JPH01321619A - セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １五立役歪盈！ 本発明は、コンデンサ容量の周波数特性が良好で、かつ
コンデンサ容量の温度依存性が小さく、しかも電極の剥
離やクラック等のない耐久性に優れたセラミックコンデ
ンサに関する。

日の　＃自５景ｔらびに　のり題 一般に、セラミックコンデンサは、電極間に誘電体層が
形成され、この電極間に電荷が貯えられるようになって
いる。従来このセラミックコンデンサとして膜厚２０μ
ｍ以上の誘電体層を積層した積層コンデンサが知られて
いる。このコンデンサの誘電体層としては、従来では、
ＢａＴｉＯ３の構造を有するチタン酸バリウムを用いた
ものを代表としてあげることができる。チタン酸バリウ
ムを誘電体層として用いたセラミックコンデンサにあっ
ては、チタン酸バリウムの誘電率が他の材料に比較して
高いことからコンデンサ容量を大きくすることができる
という利点を有する。

しかしながら、上述した通常のチタン酸バリウムを誘電
体層として用いたセラミックコンデンサにあっては、コ
ンデンサ容量の周波数特性が不十分であると共にコンデ
ンサ容量の温度依存性が大きいという問題点があった。

また、セラミックコンデンサの誘電体層を薄膜化して容
量を大きくする試みが提案されているが、そのようなセ
ラミックコンデンサにあっては、これを製造する場合に
、次のようにして行なう必要があるため、後述するよう
な不都合を有している。

第２図に示すような薄膜型のセラミックコンデンサ１０
を製造するには、基板２上に、まず膜状の下部型ｆ！４
を蒸着等の手段で形成する。その後、この下部な極４の
表面に誘電体Ｗｉ　ＪＩ１６を形成し、これを下部型１
ｉ４および基板２と共に約１２００℃程度の温度で熱処
理し、誘電体薄膜６を焼成する。その後、この誘電体薄
膜６表面に上部電極８を蒸着等の手段で形成すれば、セ
ラミックコンデンサ１０が完成する。なお、セラミック
コンデンサ１０において基板２を必要とするのは、セラ
ミックコンデンサ１０の全体としての剛性を高めるため
である。

このような従来のセラミックコンデンサ１０にあっては
、その製造工程において約１２００℃にも及ぶ高温で熱
処理する必要があり、この際に下部型を４が熱処理によ
って変質しないことが要求される。そこで、下部電極４
を構成する材料として、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、
Ｃｒ等の高融点材料が用いられる。

しかしながら、Ｐｄ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ等の高融点
材料から成る従来の下部電極４にあっては、誘電体薄膜
６を焼成するための熱処理時に、表面が酸化されて面抵
抗が増大する虞があった。

なおＰｌを下部電極４として用いた場合には、面抵抗の
変化はほとんどないが、基板２、下部電極４および誘電
体層ｗＡ６の熱膨張率の相違から、これらの剥離やクラ
ック等が生じる虞があるという問題点があった。このよ
うな」Ｉ離やクラック等は、ｐｔ以外の高融点材料を下
部電極４として用いた場合にも同様に生じる虞があった
。

したがって、高温の熱処理によっても変質せず、剥離や
クラック等が発生せず、電極としての平坦性も保持でき
るような下部電極を有するセラミックコンデンサの出現
が望まれていた。

九肌血亘工 本発明は、このような従来技術が有する問題点を解消す
るためになされ、コンデンサ容量の周波数特性が良好で
あると共に、その温度依存性が小さく、しかも、セラミ
ックコンデンサを製造する際における高温の熱処理によ
っても、面抵抗が増大せず、しかもクラック等が発生せ
ず、平坦性が保持され、さらに基板等から剥離する虞の
少ない下部電極を有するセラミックコンデンサを提供す
ることを目的としている。

１肌Ω１１ このような目的を達成するために、本発明は、基板上に
形成された下部電極と上部！極との間に誘電体薄膜が形
成されているセラミックコンデンサにおいて、 前記誘電体薄膜が、Ｂａ　Ｔｉ９０２ｏまたはＢａＴｉ
５９１１あるいはこれらの混在相を少なくとも含み、 前記下部電極が、基板上に形成されたニッケル酸化物層
と、このニッケル酸化物層上に形成されなニッケル層と
、このニッケル層上に形成された白金層とから構成され
ることを特徴としている。

