JPH01321695A - セラミック複合回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、複合回路機能を有するセラミック回路Ｊ、Ｉ
ｉ板に関する。史に、詳しくは、ガラス材料層を介在さ
せて接合した積層セラミック基板の中の一部のセラミッ
ク基板として機能性材料よりなる基板を用いて、機能性
回路を有するセラミック複合回路基板に関Ｖる。

［従来の技術］ 従来の多層配線基板は、例えば、特開昭６２−２７９６
９５号に示されるように、電気回路が、平面的に形成さ
れ、そして、スルーホールを介して、立体的に配線され
ているが、コンデンサなどの受動素子を基板表面にハン
ダ付は実装しであるために、その接合点を形成する場合
に信頼性が問題になり、その問題を解決ｒるため種々の
提案がされている。また、複合部品としては、実開昭６
２−１８４７２８号に示されるようにチップコンデンサ
に抵抗体層を付加した部品や、実開昭６２−２０１９１
９号に示されるように誘電体基板に、容陵電極膜を形成
し、その１−に絶縁膜を介して導電膜及び抵抗膜を形成
した部品が提案されている。

このような回路基板では、容量成分やインダクタンス成
分は、ハンダ付けされるので機械的及び電気的な信頼性
に問題があった。また、実装のためのコストも、部品点
数の増加につれて増加するものである。更に、部品を外
付けするために回路全体の小型化、軽＆を化にも支障を
来すものであった。

また、従来の複合部品では、ＬとＣ１ＣとＲなどの組合
わせ機能は有ｒるが、回路機能を有していないために、
電気的或いは電子的に総合的な機能を有することはでき
ないものであった。

また、多層セラミック構造体としては、本出願人より特
開昭６２−１９６８１１号、６３−５５９４号が提出さ
れている。

［発明が解決しようとする問題点コ 本発明の［１的は、以トの従来の回路基板及び複合部品
の不備な点を除去しつつ、Ｌ、Ｃ％Ｒ及び温度センサ、
振動センナなどのセンサ機能を備えた複合機能を持ち、
小型、軽にで信頼性の高い多機能セラミック回路基板を
提供することである。

また、本発明は、実装部品点数が増加してもそれほどに
コスト上昇のない多機能セラミック回路基板を提供する
ことを目的にする。

［発明の構成］ ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、少なくとも一方の面に電極を設けたセラミッ
ク基板とガラス層を互いに積層してなり、そのセラミッ
ク基板の少なくとも一部の面で該ガラス層により、ヒラ
ミック基板を互いに接合してあり、少なくとも１つのセ
ラミック基板にはスルーホールを説け、また、少なくと
も１つのガラス層にはビアホールを説け、該セラミック
基板りに形成された電極間を所望に従って接続し、積層
セラミック基板りに、回路及び機能素子を形成してなる
ことを特徴とｒるセラミック複合回路基板である。そし
て、そのセラミック基板は、個別に焼成された、種々の
電気特性を有する材料からなる２種類以トの基板であり
、ＦＪＩ’Ｔ！、極は、Ａｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系電極
材料からなる、−とが好適である。また、利用Ｃるセラ
ミック基板は、各々絶縁体、誘電体、磁性体、圧電体、
半導体から所望に従って選択された材料よりなり、各材
料のセラミック基板上に導電体による電極を説け、心変
な機能素子を形成してなるセラミック複合回路基板であ
る。そして、そのヒラミック基板に設けた電極のうち外
部と接読峻゛るための！極は、積層されたセラミック基
板のうら最−Ｌの基板又は／及び底面基板の外側表面に
形成されており、その外部電極の表面は、ハンダ喰われ
を生じ難いＮｉ、ＣＵなどの金属でメッキなされている
ことが好適である。

本発明の多層セラミック複合回路基板の構造は、七ラミ
ック基板とガラス接着層で構成され、即ち、ガラス接Ｐ
ｉ層を介在諮せて、ヒラミック基板を接合積層し、組立
でたもので、その構成セラミック基板には、所望に従っ
て所定のＴＬ電極パターン一方の而或いはその両面に′
Ｉｔ極パターンを形成しである。この電極パターンによ
り所望の回路を形成できる。更に、セラミック基板の少
なくとも１つにはスルーボールを説け、またガラス層の
少なくとも１つのはビアホールを説け、その中に導電ペ
ーストを充填し、ＴｒＬ極を接続するものとでさ、所望
の回路を形成する。

