JPH0132441B2 - - Google Patents
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- JPH0132441B2 JPH0132441B2 JP60165366A JP16536685A JPH0132441B2 JP H0132441 B2 JPH0132441 B2 JP H0132441B2 JP 60165366 A JP60165366 A JP 60165366A JP 16536685 A JP16536685 A JP 16536685A JP H0132441 B2 JPH0132441 B2 JP H0132441B2
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- JP
- Japan
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- diffraction grating
- light
- diffraction
- grating
- alignment
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- Optical Transform (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は平行配置された2枚の回折格子を有効
利用した精度の高い位置合せ装置に関する。
利用した精度の高い位置合せ装置に関する。
近時、2枚の回折格子を用いた精度の高い位置
合せ法が、Stewart Austin、D.C.Flanders、
Henry I.Smithらによる著書 (1) “A new interferometric alignment
techique”Applied Physics Letter、Vol.31
No.7(1977)P.426 (2) “Alignment of X−ray lithography
masks using a new interferometric
technque−Experimetal results”J.Vac.Sci.
Technol.15(3)May/June(1978)P.984 等に紹介されている。上記文献(1)に示されるもの
は、その概略を第1図に示すように、平行配置さ
れた同一格子ピツチPを有する2枚の回折格子
1,2に、光源3より発せられた可干渉光を垂直
に照射し、前記回折格子1,2による+n次方向
および−n次方向の透過回折光を受光器4,5に
てそれぞれ受光し、その受光強度を指示器6で表
示せんとするものである。この場合、回折格子
1,2間において格子ピツチのずれΔxがあると
上記回折格子1,2による各回折光の位相にずれ
が生じ、これによつて+n次方向および−n次方
向の各回折光がそれぞれ干渉する。この干渉によ
る光強度の変化を検知することにより、前記2枚
の回折格子1,2間の位置合せを行うものであ
る。
合せ法が、Stewart Austin、D.C.Flanders、
Henry I.Smithらによる著書 (1) “A new interferometric alignment
techique”Applied Physics Letter、Vol.31
No.7(1977)P.426 (2) “Alignment of X−ray lithography
masks using a new interferometric
technque−Experimetal results”J.Vac.Sci.
Technol.15(3)May/June(1978)P.984 等に紹介されている。上記文献(1)に示されるもの
は、その概略を第1図に示すように、平行配置さ
れた同一格子ピツチPを有する2枚の回折格子
1,2に、光源3より発せられた可干渉光を垂直
に照射し、前記回折格子1,2による+n次方向
および−n次方向の透過回折光を受光器4,5に
てそれぞれ受光し、その受光強度を指示器6で表
示せんとするものである。この場合、回折格子
1,2間において格子ピツチのずれΔxがあると
上記回折格子1,2による各回折光の位相にずれ
が生じ、これによつて+n次方向および−n次方
向の各回折光がそれぞれ干渉する。この干渉によ
る光強度の変化を検知することにより、前記2枚
の回折格子1,2間の位置合せを行うものであ
る。
