JPH0310677Y2 - - Google Patents
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- JPH0310677Y2 JPH0310677Y2 JP5736884U JP5736884U JPH0310677Y2 JP H0310677 Y2 JPH0310677 Y2 JP H0310677Y2 JP 5736884 U JP5736884 U JP 5736884U JP 5736884 U JP5736884 U JP 5736884U JP H0310677 Y2 JPH0310677 Y2 JP H0310677Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- mosfet
- diode
- diodes
- inverter device
- Prior art date
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- Expired
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案はパワーMOSFETとダイオードとを
接続して直流電圧を高周波交流電圧に変換するイ
ンバータ装置に関するものである。
接続して直流電圧を高周波交流電圧に変換するイ
ンバータ装置に関するものである。
第６図は従来のインバータ装置のハーフブリツ
ジを示した回路図であり、図において１はインバ
ータ装置のハーフブリツジ分のMOSFET２，３
を一体化したMOSFETモジユール、４〜７は
MOSFETモジユール１とインバータのハーフブ
リツジ回路を構成する４個のデイスクリートのダ
イオードである。
ジを示した回路図であり、図において１はインバ
ータ装置のハーフブリツジ分のMOSFET２，３
を一体化したMOSFETモジユール、４〜７は
MOSFETモジユール１とインバータのハーフブ
リツジ回路を構成する４個のデイスクリートのダ
イオードである。
第７図、第８図は上記インバータ装置を示す外
観図であり、第７図は平面図、第８図は側面図で
ある。４個のデイスクリートのダイオード４〜７
は各々銅ブスバー８Ａ〜８Ｃに取付け、銅ブスバ
ー８Ａに取付けたダイオード４と、銅ブスバー８
Ｂに取付けたダイオード５は各々MOSFETモジ
ユール１の端子D2，D1に電線９で接続され、さ
らに銅ブスバー８Ｂ及び銅ブスバー８Ｃは各々
MOSFETモジユール１の端子S2，S1に取付けら
れてインバータのハーフブリツジ回路を構成して
いる。１０はMOSFETモジユール１を冷却する
ための放熱器である。
観図であり、第７図は平面図、第８図は側面図で
ある。４個のデイスクリートのダイオード４〜７
は各々銅ブスバー８Ａ〜８Ｃに取付け、銅ブスバ
ー８Ａに取付けたダイオード４と、銅ブスバー８
Ｂに取付けたダイオード５は各々MOSFETモジ
ユール１の端子D2，D1に電線９で接続され、さ
らに銅ブスバー８Ｂ及び銅ブスバー８Ｃは各々
MOSFETモジユール１の端子S2，S1に取付けら
れてインバータのハーフブリツジ回路を構成して
いる。１０はMOSFETモジユール１を冷却する
ための放熱器である。
上記のように構成したインバータ装置を作動さ
せるとダイオード４〜７の発熱により銅ブスバー
８Ａ〜８Ｃが加熱される。したがつてダイオード
４〜７及び銅ブスバー８Ａ〜８Ｃを冷却する必要
がある。しかしながらダイオード４〜７を冷却す
る放熱器を取付けることは、ダイオード４〜７の
ケースの電位が異なるため構造的に困難であり、
大容量のフアン１１でMOSFETモジユール１の
放熱器１０とは別個にダイオード４〜７及び銅ブ
スバー８Ａ〜８Ｃを冷却している。このためイン
バータ装置の構造が複雑となり、装置の製造価格
が高くなるという問題点があつた。
せるとダイオード４〜７の発熱により銅ブスバー
８Ａ〜８Ｃが加熱される。したがつてダイオード
４〜７及び銅ブスバー８Ａ〜８Ｃを冷却する必要
がある。しかしながらダイオード４〜７を冷却す
る放熱器を取付けることは、ダイオード４〜７の
ケースの電位が異なるため構造的に困難であり、
大容量のフアン１１でMOSFETモジユール１の
放熱器１０とは別個にダイオード４〜７及び銅ブ
スバー８Ａ〜８Ｃを冷却している。このためイン
バータ装置の構造が複雑となり、装置の製造価格
が高くなるという問題点があつた。
さらにインバータ装置を高出力とするために、
ダイオード４〜７のフアン１１を大きくすると、
ダイオード４，５とMOSFETモジユール１間の
配線距離が長くなり、サージ電圧が高くなり
MOSFETモジユール１内のMOSFET２，３を
破壊してしまうため、インバータ装置の高出力化
が困難であるという問題点もあつた。
ダイオード４〜７のフアン１１を大きくすると、
ダイオード４，５とMOSFETモジユール１間の
配線距離が長くなり、サージ電圧が高くなり
MOSFETモジユール１内のMOSFET２，３を
破壊してしまうため、インバータ装置の高出力化
が困難であるという問題点もあつた。
この考案は上記した諸問題点を改善する目的で