このような本発明に係るセラミックコンデンサによれば
、誘電体膜がＢａ　２　Ｔ　ｌ　９０２０またはＢａ　
Ｔｉ　５０．、あるいはこれらの混合相から構成されて
いるので、コンデンサ容量の周波数特性が良好になると
共に、その温度依存性も小さくなる。

また、このような本発明に係るセラミックコンデンサに
用いられる下部電極によれば、電極を多層構造とし、基
板側からニッケル酸化物層とニッケル層と白金層とを、
このＩｌｌで積層させるようにしなので、ニッケル酸化
物層がきわめて良好な密着性を基板に対して示すと共に
、白金層が良好な耐酸化作用を果たす等の理由から、比
較的高熱の熱処理が施されたとしても、表面が酸化して
面抵抗が増大することがないと共に、クラック等が発生
せず、かつ電極としての平坦性も保持され、しかもこの
電極が基板から剥離することもない。

九ｉ＠豆生皿盈Ｊ 以下、本発明を図面に示す実施ｐ１を参照しつつ、詳細
に説明する。

第１図は本発明の一実施例に係るセラミックコンデンサ
の概略断面図である。

第１図に示すセラミックコンデンサ３０は、誘電木蓮Ｗ
Ａ６ａの厚さを薄くして容量を高めた薄膜コンデンサで
あり、基板２表面に下部電極１２、誘電体薄膜６ａおよ
び上部電極８が、この順で積層されている。

基板２は、誘電体薄膜６ａを焼成する際の温度に耐え得
る耐熱性材料で構成されることが好ましく、たとえばＳ
ｉ、ＳｉＯ、ＡＮ２０３もしくはＰｔ、Ｗ、Ｔｉ等の金
属で構成される。このうち特４：Ｓｉ、ＳｉＯもしくは
Ａ、Ｉ！□０３で構成されることが好ましい。具体的に
は、基板２として、シリコンウェーハや表面研摩された
アルミナ等が用いられる。シリコンウェーハとしては、
ノンドープ型、Ｐ型もしくはＮ型等あらゆるタイプの市
販品をそのまま使うことが可能であり、表面エツチング
等の表面処理を行なう必要はない０表面処理を行なうこ
となく、平坦性が保持されているからである。なお、基
板２の表面の平坦性が要求されるのは、その上に形成さ
れるセラミックコンデンサ３０の平坦性を保持するため
である。基板２の厚さは、セラミツクコンデンサ３０全
体に適度な剛性を付与するに十分な厚さを有する必要が
あり、５０〜５０００μｍであることが好ましい。

なお、基板は、必ずしも平板形状に限定されず、円筒形
状もしくは円柱形状であっても良い、基板が円筒形状も
しくは円柱形状等である場合には、その上に形成される
電極および誘電体薄膜も、基板形状に沿った形状となる
。

本発明に係るセラミックコンデンサ３０に用いられる下
部電極１２は、基板２表面に形成されるニラゲル酸化物
（ただし、ニッケル酸化物中のニッケルの価数は問わな
い）から成るニッケル酸化物中（以下、ｒＮｉ　０層」
と称する）１４と、このＮｉ０層１４表面に形成される
ニッケルから成るニッケル層（以下、ｒＮｉ層」と称す
る）１６と、このＮ１層１６表面に形成される白金から
成る白金層（以下、ｒｐｔ層」と称する）１８とから構
成されている。

下部電極１２における８１０層１４の厚さは、５０〜１
０００人、好ましくは１００〜５００人である。また、
８１層１６の厚さは、２００〜２０００人、好ましくは
３００〜１０００人である。ｐｔ層１８の厚さは、１０
００〜ｔｏｏｏ。

人、好ましくは２０００〜６０００人である。各層１４
，１６．１８の雌さをこのような範囲にすることによっ
て、下部電極１２の平坦性が保持され、クラックや剥離
等を防止することができる。