ヒラミック基板を互いに接合１−るガラス層は、ガラス
材料ペーストを所定個所に厚膜スクリーン印刷技術によ
り厚膜形成し、乾燥し、焼成す゛ることにより、ガラス
ペーストを溶融せしめ接合できる。この場合、ビアホー
ルを形成を−る個所などの必要な個所には、ガラスペー
ストを印刷せずにしておき、必要な個所には空隙を作る
ことができる。

本発明は、所望の特性を有するセラミック基板を使用し
、各種の機能を有Ｃる機能素子を積層セラミック基板内
に形成するものである。

２種類以上の特性の材料からなる組合せ七ラミック基板
を多層化４°るために、ガラス材料ペースト層を接合層
と４る。所望のセラミック基板を、所望の構造で、積み
重ねたものを比較的に低温で焼成処理し、融着させ接合
Ｖる。接着ガラス層には、空隙を設けずに、或いは一部
に空隙を設けて、ガラス材料ペースト層を形成し、その
積層体を焼成イ゛ると、該セラミック基板が、相互に接
着され、機械的強度を保持するトラミック複合回路基板
が得られる。

接合層としてガラスを用いる結果、より耐熱性にζ゛ぐ
れ、気密封止性が良好になり、特性がよく、使用しやす
い積層セラミック複合回路基板が得られる。また、ガラ
ス接合層は、すぐれた電気的絶縁性を持つために、該ガ
ラス層を挾んで上下の使用セラミック基板に印刷された
ｊＩｔ極層は、相？ｌに良好な絶縁性を保持でき、同時
に気密性が優れたものとなる。接合層としてガラス層を
用いるために、電極パターン又は抵抗体パターンの間を
ガラスが埋め、電極の気密性が容易に保持される。

本発明では、基板材料として、絶縁体、誘電体、磁性体
、圧電体、゛ｒ゛導体などの各々の機能を有する材料よ
りなるセラミック基板を所望に従って使用し、回路及び
機能素ｒ°が、そのセラミック基板上に、大気中で焼成
できるＡｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系の電極材料によって形
成され、それらの機能性材料、組成の異なるセラミック
基板を所望の電気特性に合致するように選択し、使用し
、その所望基板に所定の電極パターンを形成し、所望の
セラミック基板の組合わせをＭＷすることにより、所望
の機能を有する複合回路を有する積層基板が得られる。

例えば、容量成分のような、ある１つの機能を有する少
なくとも１つ以上の素子とそれに適する回路を形成した
基板が得られ、そして、この素子と異なる機能の、例え
ば、抵抗成分を有する少なくとも１つ以上の素子を含む
回路を形成した別の基板とを、ガラス接合層を設けて、
積層接合したものである。

本発明に従うと、各々の回路素子に要求される特性に適
した材料よりなるヒラミ／り基板に、回路及び機能素子
を形成し、ｆめ、別々に形成した素ｒ・を有Ｖるセンミ
ック基板を、ガラス接着層を介して、接合し、外部接合
端子を設けることにより、複合的機能を有する回路基板
を作製できる。

積層セラミック基板内部にコンデンサ、インダクタンス
、抵抗、温度センサ、振動センサなどを内蔵し、複合的
な機能を有する多層セラミック配線基板ができる。

更に、本発明に従い、セラミック基板に使用される基板
材料は、その基板に形成される所望の素ｆ・の特性に従
って選択される。そのための配線回路形成には、絶縁体
材料よりなる基板が有効である０例えば、アルミナ、ム
ライト系の材料が適するが、その他に、ガラスペースト
の焼成処理でも、安定な材料であれば、使用できる。ま
た、絶縁体基板の上には、厚膜法などで抵抗素子を形成
できるので、絶縁材料Ｊｌ（板の−１，には、抵抗を含
む回路が形成される。