なされたものであり、ダイオードを一体化したモ
ジユールとして、このダイオードモジユールと
MOSFETモジユールの放熱器間に熱伝達ブロツ
クを設けて、ダイオードで発生した熱を
MOSFETモジユールの放熱器で冷却するインバ
ータ装置を提案するものである。
なされたものであり、ダイオードを一体化したモ
ジユールとして、このダイオードモジユールと
MOSFETモジユールの放熱器間に熱伝達ブロツ
クを設けて、ダイオードで発生した熱を
MOSFETモジユールの放熱器で冷却するインバ
ータ装置を提案するものである。
第１図はこの考案の一実施例を示した斜視図、
第２図はこの実施例の回路図であり、図において
１〜７，８Ａ，８Ｂ及び１０は上記従来装置と同
一のものである。１２はダイオード４〜７を一体
化したダイオードモジユール、１３はダイオード
モジユール１２とMOSFETモジユール１の放熱
器１０との間に設けた例えばアルミニウム等から
なる熱伝達ブロツクである。
第２図はこの実施例の回路図であり、図において
１〜７，８Ａ，８Ｂ及び１０は上記従来装置と同
一のものである。１２はダイオード４〜７を一体
化したダイオードモジユール、１３はダイオード
モジユール１２とMOSFETモジユール１の放熱
器１０との間に設けた例えばアルミニウム等から
なる熱伝達ブロツクである。
第３図〜第５図はダイオードモジユール１２及
び熱伝達ブロツク１３を示し、第３図は構成図、
第４図は正面図、第５図は側面図である。図にお
いて１４はダイオード４〜７のチツプ、１５，１
５Ａは銅板、１６は絶縁板である。ダイオード
４，６のチツプ１４は銅板１５上に固定され、他
のダイオード５，７のチツプ１４は銅板１５Ａ上
に固定されている。また各々のダイオード４〜７
のチツプ１５上部には端子S1，S2，D1，，D2が接
続され、銅板１５からは直流電源端子Ｐが接続さ
れている。さらに銅板１５Ａとダイオード６のチ
ツプの端子S2間を接続している。上記のように構
成したダイオード回路を絶縁板１６を介して熱伝
達ブロツク１３に例えばエポキシモールドで各チ
ツプ毎の絶縁をして固定することにより、ダイオ
ードモジユール１２と熱伝達ブロツク１３を一体
として構成してある。
び熱伝達ブロツク１３を示し、第３図は構成図、
第４図は正面図、第５図は側面図である。図にお
いて１４はダイオード４〜７のチツプ、１５，１
５Ａは銅板、１６は絶縁板である。ダイオード
４，６のチツプ１４は銅板１５上に固定され、他
のダイオード５，７のチツプ１４は銅板１５Ａ上
に固定されている。また各々のダイオード４〜７
のチツプ１５上部には端子S1，S2，D1，，D2が接
続され、銅板１５からは直流電源端子Ｐが接続さ
れている。さらに銅板１５Ａとダイオード６のチ
ツプの端子S2間を接続している。上記のように構
成したダイオード回路を絶縁板１６を介して熱伝
達ブロツク１３に例えばエポキシモールドで各チ
ツプ毎の絶縁をして固定することにより、ダイオ
ードモジユール１２と熱伝達ブロツク１３を一体
として構成してある。
上記のように構成したダイオードモジユール１
２の各端子とMOSFETモジユール１の各端子及
び銅板ブスバー８Ｂ，８Ｃを第１図に示すように
接続し、かつ熱伝達ブロツク１３の底面と
MOSFETモジユール１の放熱器１０の上面を接
触させてインバータ装置を構成する。なお第１図
において１Ａはインバータの他のハーフブリツジ
を構成するMOSFETモジユールである。
２の各端子とMOSFETモジユール１の各端子及
び銅板ブスバー８Ｂ，８Ｃを第１図に示すように
接続し、かつ熱伝達ブロツク１３の底面と
MOSFETモジユール１の放熱器１０の上面を接
触させてインバータ装置を構成する。なお第１図
において１Ａはインバータの他のハーフブリツジ
を構成するMOSFETモジユールである。
上記のように構成したインバータ装置において
は、ダイオード４〜７で発生した熱は熱伝達ブロ
ツク１３によりMOSFETモジユール１冷却用の
放熱器１０に伝達される。したがつて、この放熱
器１０のみによりMOSFETモジユールとダイオ
ード４〜７を同時に冷却することができる。
は、ダイオード４〜７で発生した熱は熱伝達ブロ
ツク１３によりMOSFETモジユール１冷却用の
放熱器１０に伝達される。したがつて、この放熱
器１０のみによりMOSFETモジユールとダイオ
ード４〜７を同時に冷却することができる。
なおこの実施例ではダイオードモジユール１２
と熱伝達ブロツク１３を一体に構成したが、ダイ
オードモジユール１２と熱伝達ブロツク１３を
各々独立しても上記実施例と同様の作用を行なう
ことができる。
と熱伝達ブロツク１３を一体に構成したが、ダイ
オードモジユール１２と熱伝達ブロツク１３を
各々独立しても上記実施例と同様の作用を行なう
ことができる。
この考案は以上説明したようにダイオードの発
熱を熱伝達ブロツクを介してMOSFETモジユー
ル冷却用の放熱器に伝達するように構成したの
で、構造が簡単で、製造価格の低下が図れる。ま
たダイオードとMOSFET間の配線距離が短かく
できるため、サージ電圧が低くなりMOSFETの
破壊を防止することができる。さらにインバータ
