JPS6274073A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6274073A JPS6274073A JP60212976A JP21297685A JPS6274073A JP S6274073 A JPS6274073 A JP S6274073A JP 60212976 A JP60212976 A JP 60212976A JP 21297685 A JP21297685 A JP 21297685A JP S6274073 A JPS6274073 A JP S6274073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic field
- substrate
- plate
- sputtering
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/351—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using a magnetic field in close vicinity to the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタ装置に係り、特に、磁性体材をスパッ
タする際の、基板部の均一磁場を生成するのに好適なス
パッタ室の構造に関する。
タする際の、基板部の均一磁場を生成するのに好適なス
パッタ室の構造に関する。
スパッタ装置は、種々の材料の薄膜化手段の１つとして
、各方面でニーズが高まっている。その方式も、成膜素
材からなるターゲット電極と、成膜すべき母材である基
板を対向させた２極スパツタ法から、磁場によってプラ
ズマを閉じ込め、成膜対重を飛躍的に向上させたマグネ
トロンスパッタ法まで、多数の方式が提案されている。
、各方面でニーズが高まっている。その方式も、成膜素
材からなるターゲット電極と、成膜すべき母材である基
板を対向させた２極スパツタ法から、磁場によってプラ
ズマを閉じ込め、成膜対重を飛躍的に向上させたマグネ
トロンスパッタ法まで、多数の方式が提案されている。
一方、形成する膜についても、金属膜から絶縁物質まで
多数あり、ここでは、金属膜のうちでも磁性材の膜につ
いて考えている。
多数あり、ここでは、金属膜のうちでも磁性材の膜につ
いて考えている。
磁性材の膜をスパッタで成膜する際には、磁気特性を得
るために、成膜時に平行磁場を印加して磁区を一定方向
に配向させながらスパッタさせる必要がある。これは１
組成原子前列に基づくものであるため、形成した膜の結
晶構造が広い範囲にわたって均一に配列している方が望
ましい。このためには、スパッタされる基板面と平行に
印加する磁場は、できるだけ、広範囲にわたって均一で
なければならない。しかしながら、この磁場は、強すぎ
ても、弱すぎても影響を受け、なかなか、基板面全体に
わたって、成膜された磁性膜の磁区の向きを揃えること
は難かしいのが現状である。
るために、成膜時に平行磁場を印加して磁区を一定方向
に配向させながらスパッタさせる必要がある。これは１
組成原子前列に基づくものであるため、形成した膜の結
晶構造が広い範囲にわたって均一に配列している方が望
ましい。このためには、スパッタされる基板面と平行に
印加する磁場は、できるだけ、広範囲にわたって均一で
なければならない。しかしながら、この磁場は、強すぎ
ても、弱すぎても影響を受け、なかなか、基板面全体に
わたって、成膜された磁性膜の磁区の向きを揃えること
は難かしいのが現状である。
更には、本成膜工程の生産量向上のため、より大きなサ
イズの基板、若しくは、多枚数の処理が要求されてくる
昨今の状況をみるに、より一層、広範囲にわたってより
均一な磁場を作る必要がある。
イズの基板、若しくは、多枚数の処理が要求されてくる
昨今の状況をみるに、より一層、広範囲にわたってより
均一な磁場を作る必要がある。
このような１時代の要請に対し、現状では、各メーカー
とも、独自の方法を採用しているが、基本的には、「高
密度磁気記録技術集成」 （対馬立部 監修：総合技術
センター発行）図１．２ （１６７゜１９７）にもある
ように、磁区を揃えたい方向の向きに、磁場コイル、若
しくは、永久磁石などにより磁場を発生させ印加させる
方法が採用されている。
とも、独自の方法を採用しているが、基本的には、「高
密度磁気記録技術集成」 （対馬立部 監修：総合技術
センター発行）図１．２ （１６７゜１９７）にもある
ように、磁区を揃えたい方向の向きに、磁場コイル、若
しくは、永久磁石などにより磁場を発生させ印加させる
方法が採用されている。
ここでの例は、いずれも、生成される空間磁場の密度分
布、配向性は、磁場生成源であるコイル若しくは、磁石
の構造、配置により決定される。
布、配向性は、磁場生成源であるコイル若しくは、磁石
の構造、配置により決定される。
