JPH0133023B2 - - Google Patents
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- JPH0133023B2 JPH0133023B2 JP57100623A JP10062382A JPH0133023B2 JP H0133023 B2 JPH0133023 B2 JP H0133023B2 JP 57100623 A JP57100623 A JP 57100623A JP 10062382 A JP10062382 A JP 10062382A JP H0133023 B2 JPH0133023 B2 JP H0133023B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2278—Application of light absorbing material, e.g. between the luminescent areas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はストライプ型ブラツクマトリツクスカ
ラー受像管の製造方法に関し、更に詳しくは、螢
光体ストライプがドツキング現象を起さないスト
ライプ型ブラツクマトリツクス膜の形成方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a striped black matrix color picture tube, and more specifically to a striped black matrix film in which phosphor stripes do not cause a docking phenomenon. The present invention relates to a method of forming.
ストライプ型ブラツクマトリツクスのカラー受
像管は、その螢光面が非発色黒色物質のストライ
プと螢光体ストライプとのマトリツクスから構成
されている。
A striped black matrix color picture tube has a fluorescent surface composed of a matrix of stripes of a non-coloring black material and phosphor stripes.
一般に、この非発色黒色物質のストライプは次
のような方法で形成される。すなわち、まず、受
像管のフエースプレートの内面に感光性樹脂液を
薄く塗布しこれを乾燥として樹脂膜とする(A工
程)。ついで、点状又は線状の光源を用い、シヤ
ドウマスクを介して螢光体塗布所望位置を露光す
る(B工程)。螢光体塗布所望位置の樹脂膜は光
硬化して不溶性のホトレジスト層となり、そうで
ない部分は光硬化せずに残留する。このとき、最
終の製品に所定の設計仕様に基づいて組み込まれ
る電子銃からの電子ビームの軌跡に近似させて露
光時の光の軌跡を発生させるために、光源は該電
子銃の偏向中心に模擬した位置に設定され、しか
も、該光源とシヤドウマスクの間には通常ガラス
又は透明プラスチツク材から構成される補正レン
ズが介在される。 Generally, stripes of this non-coloring black material are formed by the following method. That is, first, a photosensitive resin liquid is thinly applied to the inner surface of the face plate of the picture tube and dried to form a resin film (Step A). Then, a point or linear light source is used to expose the desired phosphor coating position to light through a shadow mask (step B). The resin film at the desired phosphor coating position is photocured to become an insoluble photoresist layer, and other parts remain without being photocured. At this time, in order to generate a light trajectory during exposure that approximates the trajectory of the electron beam from an electron gun that is incorporated into the final product based on predetermined design specifications, the light source is placed at the center of deflection of the electron gun. A correction lens, usually made of glass or transparent plastic material, is interposed between the light source and the shadow mask.
その後、温水スプレーによつて現象し露光され
ていない樹脂膜を除去する(C工程)。このとき、
樹脂膜が除去された部分にはパネルフエース内面
が露出することとなる。 Thereafter, the unexposed resin film is removed by hot water spray (Step C). At this time,
The inner surface of the panel face is exposed at the portion where the resin film has been removed.
この状態でつぎに全面に亘り黒鉛懸濁液のよう
な光吸収性の黒色物質を塗布して乾燥し非発色黒
色物質の膜を形成する(D工程)。ついで、ここ
に過酸化水素水のような剥離剤を接触させる(E
工程)。このとき、該剥離剤によつて光硬化した
樹脂膜が膨潤して脆化する。その後、温水スプレ
ー処理を施せば、脆化した該樹脂膜とその上に積
層する非発色黒色物質膜とが除去されてこの部分
のパネルフエース面は露出し、他の部分はそのま
ま非発色黒色物質膜が残留するからそれがストラ
イプ型のブラツクマトリツクスとなる。ここで、
露出したパネルフエース(ストライプ状)には、
蛍光体を塗布し、シヤドウマスクを介して所定の
露光・現像処理を施して、蛍光体ストライプとす
る。 In this state, a light-absorbing black material such as a graphite suspension is then applied over the entire surface and dried to form a non-coloring black material film (Step D). Next, a remover such as hydrogen peroxide is brought into contact with this area (E
process). At this time, the resin film photocured by the release agent swells and becomes brittle. After that, by applying hot water spray treatment, the brittle resin film and the non-coloring black material film laminated on it are removed, exposing this part of the panel face, and leaving the other parts as they are with the non-coloring black material film. Since the film remains, it becomes a striped black matrix. here,
The exposed panel face (striped) has
A phosphor is applied, and a prescribed exposure and development process is performed through a shadow mask to form phosphor stripes.