下部電極１２を基板２上に形成するには、たとえば次の
ようにして行なう。

まず、基板２を必要に応じて洗浄し、表面に付着してい
るゴミ等を取り除く、その後、基板２上に所定厚さの８
１０層１４を、スパッタ法、蒸着法、メツキ法などの成
膜手段で形成する。このＮｉ０層は、具体的にはターゲ
ットとしてＮｉを用い、系内をアルゴン等の不活性ガス
と酸素の混合雰囲気として、スパッタ法により成膜する
ことが好ましい。次に、この８１０層１４の表面に、８
１０層１４を形成する際に用いた成膜手段により、所定
厚さの８１層１６を形成する。このＮｉ層は、具体的に
はターゲットとしてＮ１を用い、系内の酸素を追出した
後、系内をアルゴンなどの不活性雰囲気として、スパッ
タ法により成膜することが好ましい、以下、同様にして
、Ｐｔ層１８を形成する。なお、成膜手段として、蒸着
法を採用してもよいが、スパッタ法、蒸着法ともに、８
１層１６とｐｔ層１８とは連続して形成されることが望
ましい。これらの層１４．１６の酸化を防止するためで
ある。なお５ＮｉＯ層１４をスパッタ法により形成する
場合には、上記のようにＮｉをターゲットとして酸化雰
囲気下で行なっても良いし、ＮｉＯをターゲットとして
行なっても良い。

本発明に係る゛セラミックコンデンサにあっては、この
ような方法で形成された下部電＆１２の表面に誘導体重
ＩＩ！６ａを形成し、この誘電体薄Ｍ６ａ表面に上部電
極８を形成することにより、セラミックコンデンサ３０
が構成される。

上部電極８としては、Ａｇ　、Ｃｕ　、Ａｕ　、ＡＪｌ
、ｐｔ等の公知のものが用いられ得る。この上部電極８
を誘電木蓮Ｍ６ａの表面に形成するための手段としては
、スパッタ法、メツキ法等が用いられる。上部！極の厚
さは、１０００人〜１．０μｍであることが好ましい。

本発明では、誘電体薄膜６ａは、Ｂａ　２Ｔｉ　９０２
ｏまなはＢａ　Ｔｉ　５０１１あるいはこれらの混在相
を少なくとも含む結晶相から成る膜である。誘電体薄Ｗ
ｉ、６ａノ厚さは、２０００人〜２０μｍであることが
好ましい、このような誘電体薄膜６ａを下部電極１２表
面に形成するための手段としては、ゾル−ゲル法、スパ
ッタ法、蒸着法等が用いられる。

下部電極１２表面にＢ　ａ　２　Ｔ　Ｉ　９０２０の結
晶相を有する誘電体薄膜６ａをゾル−ゲル法により形成
するための具体的手段を下記に示す。

反応原料 バリウム源としては、酢酸バリウム、水酸化バリウムま
たはバリウムアルコキシドが、単独であるいは組合せて
用いられる。

バリウムアルコキシドとしては、具体的には、バリウム
メトキシド、バリウムエトキシド、バリウムｎ−プロポ
キシド、バリウムイソプロポキシドなどが用いられる。

このうちバリウムイソプロポキシドが好ましい。

またチタン源としては、チタンアルコキシドが用いられ
る。このようなチタンアルコキシドとしては、具体的に
は、チタンメトキシド、チタンエトキシド、チタンｎ−
プロポキシド、チタンイソプロポキシド、チタンブトキ
シドなどが用いられ、このうちチタンイソプロポキシド
が好ましい。

反応原料には、上述したバリウム源とチタン源とに加え
てスズ源もしくはジルコニウム源を加えることが好まし
い。

スズ源としては、スズアルコキシドが用いられる。この
ようなスズアルコキシドとしては、具体的には、スズメ
トキシド、スズエトキシド、スズｎ−プロポキシド、ス
ズイソプロポキシド、スズブトキシドなどが用いられる
が、このうちスズｎ−プロポキシドもしくはスズイソプ
ロポキシドが好ましい。

ジルコニウム源としては、ジルコニウムアルコキシドが
用いられる。

このようなジルコニウムアルコキシドとしては、具体的
には、ジルコニウムメトキシド、ジルコニウムエトキシ
ド、ジルコニウムｎ−７’ロボキシド、ジルコニウムイ
ソプロポキシド、ジルコニウムブトキシドなどが用いら
れるが、このうちジルコニウムｎ−プロポキシドもしく
はジルコニウムイソプロポキシドが好ましい。

