JPH0133023B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0133023B2 JPH0133023B2 JP57100623A JP10062382A JPH0133023B2 JP H0133023 B2 JPH0133023 B2 JP H0133023B2 JP 57100623 A JP57100623 A JP 57100623A JP 10062382 A JP10062382 A JP 10062382A JP H0133023 B2 JPH0133023 B2 JP H0133023B2
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- JP
- Japan
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- resin film
- light
- film
- phosphor
- resin
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/22—Applying luminescent coatings
- H01J9/227—Applying luminescent coatings with luminescent material discontinuously arranged, e.g. in dots or lines
- H01J9/2278—Application of light absorbing material, e.g. between the luminescent areas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はストライプ型ブラツクマトリツクスカ
ラー受像管の製造方法に関し、更に詳しくは、螢
光体ストライプがドツキング現象を起さないスト
ライプ型ブラツクマトリツクス膜の形成方法に関
する。
ラー受像管の製造方法に関し、更に詳しくは、螢
光体ストライプがドツキング現象を起さないスト
ライプ型ブラツクマトリツクス膜の形成方法に関
する。
ストライプ型ブラツクマトリツクスのカラー受
像管は、その螢光面が非発色黒色物質のストライ
プと螢光体ストライプとのマトリツクスから構成
されている。
像管は、その螢光面が非発色黒色物質のストライ
プと螢光体ストライプとのマトリツクスから構成
されている。
一般に、この非発色黒色物質のストライプは次
のような方法で形成される。すなわち、まず、受
像管のフエースプレートの内面に感光性樹脂液を
薄く塗布しこれを乾燥として樹脂膜とする（Ａ工
程）。ついで、点状又は線状の光源を用い、シヤ
ドウマスクを介して螢光体塗布所望位置を露光す
る（Ｂ工程）。螢光体塗布所望位置の樹脂膜は光
硬化して不溶性のホトレジスト層となり、そうで
ない部分は光硬化せずに残留する。このとき、最
終の製品に所定の設計仕様に基づいて組み込まれ
る電子銃からの電子ビームの軌跡に近似させて露
光時の光の軌跡を発生させるために、光源は該電
子銃の偏向中心に模擬した位置に設定され、しか
も、該光源とシヤドウマスクの間には通常ガラス
又は透明プラスチツク材から構成される補正レン
ズが介在される。
のような方法で形成される。すなわち、まず、受
像管のフエースプレートの内面に感光性樹脂液を
薄く塗布しこれを乾燥として樹脂膜とする（Ａ工
程）。ついで、点状又は線状の光源を用い、シヤ
ドウマスクを介して螢光体塗布所望位置を露光す
る（Ｂ工程）。螢光体塗布所望位置の樹脂膜は光
硬化して不溶性のホトレジスト層となり、そうで
ない部分は光硬化せずに残留する。このとき、最
終の製品に所定の設計仕様に基づいて組み込まれ
る電子銃からの電子ビームの軌跡に近似させて露
光時の光の軌跡を発生させるために、光源は該電
子銃の偏向中心に模擬した位置に設定され、しか
も、該光源とシヤドウマスクの間には通常ガラス
又は透明プラスチツク材から構成される補正レン
ズが介在される。
その後、温水スプレーによつて現象し露光され
ていない樹脂膜を除去する（Ｃ工程）。このとき、
樹脂膜が除去された部分にはパネルフエース内面
が露出することとなる。
ていない樹脂膜を除去する（Ｃ工程）。このとき、
樹脂膜が除去された部分にはパネルフエース内面
が露出することとなる。
この状態でつぎに全面に亘り黒鉛懸濁液のよう