一方、文献(2)に示されるものは、第2図に概略
を示すように2枚の平行配置された回折格子1,
2による反射回折光を利用して文献(1)に示される
ものと同様に位置合せを行うものである。
を示すように2枚の平行配置された回折格子1,
2による反射回折光を利用して文献(1)に示される
ものと同様に位置合せを行うものである。
これら位置合せ法は回折格子1,2の格子ピツ
チPと可干渉光の波長λとにより規定される極め
て高い精度の位置合せを行い得る利点を有する。
チPと可干渉光の波長λとにより規定される極め
て高い精度の位置合せを行い得る利点を有する。
ところが、この種の従来の装置は、一般に位置
合せ毎の位置合せ結果のバラツキが大きく、精度
の高い位置合せを行なうことが難しかつた。
合せ毎の位置合せ結果のバラツキが大きく、精度
の高い位置合せを行なうことが難しかつた。
本発明は、上記事情に着目してなされたもの
で、その目的とするところは、位置合せ毎のバラ
ツキを低減して、容易に高精度の位置合せを行な
い得る位置合せ装置を提供することにある。
で、その目的とするところは、位置合せ毎のバラ
ツキを低減して、容易に高精度の位置合せを行な
い得る位置合せ装置を提供することにある。
以下、平行配置された同一格子ピツチを有する
2枚の回折格子による回折光について解析し、本
発明の実施例を図面を参照して説明する。尚、以
下の説明は反射回折光を例に行うが、透過回折光
に対しても同様である。
2枚の回折格子による回折光について解析し、本
発明の実施例を図面を参照して説明する。尚、以
下の説明は反射回折光を例に行うが、透過回折光
に対しても同様である。
第3図は2枚の回折格子11,12により回折
された可干渉光を示す模式図である。上記2枚の
回析格子11,12は同一の格子形状および同一
の格子ピツチPを有するもので、回折格子12
は、例えば半導体ウエハ上に、図示せぬ半導体マ
スクに設けられた基準回折格子を介して予め形成
されている。一方、回折格子11は、上記回折格
子12を形成した半導体マスクとは、異なる半導
体マスクに形成されている。そして、格子11,
12の各上表面間の距離をDに設定して平行配置
されている。これらの回折格子11,12に対し
て図中上方より可干渉光、例えばレーザ光13が
垂直に照射される。このレーザ光13の前記回折
格子11,12による+n次方向および−n次方
向への回折光の主たるものは各々3つある。+n
次方向を例にとると、回折格子11により反射さ
れて回折した第1の回折光14、回折格子11を
透過したのち回折格子12によつて正反射され再
び回折格子11を透過して回折した第2の回折光
15、そして回折格子11を透過したのち回折格
子12にて反射回折された第3の回折光16であ
る。なお、実際に回折光は無数の方向に伝達する
が、ここでは説明を簡単化するために上記3つの
回折光により説明する。各回折光14,15,1
6の振幅をa,b,cで示すとき、第1の回折光
14の複素振幅Ea+nは Ea+n=a ……(1) で示される。また第2の回折光15の複素振幅
Eb+nは、レーザ光13の波長をλ、各回折格子
11,12の上表面間距離をd(=D)、そして虚
数単位をiとしたとき Eb+n=b・expi(2π2d/λ) ……(2) で示される。更に第3の回折光16の複素振幅
Ec+nは、回折格子11,12の格子ピツチ長を
P、回折格子11,12間のずれ量をΔxとした
とき、 で示される。従つて+n次方向へ向う光は、上記
3つの回折光15,16,17の合成光(干渉
光)となり、その強度I+nは λ/P0、cosλ/P1 なる近似を行うことにより次のように示される。
された可干渉光を示す模式図である。上記2枚の
回析格子11,12は同一の格子形状および同一
の格子ピツチPを有するもので、回折格子12
は、例えば半導体ウエハ上に、図示せぬ半導体マ
スクに設けられた基準回折格子を介して予め形成
されている。一方、回折格子11は、上記回折格
子12を形成した半導体マスクとは、異なる半導
体マスクに形成されている。そして、格子11,
12の各上表面間の距離をDに設定して平行配置
されている。これらの回折格子11,12に対し
て図中上方より可干渉光、例えばレーザ光13が
垂直に照射される。このレーザ光13の前記回折
格子11,12による+n次方向および−n次方
向への回折光の主たるものは各々3つある。+n
次方向を例にとると、回折格子11により反射さ