上記のようなアルコキシド顕を加水分解するために、水
を反応系に共存させることが必要である。

この水としては、後述するように、反応系に添加した水
であってもよく、また場合によっては、空気中の湿気で
あってもよい。

上記のようなバリウム化合物、チタンアルコキシド、ス
ズアルコキシドもしくはジルコニウムアルコキシドは、
それぞれ下記のような量で用いられる。すなわち、バリ
ウム化合物は、目的とするチタン酸バリウムの組成に対
応するような量で用いられる。またチタンアルコキシド
およびスズアルコキシドもしくはジルコニウムアルコキ
シドは、チタンとスズもしくはジルコニウムとの合計量
がチタン酸バリウムの組成に対応し、しかもチタンアル
コキシドの１〜１０モル％がスズアルコキシドもしくは
ジルコニウムアルコキシドで置換されるような量で用い
られる。

スズアルコキシドもしくはジルコニウムアルコキシドの
量が、このような範囲で用いられた場合に、本来のチタ
ンバリウムの諸性質を失わせることなく、Ｂａ２′ｒｉ
９０２ｏで示される結晶相を有するチタン酸バリウムの
焼成温度を低くすることができる。

溶媒 本発明では、上記のような各成分の反応を、エチレング
リコールモノメチルエーテル溶媒、またはエチレングリ
コールモノメチルエーテルを１０容積％以上含むエチレ
ングリコールモノメチルエーテルとアルコールとの混合
溶媒を用いて行なう。この際用いられるアルコールとし
ては、メタノール、エタノール、ｎ−１０パノール、イ
ンプロパツール、ｎ−ブタノール、５ｅｃ−ブタノール
、ｔ−ブタノールなどが用いられる。このうちエタノー
ルあるいはイソプロパツールが好ましい。

Ｋ座１基 ＃酸バリウム、水酸化バリウムあるいはバリウムアルコ
キシドのうち少なくとも１種以上のバリウム化合物と、
チタンアルコキシドと、スズアルコキシドもしくはジル
コニアアルコキシドとを、エチレングリコールモノメチ
ルエーテルまたはエチレングリコールモノメチルエーテ
ルを１０容積％以上の量で含むエチレングリコールモノ
メチルエーテルとアルコールとの混合溶媒に均一に混合
し、次いで得られた混合物の加水分解を行なってゲル化
させる。

上記のような混合物の加水分解は、たとえば、この混合
物を加熱しながら還流させるなどして均一に混合し、次
いでこの系に水を添加することによって行なうことがで
きる。

加水分解に必要な水は、前述のように反応系に添加した
水であってもよく、あるいは空気中の湿気を吸収させた
水であってもよい。

このような水は、チタンとスズもしくはジルコニウムと
の合計モル数の０．００１〜４倍量好ましくは０．０１
〜４倍重量、特に好ましくは１〜２倍量であることが望
ましい。

水の添加量がチタンとスズもしくはジルコニウムとの合
計量に対して４＠モル量以下であれば、ディッピングに
適したゾルが得られるが、４倍モル量を越えると、容易
にゲルへと変化するため好ましくない。

このようにして得られたゾルは、第１図に示す下部型ｆ
ｌｉ１２表面にディッピング等の手段で塗布され、次い
で乾燥および焼成される。乾燥は、通常、得られたゲル
を２５〜７０℃に保つことにより行なわれる。

このようにして乾燥されたゲルを、基板２および下部電
極１２と共に空気中で８００℃以上好ましくは９００°
Ｃ以上たとえば８００〜１３００℃で、３０分〜５時間
焼成すると、たとえばＢａ２Ｔ　！　９０２０で示され
る結晶相を有するチタン酸バリウムの結晶から成る誘電
体薄膜６ａが得られる。

この焼成は、酸素条件下で行なってもよいが、空気中で
充分性なうことができる。上記のように反応原料に少量
のスズ源もしくはジルコニウム源を加えた場合には、上
記のようなゲルを空気中で焼成しても、その際の焼成温
度を１１００℃以下好ましくは１０００℃以下で行なう
ことができる。

なお従来のチタン酸バリウムの製造方法では、酸素中で
焼成しても１１５０℃以上の焼成温度が必要である。し
たがって、上述したような手段で誘電木蓮１１Ｗ６ａを
形成する場合には、焼成温度を従来に比較して低めるこ
とができるので、焼成時における下部電極１２のクラッ
クや剥離等を有効に防止することができる。

