JPH0132743Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132743Y2 JPH0132743Y2 JP1983173957U JP17395783U JPH0132743Y2 JP H0132743 Y2 JPH0132743 Y2 JP H0132743Y2 JP 1983173957 U JP1983173957 U JP 1983173957U JP 17395783 U JP17395783 U JP 17395783U JP H0132743 Y2 JPH0132743 Y2 JP H0132743Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- emitter
- transistor
- emitter terminal
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（考案の属する技術分野）
本考案は前段トランジスタのエミツタと後段ト
ランジスタのベースの中間より引き出された端子
を有するダーリントントランジスタに関する。
ランジスタのベースの中間より引き出された端子
を有するダーリントントランジスタに関する。
（従来技術とその問題点）
第１図の等価回路に示すように二つのトランジ
スタ１および２が接続されたダーリントントラン
ジスタを並列接続して用いる場合、それぞれのト
ランジスタにおけるコレクタ電流の不均衡を改善
するため、第２図に示すように各ダーリントント
ランジスタのコレクタ端子Ｃ、ベース端子Ｂ、エ
ミツタ端子Ｃ同志をそれぞれ接続して総体のコレ
クタ端子CT、ベース端子BT、エミツタ端子ET
を形成するとともに、前段トランジスタのエミツ
タ端子同志も接続することが行われる。このた
め、各ダーリントントランジスタの前段トランジ
スタのエミツタと後段トランジスタのベースの中
間から端子BOが引き出されている。これらの４
端子を下面が放熱体に結合されるダーリントント
ランジスタ容器の上面に配置する場合、第３図に
示すような構成がとられる。すなわち大電流端子
であるコレクタ端子１１およびエミツタ端子１２
と、小電流端子である前段トランジスタのエミツ
タ端子１３およびベース端子１４との間の絶縁距
離を大きくする必要から、両者はそれぞれ段差の
ある樹脂容器３の上面３１および３２に設けられ
ている。さらにコレクタ、エミツタ間の沿面距離
を大きくとるためリブ３３を形成するが、このダ
ーリントントランジスタの最上面３１にあるコレ
クタ端子１１およびエミツタ端子１２に直接プリ
ント板を取り付ける場合、リブ３３が邪魔になる
という欠点がある。この欠点を除くために第４図
に示すようにリブ３３の代りにコレクタ端子１１
とエミツタ端子１２の間の容器上面３１に溝３４
を形成する構造も知られているが、そのままでは
十分な沿面距離をとることができないので、沿面
距離をかせぐためには第５図に示すように溝３４
の幅を広くせねばならず、この結果容器外形が大
形化するという欠点を生ずる。この欠点を解決す
るため、第６図に示すようにこの溝３４の底面に
BO端子１３、Ｂ端子１４を配列する方法も知ら
れている。しかしこの構造では、第２図の等価回
路を実現するため、二つのダーリントントランジ
スタの同じ電気的性能を持つ端子間を第７図に示
すようにブスバー４１〜４４を用いて接続し、か
つこのうちブスバー４１，４２によつてＣ端子お
よびＥ端子を負荷もしくは電源と接続する場合、
ベース駆動回路とベース端子とを接続するリード
線４５がパワー端子より大電流を流すブスバー４
１か４２と幾何学的に交差してしまい、小電流が
流れているだけのベース側リード線４５は、ブス
バー４１，４２から電磁誘導を受け、電流波形が
乱れてしまう結果となる。配線によつてこの交差
の問題を避けようとすると配線が複雑になつてし
まう。
スタ１および２が接続されたダーリントントラン
ジスタを並列接続して用いる場合、それぞれのト
ランジスタにおけるコレクタ電流の不均衡を改善
するため、第２図に示すように各ダーリントント
ランジスタのコレクタ端子Ｃ、ベース端子Ｂ、エ
ミツタ端子Ｃ同志をそれぞれ接続して総体のコレ
クタ端子CT、ベース端子BT、エミツタ端子ET
を形成するとともに、前段トランジスタのエミツ
タ端子同志も接続することが行われる。このた
め、各ダーリントントランジスタの前段トランジ
スタのエミツタと後段トランジスタのベースの中
間から端子BOが引き出されている。これらの４
端子を下面が放熱体に結合されるダーリントント
ランジスタ容器の上面に配置する場合、第３図に
示すような構成がとられる。すなわち大電流端子
であるコレクタ端子１１およびエミツタ端子１２
と、小電流端子である前段トランジスタのエミツ
タ端子１３およびベース端子１４との間の絶縁距
離を大きくする必要から、両者はそれぞれ段差の
ある樹脂容器３の上面３１および３２に設けられ
ている。さらにコレクタ、エミツタ間の沿面距離
を大きくとるためリブ３３を形成するが、このダ
ーリントントランジスタの最上面３１にあるコレ
クタ端子１１およびエミツタ端子１２に直接プリ
ント板を取り付ける場合、リブ３３が邪魔になる
という欠点がある。この欠点を除くために第４図
に示すようにリブ３３の代りにコレクタ端子１１
とエミツタ端子１２の間の容器上面３１に溝３４
を形成する構造も知られているが、そのままでは
十分な沿面距離をとることができないので、沿面
距離をかせぐためには第５図に示すように溝３４
の幅を広くせねばならず、この結果容器外形が大
