であった。３１）ｐＨのほう素でドーピングした４０原
子％の水素を含む水素化無定形ケイ素からなるバルク層
を１７ミクロンの厚で得た。

その後、上記バルク層に近化学量論量のチッ化ケイ素の
第１のオーバーコーテイングを２０ｓｅｃｍのシランガ
スと１９０ｓｅｃｍのアンモニアを反応チャンバーに導
入することによって適用した。反応チャンバー内のプラ
ズマ圧は３２５ミクロンに維持し、ｒｆ比出力５０ワツ
トにセットし、析出は３分間で終了した。チッ素対ケイ
素原子比１．０即ち５０原子％のチッ素と５０原子％の
ケイ素を含むチッ化ケイ素オーバーコーテイングを０．
０５ミクロン厚で得た。ケイ素対チッ素原子比は、アル
ミニウム基層上にチッ化ケイ素を反応チャンバー内に２
０ｓｃｃｍのシランガスと１９０ｓｃｃｎ＋のアンモニ
アとを流すことによって調製して確認した。プラズマ圧
は３２５ミクロンに維持し、ｒｆ比出力５０ワツトにセ
ットした。化学分析用の電子顕微鏡（ＥＳＣＡ）による
分析はチッ素対ケイ素原子比が１．０であることを示し
た。

この感光性部材の前述したスキャナーでの試験はコロト
ロンワイヤーから発生させた４０マイクロアンペアの電
流が感光体を５２５ボルトに帯電せしめたことを示して
いた。さらに、この感光体は１００ボルト／秒の暗減衰
速度を有し、さらに５２５の電圧は２０エルグ／ｃｄ以
下の光源で完全に放電した。このデータは光導電体が良
好な光導電性特性を有することを示すが、この像形成部
材をゼロックスモデル３１００複写機中で複写試験した
ときには、実質的に零の解像力のプリントしか形成され
ておらず、即ち、像は不鮮明で判読できなかった。

１笠１ ３層感光性像形成部材を実施例１の手順を繰返すことに
よって作製した。ただし、トップオーバーコーテイング
層は４５ｓｅｃｍのシランガスと１５０３ＣＣ１ｌのア
ンモニアを流すことによって作製した。

スロットルは３０８ミクロンのプラズマ圧を得るよう調
節し、ｒｆ比出力４０ワツトであった。また、プラズマ
析出時間は４分間であった。チッ素対ケイ素原子比０２
７５を含む、厚さ０．０５ミクロンのチッ化ケイ素オー
バーコーテイング層を得た。チッ素対ケイ素原子比を、
４５ｓｃｃｍのシランガスと１５０ｓｅｃｍのアンモニ
アとをチャンバー内に流すことによってアルミニうム基
層上にチッ化ケイ素層を調製することによって確認した
。スロットルは３０８ミクロンのプラズマ圧を得るよう
調節し、ｒｆ比出力４０ワツトにセットした。ＥＳＣＡ
で測定したチッ素対ケイ素原子比は０．７５即ち４３原
子％のチッ素であることが判明した。

次に、作製した感光性像形成部材を上記スキャナー内で
試験して、５２５ボルトの電荷アクセプタンス、ｌＯＯ
ボルト／秒の暗減衰、および２０エルグ／−の放電必要
光を得た。この像形成部材をゼロックスコーポレーショ
ンモデル３１００中で複写試験したときには、実質的に
零の解像力を有するプリントしか得られなかった。即ち
、プリントは判読不能であった。

去施舅↓ ４層感光性像形成部材を実施例１で記載したような手順
に従って作製した。さらに詳しくは、バリヤ一層と第２
のバルク光導電性層は実施例１の手順を繰返すことによ
って作製した。次に、第１の非化学量論量のケイ素すフ
チチッ化ケイ素層を、反応チャンバー内に８６５ＣＣ１
１のシランガスと１１４ｓｅｃ＋ｍのアンモニアとを圧
力を３００ミクロンに維持し、ｒｆ比出力４０ワツトに
セントしながら導入することによって作製した。この層
の作製は４分間で終了した。続いて、第２のトップ近化
学量論量のチッ化ケイ素オーバーコーテイング層を、反
応チャンバー内に２５３ＣＣ＋ｍのシランと２００　ｓ
ｃｃｍのアンモニアとを３８０ミクロンのプラズマ圧お
よび４０ワツトのｒｆ比出力導入することによって作製
した。作製は４分間で終了した。得“られた像形成部材
をスキャナー内で試験して、５２５ボルトの電荷アクセ
プタンス、１００ボルト／秒の暗減衰および装置を放電
するのに２０工ルグ／ｄ未満の光感度を得た。続いて、
作製した像形成部材をゼロックスコーポレーション３１
００１置に組み込み、すぐれた解像力のプリント、ミリ
メーター当り８本の対線が最初の像形成サイクルから２
５．０００回の像形成サイクルまで連続して得られた。

２つのトツブチッ化ケイ素層のＥＳＣＡ分析は非化学量
論量の第１層のチッ素対ケイ素比が０．４５．３１原子
％のチッ素であり第２の近化学量論量の層が１．０．５
０％原子％のチッ素に近いものであることを示していた
。