このようにして製造されたストライプ型ブラツ
クマトリツクスのカラー受像管においては、電子
銃から発射された電子ビームが蛍光体ストライプ
に対してミスランデイングしないように、蛍光体
ストライプ(の幅)を、該電子銃の前方に位置す
るシヤドウマスクのスリツト孔の幅よりも狭く形
成して発光させることが必要となる。 In the striped black matrix color picture tube manufactured in this way, the phosphor stripes (width) are adjusted to prevent the electron beam emitted from the electron gun from mislanding with respect to the phosphor stripes. It is necessary to make the slit hole narrower than the width of the slit hole in the shadow mask located in front of the electron gun to emit light.
この問題を解決するために、従来から行なわれ
ている対策の第1は、B工程においてスリツト幅
の狭いシヤドウマスクを用いてストライプ型ブラ
ツクマトリツクスの螢光面を作成した後、用いた
シヤドウマスクを適宜な腐食液でエツチングして
該スリツト幅を該螢光面の螢光体ストライプの幅
よりも広くしこれを組み込むいわゆるポストエツ
チング方式である。 To solve this problem, the first conventional measure is to create a fluorescent surface of a striped black matrix using a shadow mask with a narrow slit width in step B, and then adjust the shadow mask appropriately. This is a so-called post-etching method in which the slit width is made wider than the width of the phosphor stripe on the phosphor surface by etching with a suitable etchant, and the slit width is then incorporated.
しかしながら、この方式にあつては、シヤドウ
マスクスリツトのエツチングの際にビーム通過孔
の壁面形状がサイドエツチして悪化すること、シ
ヤドウマスク表面に被着する放熱用の酸化皮膜が
剥離すること、エツチング後の熱処理でシヤドウ
マスクに歪みが生ずること、などの不都合な事態
を招く。 However, with this method, the shape of the wall surface of the beam passage hole deteriorates due to side etching during etching of the shadow mask slit, the oxide film for heat dissipation that adheres to the surface of the shadow mask peels off, and after etching. The heat treatment causes disadvantages such as distortion of the shadow mask.
その対策の第2は、B工程でO原色の光源で感
光性樹脂膜の所定位置を対照する際に、該照射位
置面積を小さくし、隣接する光吸収層相当位置の
面積(幅)が広くなるように露光する光学的方法
である。 The second countermeasure is to reduce the area of the irradiation position when comparing a predetermined position of the photosensitive resin film with the O primary color light source in step B, so that the area (width) of the adjacent light-absorbing layer is widened. This is an optical method that exposes the image to the light.
しかしながら、この方法にあつては、通常、工
数との関係からして、三原色の光源で連続的に露
光してから現像するため、本来光吸収層とならな
ければならない位置の樹脂膜まで光の回折現象に
よつて露光されて硬化し、その結果、樹脂膜の硬
化部分が連続してしまい、いわゆるドツキング現
象が起り易すいという欠点がある。 However, due to the number of man-hours involved, this method usually involves continuous exposure with three primary color light sources and then development, which means that the light reaches the resin film in the position that should originally serve as the light absorption layer. The resin film is exposed to light and cured by a diffraction phenomenon, and as a result, the cured portions of the resin film are continuous, which has the disadvantage that a so-called docking phenomenon is likely to occur.
このドツキング現象を解消するために、近時、
相反則不軌性の感光性樹脂膜を用い、これをB工
程においてシユワルトシユルト定数pが0<p<
0.76の条件で露光して、実際の光照射区域よりも
小さい面積の螢光体ストライプを、最終的に螢光
体を塗布すべき部分に形成するという方法が提案
されている(特公昭52−13913号参照)。 In order to eliminate this dotting phenomenon, recently,
A photosensitive resin film with reciprocity law failure is used, and in step B, the Schwart-Schult constant p is 0<p<
A method has been proposed in which a phosphor stripe with an area smaller than the actual light irradiation area is formed in the area where the phosphor is to be applied by exposing the area to light under the conditions of 0.76 (See No. 13913).