な光吸収性の黒色物質を塗布して乾燥し非発色黒
色物質の膜を形成する（Ｄ工程）。ついで、ここ
に過酸化水素水のような剥離剤を接触させる（Ｅ
工程）。このとき、該剥離剤によつて光硬化した
樹脂膜が膨潤して脆化する。その後、温水スプレ
ー処理を施せば、脆化した該樹脂膜とその上に積
層する非発色黒色物質膜とが除去されてこの部分
のパネルフエース面は露出し、他の部分はそのま
ま非発色黒色物質膜が残留するからそれがストラ
イプ型のブラツクマトリツクスとなる。ここで、
露出したパネルフエース（ストライプ状）には、
蛍光体を塗布し、シヤドウマスクを介して所定の
露光・現像処理を施して、蛍光体ストライプとす
る。
な光吸収性の黒色物質を塗布して乾燥し非発色黒
色物質の膜を形成する（Ｄ工程）。ついで、ここ
に過酸化水素水のような剥離剤を接触させる（Ｅ
工程）。このとき、該剥離剤によつて光硬化した
樹脂膜が膨潤して脆化する。その後、温水スプレ
ー処理を施せば、脆化した該樹脂膜とその上に積
層する非発色黒色物質膜とが除去されてこの部分
のパネルフエース面は露出し、他の部分はそのま
ま非発色黒色物質膜が残留するからそれがストラ
イプ型のブラツクマトリツクスとなる。ここで、
露出したパネルフエース（ストライプ状）には、
蛍光体を塗布し、シヤドウマスクを介して所定の
露光・現像処理を施して、蛍光体ストライプとす
る。
このようにして製造されたストライプ型ブラツ
クマトリツクスのカラー受像管においては、電子
銃から発射された電子ビームが蛍光体ストライプ
に対してミスランデイングしないように、蛍光体
ストライプ（の幅）を、該電子銃の前方に位置す
るシヤドウマスクのスリツト孔の幅よりも狭く形
成して発光させることが必要となる。
クマトリツクスのカラー受像管においては、電子
銃から発射された電子ビームが蛍光体ストライプ
に対してミスランデイングしないように、蛍光体
ストライプ（の幅）を、該電子銃の前方に位置す
るシヤドウマスクのスリツト孔の幅よりも狭く形
成して発光させることが必要となる。
この問題を解決するために、従来から行なわれ
ている対策の第１は、Ｂ工程においてスリツト幅
の狭いシヤドウマスクを用いてストライプ型ブラ
ツクマトリツクスの螢光面を作成した後、用いた
シヤドウマスクを適宜な腐食液でエツチングして
該スリツト幅を該螢光面の螢光体ストライプの幅
よりも広くしこれを組み込むいわゆるポストエツ
チング方式である。
ている対策の第１は、Ｂ工程においてスリツト幅
の狭いシヤドウマスクを用いてストライプ型ブラ
ツクマトリツクスの螢光面を作成した後、用いた
シヤドウマスクを適宜な腐食液でエツチングして
該スリツト幅を該螢光面の螢光体ストライプの幅
よりも広くしこれを組み込むいわゆるポストエツ
チング方式である。
しかしながら、この方式にあつては、シヤドウ
マスクスリツトのエツチングの際にビーム通過孔
の壁面形状がサイドエツチして悪化すること、シ
ヤドウマスク表面に被着する放熱用の酸化皮膜が
剥離すること、エツチング後の熱処理でシヤドウ
マスクに歪みが生ずること、などの不都合な事態
を招く。
マスクスリツトのエツチングの際にビーム通過孔
の壁面形状がサイドエツチして悪化すること、シ
ヤドウマスク表面に被着する放熱用の酸化皮膜が
剥離すること、エツチング後の熱処理でシヤドウ
マスクに歪みが生ずること、などの不都合な事態
を招く。
その対策の第２は、Ｂ工程でＯ原色の光源で感
光性樹脂膜の所定位置を対照する際に、該照射位
置面積を小さくし、隣接する光吸収層相当位置の
面積（幅）が広くなるように露光する光学的方法
である。
光性樹脂膜の所定位置を対照する際に、該照射位
置面積を小さくし、隣接する光吸収層相当位置の
面積（幅）が広くなるように露光する光学的方法
である。
しかしながら、この方法にあつては、通常、工
数との関係からして、三原色の光源で連続的に露
光してから現像するため、本来光吸収層とならな
ければならない位置の樹脂膜まで光の回折現象に
よつて露光されて硬化し、その結果、樹脂膜の硬
化部分が連続してしまい、いわゆるドツキング現
象が起り易すいという欠点がある。
数との関係からして、三原色の光源で連続的に露
光してから現像するため、本来光吸収層とならな
ければならない位置の樹脂膜まで光の回折現象に
よつて露光されて硬化し、その結果、樹脂膜の硬
化部分が連続してしまい、いわゆるドツキング現
象が起り易すいという欠点がある。