れて回折した第1の回折光14、回折格子11を
透過したのち回折格子12によつて正反射され再
び回折格子11を透過して回折した第2の回折光
15、そして回折格子11を透過したのち回折格
子12にて反射回折された第3の回折光16であ
る。なお、実際に回折光は無数の方向に伝達する
が、ここでは説明を簡単化するために上記3つの
回折光により説明する。各回折光14,15,1
6の振幅をa,b,cで示すとき、第1の回折光
14の複素振幅Ea+nは Ea+n=a ……(1) で示される。また第2の回折光15の複素振幅
Eb+nは、レーザ光13の波長をλ、各回折格子
11,12の上表面間距離をd(=D)、そして虚
数単位をiとしたとき Eb+n=b・expi(2π2d/λ) ……(2) で示される。更に第3の回折光16の複素振幅
Ec+nは、回折格子11,12の格子ピツチ長を
P、回折格子11,12間のずれ量をΔxとした
とき、 で示される。従つて+n次方向へ向う光は、上記
3つの回折光15,16,17の合成光(干渉
光)となり、その強度I+nは λ/P0、cosλ/P1 なる近似を行うことにより次のように示される。
I+n=|Ea+n+Eb+n+Ec+n|2
=a2+b2+c2+2ab cos4πd/λ
+2ac cos(4πd/λ+2πn・Δx/P)
+2bc cos2πn・Δx/P ……(4)
同様にして−n次方向への回折光17,18,1
9の各複素振幅Ea-n、Eb-n、Ec-nは Ea-n=a ……(5) Eb-n=b・expi(2π2d/λ) ……(6) Ec-n=c・expi(M−N) ……(7) で示される。そしてこれら回折光17,18,1
9が干渉して−n次方向へ向う光の強度I-nは次
のように示される。
9の各複素振幅Ea-n、Eb-n、Ec-nは Ea-n=a ……(5) Eb-n=b・expi(2π2d/λ) ……(6) Ec-n=c・expi(M−N) ……(7) で示される。そしてこれら回折光17,18,1
9が干渉して−n次方向へ向う光の強度I-nは次
のように示される。
I-n=a2+b2+c2+2ab cos4πd/λ
+2ac cos(4πd/π−2πn・Δx/P)
+2bc cos2πn・Δx/P ……(8)
そして、以上の各光強度I+nとI-nとの差分を求
めると、この差分I-n−I+nは I-n−I+n=2ac{cos(4πd/λ−2πn・Δx/P) −cos(4πd/λ+2πn・Δx/P)} =4ac sin(2πn・Δx/P)sin(4πd/λ)……(9) となり、この差分から格子間のずれΔxを検出し
て、このΔxが0になるように格子間の相対位置
を制御するようにしている。
めると、この差分I-n−I+nは I-n−I+n=2ac{cos(4πd/λ−2πn・Δx/P) −cos(4πd/λ+2πn・Δx/P)} =4ac sin(2πn・Δx/P)sin(4πd/λ)……(9) となり、この差分から格子間のずれΔxを検出し
て、このΔxが0になるように格子間の相対位置
を制御するようにしている。
ところが、本発明者が以上の原理に基づいて実
験を行ない、これにより回折格子の位置ずれに対
する受光強度の差分値の変化特性を求めてみたと
ころ、第4図に示すようになつた。同図におい
て、破線Aは±1次回折光、実線Bは±3次回折
光の特性を示すもので、これらの特性から明らか
なように回折格子間の位置ずれがない場合、つま
り0のときに差分出力は確かに0になり、この点
を使用して位置合せを行なうことができる。しか
しながら、図から明らかなように上記格子間の位
置ずれが0の点よりも各格子が相互に1/2ピツチ
ずれた位置のほうがシヤープな変化特性が得られ
ることが判明した。すなわち、格子ピツチずれが
1/2のとき格子ピツチずれがゼロに比べ、極めて
シヤープになるため、出力信号のノイズがほとん
どなくなる。
験を行ない、これにより回折格子の位置ずれに対
する受光強度の差分値の変化特性を求めてみたと
ころ、第4図に示すようになつた。同図におい
て、破線Aは±1次回折光、実線Bは±3次回折
光の特性を示すもので、これらの特性から明らか
なように回折格子間の位置ずれがない場合、つま
り0のときに差分出力は確かに0になり、この点
を使用して位置合せを行なうことができる。しか
しながら、図から明らかなように上記格子間の位
置ずれが0の点よりも各格子が相互に1/2ピツチ
ずれた位置のほうがシヤープな変化特性が得られ