しかしながら、この方法にあつても未だ充分な
ランデイング余裕度を有するストライプ型ブラツ
クマトリツクス−螢光体ストライプを形成し得
ず、現在更なる改善が望まれている。 However, even with this method, it is still not possible to form striped black matrix-phosphor stripes with sufficient landing margin, and further improvements are currently desired.
本発明は、螢光体ストライプのドツキング現象
を防止し得るストライプ型ブラツクマトリツクス
膜の形成方法の提供を目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for forming a striped black matrix film that can prevent the docking phenomenon of phosphor stripes.
本発明方法は、相反則不軌特性を有する感光性
樹脂の膜をフエースプレート内面に形成する工程
(第1工程)と;シヤドウマスクを介し、ストラ
イプ型ブラツクマトリツクスの光吸収層を形成す
べき位置にある該樹脂膜の部分のみに光が照射さ
れるように光源位置を変位させ、該樹脂膜中の樹
脂成分を光架橋させることなく該樹脂膜中の光架
橋剤を光分解させるように露光する工程(第2工
程)と;螢光体塗布を所望する位置にある該樹脂
膜の部分が光架橋するように露光する工程(第3
工程)と;該光吸収層形成位置にある該樹脂膜の
部分を選択的に除去する現像工程(第4工程)
と;該光吸収層形成位置及び該螢光体塗布所望位
置にある該樹脂膜の部分の上に全面に亘り非発色
黒色物質の膜を形成する工程(第5工程)と;剥
離剤を適用して、該螢光体塗布所望位置にある該
樹脂膜の部分及びその上の該非発色黒色物質を選
択的に除去する工程(第6工程)とから成ること
を特徴とする。
The method of the present invention includes the steps of forming a photosensitive resin film having reciprocity law failure characteristics on the inner surface of the face plate (first step); The light source position is shifted so that only a certain part of the resin film is irradiated with light, and the photocrosslinking agent in the resin film is exposed to photodecomposition without photocrosslinking the resin components in the resin film. a step (second step); a step (third step) of exposing a portion of the resin film at a desired position to be coated with phosphor so as to be photo-crosslinked;
step); and a development step (fourth step) of selectively removing the portion of the resin film located at the light absorption layer forming position.
(fifth step); applying a release agent; The present invention is characterized by comprising a step (sixth step) of selectively removing a portion of the resin film located at a desired position to be coated with the phosphor and the non-coloring black material thereon.
以下に、各工程を詳細に説明する。 Each step will be explained in detail below.
まず、第1工程はフエースプレートの内面に相
反則不軌特性を有する感光性樹脂を薄く塗布して
乾燥しその樹脂膜を形成する工程である。本発明
で用いる感光性樹脂は、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなど常用される樹脂成分に
4,4′−ジアジドベンザルアセトフエノン−2−
スルホン酸、4,4′−ジアジドスチルベン−2,
2′−ジスルホン酸、4,4′−ジアジドスチルベン
−α−カルボン酸及びそれらの塩などの水溶性ビ
スアジド化合物のような光架橋剤を含有させたも
のである。このような感光性樹脂は、酸素雰囲気
(酵素濃度70〜100vol%)若しくは高温雰囲気
(温度60〜90℃)又は両者が一緒になつた雰囲気
の下で、1.5mW/cm2以下の弱い光強度で露光す
ると、該樹脂中の光架橋剤が光分解し樹脂成分は
光架橋(光硬化)現象を起さないという特性を備
えている。 First, the first step is to thinly apply a photosensitive resin having reciprocity failure characteristics to the inner surface of the face plate and dry it to form a resin film. The photosensitive resin used in the present invention includes polyvinyl alcohol,
4,4'-Diazidobenzalacetophenone-2- is added to commonly used resin components such as polyvinylpyrrolidone.
Sulfonic acid, 4,4'-diazidostilbene-2,
It contains a photocrosslinking agent such as a water-soluble bisazide compound such as 2'-disulfonic acid, 4,4'-diazidostilbene-α-carboxylic acid, and salts thereof. Such photosensitive resins can be used under a weak light intensity of 1.5 mW/cm 2 or less in an oxygen atmosphere (enzyme concentration 70 to 100 vol%), a high temperature atmosphere (temperature 60 to 90°C), or a combination of both. When exposed to light, the photocrosslinking agent in the resin is photodecomposed, and the resin component has the property that it does not undergo photocrosslinking (photocuring).