このドツキング現象を解消するために、近時、
相反則不軌性の感光性樹脂膜を用い、これをＢ工
程においてシユワルトシユルト定数ｐが０＜ｐ＜
0.76の条件で露光して、実際の光照射区域よりも
小さい面積の螢光体ストライプを、最終的に螢光
体を塗布すべき部分に形成するという方法が提案
されている（特公昭52−13913号参照）。
相反則不軌性の感光性樹脂膜を用い、これをＢ工
程においてシユワルトシユルト定数ｐが０＜ｐ＜
0.76の条件で露光して、実際の光照射区域よりも
小さい面積の螢光体ストライプを、最終的に螢光
体を塗布すべき部分に形成するという方法が提案
されている（特公昭52−13913号参照）。
しかしながら、この方法にあつても未だ充分な
ランデイング余裕度を有するストライプ型ブラツ
クマトリツクス−螢光体ストライプを形成し得
ず、現在更なる改善が望まれている。
ランデイング余裕度を有するストライプ型ブラツ
クマトリツクス−螢光体ストライプを形成し得
ず、現在更なる改善が望まれている。
本発明は、螢光体ストライプのドツキング現象
を防止し得るストライプ型ブラツクマトリツクス
膜の形成方法の提供を目的とする。
を防止し得るストライプ型ブラツクマトリツクス
膜の形成方法の提供を目的とする。
本発明方法は、相反則不軌特性を有する感光性
樹脂の膜をフエースプレート内面に形成する工程
（第１工程）と；シヤドウマスクを介し、ストラ
イプ型ブラツクマトリツクスの光吸収層を形成す
べき位置にある該樹脂膜の部分のみに光が照射さ
れるように光源位置を変位させ、該樹脂膜中の樹
脂成分を光架橋させることなく該樹脂膜中の光架
橋剤を光分解させるように露光する工程（第２工
程）と；螢光体塗布を所望する位置にある該樹脂
膜の部分が光架橋するように露光する工程（第３
工程）と；該光吸収層形成位置にある該樹脂膜の
部分を選択的に除去する現像工程（第４工程）
と；該光吸収層形成位置及び該螢光体塗布所望位
置にある該樹脂膜の部分の上に全面に亘り非発色
黒色物質の膜を形成する工程（第５工程）と；剥
離剤を適用して、該螢光体塗布所望位置にある該
樹脂膜の部分及びその上の該非発色黒色物質を選
択的に除去する工程（第６工程）とから成ること
を特徴とする。
樹脂の膜をフエースプレート内面に形成する工程
（第１工程）と；シヤドウマスクを介し、ストラ
イプ型ブラツクマトリツクスの光吸収層を形成す
べき位置にある該樹脂膜の部分のみに光が照射さ
れるように光源位置を変位させ、該樹脂膜中の樹
脂成分を光架橋させることなく該樹脂膜中の光架
橋剤を光分解させるように露光する工程（第２工
程）と；螢光体塗布を所望する位置にある該樹脂
膜の部分が光架橋するように露光する工程（第３
工程）と；該光吸収層形成位置にある該樹脂膜の
部分を選択的に除去する現像工程（第４工程）
と；該光吸収層形成位置及び該螢光体塗布所望位
置にある該樹脂膜の部分の上に全面に亘り非発色
黒色物質の膜を形成する工程（第５工程）と；剥
離剤を適用して、該螢光体塗布所望位置にある該
樹脂膜の部分及びその上の該非発色黒色物質を選
択的に除去する工程（第６工程）とから成ること
を特徴とする。
以下に、各工程を詳細に説明する。
まず、第１工程はフエースプレートの内面に相
反則不軌特性を有する感光性樹脂を薄く塗布して
乾燥しその樹脂膜を形成する工程である。本発明
で用いる感光性樹脂は、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなど常用される樹脂成分に
４，4′−ジアジドベンザルアセトフエノン−２−
スルホン酸、４，4′−ジアジドスチルベン−２，
2′−ジスルホン酸、４，4′−ジアジドスチルベン
−α−カルボン酸及びそれらの塩などの水溶性ビ
スアジド化合物のような光架橋剤を含有させたも
のである。このような感光性樹脂は、酸素雰囲気
（酵素濃度70〜100vol％）若しくは高温雰囲気
（温度60〜90℃）又は両者が一緒になつた雰囲気
の下で、1.5ｍＷ／cm2以下の弱い光強度で露光す
ると、該樹脂中の光架橋剤が光分解し樹脂成分は
光架橋（光硬化）現象を起さないという特性を備
えている。
反則不軌特性を有する感光性樹脂を薄く塗布して
乾燥しその樹脂膜を形成する工程である。本発明
で用いる感光性樹脂は、ポリビニルアルコール、
ポリビニルピロリドンなど常用される樹脂成分に
４，4′−ジアジドベンザルアセトフエノン−２−
スルホン酸、４，4′−ジアジドスチルベン−２，