形化するという欠点を生ずる。この欠点を解決す
るため、第６図に示すようにこの溝３４の底面に
BO端子１３、Ｂ端子１４を配列する方法も知ら
れている。しかしこの構造では、第２図の等価回
路を実現するため、二つのダーリントントランジ
スタの同じ電気的性能を持つ端子間を第７図に示
すようにブスバー４１〜４４を用いて接続し、か
つこのうちブスバー４１，４２によつてＣ端子お
よびＥ端子を負荷もしくは電源と接続する場合、
ベース駆動回路とベース端子とを接続するリード
線４５がパワー端子より大電流を流すブスバー４
１か４２と幾何学的に交差してしまい、小電流が
流れているだけのベース側リード線４５は、ブス
バー４１，４２から電磁誘導を受け、電流波形が
乱れてしまう結果となる。配線によつてこの交差
の問題を避けようとすると配線が複雑になつてし
まう。
（考案の目的）
本考案の目的は、上述の各欠点を解消し、Ｃ端
子、Ｅ端子がＢ端子、BO端子より一段高い最上
面に位置し、しかもその間にリブが存在しなくて
直接プリント板に取付け可能であり、容器外形を
大形化にすることなしに端子間に十分な絶縁距離
が存在し、かつ並列接続する場合の配線時にパワ
ー端子の配線とベース端子の配線が互に交差する
ことのないダーリントントランジスタを提供する
ことにある。
子、Ｅ端子がＢ端子、BO端子より一段高い最上
面に位置し、しかもその間にリブが存在しなくて
直接プリント板に取付け可能であり、容器外形を
大形化にすることなしに端子間に十分な絶縁距離
が存在し、かつ並列接続する場合の配線時にパワ
ー端子の配線とベース端子の配線が互に交差する
ことのないダーリントントランジスタを提供する
ことにある。
（考案の要点）
本考案は、樹脂からなる容器の上面の一段高い
面にコレクタ端子およびエミツタ端子が位置し、
低い面にベース端子および前段トランジスタのエ
ミツタ端子が位置するものにおいて、ベース端子
の位置する面がコレクタ端子またはエミツタ端子
の位置する面の外側に、前段トランジスタのエミ
ツタ端子の位置する面がコレクタ端子およびエミ
ツタ端子のそれぞれが位置する面の中間に存在す
ることによつて上記の目的を達成するものであ
る。
面にコレクタ端子およびエミツタ端子が位置し、
低い面にベース端子および前段トランジスタのエ
ミツタ端子が位置するものにおいて、ベース端子
の位置する面がコレクタ端子またはエミツタ端子
の位置する面の外側に、前段トランジスタのエミ
ツタ端子の位置する面がコレクタ端子およびエミ
ツタ端子のそれぞれが位置する面の中間に存在す
ることによつて上記の目的を達成するものであ
る。
（考案の実施例）
第８図は本考案の一実施例を示し、ダーリング
トランジスタの容器３の上面はこの高い面３５，
３６と二つの低い面３７，３８を有し、低い面３
７が高い面３５，３６に挟まれ、低い面３８は高
い面３６の外側に存在している。面３５，３６に
はそれぞれコレクタ端子１１、エミツタ端子１２
が、面３７，３８にはそれぞれ前段トランジスタ
のエミツタ端子１３、ベース端子１４が設けられ
ている。このような構造のダーリントントランジ
スタを２個以上並列接続する場合、高い面３５，
３６の中間にある低い面３７に存在するBO端子
１３はダーリントントランジスタ間のみにおいて
相互に接続されるから、パワー端子であるＣ端子
１１およびＥ端子１２それぞれの相互間および負
荷または電源と接続するパワー配線のブスバーと
の交差の問題はなく、Ｂ端子１４はＥ端子１２の
外側にあるのでベース接続リード線がパワー配線
と交差する問題も生じない。しかもＣ端子１１と
Ｅ端子１２の間の沿面距離は、BO端子１３を両
者を結ぶ線より避けて配置すれば、溝３４により
十分取ることができる。この結果狭い溝３４を有
する第４図の場合に比して容器３の外形は大きく
なることはない。
トランジスタの容器３の上面はこの高い面３５，
３６と二つの低い面３７，３８を有し、低い面３
７が高い面３５，３６に挟まれ、低い面３８は高
い面３６の外側に存在している。面３５，３６に
はそれぞれコレクタ端子１１、エミツタ端子１２
が、面３７，３８にはそれぞれ前段トランジスタ
のエミツタ端子１３、ベース端子１４が設けられ
ている。このような構造のダーリントントランジ
スタを２個以上並列接続する場合、高い面３５，
３６の中間にある低い面３７に存在するBO端子
１３はダーリントントランジスタ間のみにおいて
相互に接続されるから、パワー端子であるＣ端子
１１およびＥ端子１２それぞれの相互間および負
荷または電源と接続するパワー配線のブスバーと
の交差の問題はなく、Ｂ端子１４はＥ端子１２の
外側にあるのでベース接続リード線がパワー配線
と交差する問題も生じない。しかもＣ端子１１と
Ｅ端子１２の間の沿面距離は、BO端子１３を両
者を結ぶ線より避けて配置すれば、溝３４により
十分取ることができる。この結果狭い溝３４を有
する第４図の場合に比して容器３の外形は大きく
なることはない。
なおＢ端子は第８図に示すようにＥ端子の外側
でなくＣ端子の外側に配置することもできる。
でなくＣ端子の外側に配置することもできる。
（考案の効果）
本考案はダーリントントランジスタの容器上面
のコレクタ端子およびエミツタ端子の位置する部
分の間に形成された溝の底面に前段トランジスタ
のエミツタ端子を設け、コレクタ端子またはエミ
ツタ端子の位置する部分の外側に形成された低い
面にベース端子を設けることにより、並列接続ダ
ーリントントランジスタにおける負荷または電源
との間のパワー配線とベース駆動配線との交差の
問題がなくなり、十分な絶縁距離を有しプリント