大施■土 ４層感光性像形成部材を実施例１に記載した手順に従っ
て作製した。さらに詳しくは、バリヤ一層と第２のバル
ク光導電性層は実施例１の手順を繰返すことによって作
製した。次に、第１の非化学量論量のケイ素すッチチッ
化ケイ素層を、反応チャンバー内に８６ｓｃｃ＋＊のシ
ランガスと１１４ｓｃｃ＋ｗのアンモニアとを、圧力を
３００ミクロンに維持しｒｆ比出力４０ワツトに確立し
ながら、導入することによって作製した。この層の作製
は４分間で終了した。続いて、第２の近化学量論量のチ
ッ化ケイ素トップオーバーコーテイング層を、反応チャ
ンバー内に４５ｓｃｃｎ＋のシランガスと１５０ｓｅｃ
ｍのアンモニアを３８０ミクロンのプラズマ圧および４
０ワ、ットのｒｆ比出力導入することによって作製した
。作製は４分間で終了した。次いで、得られた像形成部
材をスキャナー内で試験し、５２５ボルトの電荷アクセ
プタンス、１００ボルト／秒の暗減衰、および放電する
ための２０エルグ／−以下の光感度を得た。続いて、作
製した像形成部材をゼロックスコーポレーション３１０
０装置に組み込み、すぐれた解像力のプリント、ミリメ
ーター当り８本の対線が最初の像形成サイクルから２５
．０００回の像形成サイクルまで連続して得られた。

ＥＳＣＡ分析の結果、第１オーバーコーテイングには、
３１原子％のチッ素が、第２オーバーコーテイングには
、４３原子％のチッ素が存在していることが確認された
。

大施聞工 実施例４で作製した像形成部材の追加の試験を該部材を
１インチ×１平方インチ（２，５４ＣＩｌＸ６．４５ｃ
ｔＪ）の小片に切り取ることによって行った。

試験はＥＳＣＡで行い段階的チッ素対ケイ素比を観察し
た。実施例４の像形成部材の第１オーバーコーテイング
層はチッ素対ケイ素原子比０．４５．３１原子％のチッ
素と６９原子％のケイ素を有し、一方第２オーバーコー
テイング層は、チッ素対ケイ素比０．７５．４３原子％
のチッ素と５７原子％のケイ素を有していた。

本発明を特定の好ましい実施例に関連して説明して来た
けれども、本発明をこれら実施例に限定する積りはない
。むしろ、当業者ならば、本発明の精神および本発明の
範囲内において多くの変形または修正がなし得るもので
あることは理解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の感光性像形成部材の一部断面図である
。 第２図は本発明の別の感光性像形成部材の一部断面図で
ある。 第３図は本発明のさらに別の感光性像形成部材の一部断
面図である。 第４図は千フ化ケイ素の化学量論量オーバーコーテイン
グを有する従来技術の感光性像形成部材の一部断面図で
ある。 ３．１５，３１．４１・・・支持基層、５．１７，３３
．４３・・・ブロッキング層、？、１９，３５．４５・
・・光導電性層、９．２１・・・第１オーバーコーテイ
ング層、１１．２３・・・第２オーバーコーテイング層
、３７・・・勾配化オーバーコーテイング層、４７・・
・従来型オーバーコーテイング層。