2′−ジスルホン酸、４，4′−ジアジドスチルベン
−α−カルボン酸及びそれらの塩などの水溶性ビ
スアジド化合物のような光架橋剤を含有させたも
のである。このような感光性樹脂は、酸素雰囲気
（酵素濃度70〜100vol％）若しくは高温雰囲気
（温度60〜90℃）又は両者が一緒になつた雰囲気
の下で、1.5ｍＷ／cm2以下の弱い光強度で露光す
ると、該樹脂中の光架橋剤が光分解し樹脂成分は
光架橋（光硬化）現象を起さないという特性を備
えている。
本発明方法は、上記した相反則不軌特性を有効
に利用するものであるが、本発明に用いる感光性
樹脂にあつては、樹脂成分に対し重量比で0.1〜
10重量％の光架橋剤を含有したものを用いること
が好適である。
に利用するものであるが、本発明に用いる感光性
樹脂にあつては、樹脂成分に対し重量比で0.1〜
10重量％の光架橋剤を含有したものを用いること
が好適である。
第１工程で得られた樹脂膜は、次に第２工程に
移送され、ここで目的とするストライプ型のブラ
ツクマトリツクスを形成すべき位置にある樹脂膜
の部分の光架橋性を消失せしめる処理が行なわれ
る。すなわち、シヤドウマスクを介し、光源位置
を変位させて、ブラツクマトリツクスの光吸収層
を形成すべき位置にある樹脂膜にのみ、光源から
連続して所定の光強度の光を照射する。
移送され、ここで目的とするストライプ型のブラ
ツクマトリツクスを形成すべき位置にある樹脂膜
の部分の光架橋性を消失せしめる処理が行なわれ
る。すなわち、シヤドウマスクを介し、光源位置
を変位させて、ブラツクマトリツクスの光吸収層
を形成すべき位置にある樹脂膜にのみ、光源から
連続して所定の光強度の光を照射する。
この工程は、酵素雰囲気若しくは高温雰囲気又
は両者が一緒になつた雰囲気の中で行なわれる。
酵素雰囲気の場合、その酵素濃度が70〜100vol％
であることが好ましく、また高温雰囲気の場合、
その温度が60〜90℃の範囲にあることが好まし
い。これらの条件が満されない場合には、露光さ
れた樹脂膜の部分（光吸収層を形成すべき部分）
が光架橋（光硬化）して本発明の目的は達成され
ない。
は両者が一緒になつた雰囲気の中で行なわれる。
酵素雰囲気の場合、その酵素濃度が70〜100vol％
であることが好ましく、また高温雰囲気の場合、
その温度が60〜90℃の範囲にあることが好まし
い。これらの条件が満されない場合には、露光さ
れた樹脂膜の部分（光吸収層を形成すべき部分）
が光架橋（光硬化）して本発明の目的は達成され
ない。
また、照射する光の強度は、0.8〜1.5ｍＷ／cm2
の範囲にあることが好ましく、光強度が0.8ｍ
Ｗ／cm2未満の場合には露光した樹脂膜の部分の光
架橋剤が光分解して該部分が光架橋性を消失する
のに多大の時間を要し、逆に光強度が1.5ｍＷ／
cm2を超えると該部分が光架橋して本発明の目的が
達成されにくくなる。
の範囲にあることが好ましく、光強度が0.8ｍ
Ｗ／cm2未満の場合には露光した樹脂膜の部分の光
架橋剤が光分解して該部分が光架橋性を消失する
のに多大の時間を要し、逆に光強度が1.5ｍＷ／
cm2を超えると該部分が光架橋して本発明の目的が
達成されにくくなる。
更に、この工程においては、光吸収層形成位置
の樹脂膜部分にのみ光を照射するために、光源位
置を変位させることが必要である。すなわち、所
定の設計仕様に基づく三原色の電子銃の露光位置
から、シヤドウマスクのスリツト幅方向にPH・
L0／6q（PH：スリツトの幅方向のピツチ、L0：光
源と露光すべき樹脂膜面までの距離、ｑ：シヤド
ウマスクと露光すべき樹脂膜までの距離、単位は
いずれも同一）で算出される距離だけ変位させる
ことが必要である。具体的にはスリツト幅の1/2
だけ変位させる。この位置から露光すると、各光
源からの光は光吸収層形成位置に照射されること
となり、しかもその中心部では強く周辺部にいく
程弱くなる。
の樹脂膜部分にのみ光を照射するために、光源位
置を変位させることが必要である。すなわち、所
定の設計仕様に基づく三原色の電子銃の露光位置
から、シヤドウマスクのスリツト幅方向にPH・
L0／6q（PH：スリツトの幅方向のピツチ、L0：光
源と露光すべき樹脂膜面までの距離、ｑ：シヤド
ウマスクと露光すべき樹脂膜までの距離、単位は
いずれも同一）で算出される距離だけ変位させる
ことが必要である。具体的にはスリツト幅の1/2
だけ変位させる。この位置から露光すると、各光