また、このセラミック基板材料として、誘電体材料を用
いると、この、ｙｊ重体基板を挾む両面に電極を形成し
て、−コンデンサが形成できる。この：Ｉンデンナと他
の回路を連絡するための回路が、誘電体基板の上に形成
できる。

また、磁性体材料をセラミｙり基板材料とじて用いると
、そのトに形成する電極パターンにより、インダクタン
ス素子が形成される。このインダクタンスと他の回路を
結び付けるための回路は、磁性体材料によるセラミック
基板の上に形成される。

また、振動センサを作製するためには、圧電体材料によ
るセラミ／り基板を使用し、その基板を挾んでセンサ用
パターンが形成する。そして、振動センサと外部回路を
つなぐ回路が、圧電体材料によるセラミック基板上上に
形成される。この振動センサ素Ｅは、作製した後、所定
電圧を基板を挾んで形成された電極に印加し、分極し、
振動センサ機能を持つ圧電素子とすることができる。

また、温度センサを作製するには、種々の素ｒを用いる
ことができる０例えば、絶縁体セラミック基板を用いて
、その上に形成した導電体の゛心気伝導度の温度による
変化を測定ｒる方法、温度係数の大きな誘電体材料によ
る基板を用いて形成したコンデンサＶ￥究の変化から温
度を検知する方法、或いは、焦電係数の大きな圧電体材
料によるセラミック基板を用いて、そのＪｌ（１ｔ１子
の温度変化による起電力を用いる方法などを利用するこ
とができる。または、半導体材料を用いて、ＮＴＣサー
ミスタ効果により、温度を測定することもできる。

以上のように、セラミック基板材料として、所望により
、種々の材料を用いて、所要の機能を持つ素子を形成し
た複数種類のセラミック基板をガラス層により接合して
、複合機能を有する回路基板が得られる。

本発明の積層セラミック複合回路基板の製造は、次のよ
うに行なう、所望特性を発現する電気的性質を有するヒ
ラミック基板は、個別に焼成されたものであり、そのよ
うなセラミック基板各々の少なくとも一方の而にスクリ
ーン印刷法などにより金属導体層パターン又は′ｉｆ極
パターンを形成する。

次に、各所望のパターンを有するセラミック基板の接合
部に、或いは、接合個所に、ガラスペースト層をスクリ
ーン印刷法で形成し、このようなセラミック基板を、所
定に従って、多数積み重ね、その積層体として、焼成す
ることにより、多層セラミック基板を、ガラスペースト
層により付若する。ガラスペースト層を有するセラミッ
ク複合回路積層体を低温焼成処理し、熔融接合する。

所望の素子を有する各基板を、ガラス層を用い、接合す
る。

本発明に用いる各種類のセラミック基板は、通常のセラ
ミック基板の製造技術と同様な方法で作製するものであ
り、例えば、ドクターブレード法或いは押し出し法によ
り、グリーンシートを成形し、このグリーンシートから
パンチングにより、所望の外形とスルーホールを形成し
て、所要の形状のグリーンシートを得る。それらの各々
の材料に適した焼成温度、焼成条件を用いて、各々のグ
リーンシートを焼成して、厚さｏ、ｏｓｍ　〜ｏ、ｓ■
程度のセラミ／り基板を夫れ夫れ作製する。この基板に
、Ａｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系の導電体ペーストを使用し
て、配線パターンを印刷する。また、抵抗素−ｒ・を形
成する場合には、厚膜抵抗ペーストをこの上から印刷す
゛る。基板の表裏の導通に必要な回路は、基板中に形成
された０、２〜１゜ＱｆｉｌΦのスルーホールに充填し
たＡｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系の導電体により行なわれる
。このように電極、回路等が印刷されたセラミック基板
を、７５０〜９００℃の大気酸化雰囲気で焼成する。

次に、回路及び素子の形成された基板の片面又は両面に
、スルーホール個所を避けて、ガラスペーストを印刷す
る。利用するガラスペーストは、接合される２種のセラ
ミック基板にとって適した材料を選択することが重要で
ある。ガラスペーストを印刷し、所要の基板が、回路設
計どおりにパターンがずれないように、必要な枚数のセ
ラミック基板を積層し、荷重をかけながら、焼成、接合
する。

