JPH0133548B2 - - Google Patents
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- JPH0133548B2 JPH0133548B2 JP60212976A JP21297685A JPH0133548B2 JP H0133548 B2 JPH0133548 B2 JP H0133548B2 JP 60212976 A JP60212976 A JP 60212976A JP 21297685 A JP21297685 A JP 21297685A JP H0133548 B2 JPH0133548 B2 JP H0133548B2
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- magnetic
- magnetic field
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- sputtering
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパツタ装置に係り、特に、磁性体材
をスパツタする際の、基板部の均一磁場を生成す
るのに好適なスパツタ室の構造に関する。
をスパツタする際の、基板部の均一磁場を生成す
るのに好適なスパツタ室の構造に関する。
スパツタ装置は、種々の材料の薄膜化手段の1
つとして、各方面でニーズが高まつている。その
方式も、成膜素材からなるターゲツト電極と、成
膜すべき母材である基板を対向させた2極スパツ
タ法から、磁場によつてプラズマを閉じ込め、成
膜対率を飛躍的に向上させたマグネトロンスパツ
タ法まで、多数の方式が提案されている。
つとして、各方面でニーズが高まつている。その
方式も、成膜素材からなるターゲツト電極と、成
膜すべき母材である基板を対向させた2極スパツ
タ法から、磁場によつてプラズマを閉じ込め、成
膜対率を飛躍的に向上させたマグネトロンスパツ
タ法まで、多数の方式が提案されている。
一方、形成する膜についても、金属膜から絶縁
物質まで多数あり、ここでは、金属膜のうちでも
磁性材の膜について考えている。
物質まで多数あり、ここでは、金属膜のうちでも
磁性材の膜について考えている。
磁性材の膜をスパツタで成膜する際には、磁気
特性を得るために、成膜時に平行磁場を印加して
磁区を一定方向に配向させながらスパツタさせる
必要がある。これは、組成原子配列に基づくもの
であるため、形成した膜の結晶構造が広い範囲に
わたつて均一に配列している方が望ましい。この
ためには、スパツタされる基板面と平行に印加す
る磁場は、できるだけ、広範囲にわたつて均一で
なければならない。しかしながら、この磁場は、
強すぎても、弱すぎても影響を受け、なかなか、
基板面全体にわたつて、成膜された磁性膜の磁区
の向きを揃えることは難かしいのが現状である。
更には、本成膜工程の生産量向上のため、より大
きなサイズの基板、若しくは、多枚数の処理が要
求されてくる昨今の状況をみるに、より一層、広
範囲にわたつてより均一な磁場を作る必要があ
る。
特性を得るために、成膜時に平行磁場を印加して
磁区を一定方向に配向させながらスパツタさせる
必要がある。これは、組成原子配列に基づくもの
であるため、形成した膜の結晶構造が広い範囲に
わたつて均一に配列している方が望ましい。この
ためには、スパツタされる基板面と平行に印加す
る磁場は、できるだけ、広範囲にわたつて均一で
なければならない。しかしながら、この磁場は、
強すぎても、弱すぎても影響を受け、なかなか、
基板面全体にわたつて、成膜された磁性膜の磁区
の向きを揃えることは難かしいのが現状である。
更には、本成膜工程の生産量向上のため、より大
きなサイズの基板、若しくは、多枚数の処理が要
求されてくる昨今の状況をみるに、より一層、広
範囲にわたつてより均一な磁場を作る必要があ
る。
このような、時代の要請に対し、現状では、各
メーカーとも、独自の方法を採用しているが、基
本的には、「高密度磁気記録技術集成」(対馬立郎
監修:総合技術センター発行)図1,2(167、
197)にもあるように、磁区を揃えたい方向の向
きに、磁場コイル、若しくは、永久磁石などによ
り磁場を発生させ印加させる方法が採用されてい
る。ここでの例は、いずれも、生成される空間磁
場の密度分布、配向性は、磁場生成源であるコイ
ル若しくは、磁石の構造、配置により決定され
る。
メーカーとも、独自の方法を採用しているが、基
本的には、「高密度磁気記録技術集成」(対馬立郎
監修:総合技術センター発行)図1,2(167、
197)にもあるように、磁区を揃えたい方向の向
きに、磁場コイル、若しくは、永久磁石などによ
り磁場を発生させ印加させる方法が採用されてい