源からの光は光吸収層形成位置に照射されること
となり、しかもその中心部では強く周辺部にいく
程弱くなる。
以上のように第２工程での処理を施されること
によつて、第１工程で形成された樹脂膜の光吸収
層を形成すべき位置にある部分は、その光架橋剤
が光分解されて光架橋剤が消失する。
によつて、第１工程で形成された樹脂膜の光吸収
層を形成すべき位置にある部分は、その光架橋剤
が光分解されて光架橋剤が消失する。
ついで、これは第３工程に移送され、ここで、
螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の部分を所定の
光強度で露光して光架橋させる。この場合、上記
した雰囲気条件又は光源位置の条件を解除して露
光する。具体的には、シヤドウマスクを外しての
全面露光又は光源を所定の位置に戻しての露光が
行なわれる。全面露光の場合、光吸収層形成位置
にある樹脂膜は、その中の光架橋剤が既に第２工
程によつて光分解しているので、光架橋せず、各
層に隣接する螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の
部分のみが光架橋して不溶化する。
螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の部分を所定の
光強度で露光して光架橋させる。この場合、上記
した雰囲気条件又は光源位置の条件を解除して露
光する。具体的には、シヤドウマスクを外しての
全面露光又は光源を所定の位置に戻しての露光が
行なわれる。全面露光の場合、光吸収層形成位置
にある樹脂膜は、その中の光架橋剤が既に第２工
程によつて光分解しているので、光架橋せず、各
層に隣接する螢光体塗布所望位置にある樹脂膜の
部分のみが光架橋して不溶化する。
この第３工程で適用する光強度は、螢光体塗布
所望位置の樹脂膜を光架橋せしめるに必要な強さ
であればよく、通常、1.5ｍＷ／cm2より大きい強
度である。
所望位置の樹脂膜を光架橋せしめるに必要な強さ
であればよく、通常、1.5ｍＷ／cm2より大きい強
度である。
以上のように２段階の露光処理が施された樹脂
膜は、つぎに第４工程で例えば温水スプレーを吹
き当てて現像される。螢光体塗布所望位置にある
樹脂膜の部分は光架橋して不溶化しているのでそ
のまま残存し、光吸収層形成位置にある樹脂膜の
部分のみが選択的に除去されて、そこにフエース
プレート面が露出する。
膜は、つぎに第４工程で例えば温水スプレーを吹
き当てて現像される。螢光体塗布所望位置にある
樹脂膜の部分は光架橋して不溶化しているのでそ
のまま残存し、光吸収層形成位置にある樹脂膜の
部分のみが選択的に除去されて、そこにフエース
プレート面が露出する。
第５工程は、このようにして得られた面の全面
に亘り非発色黒色物質の懸濁液を塗布して乾燥し
非発色黒色物質の膜を形成する工程である。ここ
で、非発色黒色物質とは、電子銃から放射される
電子ビームによつては発色することのない材質で
あり、本発明においては公知の材料のいずれでも
使用可能である。具体的には、黒鉛、二酸化マン
ガンなどが用いられる。
に亘り非発色黒色物質の懸濁液を塗布して乾燥し
非発色黒色物質の膜を形成する工程である。ここ
で、非発色黒色物質とは、電子銃から放射される
電子ビームによつては発色することのない材質で
あり、本発明においては公知の材料のいずれでも
使用可能である。具体的には、黒鉛、二酸化マン
ガンなどが用いられる。
ついで、上記第５工程で得た膜の表面に、過酸
化水素水、硫酸など常用の酸化剤からなる剥離剤
の水溶液を接触させる。この第６工程において、
光架橋した樹脂膜（螢光体塗布所望位置の樹脂
膜）は剥離剤によつて膨潤・脆化する。ここに、
例えば温水スプレー処理を施せば、膨潤・脆化し
た樹脂膜はその上に形成されている非発色黒色物
質膜とともに選択的に除去されて、その位置にフ
エースプレート面が露出する。一方、第４工程で
露出したフエースプレート面に塗布されている非
発色黒色物質膜は、この第６工程で除去されるこ
とはない。したがつて、ここに、本発明にかかる
ストライプ型のブラツクマトリツクスが形成され
る。
化水素水、硫酸など常用の酸化剤からなる剥離剤
の水溶液を接触させる。この第６工程において、
光架橋した樹脂膜（螢光体塗布所望位置の樹脂
膜）は剥離剤によつて膨潤・脆化する。ここに、
例えば温水スプレー処理を施せば、膨潤・脆化し