ることが判明した。すなわち、格子ピツチずれが
1/2のとき格子ピツチずれがゼロに比べ、極めて
シヤープになるため、出力信号のノイズがほとん
どなくなる。
ところで、第4図において±1次回折光を示す
破線Aは格子間の位置ずれが0の点よりも1/2ピ
ツチずれた位置の方がシヤープな変化特性を示す
ことが明かであるが、±3次回折光を示す実線B
は1/2ピツチずれた位置でシヤープに変化特性を
示すもののその変化が複雑である。これは実験の
際、各回折格子を半導体ウエハおよび半導体マス
クに載置して行なつており、半導体ウエハからの
回折光が弱くなつてS/N比を低下させたり、ま
たウエハ上に形成されたレジスト膜により±3次
回折光の光路が影響を受けるためである。
破線Aは格子間の位置ずれが0の点よりも1/2ピ
ツチずれた位置の方がシヤープな変化特性を示す
ことが明かであるが、±3次回折光を示す実線B
は1/2ピツチずれた位置でシヤープに変化特性を
示すもののその変化が複雑である。これは実験の
際、各回折格子を半導体ウエハおよび半導体マス
クに載置して行なつており、半導体ウエハからの
回折光が弱くなつてS/N比を低下させたり、ま
たウエハ上に形成されたレジスト膜により±3次
回折光の光路が影響を受けるためである。
本発明はこの点に着目し、第1および第2の回
折格子を、一対の位置合せ対象物間のずれが0の
状態で格子が1/2ピツチだけずれた状態になるよ
うに上記位置合せ対象物にそれぞれ固定し、この
状態で位置ずれを検出して位置合せを行なうよう
にしたものである。
折格子を、一対の位置合せ対象物間のずれが0の
状態で格子が1/2ピツチだけずれた状態になるよ
うに上記位置合せ対象物にそれぞれ固定し、この
状態で位置ずれを検出して位置合せを行なうよう
にしたものである。
第5図は上記原理に基いて構成された本発明装
置の一実施例を示す概略図である。図において基
台21上を移動自在に設けられた移動テーブル2
2上には、試料保持部23を介して試料24例え
ば半導体ウエハが載置されている。そして、この
試料24の上面には第1の回折格子27が設けら
れている。この第1の回折格子27は、図示せぬ
基準試料(例えば半導体マスク)に設けられた基
準回折格子を介して形成されたもので、上記基準
回折格子の格子形状および格子ピツチは、第1の
回折格子27と同一のものである。尚上記移動テ
ーブル22はテーブル移動装置25により位置制
御されて移動される。一方、試料24の上方位置
には、支持台29に支持された状態で基準試料
(例えば半導体マスク)が対向配置され、この基
準試料には前記回折格子27と平行に第2の回折
格子28が設けられている。これらの回折格子2
7,28は前記テーブル22の移動方向と平行に
なる如く配置されたもので、その格子には格子ピ
ツチ長Pが同一であるものが用いられている。ま
た、これら第1および第2の回折格子27,28
は、第6図に示す如く上記基準試料と試料24と
の相対位置が一致している状態で各格子が相互に
1/2ピツチだけずれた状態になるようにそれぞれ
位置決めされている。つまり、前記図示せぬ基準
回折格子と第2の回折格子28とは、それらが形
成されている各々の基準試料に、それらが支持台
29に支持された状態で、ずれるように設けられ
ている。そして、これら基準回折格子並びに第1
及び第2の回折格子の透光性のスリツト部分と不
透光性の非スリツト部分の幅は、1/2ピツチつま
り両者等しい幅に設けられている。
置の一実施例を示す概略図である。図において基
台21上を移動自在に設けられた移動テーブル2
2上には、試料保持部23を介して試料24例え
ば半導体ウエハが載置されている。そして、この
試料24の上面には第1の回折格子27が設けら
れている。この第1の回折格子27は、図示せぬ
基準試料(例えば半導体マスク)に設けられた基
準回折格子を介して形成されたもので、上記基準
回折格子の格子形状および格子ピツチは、第1の
回折格子27と同一のものである。尚上記移動テ
ーブル22はテーブル移動装置25により位置制
御されて移動される。一方、試料24の上方位置
には、支持台29に支持された状態で基準試料
(例えば半導体マスク)が対向配置され、この基
準試料には前記回折格子27と平行に第2の回折
格子28が設けられている。これらの回折格子2
7,28は前記テーブル22の移動方向と平行に
なる如く配置されたもので、その格子には格子ピ