また、たとえ上述した反応原料に少量のスズ源もしくは
ジルコニウム源を加えない場合にあっても、本発明に係
る下部電極１２は前述したような構成の積層構造である
ため、従来のチタン酸バリウムの製造方法のように約１
１５０℃以上の焼成温度で熱処理したとしても、下部電
極１２は、熱処理前に比べて面抵抗の変化が少なく、平
坦性も保持され、剥離やクラック等がほとんど発生しな
いことが確認された。

また、ＢａＴｉ５Ｏ１１の結晶相を有する誘電体薄膜６
ａも、Ｂａ２Ｔｉ９０□０の誘電体薄膜と同様にして、
ゾル−ゲル法により、原料組成を調整し、かつ焼成温度
を調整する（たとえば７００〜１０００°Ｃ）ことによ
って形成することができる。

なお、本発明では、上述したようなゾル−ゲル法による
誘電木蓮ＷＡ６ａの形成手段に限定されず、Ｂａ　　Ｔ
ｉ　　ＯまたはＢａＴｉ５Ｏ１１あるいはこれらの混在
相を少なくとも含む結晶相から成る膜を形成するための
公知の手段が採用され得る。

また、本発明によれば、Ｎｉ０層１４と基板２表面との
間に酸化ケイ素（価数は問わない）から成るＳｉ０層も
しくはその他の酸化膜層を所定厚さで形成するようにし
ても良い、基板２がケイ素から成る場合には、５１０Ｍ
は、基板２を熱処理することによって得ることができる
。

及曹眩と丸星 以上説明してきたように、本発明によれば、誘電体薄膜
がＢａ　　Ｔｉ、Ｏ□。またはＢａ　Ｔｉ　５０１１あ
るいはこれらの混合相から構成されているので、コンデ
ンサ容量の周波数特性が良好になると共に、その温度依
存性も小さくなるという優れた効果を有する。また本発
明によれば、下部電極を多層構造とし、基板側からＮｉ
０層とＮｉ層とｐｔ層とを、この順で積層させるように
したので、Ｎｉ０層がきわめて良好な密着性を基板に対
して示すと共に、ｐｔ層が良好な耐酸化作用を果たす等
の理由から、比較的高熱の熱処理が施されたとしても、
表面が酸化して面抵抗が増大することがないと共に、ク
ラック等が発生せず、かつ電極としての平坦性も保持さ
れ、しかもこの電極が基板から剥離することもないとい
う優れた効果を奏する。

以下、本発明をさらに具体的な実施例に基づき説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

Ｋ１囮 ［基　　板］ 市販のシリコンウェーハ（Ｐ型、比抵抗１０ΩｃＩＩ）
を、トリクレン中にて超音波洗浄したもの、あるいは表
面洗浄を施さないものを基板として使用した。

［下部電極］ この基板上に、通常の高周波マグネトロンスパッタ法に
て、Ｎｉ　Ｏ，Ｎｉ　、Ｐｔの順に膜を形成しな。条件
を以下に示す。

■酸化Ｎｉ１ｌｉ（Ｎｉ０層） チャンバー内を１　、０　ｘ　１０’ｔｏｒｒ以下の圧
力に真空排気した後、アルゴンを１．０Ｘ１０’ｔｏｒ
ｒ、次いで酸素を０　、２　ｘ　１０　’ｔｏｒｌ入り
す後、メインバルブをしぼって、系内を５．０×１０−
３ｔｏｒｒとした。ターゲットとして９９．９％のニラ
ゲル（Ｎｉ）を用い、高周波出力１００Ｗでプレスパツ
タを１０分間行なった後、シャッターを３分間開けてシ
リコンウェーハ上に酸化ニッケル膜を形成した。膜厚は
約１２０人であった。

■ニッケル膜（Ｎｉ層） 次に酸素ガスの供給をストップした後、プレスパツタを
１０分間行ない、ターゲット表面の酸化ニッケル層をエ
ツチングし、純粋なニッケル面を出した。その後、シリ
コンウェーハ上へのニッケル膜形成は、圧力５　ｍ　ｔ
ｏｒｒ、出力１００Ｗで２分２０秒間行なった。クロム
層厚は約３００人であった。