本発明方法は、上記した相反則不軌特性を有効
に利用するものであるが、本発明に用いる感光性
樹脂にあつては、樹脂成分に対し重量比で0.1〜
10重量%の光架橋剤を含有したものを用いること
が好適である。 The method of the present invention effectively utilizes the above-mentioned reciprocity law failure property, but in the case of the photosensitive resin used in the present invention, the weight ratio of the resin component to the resin component is 0.1 to 1.
It is preferable to use one containing 10% by weight of a photocrosslinking agent.
第1工程で得られた樹脂膜は、次に第2工程に
移送され、ここで目的とするストライプ型のブラ
ツクマトリツクスを形成すべき位置にある樹脂膜
の部分の光架橋性を消失せしめる処理が行なわれ
る。すなわち、シヤドウマスクを介し、光源位置
を変位させて、ブラツクマトリツクスの光吸収層
を形成すべき位置にある樹脂膜にのみ、光源から
連続して所定の光強度の光を照射する。 The resin film obtained in the first step is then transferred to the second step, where a treatment is performed to eliminate the photocrosslinkability of the portion of the resin film at the position where the desired striped black matrix is to be formed. will be carried out. That is, the position of the light source is shifted through a shadow mask, and only the resin film at the position where the light absorption layer of the black matrix is to be formed is continuously irradiated with light of a predetermined light intensity from the light source.
この工程は、酵素雰囲気若しくは高温雰囲気又
は両者が一緒になつた雰囲気の中で行なわれる。
酵素雰囲気の場合、その酵素濃度が70〜100vol%
であることが好ましく、また高温雰囲気の場合、
その温度が60〜90℃の範囲にあることが好まし
い。これらの条件が満されない場合には、露光さ
れた樹脂膜の部分(光吸収層を形成すべき部分)
が光架橋(光硬化)して本発明の目的は達成され
ない。 This step is carried out in an enzyme atmosphere or a high temperature atmosphere or a combination of both.
In the case of an enzyme atmosphere, the enzyme concentration is 70 to 100 vol%.
In the case of a high temperature atmosphere, it is preferable that
Preferably, the temperature is in the range of 60-90°C. If these conditions are not met, the exposed part of the resin film (the part where the light absorption layer should be formed)
is photocrosslinked (photocured) and the object of the present invention cannot be achieved.
また、照射する光の強度は、0.8〜1.5mW/cm2
の範囲にあることが好ましく、光強度が0.8m
W/cm2未満の場合には露光した樹脂膜の部分の光
架橋剤が光分解して該部分が光架橋性を消失する
のに多大の時間を要し、逆に光強度が1.5mW/
cm2を超えると該部分が光架橋して本発明の目的が
達成されにくくなる。 In addition, the intensity of the irradiated light is 0.8 to 1.5 mW/cm 2
It is preferable that the light intensity is within the range of 0.8 m.
If the light intensity is less than 1.5 mW/cm 2 , the photocrosslinking agent in the exposed portion of the resin film will photodecompose and it will take a long time for that portion to lose its photocrosslinking properties.
If it exceeds cm 2 , the portion will be photo-crosslinked, making it difficult to achieve the object of the present invention.
更に、この工程においては、光吸収層形成位置
の樹脂膜部分にのみ光を照射するために、光源位
置を変位させることが必要である。すなわち、所
定の設計仕様に基づく三原色の電子銃の露光位置
から、シヤドウマスクのスリツト幅方向にPH・
L0/6q(PH:スリツトの幅方向のピツチ、L0:光
源と露光すべき樹脂膜面までの距離、q:シヤド
ウマスクと露光すべき樹脂膜までの距離、単位は
いずれも同一)で算出される距離だけ変位させる
ことが必要である。具体的にはスリツト幅の1/2
だけ変位させる。この位置から露光すると、各光
源からの光は光吸収層形成位置に照射されること
となり、しかもその中心部では強く周辺部にいく
程弱くなる。 Furthermore, in this step, it is necessary to displace the light source position in order to irradiate light only to the resin film portion at the position where the light absorption layer is to be formed. In other words, from the exposure position of the three primary color electron guns based on the predetermined design specifications, the P H
L 0 /6q (P H : pitch in the width direction of the slit, L 0 : distance between the light source and the surface of the resin film to be exposed, q: distance between the shadow mask and the resin film to be exposed, all units are the same) It is necessary to displace it by the calculated distance. Specifically, 1/2 of the slit width
Displace only. When exposed from this position, the light from each light source will be irradiated onto the light absorption layer forming position, and the light will be stronger at the center and weaker toward the periphery.