ツチ長Pが同一であるものが用いられている。ま
た、これら第1および第2の回折格子27,28
は、第6図に示す如く上記基準試料と試料24と
の相対位置が一致している状態で各格子が相互に
1/2ピツチだけずれた状態になるようにそれぞれ
位置決めされている。つまり、前記図示せぬ基準
回折格子と第2の回折格子28とは、それらが形
成されている各々の基準試料に、それらが支持台
29に支持された状態で、ずれるように設けられ
ている。そして、これら基準回折格子並びに第1
及び第2の回折格子の透光性のスリツト部分と不
透光性の非スリツト部分の幅は、1/2ピツチつま
り両者等しい幅に設けられている。
このように配置された回折格子27,28に対
して、レーザ装置30より発せられた所定波長の
レーザ光が垂直に照射される。そして、この照射
レーザ光の光軸に対して等角度配置された光セン
サ31,32により、前記回折格子27,28に
よる+n次方向および−n次方向の回折光がそれ
ぞれ受光される。これらの光センサ31,32に
よる受光信号は前置増幅器33,34を介したの
ち差分算出手段としての差動増幅35に入力され
てその差分が演算される。そして、この差分出力
信号は指示器39にて表示されるとともに、テー
ブル移動制御情報として前記テーブル移動装置に
帰還される。
して、レーザ装置30より発せられた所定波長の
レーザ光が垂直に照射される。そして、この照射
レーザ光の光軸に対して等角度配置された光セン
サ31,32により、前記回折格子27,28に
よる+n次方向および−n次方向の回折光がそれ
ぞれ受光される。これらの光センサ31,32に
よる受光信号は前置増幅器33,34を介したの
ち差分算出手段としての差動増幅35に入力され
てその差分が演算される。そして、この差分出力
信号は指示器39にて表示されるとともに、テー
ブル移動制御情報として前記テーブル移動装置に
帰還される。
このような構成の装置によれば、光センサの回
折格子27,28による+n次方向および−n次
方向の回折光の干渉光が、前記回折格子27,2
8のずれに相当した強度の信号として光センサ3
1,32に受光されることは前記した通りであ
る。そして、その差分が差動増幅器35にて求め
られる。この際、同増幅器35の差動演算作用に
よつて光センサ31,32に混入した外乱光成分
が相殺され、除去される。従つて外乱光による悪
影響を除去することができる。しかるのち外乱光
等の不要成分が除去された差動増幅器35からの
差分信号は、指示器39に供給され、これにより
前記回折格子27,28間の位置関係が示され
る。また上記差分信号値に従つて前記テーブル移
動制御装置25はテーブル22を移動制御して、
同信号値が零になるようにテーブル22の位置決
めを行う。このとき、先に述べた如く各回折格子
27,28の相対位置は基準試料に対する試料2
4のずれが0のとき格子ピツチの1/2だけずれた
状態に設定されているため、前記第4図に示した
差分信号の強度変化特性から明らかなように、試
料24と基準試料との位置ずれが正確に0になら
ない限り差分信号値は0にならない。したがつ
て、この差分信号値が0となるように試料24の
位置を設定すれば、極めて高精度の位置合せを行
なうことができる。
折格子27,28による+n次方向および−n次
方向の回折光の干渉光が、前記回折格子27,2
8のずれに相当した強度の信号として光センサ3
1,32に受光されることは前記した通りであ
る。そして、その差分が差動増幅器35にて求め
られる。この際、同増幅器35の差動演算作用に
よつて光センサ31,32に混入した外乱光成分
が相殺され、除去される。従つて外乱光による悪
影響を除去することができる。しかるのち外乱光
等の不要成分が除去された差動増幅器35からの
差分信号は、指示器39に供給され、これにより
前記回折格子27,28間の位置関係が示され
る。また上記差分信号値に従つて前記テーブル移
動制御装置25はテーブル22を移動制御して、
同信号値が零になるようにテーブル22の位置決
めを行う。このとき、先に述べた如く各回折格子
27,28の相対位置は基準試料に対する試料2
4のずれが0のとき格子ピツチの1/2だけずれた
状態に設定されているため、前記第4図に示した
差分信号の強度変化特性から明らかなように、試
料24と基準試料との位置ずれが正確に0になら
ない限り差分信号値は0にならない。したがつ
て、この差分信号値が0となるように試料24の
