JPH0132966B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132966B2 JPH0132966B2 JP56102684A JP10268481A JPH0132966B2 JP H0132966 B2 JPH0132966 B2 JP H0132966B2 JP 56102684 A JP56102684 A JP 56102684A JP 10268481 A JP10268481 A JP 10268481A JP H0132966 B2 JPH0132966 B2 JP H0132966B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- output
- circuit
- voltage
- transistor
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/081—Analogue circuits
- G03B7/083—Analogue circuits for control of exposure time
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、受光素子の光出力電流に基づいてシ
ヤツター動作を制御するための信号を形成する電
気シヤツター回路に関するものである。
ヤツター動作を制御するための信号を形成する電
気シヤツター回路に関するものである。
まずカメラに用いられているプログラムシヤツ
ターについて説明する。レンズシヤツターカメラ
のプログラムシヤツターは、開発初期のものでは
独立した絞りとシヤツターを使用する形成もので
あつたが、最近開発されているシヤツター機構
は、シヤツター羽根と絞りを兼ねた形式ものが主
流になつてきた。即ちレリーズ前には絞りを兼ね
たシヤツターは全閉の状態にあるが、レリーズ後
はカバナで調速されながら絞りが開かれる。
ターについて説明する。レンズシヤツターカメラ
のプログラムシヤツターは、開発初期のものでは
独立した絞りとシヤツターを使用する形成もので
あつたが、最近開発されているシヤツター機構
は、シヤツター羽根と絞りを兼ねた形式ものが主
流になつてきた。即ちレリーズ前には絞りを兼ね
たシヤツターは全閉の状態にあるが、レリーズ後
はカバナで調速されながら絞りが開かれる。
上記のように絞りとシヤツターを兼ねたカメラ
では、絞り開口面積Ｓは時間ｔに比例するのでＳ
＝Ktで表わされ、この時の露光量Ｅは入射光の
強さをＬとすると、 Ｅ∝Ｌ・∫t OKtdt＝１／２LKt2 (1) で与えられる。上記(1)式から明らかなように一定
の露光量を得るためには、入射光強度の平方根に
反比例した露出時間で制御されねばならない。
では、絞り開口面積Ｓは時間ｔに比例するのでＳ
＝Ktで表わされ、この時の露光量Ｅは入射光の
強さをＬとすると、 Ｅ∝Ｌ・∫t OKtdt＝１／２LKt2 (1) で与えられる。上記(1)式から明らかなように一定
の露光量を得るためには、入射光強度の平方根に
反比例した露出時間で制御されねばならない。
処で従来のカメラ用電気シヤツターにおいて
は、入射光を検出するための受光素子にCdSを使
用していた。該CdS受光素子は製造工程で適宜処
理することによつて入射光強度の平方根に比例し
た導電特性をもつものが比較的容易に得られ、上
記(1)式の関係を満した露光時間の制御が可能であ
つた。しかしCdS受光素子は応答性が悪い等の問
題があり、迅速な応答が要求されるカメラには不
向きであつた。
は、入射光を検出するための受光素子にCdSを使
用していた。該CdS受光素子は製造工程で適宜処
理することによつて入射光強度の平方根に比例し
た導電特性をもつものが比較的容易に得られ、上
記(1)式の関係を満した露光時間の制御が可能であ
つた。しかしCdS受光素子は応答性が悪い等の問
題があり、迅速な応答が要求されるカメラには不
向きであつた。
これに対して最近シリコンやガリウム・ヒ素・
リン等の応答性に優れた半導体材料からなる受光
素子が広く使われるようになつてきた。しかしこ
の種の受光素子は入射光強度に比例した電流しか
得られないため、上記(1)のような関係が要求され
るプログラムシヤツター機構をもつカメラ用受光
素子としては充分な特性をもつものとはいい難か
つた。
リン等の応答性に優れた半導体材料からなる受光
素子が広く使われるようになつてきた。しかしこ
の種の受光素子は入射光強度に比例した電流しか
得られないため、上記(1)のような関係が要求され
るプログラムシヤツター機構をもつカメラ用受光
素子としては充分な特性をもつものとはいい難か
つた。
本発明は上記受光素子の問題点に鑑みてなされ
たもので、回路的に受光素子の出力電流値の平方
根に比例した電流を作り出してプログラムシヤツ
ター用カメラへの適合を容易にした電気シヤツタ
ー回路を提供するものである。次に実施例を挙げ
て本発明を詳細に説明する。
たもので、回路的に受光素子の出力電流値の平方
根に比例した電流を作り出してプログラムシヤツ
ター用カメラへの適合を容易にした電気シヤツタ
ー回路を提供するものである。次に実施例を挙げ
て本発明を詳細に説明する。
第１図において、１は定電流Irを供給するため
の定電流源で、該定電流Irはダイオード接続され
たトランジスタ２に与えられると共に、第１演算
増幅器３の一方の入力端に供給されている。第１
演算増幅器３の他方の入力端は同演算増幅器３の
出力が与えられている。第１演算増幅器３の出力
端はダイオード接続された対数圧縮用トランジス
タ４を介して受光素子５のアノード側に接続され
ている。該受光素子５はCdS、Si、GaAsP等の
半導体材料を用いて構成された素子で、カメラへ