以上のように第2工程での処理を施されること
によつて、第1工程で形成された樹脂膜の光吸収
層を形成すべき位置にある部分は、その光架橋剤
が光分解されて光架橋剤が消失する。 By being treated in the second step as described above, the photocrosslinking agent is photodecomposed in the portion of the resin film formed in the first step at the position where the light absorption layer is to be formed. The photocrosslinking agent disappears.
ついで、これは第3工程に移送され、ここで、
螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の部分を所定の
光強度で露光して光架橋させる。この場合、上記
した雰囲気条件又は光源位置の条件を解除して露
光する。具体的には、シヤドウマスクを外しての
全面露光又は光源を所定の位置に戻しての露光が
行なわれる。全面露光の場合、光吸収層形成位置
にある樹脂膜は、その中の光架橋剤が既に第2工
程によつて光分解しているので、光架橋せず、各
層に隣接する螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の
部分のみが光架橋して不溶化する。 This is then transferred to the third step, where:
A portion of the resin film at a desired location to be coated with the phosphor is exposed to light at a predetermined intensity for photocrosslinking. In this case, the above-described atmospheric conditions or light source position conditions are canceled and exposure is performed. Specifically, the entire surface is exposed with the shadow mask removed, or the light source is returned to a predetermined position. In the case of full-surface exposure, the photocrosslinking agent in the resin film at the light absorption layer formation position has already been photodecomposed in the second step, so it is not photocrosslinked and the phosphor coating adjacent to each layer Only the portions of the resin film located at desired positions are photocrosslinked and rendered insolubilized.
この第3工程で適用する光強度は、螢光体塗布
所望位置の樹脂膜を光架橋せしめるに必要な強さ
であればよく、通常、1.5mW/cm2より大きい強
度である。 The light intensity applied in this third step may be any intensity necessary to photo-crosslink the resin film at the desired location where the phosphor is applied, and is usually greater than 1.5 mW/cm 2 .
以上のように2段階の露光処理が施された樹脂
膜は、つぎに第4工程で例えば温水スプレーを吹
き当てて現像される。螢光体塗布所望位置にある
樹脂膜の部分は光架橋して不溶化しているのでそ
のまま残存し、光吸収層形成位置にある樹脂膜の
部分のみが選択的に除去されて、そこにフエース
プレート面が露出する。 The resin film that has been subjected to the two-step exposure process as described above is then developed in a fourth step by spraying, for example, hot water spray. The part of the resin film at the desired position for applying the phosphor is photo-crosslinked and insolubilized, so it remains as it is, and only the part of the resin film at the position where the light absorption layer is to be formed is selectively removed and the face plate is applied there. The surface is exposed.
第5工程は、このようにして得られた面の全面
に亘り非発色黒色物質の懸濁液を塗布して乾燥し
非発色黒色物質の膜を形成する工程である。ここ
で、非発色黒色物質とは、電子銃から放射される
電子ビームによつては発色することのない材質で
あり、本発明においては公知の材料のいずれでも
使用可能である。具体的には、黒鉛、二酸化マン
ガンなどが用いられる。 The fifth step is a step of applying a suspension of the non-coloring black material over the entire surface thus obtained and drying it to form a film of the non-coloring black material. Here, the non-coloring black material is a material that does not develop color due to the electron beam emitted from the electron gun, and any known material can be used in the present invention. Specifically, graphite, manganese dioxide, etc. are used.
ついで、上記第5工程で得た膜の表面に、過酸
化水素水、硫酸など常用の酸化剤からなる剥離剤
の水溶液を接触させる。この第6工程において、
光架橋した樹脂膜(螢光体塗布所望位置の樹脂
膜)は剥離剤によつて膨潤・脆化する。ここに、
例えば温水スプレー処理を施せば、膨潤・脆化し
た樹脂膜はその上に形成されている非発色黒色物
質膜とともに選択的に除去されて、その位置にフ
エースプレート面が露出する。一方、第4工程で
露出したフエースプレート面に塗布されている非
発色黒色物質膜は、この第6工程で除去されるこ
とはない。したがつて、ここに、本発明にかかる
ストライプ型のブラツクマトリツクスが形成され
る。 Next, the surface of the film obtained in the fifth step is brought into contact with an aqueous solution of a stripping agent consisting of a commonly used oxidizing agent such as hydrogen peroxide and sulfuric acid. In this sixth step,
The photo-crosslinked resin film (the resin film at the desired phosphor coating position) swells and becomes brittle due to the release agent. Here,
For example, by applying hot water spray treatment, the swollen and brittle resin film is selectively removed together with the non-coloring black material film formed thereon, and the face plate surface is exposed at that position. On the other hand, the non-coloring black material film applied to the face plate surface exposed in the fourth step is not removed in the sixth step. Therefore, a striped black matrix according to the present invention is formed here.