位置を設定すれば、極めて高精度の位置合せを行
なうことができる。
かくして本装置によれば、外乱光の影響を受け
ることなく、しかも格子ピツチが1/2ずれたとき
に現れるシヤープな差分信号の変化特性を使用す
ることにより、簡単に極めて高精度の位置合せを
行なうことができる。
ることなく、しかも格子ピツチが1/2ずれたとき
に現れるシヤープな差分信号の変化特性を使用す
ることにより、簡単に極めて高精度の位置合せを
行なうことができる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるもので
はない。例えば、上記実施例においては、第1及
び第2の回折格子27,28のスリツト部分と非
スリツト部分との幅は、すべて等しく1/2格子ピ
ツチ幅となるように設けている。さらに、上記実
施例では±n次回折光を用いて位置合わせを行な
う場合について示したが、±3次回折光を使用し
て行なつてもよく、またこれらを併用して例えば
±1次回折光にて粗調整を行ない、しかるのち±
3次回折光にて微調整を行なうようにしてもよ
い。このようにすれば、比較的短時間でより高精
度の調整を行なうことができる。その他、可干渉
光の種類や差分信号の信号処理方法、各回折格子
の設置手段等についても、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施できる。
はない。例えば、上記実施例においては、第1及
び第2の回折格子27,28のスリツト部分と非
スリツト部分との幅は、すべて等しく1/2格子ピ
ツチ幅となるように設けている。さらに、上記実
施例では±n次回折光を用いて位置合わせを行な
う場合について示したが、±3次回折光を使用し
て行なつてもよく、またこれらを併用して例えば
±1次回折光にて粗調整を行ない、しかるのち±
3次回折光にて微調整を行なうようにしてもよ
い。このようにすれば、比較的短時間でより高精
度の調整を行なうことができる。その他、可干渉
光の種類や差分信号の信号処理方法、各回折格子
の設置手段等についても、本発明の要旨を逸脱し
ない範囲で種々変形して実施できる。
以上詳述したように本発明によれば、基準試料
(例えば半導体マスク)に設けられた基準回折格
子により形成された第1の回折格子および他の基
準試料(例えば半導体マスク)に設けられた第2
の回折格子を、一対の位置合せ対象物間の位置ず
れが0の状態で格子ピツチが相互に1/2だけずれ
るように上記位置合せ対象物にそれぞれ設け、こ
の状態で上記各回折格子による±n次方向の各回
折光の干渉強度の差分を求めて位置合せを行なう
ようにしたことによつて、位置合せ毎のバラツキ
が少なく常に高精度の位置合せを行ない得る位置
合せ装置を提供することができる。
(例えば半導体マスク)に設けられた基準回折格
子により形成された第1の回折格子および他の基
準試料(例えば半導体マスク)に設けられた第2
の回折格子を、一対の位置合せ対象物間の位置ず
れが0の状態で格子ピツチが相互に1/2だけずれ
るように上記位置合せ対象物にそれぞれ設け、こ
の状態で上記各回折格子による±n次方向の各回
折光の干渉強度の差分を求めて位置合せを行なう
ようにしたことによつて、位置合せ毎のバラツキ
が少なく常に高精度の位置合せを行ない得る位置
合せ装置を提供することができる。
第1図および第2図はそれぞれ従来の位置合せ
原理を説明するための模式図、第3図は本発明の
位置合せ原理を説明するために模式図、第4図は
回折格子のずれに対する検出強度の差分信号の変
化特性を示す図、第5図は本発明の一実施例にお
ける位置合せ装置の概略構成図、第6図は同装置
の要部構成図である。 11,12……回折格子、13……レーザ光
(可干渉光)、14,15,16……回折光(+n
次方向)、17,18,19……回折光(−n次
方向)、22……移動テーブル、23……試料保
持部、27,28……回折格子、30……レーザ
装置、31,32……光センサ、35……差動増
幅器、39……指示器。
原理を説明するための模式図、第3図は本発明の
位置合せ原理を説明するために模式図、第4図は
回折格子のずれに対する検出強度の差分信号の変
化特性を示す図、第5図は本発明の一実施例にお
ける位置合せ装置の概略構成図、第6図は同装置
の要部構成図である。 11,12……回折格子、13……レーザ光
(可干渉光)、14,15,16……回折光(+n
次方向)、17,18,19……回折光(−n次