なお、セラミックツ＾板間の電気的接続を行なうために
は、ガラスペースト印刷していないスルーホール個所に
Ａｇ系導電体を印刷して、ガラスペーストによる接合の
ための焼成と同時に焼成してもよいし、チップコンデン
サの端ｆ−主電極ように、積層セラミック基板の側面に
基板回路接続用の導通路を設けても可能である。最終的
に、作製した回路デバイスにおいて、外部回路と接続ｒ
る部分には、Ｎｉメッキ或いはＣｕメッキをｒることに
より、Ａｇのハンダ食われを防（ヒする。このハンダ食
われ防止のメッキの後に、ハンダ刈れ性を保持１−るた
めに、更に、錫、金、或いはハンダによりメッキを施す
ことかでさる０本発明の複合回路基板自体は、更に別に
セラミック基板りに表面実装Ｖるために、ハンダ接続す
べき面の全てに、に記のメッキをすることが好適である
。

また、導体層パターン又は電極パターン又は抵抗体パタ
ーンを作成する方法としては、印刷法により、説明４−
るが、特に、スクリーン印刷を用いた厚膜法が有用であ
る。その他には、ホトエツチング技術も利用でき、ホト
エツブングによる薄膜作成法を用いることができる。ま
た、その両方の技法を用いることもできる。

電極パターン形成に用いる材料としては、金、銀、白金
、パラジウム又はその組合わせなどの導１じ性金属であ
り、そのペーストをスクリーン印刷法などにより所望基
板表面上に印刷し、導体パターン又は、’ＩＴｃ極パタ
ーンとすることができる。また、本発明に用いる導体層
形成の材料は、特に、高周波用には、銀、金、パラジウ
ム或いはその組合わせを用いることが好適である。

このような電極のうち、最も外に形成される電極、例え
ば、積層セラミック基板のうち、最上の基板或いは／及
び底面の基板の外側表面に形成諮れた電極は、外部と接
続するために使用され得るが、そのようなＭＬ補極外電
極のためには、Ａｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系の焼き付は導
電体の接合部分の間に、別の金属層を介在さける。この
金属層に使用される金属は、Ｎｉ、ＣｕなどＡｇに比べ
、ハンダの中に拡散しにくい金属を使用する。この金属
層の形成は、メ・／キ、蒸着、スパッタ法、厚膜法形成
−焼成などにより行ない得る。この金属層は、Ａｇ導電
体が外部回路とのハンダ付けに際して、ハンダ中へＡｇ
拡散が生じることを防止し、信頼性の低下を防１１−す
るために形成される。

各ヒラミック基板を接合するためのガラス層は、ガラス
材料ペーストから形成され、上記のようにスクリーン印
刷による厚膜作成法により、ガラスペーストを所望個所
に印刷することにより作製する。

セラミ・／り）、’；、板各層を互いに接合ｒるための
ガラス層形成には、比較的に低温で溶融するガラス、例
えば、硼ｆ［酸ガラス、゛硼珪酸鉛ガラス、結晶化ガラ
スなどを使用できる。比較的低温の融点を有し、取り扱
い易いものがよく、接合される基板の材質によって、適
した材料を選択Ｖることか、望よしい、この加熱処理の
ときに、電極パターンを含むセラミック基板に障害を悌
えないためになるべく低温で接合できる材料を使用４°
る。ガラス溶融接合のための処理温度は好適には、５０
０°Ｃ〜１０００″Ｃ程度であり、さらに好適には、７
５０〜９００℃の範囲である。

具体的には、例えば、絶縁体基板と誘電体基板、誘電体
）、（板と磁性体基板、誘電体）、ζ板と圧電体基板は
、１７．いに、硼珪酸ガラス、硼珪酸鉛ガラス、結晶化
ガラス等で接合される。そして、その組成としては、Ｂ
、Ｓｉ、Ｎａ、Ｐｂ％Ｚｎ等の酸化物よりなり、［１的
に応じて、Ａ１、Ｔｉ１に、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃａ、
Ｃｕなどの酸化物も添加される。

用いるべきガラスペースト材料の接合温度は、使用電極
ペーストの焼き付は温度より高くならないものが好適で
ある。また、ガラス成分と基板の反応゛が、著しく、基
板の電気的特性への影廿が大きな成分は、用いない）ｊ
が良い。