板への装着も容易なダーリントントランジスタを
安価に得ることができるので得られる効果は極め
て高い。
のコレクタ端子およびエミツタ端子の位置する部
分の間に形成された溝の底面に前段トランジスタ
のエミツタ端子を設け、コレクタ端子またはエミ
ツタ端子の位置する部分の外側に形成された低い
面にベース端子を設けることにより、並列接続ダ
ーリントントランジスタにおける負荷または電源
との間のパワー配線とベース駆動配線との交差の
問題がなくなり、十分な絶縁距離を有しプリント
板への装着も容易なダーリントントランジスタを
安価に得ることができるので得られる効果は極め
て高い。
第１図はダーリントントランジスタの等価回路
図、第２図は並列接続ダーリントントランジスタ
の等価回路図、第３図は従来のダーリントントラ
ンジスタの外形の一例を示し、ａは平面図、ｂは
正面図、第４図ないし第６図はそれぞれ別の従来
例の外形の正面図、第７図は第６図に示したダー
リントントランジスタの並列接続時の平面図、第
８図は本考案の一実施例の外形を示し、ａは正面
図、ｂは平面図である。 ３：樹脂容器３、１１：コレクタ端子、１２：
エミツタ端子、１３：前段トランジスタのエミツ
タ端子、１４：ベース端子、３５，３６：高い
面、３７，３８：低い面。
図、第２図は並列接続ダーリントントランジスタ
の等価回路図、第３図は従来のダーリントントラ
ンジスタの外形の一例を示し、ａは平面図、ｂは
正面図、第４図ないし第６図はそれぞれ別の従来
例の外形の正面図、第７図は第６図に示したダー
リントントランジスタの並列接続時の平面図、第
８図は本考案の一実施例の外形を示し、ａは正面
図、ｂは平面図である。 ３：樹脂容器３、１１：コレクタ端子、１２：
エミツタ端子、１３：前段トランジスタのエミツ
タ端子、１４：ベース端子、３５，３６：高い
面、３７，３８：低い面。
Claims (1)
- 樹脂からなる容器の上面の一段高い面にコレク
タ端子およびエミツタ端子が位置し、低い面にベ
ース端子および前段トランジスタのエミツタ端子
が位置するものにおいて、ベース端子の位置する
面がコレクタ端子またはエミツタ端子の位置する
面の外側に、前段トランジスタのエミツタ端子の
位置する面がコレクタ端子およびエミツタ端子の
それぞれが位置する面の中間に存在することを特
徴とするダーリントントランジスタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983173957U JPS6081660U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | ダ−リントントランジスタ |
| DE8484307640T DE3471406D1 (en) | 1983-11-10 | 1984-11-06 | Darlington transistor pair units |
| EP84307640A EP0145256B1 (en) | 1983-11-10 | 1984-11-06 | Darlington transistor pair units |
| US06/670,828 US4905069A (en) | 1983-11-10 | 1984-11-13 | Darlington transistor arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983173957U JPS6081660U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | ダ−リントントランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081660U JPS6081660U (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0132743Y2 true JPH0132743Y2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=15970184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983173957U Granted JPS6081660U (ja) | 1983-11-10 | 1983-11-10 | ダ−リントントランジスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4905069A (ja) |
| EP (1) | EP0145256B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6081660U (ja) |
| DE (1) | DE3471406D1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8901400A (nl) * | 1989-06-02 | 1991-01-02 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting met een stralingsgevoelig element. |
| JPH0671063B2 (ja) * | 1989-09-11 | 1994-09-07 | 株式会社東芝 | 大電力半導体装置 |
| US5202578A (en) * | 1989-09-11 | 1993-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Module-type semiconductor device of high power capacity |