る。ここでの例は、いずれも、生成される空間磁
場の密度分布、配向性は、磁場生成源であるコイ
ル若しくは、磁石の構造、配置により決定され
る。
第5図は従来のスパツタ装置の一例を示す側断
面図である。同図において、真空容器1があり、
この側面にはコイル9が配置されている。前記真
空容器1内にはその上方から基板ヒータ8、基板
5、シヤツタ4、およびターゲツト3が配設され
ている。前記ターゲツト3はカソード電極2に支
持され、その周囲には排気口11が備えられてい
る。
面図である。同図において、真空容器1があり、
この側面にはコイル9が配置されている。前記真
空容器1内にはその上方から基板ヒータ8、基板
5、シヤツタ4、およびターゲツト3が配設され
ている。前記ターゲツト3はカソード電極2に支
持され、その周囲には排気口11が備えられてい
る。
また前記基板5は基板ホルダ6により支持され
その周囲には磁極板7が配置されている。
その周囲には磁極板7が配置されている。
この磁極板7によつて、前記基板5面での空間
磁場の向きと、密度を均一にしようとした、例も
ある。これでも、磁場の構造、配置により決定さ
れるが、いずれの場合でも、基板面全体にわたつ
て、磁場の方向性、強度を均一にすることは難し
い。
磁場の向きと、密度を均一にしようとした、例も
ある。これでも、磁場の構造、配置により決定さ
れるが、いずれの場合でも、基板面全体にわたつ
て、磁場の方向性、強度を均一にすることは難し
い。
以上のように、成膜される基板面に均一な磁場
を作ることが、磁性膜を製造する上でのネツクの
1つになつている。
を作ることが、磁性膜を製造する上でのネツクの
1つになつている。
本発明の目的は、基板面と平行に均一磁場を生
成させることにより、磁性体材をスパツタさせる
際に組成となる磁性材の磁区の向きを均一にさせ
ながら成膜させ、所要の膜の磁気特性が得られる
ようにした、スパツタ装置を提供することにあ
る。
成させることにより、磁性体材をスパツタさせる
際に組成となる磁性材の磁区の向きを均一にさせ
ながら成膜させ、所要の膜の磁気特性が得られる
ようにした、スパツタ装置を提供することにあ
る。
本発明は、ターゲツトとは反対側の基板面と平
行な近接面に磁性板を置き、この磁性板を飽和さ
せた時に生ずる漏洩磁束が、この磁性板近傍では
磁性板の形状と磁束密度に関係することにより、
基板面での平行均一磁界を、この磁性板にて得よ
うとしたものである。すなわち、少なくとも一対
の磁場発生源と、この磁場発生源内に配置される
基板と、この基板に対向して配置されるターゲツ
トとを備えるスパツタ装置において、前記基板の
前記ターゲツトに対する背後にて前記基板に接触
あるいは近接して磁性薄板を配置させたものであ
る。
行な近接面に磁性板を置き、この磁性板を飽和さ
せた時に生ずる漏洩磁束が、この磁性板近傍では
磁性板の形状と磁束密度に関係することにより、
基板面での平行均一磁界を、この磁性板にて得よ
うとしたものである。すなわち、少なくとも一対
の磁場発生源と、この磁場発生源内に配置される
基板と、この基板に対向して配置されるターゲツ
トとを備えるスパツタ装置において、前記基板の
前記ターゲツトに対する背後にて前記基板に接触
あるいは近接して磁性薄板を配置させたものであ
る。
以下、本発明の一実施例を第1図を用いて説明
する。
する。
まず第1図aに、磁性材に1例として、パーマ
ロイ膜の磁化容易軸のB−Hカーブを示す。又、
同図bに、磁化困難軸のB−Hカーブを示す。磁
気回路上、磁束を、この磁化困難軸方向に流す
と、磁化反転に伴うヒステリシス損が少ない構成
とすることができる。この磁化容易軸と、磁化困
難軸の分離、すなわち、磁化の向きの方向性を付
けることは、成膜時に平行磁場を印加しておくこ
とで得られ、容易軸が磁場印加方向、困難軸がそ
の直角方向に向いて得られる。磁気特性上、この
磁化軸の向きを合わせておくことは、不可欠であ
り、通常、外部磁場を印加する必要がある。
ロイ膜の磁化容易軸のB−Hカーブを示す。又、
同図bに、磁化困難軸のB−Hカーブを示す。磁
気回路上、磁束を、この磁化困難軸方向に流す
と、磁化反転に伴うヒステリシス損が少ない構成
とすることができる。この磁化容易軸と、磁化困
難軸の分離、すなわち、磁化の向きの方向性を付
けることは、成膜時に平行磁場を印加しておくこ
とで得られ、容易軸が磁場印加方向、困難軸がそ
の直角方向に向いて得られる。磁気特性上、この
磁化軸の向きを合わせておくことは、不可欠であ
り、通常、外部磁場を印加する必要がある。
外部磁場は、第3図aの様に、2つのコイルに
同方向に電流を流すと、同図のような形にコイル
通電電流による空間磁場が誘起される。
同方向に電流を流すと、同図のような形にコイル
通電電流による空間磁場が誘起される。