その熱膨張率については、基板のものとガラス成分のも
のが、近いものが好適である。

また、ガラス成分が、基板に形成した素子の電気的特性
に影響Ｖる場合には、素子部分には、ガラス接合層を形
成せ４°、空隙を作り接合４°るという方法をとること
ができる０例えば、圧’ｉｔ素子の振動がガラス層によ
って影響されることを防止するために、！「電素−ｆ−
を形成した個所の片面或いはｒ＋１１ｉ面に、ガラス層
を形成しないでおくという−Ｊｊ法をとることができる
。また、他の回路、素子についＣも同様の方法をとるこ
とができる。

実施例は、絶縁体Ｊ、（板、誘電体Ｊ、（板、磁性体基
板、圧電体基板を用いた多層セラミＺりＪＩ（板の組合
せたセラミンク複合回路基板を例として示ｒが、利用で
きるセラミック基板としでは、他に、半導体基板などが
ある。

絶縁体材料としては、°ｆアルミナ系ｌ、フィト系など
が一般的に用いられるが、また、ソオルステシイト系な
ども使用できる。

誘′准体材料としては、チタン酸バリウｌ、系、チタン
酸ストロン１つ１１系、また、ＰＬＺＴ系などの他、高
周波特性の良いアルミナ系などを用いるミーとができる
。

磁性体材料としでは、ニッケルーｉ１［鉛フェライト系
（Ｎｉ−Ｚｎノエライト）、マンガン−亜鉛フＪ、ライ
ト系（Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライト）の磁性体などが用
いられる。

Ｉ　Ｐ：電体材料としては、チタン階バリウム系、ＰＺ
Ｔ系及びこれを修飾したべＵブス力イト構造を持つＰＺ
Ｔ系の材料などを使用できる。

′ｔＬ、導体としては、例えば、負温度係数を有ｒるｔ
導体、即ら、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ系の遷移金属複合酸化物
（また、他にＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＣＵなど遷移金属
複合酸化物）或いは、ＺｒＯ＊−Ｙ、Ｏ，、Ａｊ！＊０
５−ＭｇＯ，Ａｌｔｏｓ−Ｂｅｄ。

Ａ　ｌ　＊　Ｏｍ　−Ｚ　ｒ　Ｏｇ、Ｃｏ　Ｏ−Ａ　ｌ
　＊　Ｏｍ、Ａｌｓ。

ｍ−Ｃａ５ｆＯ，、Ｍｇ（Ａｊ！、Ｃｒ、Ｆｅ）ｚｏａ
などの他の系があり、また、正の温度係数を有ｒるｔ導
体、例えば、希土類或いはＭ　ｎ　Ｏ添加ＢａＴｆＯ，
系化合物を用いることができる。

零発２す１により得られる積層セラミック複合回路基板
は、他に、例えば、電子機器等に使用される混成集積回
路用などに使用され得る。

次に、本発明のセラミック複合回路基板について実施例
により説明Ｖるが、本発明は、次の実施例のものに限定
されるものではない。

［実に例１］ ［ＬＣＲ回　）　の゛　］ 絶縁体基板と：１４重体基板を組合わせた本発明による
セラミック複合回路基板を、第１図の断面図により説明
する。

絶縁性基板１（アルミナ基板）を用いて、その片面に、
回路パターン６を印刷した後、−１１，乾燥し、反対側
の而にも回路パターン６を印刷し、両面に回路パターン
６を形成する０次に、スルーホール５に銀ペーストを充
填し乾燥する。このように処理した絶縁性基板１を８５
０℃で焼き付けて回路２０を形成４る。

次に、抵抗素ｆ　９を厚膜ペーストにより形成するため
に１、−の［―に、酸化ルテ；−ウｌ、を含む厚膜ペー
ストインクにより、形成回路［−の必°政な個所に抵抗
体パターン９を印刷４゛る。乾燥後に厚膜抵抗体パター
ン９を焼き付ける。このようにして、抵抗素？９を有４
る回路基板１を作製する。この絶縁性）＾板としｒは、
厚さ１１００ｔ１のアルミナ基板を用いた。