■白金膜　（Ｐｔ層） 次に、ターゲットには９９．９％の白金を使用し、圧力
５　Ｘ　１０　’ｔｏｒｒ、出力２００Ｗでプレスパツ
タを１０分間行なった後、シャッタへを６分間開けて、
白金膜を約６０００Ａ形成しな。

特に、形成したＮｉ層の酸化を防ぐために、■、■工程
は連続工程とした。この工程を経て、シリコンウェーハ
基板上にＮｉ０層（１２０λ）、Ｎ１層（３００人）、
Ｐｔ層（６０００人）がこの順序で形成された。

［誘電体薄膜］ チタンイソプロポキシドとバリウムイソプロポキシドと
をＴｉ／Ｂａ（原子比）が４．５になるようにそれぞれ
２８．４２ｇ、５．６８ｇを秤量し、これらを溶媒とし
てのメトキシエタノール３０ｍ１、エタノール８０ｍ１
の混合液に加えた。次に得られた混合物を、オイルバス
を用いてバス温１５０’Ｃに保って還流させることによ
り均一な溶液をつくった。

室温に戻しても、この溶液は容易にはゲル化しない。こ
の均一溶液をディッピング法により上記の電極上に塗布
し、誘電体薄膜を形成した。この薄膜中には有機物が含
まれる。

次にこの下部電極および誘電体薄膜をつけたシリコンウ
ェーハを１２００℃で下記の条件で熱処理することによ
り誘電体膜中の有機物を飛散させ、かつＢａ　２　’ｒ
ｉ　９０□０の結晶相を生じさせた。

この１０のディッピング、熱処理の操作で厚さ５００人
の誘電体薄膜が形成される。

この操作を８回繰り返すことで０，４μｍの厚さのＢａ
　Ｔｉ９ｏ２ｏの結晶相を有ず誘電体薄膜を得た。

熱処理条件を次に記す。

［熱処理条件］ 熱処理は赤外線イメージ炉またはボックス炉にて行ない
、赤外線イメージ炉では５℃／　ｓｅｃで１２００°Ｃ
まで昇温した後、３０分間その温度を保持し、その後５
°Ｃ／　Ｓｅｃで降温しな。この間、酸素のみ０．２ｊ
／分供給した。この操作を８回繰り返した。ボックス炉
では、７０℃／時間で１２００℃まで昇温した後、５時
間この温度を保持し、７０°Ｃ／時間で常温に戻した。

この間酸素のみ０．２ｊ／分供給した。この操作を８回
繰り返した。

なお、熱処理前後の下部電極の表面抵抗の変化をみるた
めに誘電体薄膜で覆れていない下部電極の部分を一部設
け、この部分の表面抵抗を測定した。その結果、熱処理
前の下部電極の表面抵抗は０．３Ω／口であったものが
、熱処理（イメード炉、ボックス炉）後、ともに０．２
３Ω／口となり、抵抗値の増加がなかった。また、膜中
にクラックが生じたり、変色が生じることもなかった。

表面平滑性にも優れていた。

［上部電極］ 上記の誘電体膜上に、スパッタ法により厚さ２０００人
の金薄膜を形成した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係るセラミックコンデンサ
の概略断面図、第２図は従来例に隔るセラミックコンデ
ンサの概略図である。 ２・・・基板　　　　　　４．１２・・・下部電極６．
６ａ・・・誘電体薄膜　　　　８・・・上部ｔ　’ｆｊ
ｉ１４・・・Ｎｉ０層　　　　　　１６・・・Ｎｉ層１
８・・・ｐｔ層 代理人　　弁理士　　鈴　木　俊一部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板上に形成された下部電極と上部電極との間に誘電体
   薄膜が形成されているセラミックコンデンサにおいて、 前記誘電体薄膜が、Ｂａ＿２Ｔｉ＿９Ｏ＿２＿０または
   ＢａＴｉ＿５Ｏ＿１＿１あるいはこれらの混在相を少な
   くとも含み、 前記下部電極が、基板上に形成されたニッケル酸化物層
   と、このニッケル酸化物層上に形成されたニッケル層と
   、このニッケル層上に形成された白金層とから構成され
   ることを特徴とするセラミックコンデンサ。