しかし、この空間磁場は、中心のごく一部を徐
いて、一均平行磁場とはならない。
いて、一均平行磁場とはならない。
次に、この磁場中に、厚い磁性材を、同図bの
様に挿入すると、コイル間の空間磁束は、殆んど
この磁性材の内部を流れ、磁性材からの漏洩磁束
も殆んどなくなる。従つて、磁性材付近の空間磁
場は、殆んど無に等しくなる。
様に挿入すると、コイル間の空間磁束は、殆んど
この磁性材の内部を流れ、磁性材からの漏洩磁束
も殆んどなくなる。従つて、磁性材付近の空間磁
場は、殆んど無に等しくなる。
次に、同図cの様に、薄い磁性板を厚い磁性板
のかわりに挿入すると、コイル間の空間磁束はこ
の磁性材内部を流れようとするが、内部の磁束密
度が飽和してしまうため、漏洩磁束となつて、磁
性板周辺空間に空間磁場を生成する。このとき、
この磁場は磁性板に近い空間では、磁性板面に平
行で均一なものが得られる。
のかわりに挿入すると、コイル間の空間磁束はこ
の磁性材内部を流れようとするが、内部の磁束密
度が飽和してしまうため、漏洩磁束となつて、磁
性板周辺空間に空間磁場を生成する。このとき、
この磁場は磁性板に近い空間では、磁性板面に平
行で均一なものが得られる。
このように、磁性体平板からは漏洩磁束による
空間磁場を、第1図に示す実施例で利用している
ものである。
空間磁場を、第1図に示す実施例で利用している
ものである。
この図において、真空容器1内に、スパツタ用
カソード電極2と、スパツタ用ターゲツト3、及
び、基板ホルダー6に搭載された基板5が配置さ
れている。真空容器1内には排気口11より、図
示しない排気装置により真空排気された後、給気
口16より所望のガスを制御しながら供給し、真
空容器1内を一定のガス圧に保つようになつてい
る。基板ホルダー6は、図示しない搬送機構によ
り、ターゲツト電極3の真上に設置される。この
基板ホルダー6と、ターゲツト電極3の間には、
基板へのスパツタ量を制御もしくは遮へいするた
めのシヤツタ板4が配置されている。一方、基板
ホルダー6の背後には、基板を所望の温度迄加熱
するための、基板ヒーター8が配置されている。
カソード電極2と、スパツタ用ターゲツト3、及
び、基板ホルダー6に搭載された基板5が配置さ
れている。真空容器1内には排気口11より、図
示しない排気装置により真空排気された後、給気
口16より所望のガスを制御しながら供給し、真
空容器1内を一定のガス圧に保つようになつてい
る。基板ホルダー6は、図示しない搬送機構によ
り、ターゲツト電極3の真上に設置される。この
基板ホルダー6と、ターゲツト電極3の間には、
基板へのスパツタ量を制御もしくは遮へいするた
めのシヤツタ板4が配置されている。一方、基板
ホルダー6の背後には、基板を所望の温度迄加熱
するための、基板ヒーター8が配置されている。
この装置の基板面と同一平面上に外部磁場を印
加するための磁場発生用空心コイル9が、基板の
両側に対向配置されている。左右のコイルに同一
方向の電流、たとえば、左右上側のコイル断面を
流れる電流の向き、紙面表面より裏面へ流れるよ
うに選んでいる。こうすることにより、誘起され
る磁場は、基板面上では、紙面上、右より左側へ
磁束が向くようになる。このとき、基板面での磁
場の均一性を向上させるための磁極板7が、基板
面と平行に、且つ基板ホルダー両側で基板ホルダ
ーと接続固定、若しくは、基板ホルダーの一部を
構成する様に配置されている。
加するための磁場発生用空心コイル9が、基板の
両側に対向配置されている。左右のコイルに同一
方向の電流、たとえば、左右上側のコイル断面を
流れる電流の向き、紙面表面より裏面へ流れるよ
うに選んでいる。こうすることにより、誘起され
る磁場は、基板面上では、紙面上、右より左側へ
磁束が向くようになる。このとき、基板面での磁
場の均一性を向上させるための磁極板7が、基板
面と平行に、且つ基板ホルダー両側で基板ホルダ
ーと接続固定、若しくは、基板ホルダーの一部を
構成する様に配置されている。
本実施例の特徴は、この両側の磁極板7間を磁
気的に接続する薄い磁性材からなるヨーク板12
を基板と平行に設けたことにある。
気的に接続する薄い磁性材からなるヨーク板12
を基板と平行に設けたことにある。
このヨーク板12と磁極板7との接続は、わず
かな空隙を介していても構わないことはもちろん
である。
かな空隙を介していても構わないことはもちろん
である。
磁場発生コイル9により生成された磁束は、磁
極板7に集められ、磁極板7内を通りヨーク板1
2に流れ込む。このとき、ヨーク板12の厚さを
十分薄くしておくと、磁束にヨーク板12内部で
飽和し、第3図cのように、漏洩磁束による磁場
が、ヨーク板と平行に生成される。このようにし
て、生成された、磁場は、磁極板7のみでヨーク
板12のない場合に比べて、より均一平行磁場と