次に、チタン酸スト【ｌンチウ１１系の誘′Ｉ′ｖ、体
基板２を用い、その両面に、コンデン＋１を含む回路パ
ターン６を形成Ｖる。このコンデンサ２１は、平板：２
ンデンサ型或いはギャップ型のものを形成を形成できる
０次にこの誘゛准体基板のスルーホール５に銀ペースト
を充填し、乾煙し、８５０℃で焼き付けて、；コンデン
サ回路を得る。

次に、Ｎ　１−Ｚｎフェライト系の磁性体基板３を用い
て、その両面にインダクタンスを含む回路パターン６を
、前記と同様に、スクリーン印刷技術で形成する０次に
、スルーホール５に銀ペーストを充填し、乾燥し、８５
０℃で焼き付けて、インダクタンス回路２２を形成する
。この場合、インダクタンスのためのパターン６には、
種々の形状を利用できる。

、乙のようにＦめ＋Ｊｒ望のパターン６等と各受動素ｆ
−２１等を有する３種の基板に対して、その接合面にホ
ウ珪酸鉛を１．成分とＣる接合用ガラスペースト２で、
接合パターンを印刷げる。このときに、互いに電気的接
続を必要とＶる部分には、ガラスペーストを印刷しない
、この接合用ガラスペースト２を乾燥した後に、電気的
接続を必要する箇所に、ビアホール８を形成４“るため
に、銀糸ペーストを印刷し、乾燥する。

以上のように処理した３種の基板１．２．３を、各基板
の回路の間に接続が取れるように、第１図の断面図に示
すように積層し、基板１．２．３間にズレが生じないよ
うに保持しながら、８００〜９００℃で焼成した。その
結果、第１図の断面図に示Ｃ積層基板が作製された。即
ち、この多層複合回路基板には、抵抗素子を含む回路２
０、コンデンサを含む回路２１、インダクタンス素子−
を含む回路２２よりなる回路が形成され、弔なる回路基
板でなく、ＬＣ，ＲＣ，ＬＲ，ＬＣＲの回路機能を含む
複合機能を有する回路基板が作製された。

［実施例２］ ［ＬＣＲ回　ノー板のメンキ　理］ 実施例１で作製した多層複合回路基板と同様の構造で、
絶縁性基板としては、１１ライト系、誘電体ノ、（板と
しては、チタン酸バリウム系、磁性体基板として、Ｍ　
ｎ　−Ｚ　ｎフェライト系材料を用い、接合ガラスとし
て、ホウ珪酸を１．成分とするガラを用いて、多層複合
回路）、ζ板を形成した。その外部回路と接続孝−る部
分を残し、積層基板の両面に、メッキ　レノスト層１０
を印刷形成した（第２図の断面図に示す）、このレジス
ト形成後の基板に、更に、無電解メッキにより、Ｎｉ或
いはＣｕのメッキ皮膜１０を形成した。更に、この表面
の酸化を防止し、ハンダ儒れ性を良くするために、必要
に応じて、Ａｕメッキを行なった。このように処理して
、第２図の断面図に示す外部電極をメッキ層１０でカバ
ーして耐熱性を高めたセラミック複合回路基板を得た。

［実施例３］ ［瓜エオゴ・　−するＣＲ回　］ 絶縁体基板と誘電体基板と圧電体基板を組合わけた本発
明によるセラミック複合回路基板を、第３図の断面図に
より説明Ｃる。

アルミナ系の絶縁性基板１を用い、その片面に回路パタ
ーン６を導電性ペーストで印刷形成した。

後、−［１，乾燥し、反対側の而にも導電性ペーストで
回路パターン６を印刷形成し、両面に回路パターン６を
形成する０次に、スルーボール５に銀ペーストを充填し
、乾燥し、この絶縁性基板１を８５０℃で焼さ付けて、
回路２０を作製する０次に、抵抗素子９をその−Ｆに形
成するために、酸化ルテニウムを含む厚膜ペーストイン
クを形成回路上の必要箇所にスクリーン印刷技術で印刷
形成し、乾燥し、再びこの絶縁性基板１を焼成し、厚膜
抵抗９を焼き付ける。なお、この厚膜抵抗用のペースト
には、温度係数の大きな材料を用いた。また、絶縁性基
板としては、厚さ１００１１ｍのスルーホール５を形成
したアルミナノ、（板を用いた。

