JPS584120A - 電気シヤツタ−回路 - Google Patents
電気シヤツタ−回路Info
- Publication number
- JPS584120A JPS584120A JP10268481A JP10268481A JPS584120A JP S584120 A JPS584120 A JP S584120A JP 10268481 A JP10268481 A JP 10268481A JP 10268481 A JP10268481 A JP 10268481A JP S584120 A JPS584120 A JP S584120A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- output
- receiving element
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/081—Analogue circuits
- G03B7/083—Analogue circuits for control of exposure time
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、受光素子の光出力電流に基づいてシャッター
動作を制御するための信号を形成する電気シャッター回
路に関するものでφる。
動作を制御するための信号を形成する電気シャッター回
路に関するものでφる。
まずカメラに用いられているプログラムシャッターにつ
いて説明する。レンズシャッターカメラのプログラムシ
ャッターは、開発初期のものでは独立した絞りとシャッ
ターを使用する形成ものであったが、最近開発されてい
るシャッター機構は、シャッター羽根と絞りを兼ねた形
式ものが主流になってきた。即ちレリーズ前には絞りを
兼ねたシャッターは全閉の状態にあるが、レリーズ後は
カバナで調速されながら絞りが側かれる。
いて説明する。レンズシャッターカメラのプログラムシ
ャッターは、開発初期のものでは独立した絞りとシャッ
ターを使用する形成ものであったが、最近開発されてい
るシャッター機構は、シャッター羽根と絞りを兼ねた形
式ものが主流になってきた。即ちレリーズ前には絞りを
兼ねたシャッターは全閉の状態にあるが、レリーズ後は
カバナで調速されながら絞りが側かれる。
上記のように絞りとシャッターを兼ねたカメラでは、絞
り開口面積Ｓは時間ｔに比例するのでＳ＝Ｋ ｔで表わ
され、この時の露光量Ｅは入射光の強さをＬとすると、 で与えられる。上記（１）式から明らかなように一定の
露光量を得るためには、入射光強度の平方根に反比例し
た露出時間で制御されねばならない。
り開口面積Ｓは時間ｔに比例するのでＳ＝Ｋ ｔで表わ
され、この時の露光量Ｅは入射光の強さをＬとすると、 で与えられる。上記（１）式から明らかなように一定の
露光量を得るためには、入射光強度の平方根に反比例し
た露出時間で制御されねばならない。
処で従来のカメラ用電気シャッターにおいては、入射光
を検出するための受光素子にＣｄＳを使用していた。該
ＣｄＳ受光素子は製造工程で適宜処理することによって
入射光強度の平方根に比例した導電特性をもつものが比
較的容易に得られ、上記ｆ１）式の関係を満した露光時
間の制御が可能であった。しかしＣｄＳ受光素子は応答
性が悪い等の問題があり、迅速な応答が要求されるカメ
ラには不向きであった。
を検出するための受光素子にＣｄＳを使用していた。該
ＣｄＳ受光素子は製造工程で適宜処理することによって
入射光強度の平方根に比例した導電特性をもつものが比
較的容易に得られ、上記ｆ１）式の関係を満した露光時
間の制御が可能であった。しかしＣｄＳ受光素子は応答
性が悪い等の問題があり、迅速な応答が要求されるカメ
ラには不向きであった。
これに対して最近シリコンやガリウム・ヒ素・リン等の
応答性に優れた半導体材料からなる受光素子が広く使わ
れるようになってきた。しかしこの種の受光素子は入射
光強度に比例した電流しか得られないため、上記（１）
のような関係が要求されるプログラムシャッター機構を
もつカメラ用受光素子としては充分な特性をもつものと
はいい難かった。
応答性に優れた半導体材料からなる受光素子が広く使わ
れるようになってきた。しかしこの種の受光素子は入射
光強度に比例した電流しか得られないため、上記（１）
のような関係が要求されるプログラムシャッター機構を
もつカメラ用受光素子としては充分な特性をもつものと
はいい難かった。
本発明は上記受光素子の問題点に鑑みてなされたもので
、回路的に受光素子の出力電流値の平方根に比例した電
流を作り出してプログラムシャッター用カメラへの適合
を容易にした電気シャッター回路を提供するものである
。次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
、回路的に受光素子の出力電流値の平方根に比例した電
流を作り出してプログラムシャッター用カメラへの適合
を容易にした電気シャッター回路を提供するものである
。次に実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
第１図において、１は定電流Ｉｒを供給するための定電
流源で、該定電流Ｉｒはダイオード接続されたトランジ
スタ２に与えられると共に、第１演算増幅器３の一方の
入力端に供給されている。
流源で、該定電流Ｉｒはダイオード接続されたトランジ
スタ２に与えられると共に、第１演算増幅器３の一方の
入力端に供給されている。
第１演算増幅器３の他方の入力端は同演算増幅器３の出