実施例 1
14インチカラー受像管のパネルフエースの内面
に下記組成の感光性樹脂液を厚み0.55μで塗布し、
乾燥して膜形成した後、80℃の空気雰囲気中でス
リツト幅0.165mm、横ピツチPH=0.6mmのシヤドウ
マスクを介して該感光性樹脂膜を露光した。光源
位置は、光源からフエースプレート内面(該樹脂
膜の表面)迄の距離L0=217mm、シヤドウマスク
からフエースプレート内面迄の距離q=11.2mmと
したとき、通常のストライプ型カラー受像管の螢
光面の露光位置、つまり、G、B、Rの電子銃の
位置に相当する露光移置よりも〔PH・L0/6q〕
だけ各々変位させ、各々その変位させた位置で露
光して、ブラツクストライプを形成すべき位置の
みに光を当てた。
Example 1 A photosensitive resin liquid having the following composition was applied to the inner surface of the panel face of a 14-inch color picture tube to a thickness of 0.55μ,
After drying to form a film, the photosensitive resin film was exposed to light through a shadow mask with a slit width of 0.165 mm and a horizontal pitch P H =0.6 mm in an air atmosphere at 80°C. The light source position is the distance L 0 from the light source to the inner surface of the face plate (the surface of the resin film), and the distance from the shadow mask to the inner surface of the face plate q = 11.2 mm. [P H・L 0 /6q] than the exposure position of the surface, that is, the exposure position corresponding to the G, B, and R electron gun positions.
, respectively, and exposure was performed at each displaced position, so that only the position where a black stripe was to be formed was irradiated with light.
感光性樹脂の組成
ポリビニルピロリドン 4.7g
4,4′−ジアジドスチルベン−2,2′−ジスルホ
ン酸二ナトリウム塩 0.47g
ポリアミン系シラン化合物A−1106(商品名、日
本ユニカー(株)製) 0.35g
界面活性剤(ノニオン、日本油脂(株)製) 0.075g
エチルアルコール 1.1g
純 水 195.5g
露光を行なう際には、この露光域の大きさは、
フエースプレートの画面中央部では小さく、その
周辺部で大きくする事が必要となるので光強度補
正フイルターとを用いて、露光した。具体的は、
中央の光強度を1.1mW/cm3、周辺部の光強度を
1.3mW/cm2とし、シヤドウマスクの大きさを中
央部で0.165mm、周辺部では0.155mmとして約6秒
間露光した。Composition of photosensitive resin Polyvinylpyrrolidone 4.7g 4,4'-diazidostilbene-2,2'-disulfonic acid disodium salt 0.47g Polyamine-based silane compound A-1106 (trade name, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) 0.35g Surfactant (nonion, manufactured by NOF Corporation) 0.075g Ethyl alcohol 1.1g Pure water 195.5g When performing exposure, the size of this exposure area is
Since the central part of the screen of the face plate is small, and it is necessary to make the peripheral part large, a light intensity correction filter was used for exposure. Specifically,
The light intensity at the center is 1.1mW/cm 3 and the light intensity at the periphery is
Exposure was carried out for about 6 seconds at a power of 1.3 mW/cm 2 and a shadow mask size of 0.165 mm at the center and 0.155 mm at the periphery.