次に、チタン酸スト［１ンチウム系の誘電体基板２を用
いて、その両面に、：１ンーｆンナを含む回路パターン
６を導電性ペーストで印刷形成する。この場合、：Ｊン
デンナは、平板型；コンデンサ又はギヤ／プ型：１ンデ
ンサの両方の型の：Ｊンデンナを利用Ｃきる。次に、ス
ルーホール５に銀ペーストを充填し、乾燥し１、−の誘
電体Ｊ、（板２を８５０°Ｃで焼成し、回路を焼き付は
形成し、コンデンサを含む回路２１を得る。

次に、ＰＺＴ系の圧電体基板１１を用いて、その両面に
、回路パターン６を印刷形成する。そのとき、基板を挾
んで対向する箇所に平板電極１２．１３を説け、圧電素
子とする１次にスルーホール５に銀ペーストを充填し乾
燥し、この圧電体基板３を８５０°Ｃで焼成焼き付は処
理し、分極前の圧電素ｆを有Ｖる回路２３を作製する。

以上のように作製した３種の基板１．２．１１に対して
、その接合箇所に接合用ガラスペースト４を印刷形成ナ
ーる。このとき、互いに各基板間で電気的接続を必要す
る箇所には、ガラスペーストを印刷形成しない、ガラス
ペーストを乾燥した後、以上の必要な電気的接続箇所に
は、ビアボール８を形成４−るために、銀糸ペーストを
印刷形成し、乾燥１゛る。このように処理した３種の基
板１．２．１１を、第３図の断面図に示すように、互い
に、回路の接続が取れるように、積層し、各基板が１′
れないように保持しながら、７５０〜８５０°Ｃで焼成
した。その結果、第３図の断面図に示すセラミｙり複合
回路基板が作製された。

実施例２に記載したような処理法により、外部回路と接
続する箇所に、無電解メッキにより、Ｎｉ或いはＣｕメ
ッキ皮膜１０を形成し、更に、それらの表面の酸化を防
止し、ハンダの濡れ性を良くするために、Ａｕメッキを
施した。

このようにして作製した第３図の断面図の多層セラミッ
ク複合回路基板に対して、電極１２．１３を通して、３
ｋＶ／Ｗの電界を印加し、分極処理を行なった。この圧
電素子を含む回路２３は、振動センサ或いは焦電効果に
よる温度センサの役１１をする部分である。

以−ヒのように、本発明による多層ヒラミック複合回路
基板を利用４°ると、抵抗素ｆ１焦電素ｆ・による温度
センサ、圧電素ｔによる振動ヒンナ又はＲ１１センサを
内蔵４−る複合回路ノ、（板装置を製作４゛ることがで
きる。