た樹脂膜はその上に形成されている非発色黒色物
質膜とともに選択的に除去されて、その位置にフ
エースプレート面が露出する。一方、第４工程で
露出したフエースプレート面に塗布されている非
発色黒色物質膜は、この第６工程で除去されるこ
とはない。したがつて、ここに、本発明にかかる
ストライプ型のブラツクマトリツクスが形成され
る。
実施例 １
14インチカラー受像管のパネルフエースの内面
に下記組成の感光性樹脂液を厚み0.55μで塗布し、
乾燥して膜形成した後、80℃の空気雰囲気中でス
リツト幅0.165mm、横ピツチPH＝0.6mmのシヤドウ
マスクを介して該感光性樹脂膜を露光した。光源
位置は、光源からフエースプレート内面（該樹脂
膜の表面）迄の距離L0＝217mm、シヤドウマスク
からフエースプレート内面迄の距離ｑ＝11.2mmと
したとき、通常のストライプ型カラー受像管の螢
光面の露光位置、つまり、Ｇ、Ｂ、Ｒの電子銃の
位置に相当する露光移置よりも〔PH・L0／6q〕
だけ各々変位させ、各々その変位させた位置で露
光して、ブラツクストライプを形成すべき位置の
みに光を当てた。
に下記組成の感光性樹脂液を厚み0.55μで塗布し、
乾燥して膜形成した後、80℃の空気雰囲気中でス
リツト幅0.165mm、横ピツチPH＝0.6mmのシヤドウ
マスクを介して該感光性樹脂膜を露光した。光源
位置は、光源からフエースプレート内面（該樹脂
膜の表面）迄の距離L0＝217mm、シヤドウマスク
からフエースプレート内面迄の距離ｑ＝11.2mmと
したとき、通常のストライプ型カラー受像管の螢
光面の露光位置、つまり、Ｇ、Ｂ、Ｒの電子銃の
位置に相当する露光移置よりも〔PH・L0／6q〕
だけ各々変位させ、各々その変位させた位置で露
光して、ブラツクストライプを形成すべき位置の
みに光を当てた。
感光性樹脂の組成
ポリビニルピロリドン 4.7ｇ
４，4′−ジアジドスチルベン−２，2′−ジスルホ
ン酸二ナトリウム塩 0.47ｇ ポリアミン系シラン化合物Ａ−1106（商品名、日
本ユニカー(株)製） 0.35ｇ 界面活性剤（ノニオン、日本油脂(株)製） 0.075ｇ エチルアルコール 1.1ｇ 純 水 195.5ｇ 露光を行なう際には、この露光域の大きさは、
フエースプレートの画面中央部では小さく、その
周辺部で大きくする事が必要となるので光強度補
正フイルターとを用いて、露光した。具体的は、
中央の光強度を1.1ｍＷ／cm3、周辺部の光強度を
1.3ｍＷ／cm2とし、シヤドウマスクの大きさを中
央部で0.165mm、周辺部では0.155mmとして約６秒
間露光した。
ン酸二ナトリウム塩 0.47ｇ ポリアミン系シラン化合物Ａ−1106（商品名、日
本ユニカー(株)製） 0.35ｇ 界面活性剤（ノニオン、日本油脂(株)製） 0.075ｇ エチルアルコール 1.1ｇ 純 水 195.5ｇ 露光を行なう際には、この露光域の大きさは、
フエースプレートの画面中央部では小さく、その
周辺部で大きくする事が必要となるので光強度補
正フイルターとを用いて、露光した。具体的は、
中央の光強度を1.1ｍＷ／cm3、周辺部の光強度を
1.3ｍＷ／cm2とし、シヤドウマスクの大きさを中
央部で0.165mm、周辺部では0.155mmとして約６秒
間露光した。
露光終了後、パネル温度を35℃まで下げてから
シヤドウマスクを外し、光強度2.1ｍＶ／cm2で約
２秒間、パネルの内面を全面露光した。温水現像
後、黒鉛懸濁液をパネル内面に全面塗布・乾燥し
て黒鉛膜を形成した。ついで15％スルフアミン酸
水溶液中に約60秒浸漬した後、温水スプレーで処
理した。画面中央のストライプ幅0.14mm、周辺部
のストライプ幅0.09mmの良好なブラツクマトリツ
クスが形成された。
シヤドウマスクを外し、光強度2.1ｍＶ／cm2で約
２秒間、パネルの内面を全面露光した。温水現像
後、黒鉛懸濁液をパネル内面に全面塗布・乾燥し
て黒鉛膜を形成した。ついで15％スルフアミン酸
水溶液中に約60秒浸漬した後、温水スプレーで処
理した。画面中央のストライプ幅0.14mm、周辺部
のストライプ幅0.09mmの良好なブラツクマトリツ
クスが形成された。
実施例 ２
露光を酸素濃度80％の雰囲気中で行なつたこ
と、パネル温度を35℃に下げた後、シヤドウマス
クは外さずに通常の露光位置に戻し、その位置か
ら光強度2.0ｍＷ／cm2で約３秒、Ｒ、Ｇ、Ｂのそ
れぞれの螢光体位置を露光したことを除いては実