Claims (37)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持基層、ドパント含有水素化無定形ケイ素のブ
   ロッキング層、水素化無定形ケイ素光導電性層、５〜３
   ３原子％のチッ素と９５〜６７原子％のケイ素とを含む
   非化学量論量のチッ化ケイ素の第１オーバーコーティン
   グ層、およびその上の３３〜５７原子％のチッ素および
   ６７〜４３原子％のケイ素の近化学量論量のチッ化ケイ
   素の第２オーバーコーティング層とからなる像形成部材
   。
2. （２）前記ブロッキング層がほう素でドーピングされて
   いる特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
3. （３）前記ドパントが約１００ｐｐｍ〜約５００ｐｐｍ
   の量で存在する特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
   部材。
4. （４）前記無定形ケイ素光導電性部材がドパントを含有
   する特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
5. （５）前記ドパントが約３ｐｐｍ〜約２０ｐｐｍの量で
   存在する特許請求の範囲第（４）項記載の像形成部材。
6. （６）前記光導電性層が約２ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍの
   量でほう素でドーピングされているかあるいはほう素と
   りんで同時にドーピングされている水素化無定形ケイ素
   からなる特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
7. （７）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−ゲルマニ
   ウム合金からなる特許請求の範囲第（１）項記載の像形
   成部材。
8. （８）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−すず合金
   からなる特許請求の範囲第（１）項記載の像形成部材。
9. （９）前記光導電性層が水素化無定形炭素−ゲルマニウ
   ム合金からなる特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
   部材。
10. （１０）前記第１のオーバーコーティングが９５〜６６
    ．６原子％のケイ素および５〜３３．４原子％のチッ素
    とを含むチッ化ケイ素からなる特許請求の範囲第（１）
    項記載の像形成部材。
11. （１１）前記第２のオーバーコーティングが６７〜４３
    原子％のケイ素および３３〜５７原子％のチッ素とを含
    むチッ化ケイ素からなる特許請求の範囲第（１）項記載
    の像形成部材。
12. （１２）前記基層がアルミニウムからなる特許請求の範
    囲第（１）項記載の像形成部材。
13. （１３）前記基層が可撓性ベルトである特許請求の範囲
    第（１）項記載の像形成部材。
14. （１４）前記光導電性層の厚さが約１ミクロン〜約５０
    ミクロンである特許請求の範囲第（１）項記載の像形成
    部材。
15. （１５）前記第１のオーバーコーティング層の厚さが約
    ０．００１ミクロン〜約１ミクロンである特許請求の範
    囲第（１）項記載の像形成部材。
16. （１６）前記第２のオーバーコーティング層の厚さが約
    ０．０２ミクロン〜約２ミクロンである特許請求の範囲
    第（１）項記載の像形成部材。
17. （１７）特許請求の範囲第（１）項記載の感光性像形成
    部材を調製し、この部材を像形成的に露光し、得られた
    像をトナー組成物で現像し、次いでこの像を適当な基層
    に転写し、必要に応じて、この像を基層に永久的に定着
    させることからなる像形成方法。
18. （１８）前記光導電性層が約２ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍ
    の量でほう素でドーピングされているかあるいはほう素
    とりんで同時にドーピングされている水素化無定形ケイ
    素からなる特許請求の範囲第（１７）項記載の像形成方
    法。
19. （１９）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−ゲルマ
    ニウム合金からなる特許請求の範囲第（１７）項記載の
    像形成方法。
20. （２０）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−すず合
    金からなる特許請求の範囲第（１７）項記載の像形成方
    法。
21. （２１）前記光導電性層が水素化無定形炭素−ゲルマニ
    ウム合金からなる特許請求の範囲第（１７）項記載の像
    形成方法。
22. （２２）前記光導電性層の厚さが約１．０ミクロン〜約
    ５０ミクロンである特許請求の範囲第（１７）項記載の
    像形成方法。
23. （２３）前記第１のオーバーコーティングの厚さが約０
    ．０１ミクロン〜約１．０ミクロンである特許請求の範
    囲第（１７）項記載の像形成方法。
24. （２４）前記第２のオーバーコーティングの厚さが約０
    ．０２ミクロン〜約２ミクロンである特許請求の範囲第
    （１７）項記載の像形成方法。
25. （２５）前記ブロッキング層がほう素でドーピングされ
    ている特許請求の範囲第（１７）項記載の像形成方法。
26. （２６）前記ドパントが約１００ｐｐｍ〜約５００ｐｐ
    ｍの量で存在する特許請求の範囲第（１７）項記載の像
    形成方法。
27. （２７）前記第１のオーバーコーティング層が９５〜６
    ７原子％のケイ素および５〜３３原子％のチッ素を含む
    チッ化ケイ素からなる特許請求の範囲第（１７）項記載
    の像形成方法。
28. （２８）前記第２オーバーコーティング層が６７〜４３
    原子％のケイ素および３３〜５７原子％のチッ素を含む
    チッ化ケイ素からなる特許請求の範囲第（１７）項記載
    の像形成方法。
29. （２９）前記基層がアルミニウムからなる特許請求の範
    囲第（１７）項記載の像形成方法。
30. （３０）前記基層が可撓性ベルトである特許請求の範囲
    第（１７）項記載の像形成方法。
31. （３１）支持基層、約１００〜約５００ｐｐｍの量のド
    パントを含有する水素化無定形ケイ素のブロッキング層
    、約３〜約２０ｐｐｍのドパントを含有する水素化無定
    形ケイ素光導電性層、およびその上のチッ化ケイ素オー
    バーコーティングであって、ケイ素とチッ素が上記光導
    電性層の表面から上記オーバーコーティング層の上部に
    向って延びる勾配で存在し、その量が非化学量論量から
    近化学量論量に増大するオーバーコーティング層とから
    本質的になる像形成部材。
32. （３２）前記ブロッキング層がほう素でドーピングされ
    ている特許請求の範囲第（３１）項記載の像形成部材。
33. （３３）前記ほう素が約１００ｐｐｍ〜約５００ｐｐｍ
    の量で存在する特許請求の範囲第（３２）項記載の像形
    成部材。
34. （３４）前記光導電性層が約２ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍ
    の量のほう素でドーピングされているかあるいはほう素
    とりんで同時にドーピングされている無定形ケイ素から
    なる特許請求の範囲第（３１）項記載の像形成部材。
35. （３５）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−ゲルマ
    ニウム合金からなる特許請求の範囲第（３１）項記載の
    像形成部材。
36. （３６）前記光導電性層が水素化無定形ケイ素−すず合
    金または無定形炭素−ゲルマニウム合金からなる特許請
    求の範囲第（３１）項記載の像形成部材。
37. （３７）前記チッ化ケイ素層が約０．０１〜約２ミクロ
    ンの厚さを有する特許請求の範囲第（３１）項記載の像
    形成部材。