方向)、22……移動テーブル、23……試料保
持部、27,28……回折格子、30……レーザ
装置、31,32……光センサ、35……差動増
幅器、39……指示器。
Claims (1)
- 1 第1の位置合せ基準手段に設けられた基準回
折格子を介して形成された第1の回折格子を有す
る位置合せ対象物を上記第1の回折格子の格子ピ
ツチ方向に微動自在に保持する保持手段と、上記
第1の回折格子と同一ピツチの第2の回折格子を
有しこの第2の回折格子が上記第1の回折格子に
平行に対向し且つ格子ピツチがほぼ1/2ずれた位
置に固定された第2の位置合せ基準手段と、上記
第2の回折格子を介して上記第1の回折格子に可
干渉光を垂直に照射する光源と、上記第1及び第
2の回折格子による+n次方向の干渉光を受光す
る第1の光電変換手段と、上記第1及び第2の回
折格子による−n次方向の干渉光を受光する第2
の光電変換手段と、上記第1及び第2の光電変換
手段から出力された光強度信号に基づいて上記+
n次及び−n次方向の干渉光強度の差分を求める
差分算出手段と、この差分算出手段から出力され
た差分信号に基づいて上記第1及び第2の回折格
子が互いに格子1/2ピツチずれた位置に上記位置
合せ対象物を位置合せする制御信号を上記保持手
段に印加する制御手段とを具備することを特徴と
する位置合せ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16536685A JPS61116605A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 位置合せ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16536685A JPS61116605A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 位置合せ装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1008079A Division JPS55101804A (en) | 1979-01-31 | 1979-01-31 | Positioning apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116605A JPS61116605A (ja) | 1986-06-04 |
| JPH0132441B2 true JPH0132441B2 (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=15811001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16536685A Granted JPS61116605A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 位置合せ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116605A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2577124Y2 (ja) * | 1994-08-29 | 1998-07-23 | エヌティエヌ株式会社 | スライド装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332759A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Precision coordinate position detection and position control unit by composite diffration grating method |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP16536685A patent/JPS61116605A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61116605A (ja) | 1986-06-04 |
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