力が与えられている。第１演算増幅器３の出力端はダイ
オード接続された対数圧縮用トランジスタ４を介して受
光素子５のアノード側に接続されている。該受光素子５
はＣｄＳ、Ｓｉ、ＧａＡｓＰ等の半導体材料を用いて構
成された素子で、カメラへの入射光を検出して光強度に
対応した電気出力を形成する。受光素子５のアノード及
びカソード間には第２演算増幅器６の入力端子が接続さ
れている。第２演算増幅器６の出力端は受光素子５のカ
ソードと演算増幅器６との接続点に帰還されていると共
に、出力電流を取り出すためのトランジスタ７のベース
に接続されている。上記出力用トランジスタ７のエミッ
タにはダイオード接続されたトランジスタ８が接続され
ている。該トランジスタ８のエミッタは上記トランジス
タ２のエミッタと共に接地電位等の基準レベルに接続さ
れている。
力が与えられている。第１演算増幅器３の出力端はダイ
オード接続された対数圧縮用トランジスタ４を介して受
光素子５のアノード側に接続されている。該受光素子５
はＣｄＳ、Ｓｉ、ＧａＡｓＰ等の半導体材料を用いて構
成された素子で、カメラへの入射光を検出して光強度に
対応した電気出力を形成する。受光素子５のアノード及
びカソード間には第２演算増幅器６の入力端子が接続さ
れている。第２演算増幅器６の出力端は受光素子５のカ
ソードと演算増幅器６との接続点に帰還されていると共
に、出力電流を取り出すためのトランジスタ７のベース
に接続されている。上記出力用トランジスタ７のエミッ
タにはダイオード接続されたトランジスタ８が接続され
ている。該トランジスタ８のエミッタは上記トランジス
タ２のエミッタと共に接地電位等の基準レベルに接続さ
れている。
次に上記回路の出力電流が受光素子の出力電流の平方根
に比例した電流値として出力される動作を説明する。尚
受光素子５に生じる光起電流を１、とする。
に比例した電流値として出力される動作を説明する。尚
受光素子５に生じる光起電流を１、とする。
ダイオードには順方向電圧ｖＦと順方向電流Ｉ、との間
に の関係があることはよく知られている。ただしｑは電子
の電荷量、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Ｉｏは
逆方向飽和電流である。まずダイオード接続されたトラ
ンジスタ２における上記（２）式の関係から、第１演算
増幅器３の出力電圧はで与えられる。更にダイオード接
続されたトランジスタ４における上記（２）式の関係及
び上記（３）式から、第２演算増幅器６の出力電圧は ｙ ＝ ”／ （ｎ ｎ １ｒ／Ｉ＋ ｎ ｎ １／
） ｆ’１６ ｑ ＯＩｏ で与えられる。
に の関係があることはよく知られている。ただしｑは電子
の電荷量、Ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度、Ｉｏは
逆方向飽和電流である。まずダイオード接続されたトラ
ンジスタ２における上記（２）式の関係から、第１演算
増幅器３の出力電圧はで与えられる。更にダイオード接
続されたトランジスタ４における上記（２）式の関係及
び上記（３）式から、第２演算増幅器６の出力電圧は ｙ ＝ ”／ （ｎ ｎ １ｒ／Ｉ＋ ｎ ｎ １／
） ｆ’１６ ｑ ＯＩｏ で与えられる。
一方出力用トランジスタフのコレクタ電流Ｉ。
とベース・エミッタ間電圧の間にも
の関係があり、またダイオード接続されたトランジスタ
８に流れる電流は上記出力用トランジスタ７のＩ、即ち
出力電流１ｏｕｔに等しいので、トランジスタ７のベー
ス電圧Ｖ７と出力電流Ｉ ｏ ｕ ｔの関係は で与えられる。上記ＩＣ回路において、トランジスタ２
，４．７及び８は同一寸法に設計することにより、逆方
向飽和電流Ｉ。を同じ値にすることができる。従って上
記（４）式及び（５）式よりとなり、 Ｉｒ−Ｉ、
＝Ｉｏ、。
８に流れる電流は上記出力用トランジスタ７のＩ、即ち
出力電流１ｏｕｔに等しいので、トランジスタ７のベー
ス電圧Ｖ７と出力電流Ｉ ｏ ｕ ｔの関係は で与えられる。上記ＩＣ回路において、トランジスタ２
，４．７及び８は同一寸法に設計することにより、逆方
向飽和電流Ｉ。を同じ値にすることができる。従って上
記（４）式及び（５）式よりとなり、 Ｉｒ−Ｉ、
＝Ｉｏ、。
の関係が成立し、Ｉｒは定電流値であることがらトラン
ジスタ７のコレクタ電流として受光素子出力Ｉ、の平方
根に比例した出力電流を導出することができる。
ジスタ７のコレクタ電流として受光素子出力Ｉ、の平方
根に比例した出力電流を導出することができる。
上記回路においてトランジスタ７及び８の面積を大きく
設計したり、また第２演算増幅器６の出力電圧に他の絶
対温度に比例した特性をもつ電圧を加算し得るように回
路設計することにより、より大きい出力電流を取り出す
ことができる。また加算する電圧としてフィルム感度等
カメラとして必要な情報を加えることができ、露光量制
御の因子をふやして動作の精度を高め得る。
設計したり、また第２演算増幅器６の出力電圧に他の絶
対温度に比例した特性をもつ電圧を加算し得るように回
路設計することにより、より大きい出力電流を取り出す
ことができる。また加算する電圧としてフィルム感度等
カメラとして必要な情報を加えることができ、露光量制
御の因子をふやして動作の精度を高め得る。
第２図は本考案による他の実施例を示す。即ち絞りの開
口面積には限度があり、面積最大の全開に達するまでは
時間と共に開口面積が増加し、前記実施例のように入射
光強度の平方根に比例した出力電流が要求される。しか
し所望の露光量を得る際に、周囲の明るさが充分でなく
絞りが全開された後もそのままの状態で保たれる場合に