露光終了後、パネル温度を35℃まで下げてから
シヤドウマスクを外し、光強度2.1mV/cm2で約
2秒間、パネルの内面を全面露光した。温水現像
後、黒鉛懸濁液をパネル内面に全面塗布・乾燥し
て黒鉛膜を形成した。ついで15%スルフアミン酸
水溶液中に約60秒浸漬した後、温水スプレーで処
理した。画面中央のストライプ幅0.14mm、周辺部
のストライプ幅0.09mmの良好なブラツクマトリツ
クスが形成された。 After exposure, the panel temperature was lowered to 35° C., the shadow mask was removed, and the entire inner surface of the panel was exposed to light for about 2 seconds at a light intensity of 2.1 mV/cm 2 . After hot water development, a graphite suspension was applied to the entire inner surface of the panel and dried to form a graphite film. The sample was then immersed in a 15% aqueous sulfamic acid solution for about 60 seconds, and then treated with hot water spray. A good black matrix was formed with a stripe width of 0.14 mm at the center of the screen and a stripe width of 0.09 mm at the periphery.
実施例 2
露光を酸素濃度80%の雰囲気中で行なつたこ
と、パネル温度を35℃に下げた後、シヤドウマス
クは外さずに通常の露光位置に戻し、その位置か
ら光強度2.0mW/cm2で約3秒、R、G、Bのそ
れぞれの螢光体位置を露光したことを除いては実
施例1と同様にしてブラツクストライプを形成し
た。同様の結果が得られた。Example 2 Exposure was performed in an atmosphere with an oxygen concentration of 80%, and after lowering the panel temperature to 35°C, the shadow mask was returned to the normal exposure position without removing it, and the light intensity was 2.0 mW/cm 2 from that position. A black stripe was formed in the same manner as in Example 1, except that the R, G, and B phosphor positions were exposed for about 3 seconds. Similar results were obtained.
以上の説明で明らかなように、本発明方法によ
れば螢光体ストライプのドツキング現象が防止さ
れ、電子ビームのランデイング余裕度の高い蛍光
面を形成できるのでその工業的価値は極めて大で
ある。
As is clear from the above description, the method of the present invention prevents the dotting phenomenon of phosphor stripes and forms a phosphor screen with a high degree of landing margin for electron beams, so its industrial value is extremely large.
Claims (1)
エースプレート内面に形成する工程と; シヤドウマスクを介し、ストライプ型ブラツク
マトリツクスの光吸収層を形成すべき位置にある
該樹脂膜の部分のみに光が照射されるように光源
位置を変位させ、該樹脂膜中の樹脂成分を光架橋
させることなく該樹脂膜中の光架橋剤を光分解さ
せるように露光する工程と; 螢光体塗布を所望する位置にある該樹脂膜の部
分が光架橋するように露光する工程と; 該光吸収層形成位置にある該樹脂膜の部分を選
択的に除去する現像工程と; 該光吸収層形成位置及び該螢光体塗布所望位置
にある該樹脂膜の部分の上に全面に亘り非発色黒
色物質の膜を形成する工程と; 剥離剤を適用して、該螢光体塗布所望位置にあ
る該樹脂膜の部分及びその上の該非発色黒色物質
を選択的に除去する工程とから成ることを特徴と
するストライプ型ブラツクマトリツクスカラー受
像管の製造方法。[Claims] 1. A step of forming a film of a photosensitive resin having reciprocity law failure characteristics on the inner surface of the face plate; Displacing the light source position so that only a portion of the film is irradiated with light, and exposing the resin film so as to photodecompose the photocrosslinking agent in the resin film without photocrosslinking the resin components in the resin film; a step of exposing to light so that a portion of the resin film located at a desired position to be coated with a phosphor is photocrosslinked; a developing step of selectively removing a portion of the resin film located at a position where the light absorption layer is to be formed; forming a film of a non-coloring black material over the entire surface of the resin film at the light absorption layer formation position and the desired position for applying the phosphor; applying a release agent and applying the phosphor; A method for manufacturing a striped black matrix color picture tube, comprising the step of selectively removing a portion of the resin film at a desired position and the non-coloring black material thereon.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062382A JPS58218726A (en) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | Manufacture of stripe type black matrix color picture tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062382A JPS58218726A (en) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | Manufacture of stripe type black matrix color picture tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218726A JPS58218726A (en) | 1983-12-20 |
| JPH0133023B2 true JPH0133023B2 (en) | 1989-07-11 |
Family
ID=14278957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10062382A Granted JPS58218726A (en) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | Manufacture of stripe type black matrix color picture tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218726A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226741A (en) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corp | Formation of fluorescent screen for color cathode-ray tube |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420824U (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-09 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP10062382A patent/JPS58218726A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58218726A (en) | 1983-12-20 |
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