の入射光を検出して光強度に対応した電気出力を
形成する。受光素子５のアノード及びカソード間
には第２演算増幅器６の入力端子が接続されてい
る。第２演算増幅器６の出力端は受光素子５のカ
ソードと演算増幅器６との接続点に帰還されてい
ると共に、出力電流を取り出すためのトランジス
タ７のベースに接続されている。上記出力用トラ
ンジスタ７のエミツタにはダイオード接続された
トランジスタ８が接続されている。該トランジス
タ８のエミツタは上記トランジスタ２のエミツタ
と共に接地電位等の基準レベルに接続されてい
る。
の定電流源で、該定電流Irはダイオード接続され
たトランジスタ２に与えられると共に、第１演算
増幅器３の一方の入力端に供給されている。第１
演算増幅器３の他方の入力端は同演算増幅器３の
出力が与えられている。第１演算増幅器３の出力
端はダイオード接続された対数圧縮用トランジス
タ４を介して受光素子５のアノード側に接続され
ている。該受光素子５はCdS、Si、GaAsP等の
半導体材料を用いて構成された素子で、カメラへ
の入射光を検出して光強度に対応した電気出力を
形成する。受光素子５のアノード及びカソード間
には第２演算増幅器６の入力端子が接続されてい
る。第２演算増幅器６の出力端は受光素子５のカ
ソードと演算増幅器６との接続点に帰還されてい
ると共に、出力電流を取り出すためのトランジス
タ７のベースに接続されている。上記出力用トラ
ンジスタ７のエミツタにはダイオード接続された
トランジスタ８が接続されている。該トランジス
タ８のエミツタは上記トランジスタ２のエミツタ
と共に接地電位等の基準レベルに接続されてい
る。
次に上記回路の出力電流が受光素子の出力電流
の平方根に比例した電流値として出力される動作
を説明する。尚受光素子５に生じる光起電流をIL
とする。
の平方根に比例した電流値として出力される動作
を説明する。尚受光素子５に生じる光起電流をIL
とする。
ダイオードには順方向電圧VFと順方向電流IFと
の間に VF＝KT／qlnIF／IO (2) の関係があることはよく知られている。ただしｑ
は電子の電荷量、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対
温度、IOは逆方向飽和電流である。まずダイオー
ド接続されたトランジスタ２における上記(2)式の
関係から、第１演算増幅器３の出力電圧は V3＝KT／qlnIr／IO (3) で与えられる。更にダイオード接続されたトラン
ジスタ４における上記(2)式の関係及び上記(3)式か
ら、第２演算増幅器６の出力電圧は V6＝KT／ｑ（lnIr／IO＋lnIL／IO） (4) で与えられる。
の間に VF＝KT／qlnIF／IO (2) の関係があることはよく知られている。ただしｑ
は電子の電荷量、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対
温度、IOは逆方向飽和電流である。まずダイオー
ド接続されたトランジスタ２における上記(2)式の
関係から、第１演算増幅器３の出力電圧は V3＝KT／qlnIr／IO (3) で与えられる。更にダイオード接続されたトラン
ジスタ４における上記(2)式の関係及び上記(3)式か
ら、第２演算増幅器６の出力電圧は V6＝KT／ｑ（lnIr／IO＋lnIL／IO） (4) で与えられる。
一方出力用トランジスタ７のコレクタ電流ICと
ベース・エミツタ間電圧の間にも VBE＝KT／qlnIC／IO (5) の関係があり、またダイオード接続されたトラン
ジスタ８に流れる電流は上記出力用トランジスタ
７のIC即ち出力電流Ioutに等しいので、トランジ
スタ７のベース電圧V7と出力電流Ioutの関係は V7＝（KT／qlnIout／IO）×２ (6) で与えられる。上記IC回路において、トランジ
スタ２，４，７及び８は同一寸法に設計すること
により、逆方向飽和電流IOを同じ値にすることが
できる。従つて上記(4)式及び(5)式より KT／qlnIr・IL／I2 O＝KT／qlnIout2／I2 O となり、Ir・IL＝I2 put の関係が成立し、Irは定電流値であることからト
ランジスタ７のコレクタ電流として受光素子出力
ILの平方根に比例した出力電流を導出することが
できる。
ベース・エミツタ間電圧の間にも VBE＝KT／qlnIC／IO (5) の関係があり、またダイオード接続されたトラン
ジスタ８に流れる電流は上記出力用トランジスタ
７のIC即ち出力電流Ioutに等しいので、トランジ
スタ７のベース電圧V7と出力電流Ioutの関係は V7＝（KT／qlnIout／IO）×２ (6) で与えられる。上記IC回路において、トランジ
スタ２，４，７及び８は同一寸法に設計すること
により、逆方向飽和電流IOを同じ値にすることが
できる。従つて上記(4)式及び(5)式より KT／qlnIr・IL／I2 O＝KT／qlnIout2／I2 O となり、Ir・IL＝I2 put の関係が成立し、Irは定電流値であることからト
ランジスタ７のコレクタ電流として受光素子出力
ILの平方根に比例した出力電流を導出することが
できる。
上記回路においてトランジスタ７及び８の面積
を大きく設計したり、また第２演算増幅器６の出
力電圧に他の絶対温度に比例した特性をもつ電圧
を加算し得るように回路設計することにより、よ
り大きい出力電流を取り出すことができる。また
加算する電圧としてフイルム感度等カメラとして
必要な情報を加えることができ、露光量制御の因
子をふやして動作の精度を高め得る。
を大きく設計したり、また第２演算増幅器６の出
力電圧に他の絶対温度に比例した特性をもつ電圧
を加算し得るように回路設計することにより、よ
り大きい出力電流を取り出すことができる。また