は、全開が保持されている期間については露出時間と入
射光強度とは単純な比例関係となり、前記第１図の回路
では必ずしも充分ではない。従って第２図に示す如くト
ランジスタ８のコレクタに他の電流源９を接続し、該電
流源９から例えば絞りの開口時間に関連して電流Ｉｒ２
を供給して、暗い時即ち１ｏｕｔが■ｒ２より小さいと
きには受光素子出力電流に比例するような特性を出力さ
せることもできる。
口面積には限度があり、面積最大の全開に達するまでは
時間と共に開口面積が増加し、前記実施例のように入射
光強度の平方根に比例した出力電流が要求される。しか
し所望の露光量を得る際に、周囲の明るさが充分でなく
絞りが全開された後もそのままの状態で保たれる場合に
は、全開が保持されている期間については露出時間と入
射光強度とは単純な比例関係となり、前記第１図の回路
では必ずしも充分ではない。従って第２図に示す如くト
ランジスタ８のコレクタに他の電流源９を接続し、該電
流源９から例えば絞りの開口時間に関連して電流Ｉｒ２
を供給して、暗い時即ち１ｏｕｔが■ｒ２より小さいと
きには受光素子出力電流に比例するような特性を出力さ
せることもできる。
以上本発明によれば、簡単な回路構成によって受光素子
の出力電流の平方根に比例した電流を導出することがで
き、シャッター機構の動作特性及び受光素子の光出力電
流特性を回路的に補って適切なシャッター制御信号を形
成することができる。
の出力電流の平方根に比例した電流を導出することがで
き、シャッター機構の動作特性及び受光素子の光出力電
流特性を回路的に補って適切なシャッター制御信号を形
成することができる。
また受光素子として利用し得る素子に対する制限も緩和
され、応答性の優れた素子を用いてカメラを構成するこ
とができる。
され、応答性の優れた素子を用いてカメラを構成するこ
とができる。
第１図は本発明による一実施例の電気回路図、第２図は
他の実施例の要部電気回路図である。 １：定電流源、２：トランジスタ、３．第１演算増幅器
、４：対数圧縮用トランジスタ、５：受光素子、６：第
２演算増幅器、７：出力用トランジスタ、８；トランジ
スタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第７図 第２図
他の実施例の要部電気回路図である。 １：定電流源、２：トランジスタ、３．第１演算増幅器
、４：対数圧縮用トランジスタ、５：受光素子、６：第
２演算増幅器、７：出力用トランジスタ、８；トランジ
スタ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 第７図 第２図
Claims (1)
- １）入射光量に基いてシャッター開口動作を制御するた
めの制御信号を形成するシャッター回路において、エミ
ツ、りと接地間にダイオードを接続してなる出力用トラ
ンジスタと、入射光を検出する受光素子と、該受光素子
出力を対数圧縮して上記出力用トランジスタのベースに
供給する手段とを備え、受光素子の出力電流の平方根に
比例した電流を上記出力用トランジスタのコレクタから
取り出すことを特徴とする電気シャッター回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268481A JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10268481A JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584120A true JPS584120A (ja) | 1983-01-11 |
| JPH0132966B2 JPH0132966B2 (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=14334057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10268481A Granted JPS584120A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 電気シヤツタ−回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584120A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122124A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-21 | Asahi Optical Co Ltd | Program shutter gammer switching circuit |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10268481A patent/JPS584120A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122124A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-21 | Asahi Optical Co Ltd | Program shutter gammer switching circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0132966B2 (ja) | 1989-07-11 |
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