なるため、このヨーク板に近接した基板面での磁
場も、均一平行となる。
極板7に集められ、磁極板7内を通りヨーク板1
2に流れ込む。このとき、ヨーク板12の厚さを
十分薄くしておくと、磁束にヨーク板12内部で
飽和し、第3図cのように、漏洩磁束による磁場
が、ヨーク板と平行に生成される。このようにし
て、生成された、磁場は、磁極板7のみでヨーク
板12のない場合に比べて、より均一平行磁場と
なるため、このヨーク板に近接した基板面での磁
場も、均一平行となる。
このような関係を示した図を第6図および第7
図に示す。同図は磁場発生コイルの周辺の磁場分
布を、磁場発生コイルの強さ(約10000アンペア
ターン)、位置、に基づいてコンピユータ演算に
よつて得られたもので、第6図は従来の場合でヨ
ーク板がない場合、第7図は本実施例の場合で、
0.1mm〜1.0mmのヨーク板を配した場合について示
している。第7図から明らかなように、中央に位
置づけられているヨーク板の周辺において、従来
の場合に山型の磁場分布を有するのに対し、ほぼ
平行の磁場分布を有しているのが判明する。ま
た、第8図は本実施例において、ヨーク板におけ
る磁場の強さを従来と比較して示したグラフであ
る。同図において、Aの特性は本実施例をBの特
性は従来の場合を示している。このことから、本
発明における前記ヨーク板の周辺は、その中心部
に対して大きな差を有しておらず、したがつて均
一な磁場が印加されていることが判る。
図に示す。同図は磁場発生コイルの周辺の磁場分
布を、磁場発生コイルの強さ(約10000アンペア
ターン)、位置、に基づいてコンピユータ演算に
よつて得られたもので、第6図は従来の場合でヨ
ーク板がない場合、第7図は本実施例の場合で、
0.1mm〜1.0mmのヨーク板を配した場合について示
している。第7図から明らかなように、中央に位
置づけられているヨーク板の周辺において、従来
の場合に山型の磁場分布を有するのに対し、ほぼ
平行の磁場分布を有しているのが判明する。ま
た、第8図は本実施例において、ヨーク板におけ
る磁場の強さを従来と比較して示したグラフであ
る。同図において、Aの特性は本実施例をBの特
性は従来の場合を示している。このことから、本
発明における前記ヨーク板の周辺は、その中心部
に対して大きな差を有しておらず、したがつて均
一な磁場が印加されていることが判る。
従つて、このような磁場中の基板に磁性材をス
パツタさせることにより、前述のような、磁区の
向きを揃えた成膜が可能となる。
パツタさせることにより、前述のような、磁区の
向きを揃えた成膜が可能となる。
本実施例では、基板面に磁場を印加する方法と
して、空心コイルを対向配置させる方法とした
が、この他に、電磁コイルの磁極ギヤツプ間に磁
場を発生させ、この中に、磁極板7、基板ホルダ
ー6を配置する方法、永久磁石を対向配置させる
方法等でも構わないことはいうまでもない。
して、空心コイルを対向配置させる方法とした
が、この他に、電磁コイルの磁極ギヤツプ間に磁
場を発生させ、この中に、磁極板7、基板ホルダ
ー6を配置する方法、永久磁石を対向配置させる
方法等でも構わないことはいうまでもない。
一方、基板ホルダーに取付ける基板も、大口径
のものでも、多枚数取付けたものでも構わない。
のものでも、多枚数取付けたものでも構わない。
又、磁性体をスパツタさせるスパツタ源も、直
流タイプ、高周波タイプ、マグネトロンタイプの
いずれでも構わないことはもちろんである。
流タイプ、高周波タイプ、マグネトロンタイプの
いずれでも構わないことはもちろんである。
第4図は本発明によるスパツタ装置の他の実施
例を示す構成図である。同図において、基板面の
背後に、基板を加熱するためのヒーターが取付け
られているが、このヒーターからの熱輻射を均一
にするために、均一板14が設けられている。こ
の均一板の表面に、薄い磁性材からなるヨーク板
13を取り付けることが、本実施例の特徴とな
る。前記実施例と同様、磁極板7よりの磁束がヨ
ーク板13内で飽和し、ヨーク板13近辺に、均
一平行磁場が生成される。更には、基板ヒーター
8が上下に昇降機能を備え、基板面に、ヨーク板
13が密着するように操作すると、基板面上での
磁場分布が、更に改善可能となる。
例を示す構成図である。同図において、基板面の
背後に、基板を加熱するためのヒーターが取付け
られているが、このヒーターからの熱輻射を均一
にするために、均一板14が設けられている。こ
の均一板の表面に、薄い磁性材からなるヨーク板
13を取り付けることが、本実施例の特徴とな
る。前記実施例と同様、磁極板7よりの磁束がヨ
ーク板13内で飽和し、ヨーク板13近辺に、均
一平行磁場が生成される。更には、基板ヒーター
8が上下に昇降機能を備え、基板面に、ヨーク板