加算する電圧としてフイルム感度等カメラとして
必要な情報を加えることができ、露光量制御の因
子をふやして動作の精度を高め得る。
第２図は本考案による他の実施例を示す。即ち
絞りの開口面積には限度があり、面積最大の全開
に達するまでは時間と共に開口面積が増加し、前
記実施例のように入射光強度の平方根に比例した
出力電流が要求される。しかし所望の露光量を得
る際に、周囲の明るさが充分でなく絞りが全開さ
れた後もそのままの状態で保たれる場合には、全
開が保持されている期間については露出時間と入
射光強度とは単純な比例関係となり、前記第１図
の回路では必ずしも充分ではない。従つて第２図
に示す如くトランジスタ８のコレクタに他の電流
源９を接続し、該電流源９から例えば絞りの開口
時間に関連して電流Ir2を供給して、暗い時即ち
IoutがIr2より小さいときには受光素子出力電流に
比例するような特性を出力させることもできる。
絞りの開口面積には限度があり、面積最大の全開
に達するまでは時間と共に開口面積が増加し、前
記実施例のように入射光強度の平方根に比例した
出力電流が要求される。しかし所望の露光量を得
る際に、周囲の明るさが充分でなく絞りが全開さ
れた後もそのままの状態で保たれる場合には、全
開が保持されている期間については露出時間と入
射光強度とは単純な比例関係となり、前記第１図
の回路では必ずしも充分ではない。従つて第２図
に示す如くトランジスタ８のコレクタに他の電流
源９を接続し、該電流源９から例えば絞りの開口
時間に関連して電流Ir2を供給して、暗い時即ち
IoutがIr2より小さいときには受光素子出力電流に
比例するような特性を出力させることもできる。
以上本発明によれば、簡単な回路構成によつて
受光素子の出力電流の平方根に比例した電流を導
出することができ、シヤツター機構の動作特性及
び受光素子の光出力電流特性を回路的に補つて適
切なシヤツター制御信号を形成することができ
る。また受光素子として利用し得る素子に対する
制限も緩和され、応答性の優れた素子を用いてカ
メラを構成することができる。
受光素子の出力電流の平方根に比例した電流を導
出することができ、シヤツター機構の動作特性及
び受光素子の光出力電流特性を回路的に補つて適
切なシヤツター制御信号を形成することができ
る。また受光素子として利用し得る素子に対する
制限も緩和され、応答性の優れた素子を用いてカ
メラを構成することができる。
第１図は本発明による一実施例の電気回路図、
第２図は他の実施例の要部電気回路図である。 １：定電流源、２：トランジスタ、３：第１演
算増幅器、４…対数圧縮用トランジスタ、５：受
光素子、６：第２演算増幅器、７：出力用トラン
ジスタ、８：トランジスタ。
第２図は他の実施例の要部電気回路図である。 １：定電流源、２：トランジスタ、３：第１演
算増幅器、４…対数圧縮用トランジスタ、５：受
光素子、６：第２演算増幅器、７：出力用トラン
ジスタ、８：トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ カメラの撮影光学系とは別に設けられた専用
の測光光学系に入射する光量に基づいて、絞り兼
用シヤツターの閉鎖から全開までの開口動作を制
御するための制御信号を形成する電気シヤツター
回路において、 ダイオードに定電流が流れた場合の順方向電圧
に相当する電圧を発生する回路と、 エミツタと基準電位間に、ダイオード接続され
たトランジスタを接続して成る出力用トランジス
タと、 上記電圧発生回路の出力電圧に、入射光を検出
する受光素子の出力電流を対数圧縮した電圧を加
算した電圧を上記出力用トランジスタのベースに
供給する回路とを設けることにより、 上記受光素子の出力電流の平方根に比例した電
流を上記出力用トランジスタのコレクタから取り
出すことを特徴とする電気シヤツター回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268481A JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268481A JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584120A JPS584120A (ja) | 1983-01-11 |
| JPH0132966B2 true JPH0132966B2 (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=14334057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268481A Granted JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584120A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122124A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-21 | Asahi Optical Co Ltd | Program shutter gammer switching circuit |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10268481A patent/JPS584120A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS584120A (ja) | 1983-01-11 |
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