なお、本発明で述べた実施例で用いた基板の材料、及び
ガラス材料は、その−例であって、実際には、これに限
定されるものではない。

［発明の効果〕 本発明の多層ｔ！ラミック複合回路基板は、上記のよう
な構成をとることにより、 第１に、種々の回路素ｒの特徴を十分に発揮できる高性
能回路基板を作製することができること、 第２に、各種の機能素Ｐを内蔵する複合回路基板ができ
るので、装置の信頼性が高く、回路の小型化及び軽量化
に適する構造の複合回路基板が提供されること、 第３に、更に、回路全体を高密度に集積できるので、回
路全体の長さも短縮できること、第４に、回路及び配線
材料として、大気中で焼成でき、導電性の高いＡｇ系又
はＡｇ−Ｐｄ系ペーストによる導体を使用しているので
、回路の高周波化にも適−″る多層セラミック複合回路
基板がｎ−ｒ能になったことなどの技術的効果が得られ
た。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の多層セラミック複合回路基板の１例
の構造を示す説明断面図である。 第２図は、第１図の多層セラミック複合回路基板に表面
醸化ｖＪＩＬとハンダ儒れ性を良くするために外部電極
にメッキを施したものを示す説明断面図である。 第３図は、本発明による他の例の多層ヒラミンク複合回
路基板の構造を示す説明断面図である。 ［１う要部分の符号の説明］ １、、、、フルミナ基板 ２、、、、誘電体基板 ３、、、、磁性体基板 ４、、、、ガラス（ペースト）層 ５、、、、導体（ペースト）層 ６、、、、回路パターン ７、、、、スルーン■−−ル ８、、、、ビアホール ９、、、、抵抗パターン １０、、、メッキ層　、 １１、、、圧電体基板 １２．１３．、、、電極層 特許出願人　　三菱鉱業セメント株式会社代理人　弁理
上　　倉　持　　裕（外１名）手続補正書 昭和６３年９月９日 特許庁長官　吉　Ｆｒｌ　　文　毅　殿１、事件の表示 昭和６３年特許願第１５３４４３号 ２、発明の名称 セラミック複合回路基板 ３、補正をする者 事件との関係　出願人 住所　東京都千代田区丸の内−丁目５番１号名称　三菱
鉱業セメント株式会社 代表者　藤　村　正　哉 ４、代理人 住所〒１０１東京都ｆ代［−ｎ区神Ｅｌｌ須田町１丁目
２番地Ｌ１邦・四国ビル３Ｆ ５、補ＩＥ命令の［（付 自発 ６、補ＩＥの対象 ７、補正の内容 （１）明細占の第７頁第２〜３行目の［接続＃−るもの
とでき］を［接続１−ることによりコに訂正する。 （２）同上第１４頁第６行目及び同上第１７頁第１７行
目の［７５０〜ｂ 正する。 （３〉同上第２１頁第７〜８行目、同上第２２頁第３〜
４行目及び同上第２２￥１第９行目、並びに同上第２５
頁第２行Ｆ１及び同り第２５頁第１８行目の［スルーボ
ール５］を［スルーホール７］に訂＋Ｅ　する。 （４）同１；第２２貞第２〜３行１１の［ものを形成を
形成できる、］を［ものを形成できる。］に訂正する。 （５）同１４第２２ふ″ｊ第１６〜１７行１１及び同頁
第１９〜２０行ｌ］の［ガラスペースト２］を［ガラス
ペースト４］に訂１１：、する。 （６）同し：第２５百第１１−１２行［１の［厚さ１０
０μｍのスルーホール５を］を［厚さ１００μｍで、ス
ルーホー「し７を］に訂＋Ｅｉ−る。 （７）同ト第２６（ｉ第６〜７行１１の［この圧電体基
板３を］を［、乙の１０Ｅ体）、（扱１１を］に訂ＩＥ
する。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一方の面に電極を設けたセラミック基
   板とガラス層を互いに積層してなり、そのセラミック基
   板の少なくとも一部の面で該ガラス層により、セラミッ
   ク基板を互いに接合してあり、少なくとも１つのセラミ
   ック基板にはスルーホールを設け、また、少なくとも１
   つのガラス層にはビアホールを設け、該セラミック基板
   上に形成された電極間を所望に従って接続し、積層セラ
   ミック基板上に、回路及び機能素子を形成してなること
   を特徴とするセラミック複合回路基板。
2. （２）前記セラミック基板は、個別に焼成された、種々
   の電気特性を有する材料からなる２種類以上の基板であ
   り、該電極は、Ａｇ系或いはＡｇ−Ｐｄ系電極材料から
   なることを特徴とする請求の範囲第１項記載のセラミッ
   ク複合回路基板。
3. （３）前記セラミック基板は、各々絶縁体、誘電体、磁
   性体、圧電体、半導体から所望に従って選択された材料
   よりなり、各材料のセラミック基板上に導体電極及び／
   又は抵抗体パターンを説け、必要な機能素子を形成して
   特許請求の範囲第２項記載のセラミック複合回路基板。
4. （４）前記セラミック基板に設けた電極のうち外部と接
   続するための電極は、積層されたセラミック基板のうち
   最上基板又は／及び底面基板の外側表面に形成されてお
   り、その外部電極の表面は、ハンダ喰われを生じ難いＮ
   ｉ、Ｃｕなどの金属でメッキされていることを特徴とす
   る請求の範囲第１項記載のセラミック複合回路基板。