| EP1808954A3 (en) * | 1991-09-20 | 2008-10-22 | Hitachi, Ltd. | IGBT-module |
| JPH05135816A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Fuji Electric Co Ltd | 外部導出端子アダプタおよびそれを含む半導体装置 |
| EP0669653A1 (de) * | 1994-02-21 | 1995-08-30 | ABB Management AG | Leistungshalbleitermodul sowie Schaltungsanordnung mit mindestens zwei Leistungshalbleitermoduln |
| DE60129146T2 (de) * | 2001-12-24 | 2007-12-13 | Abb Research Ltd. | Modulgehäuse und Leistungshalbleitermodul |
| JP2003303939A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-24 | Hitachi Ltd | パワー半導体装置及びインバータ装置 |
| JP5291285B2 (ja) * | 2006-07-11 | 2013-09-18 | サンデン株式会社 | 電動圧縮機の密封端子装置 |
| JP2008198899A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| EP2182551A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-05-05 | ABB Research Ltd. | Connection arrangement for semiconductor power modules |
| JP6255236B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2017-12-27 | 株式会社三社電機製作所 | パワー半導体モジュール構造 |
| CN106783982B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-12-06 | 西安电子科技大学 | 一种集成式高压碳化硅达林顿管及其制作方法 |
| JP6824840B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2021-02-03 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ラミネートブスバー |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821780A (en) * | 1972-10-24 | 1974-06-28 | Gen Motors Corp | Double mesa transistor with integral bleeder resistors |
| FR2216678B1 (ja) * | 1973-02-02 | 1977-08-19 | Radiotechnique Compelec | |
| US4106052A (en) * | 1975-04-19 | 1978-08-08 | Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. | Semiconductor rectifier unit having a base plate with means for maintaining insulating wafers in a desired position |
| US4518982A (en) * | 1981-02-27 | 1985-05-21 | Motorola, Inc. | High current package with multi-level leads |
-
1983
- 1983-11-10 JP JP1983173957U patent/JPS6081660U/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-06 DE DE8484307640T patent/DE3471406D1/de not_active Expired
- 1984-11-06 EP EP84307640A patent/EP0145256B1/en not_active Expired
- 1984-11-13 US US06/670,828 patent/US4905069A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3471406D1 (en) | 1988-06-23 |
| EP0145256B1 (en) | 1988-05-18 |
| US4905069A (en) | 1990-02-27 |
| JPS6081660U (ja) | 1985-06-06 |
| EP0145256A1 (en) | 1985-06-19 |
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