13が密着するように操作すると、基板面上での
磁場分布が、更に改善可能となる。
本発明によれば、磁性体材をスパツタする際
の、基板面での外部印加磁場を、均一平行にする
ことができるので、磁区の方向性をより均一に揃
えた磁性材の成膜に効果がある。
の、基板面での外部印加磁場を、均一平行にする
ことができるので、磁区の方向性をより均一に揃
えた磁性材の成膜に効果がある。
第1図は本発明によるスパツタ装置に一実施例
を示す側断面図、第2図a,bおよび第3図aな
いしcは本発明の効果を示す原理図、第4図は本
発明によるスパツタ装置の他の実施例を示す側断
面図、第5図は従来のスパツタ装置の一例を示す
側断面図、第6図は、従来の磁場分布を示すグラ
フ、第7図は本発明の実施例による磁場分布を示
すグラフ、第8図は本発明の実施例によるヨーク
板の磁場の強さを、ヨーク板のない従来の場合と
比較したグラフである。 1……真空容器、2……カソード電極、3……
ターゲツト、4……シヤツタ、5……基板、6…
…基板ホルダ、7……磁極板、8……基板ヒータ
ー、9……コイル、10……絶縁物、11……排
気口、12……ヨーク板、13……ヨーク板、1
4……均一板、15……シールド板、16……ガ
ス給気口。
を示す側断面図、第2図a,bおよび第3図aな
いしcは本発明の効果を示す原理図、第4図は本
発明によるスパツタ装置の他の実施例を示す側断
面図、第5図は従来のスパツタ装置の一例を示す
側断面図、第6図は、従来の磁場分布を示すグラ
フ、第7図は本発明の実施例による磁場分布を示
すグラフ、第8図は本発明の実施例によるヨーク
板の磁場の強さを、ヨーク板のない従来の場合と
比較したグラフである。 1……真空容器、2……カソード電極、3……
ターゲツト、4……シヤツタ、5……基板、6…
…基板ホルダ、7……磁極板、8……基板ヒータ
ー、9……コイル、10……絶縁物、11……排
気口、12……ヨーク板、13……ヨーク板、1
4……均一板、15……シールド板、16……ガ
ス給気口。
Claims (1)
- 1 少なくとも一対の磁場発生源と、この磁場発
生源内に配置される基板と、この基板に対向して
配置されるターゲツトとを備えるスパツタ装置に
おいて、前記基板の前記ターゲツトに対する背後
にて前記基板に接触あるいは近接して磁性薄板を
配置させ、前記磁性薄板は前記磁場発生源からの
磁束を通過させるとともに、その周辺に漏洩磁束
が形成される程度の薄板からなつていることを特
徴とするスパツタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212976A JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
| US06/911,421 US4673482A (en) | 1985-09-26 | 1986-09-25 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212976A JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274073A JPS6274073A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0133548B2 true JPH0133548B2 (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=16631411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212976A Granted JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4673482A (ja) |
| JP (1) | JPS6274073A (ja) |
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-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212976A patent/JPS6274073A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-25 US US06/911,421 patent/US4673482A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6274073A (ja) | 1987-04-04 |
| US4673482A (en) | 1987-06-16 |
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