装置の出力を高めるためにはMOSFETモジユー
ル冷却用の放熱器の能力を高めるだけで良いの
で、インバータ装置から容易に高出力が得られる
という効果も有する。
熱を熱伝達ブロツクを介してMOSFETモジユー
ル冷却用の放熱器に伝達するように構成したの
で、構造が簡単で、製造価格の低下が図れる。ま
たダイオードとMOSFET間の配線距離が短かく
できるため、サージ電圧が低くなりMOSFETの
破壊を防止することができる。さらにインバータ
装置の出力を高めるためにはMOSFETモジユー
ル冷却用の放熱器の能力を高めるだけで良いの
で、インバータ装置から容易に高出力が得られる
という効果も有する。
第１図はこの考案の実施例を示す斜視図、第２
図は第１図に示した実施例の回路図、第３図〜第
５図は第１図に示した実施例のダイオードモジユ
ール及び熱伝達ブロツクを示し、第３図は概略構
成図、第４図は正面図、第５図は側面図、第６図
は従来のインバータ装置の回路図、第７図及び第
８図は従来のインバータ装置を示し、第７図は平
面図、第８図は側面図である。 １……MOSFETモジユール、２，３……
MOSFET、４〜７……ダイオード、８Ａ，８
Ｂ，８Ｃ……銅板ブスバー、１０……放熱器、１
１……フアン、１２……ダイオードモジユール、
１３……熱伝達ブロツク、１４……チツプ、１
５，１５Ａ……銅板、１６……絶縁板。なお、各
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
図は第１図に示した実施例の回路図、第３図〜第
５図は第１図に示した実施例のダイオードモジユ
ール及び熱伝達ブロツクを示し、第３図は概略構
成図、第４図は正面図、第５図は側面図、第６図
は従来のインバータ装置の回路図、第７図及び第
８図は従来のインバータ装置を示し、第７図は平
面図、第８図は側面図である。 １……MOSFETモジユール、２，３……
MOSFET、４〜７……ダイオード、８Ａ，８
Ｂ，８Ｃ……銅板ブスバー、１０……放熱器、１
１……フアン、１２……ダイオードモジユール、
１３……熱伝達ブロツク、１４……チツプ、１
５，１５Ａ……銅板、１６……絶縁板。なお、各
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- MOSFETとダイオードで構成したインバータ
装置において、ダイオードを一体化したモジユー
ルとし、該モジユールとMOSFETモジユールの
放熱器間に熱伝達ブロツクを設けたことを特徴と
するインバータ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736884U JPS60169846U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | インバ−タ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5736884U JPS60169846U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | インバ−タ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169846U JPS60169846U (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0310677Y2 true JPH0310677Y2 (ja) | 1991-03-15 |
Family
ID=30581827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5736884U Granted JPS60169846U (ja) | 1984-04-20 | 1984-04-20 | インバ−タ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169846U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011072073A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Tamagawa Seiki Co Ltd | 航空機用直流電源装置の内部冷却構造 |
-
1984
- 1984-04-20 JP JP5736884U patent/JPS60169846U/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011072073A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Tamagawa Seiki Co Ltd | 航空機用直流電源装置の内部冷却構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60169846U (ja) | 1985-11-11 |
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