施例１と同様にしてブラツクストライプを形成し
た。同様の結果が得られた。
と、パネル温度を35℃に下げた後、シヤドウマス
クは外さずに通常の露光位置に戻し、その位置か
ら光強度2.0ｍＷ／cm2で約３秒、Ｒ、Ｇ、Ｂのそ
れぞれの螢光体位置を露光したことを除いては実
施例１と同様にしてブラツクストライプを形成し
た。同様の結果が得られた。
以上の説明で明らかなように、本発明方法によ
れば螢光体ストライプのドツキング現象が防止さ
れ、電子ビームのランデイング余裕度の高い蛍光
面を形成できるのでその工業的価値は極めて大で
ある。
れば螢光体ストライプのドツキング現象が防止さ
れ、電子ビームのランデイング余裕度の高い蛍光
面を形成できるのでその工業的価値は極めて大で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相反則不軌特性を有する感光性樹脂の膜をフ
エースプレート内面に形成する工程と； シヤドウマスクを介し、ストライプ型ブラツク
マトリツクスの光吸収層を形成すべき位置にある
該樹脂膜の部分のみに光が照射されるように光源
位置を変位させ、該樹脂膜中の樹脂成分を光架橋
させることなく該樹脂膜中の光架橋剤を光分解さ
せるように露光する工程と； 螢光体塗布を所望する位置にある該樹脂膜の部
分が光架橋するように露光する工程と； 該光吸収層形成位置にある該樹脂膜の部分を選
択的に除去する現像工程と； 該光吸収層形成位置及び該螢光体塗布所望位置
にある該樹脂膜の部分の上に全面に亘り非発色黒
色物質の膜を形成する工程と； 剥離剤を適用して、該螢光体塗布所望位置にあ
る該樹脂膜の部分及びその上の該非発色黒色物質
を選択的に除去する工程とから成ることを特徴と
するストライプ型ブラツクマトリツクスカラー受
像管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062382A JPS58218726A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | ストライプ型ブラツクマトリツクスカラ−受像管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10062382A JPS58218726A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | ストライプ型ブラツクマトリツクスカラ−受像管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58218726A JPS58218726A (ja) | 1983-12-20 |
| JPH0133023B2 true JPH0133023B2 (ja) | 1989-07-11 |
Family
ID=14278957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10062382A Granted JPS58218726A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | ストライプ型ブラツクマトリツクスカラ−受像管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58218726A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226741A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Sony Corp | カラ−陰極線管の螢光面形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5420824U (ja) * | 1977-07-13 | 1979-02-09 |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP10062382A patent/JPS58218726A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58218726A (ja) | 1983-12-20 |
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