第５図は従来のスパッタ装置の一例を示す側断面図であ
る。同図において、真空容器１があり、この側面にはコ
イル９が配置されている。前記真空容器１内にはその上
方から基板ヒータ８、基板５、シャッタ４、およびター
ゲット３が配設されている。前記ターゲット３はカソー
ド１を極２に支持され、その周囲には排気口１１が備え
られている。
る。同図において、真空容器１があり、この側面にはコ
イル９が配置されている。前記真空容器１内にはその上
方から基板ヒータ８、基板５、シャッタ４、およびター
ゲット３が配設されている。前記ターゲット３はカソー
ド１を極２に支持され、その周囲には排気口１１が備え
られている。
また前記基板５は基板ホルダ６により支持されその周囲
には磁極板７が配置されている。
には磁極板７が配置されている。
この磁極板７によって、前記基板５面での空間磁場の向
きと。密度を均一にしようとした１例もある。これでも
、磁場の構造、配置により決定されるが、いずれの場合
でも、基板面全体にわたって、磁場の方向性、強度を均
一にすることは難しい。
きと。密度を均一にしようとした１例もある。これでも
、磁場の構造、配置により決定されるが、いずれの場合
でも、基板面全体にわたって、磁場の方向性、強度を均
一にすることは難しい。
以上のように、成膜される基板面に均一な磁場を作るこ
とが、磁性膜を製造する上でのネックの１つになってい
る。
とが、磁性膜を製造する上でのネックの１つになってい
る。
本発明の目的は、基板面と平行に均一磁場を生成させる
ことにより、磁性体材をスパッタさせる際に組成となる
磁性材Φ磁区の向きを均一にさせながら成膜させ、所要
の膜の磁気特性が得られるようにした、スパッタ装置を
提供することにある。
ことにより、磁性体材をスパッタさせる際に組成となる
磁性材Φ磁区の向きを均一にさせながら成膜させ、所要
の膜の磁気特性が得られるようにした、スパッタ装置を
提供することにある。
本発明は、ターゲットとは反対側の基板面と平行な近接
面に磁性板を置き、この磁性板を飽和させた時に生ずる
漏洩磁束が、この磁性板近傍では磁性板の形状と磁束密
度に関係することより、基板面での平行均一磁界を、こ
の磁性板にて得ようとしたものである。すなわち、少な
くとも一対の磁場発生源と、この磁場発生源内に配置さ
れる基板と、この基板に対向して配置されるターゲット
とを備えるスパッタ装置において、前記基板の前記ター
ゲットに対する背後にて前記基板に接触あるいは近接し
て磁性薄板を配置させたものである。
面に磁性板を置き、この磁性板を飽和させた時に生ずる
漏洩磁束が、この磁性板近傍では磁性板の形状と磁束密
度に関係することより、基板面での平行均一磁界を、こ
の磁性板にて得ようとしたものである。すなわち、少な
くとも一対の磁場発生源と、この磁場発生源内に配置さ
れる基板と、この基板に対向して配置されるターゲット
とを備えるスパッタ装置において、前記基板の前記ター
ゲットに対する背後にて前記基板に接触あるいは近接し
て磁性薄板を配置させたものである。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
まず第１図（ａ）に、磁性材に１例として、パーマロイ
膜の磁化容易軸のＢ−Ｈカーブを示す、又、同図（ｂ）
に、磁化困難軸のＢ−Ｈカーブを示す。
膜の磁化容易軸のＢ−Ｈカーブを示す、又、同図（ｂ）
に、磁化困難軸のＢ−Ｈカーブを示す。
磁気回路上、磁束を、この磁場印加方向に流すと、磁化
反転に伴うヒステリシス損が少ない構成とすることがで
きる。この磁化容易軸と、磁化困難軸の分離、すなわち
、磁化の向きの方向性を付けることは、成膜時に平行磁
場を印加しておくことで得られ、容易軸が磁場印加方向
、困難軸がその直角方向に向いて得られる。磁気特性上
、この磁化軸の向きを合わせておくことは、不可欠であ
り、通常、外部磁場を印加する必要がある。
反転に伴うヒステリシス損が少ない構成とすることがで
きる。この磁化容易軸と、磁化困難軸の分離、すなわち
、磁化の向きの方向性を付けることは、成膜時に平行磁
場を印加しておくことで得られ、容易軸が磁場印加方向
、困難軸がその直角方向に向いて得られる。磁気特性上
、この磁化軸の向きを合わせておくことは、不可欠であ
り、通常、外部磁場を印加する必要がある。
外部磁場は、第３図（ａ）の様に、２つのコイルに同方
向に電流を流すと、同図のような形にコイル通電電流に
よる空間磁場が誘起される。
向に電流を流すと、同図のような形にコイル通電電流に
よる空間磁場が誘起される。
しかし、この空間磁場は、中心のごく一部を徐いて、均
一平行磁場とはならない。
一平行磁場とはならない。
次に、この磁場中に、厚い磁性材を、同図（ｂ）の様に
挿入すると、コイル間の空間磁束は、殆んどこの磁性材
の内部を流れ、磁性材からの漏洩磁束も殆んどんなくな
る。従って、磁性材付近の空間磁場は、殆んど無に等し
くなる。
挿入すると、コイル間の空間磁束は、殆んどこの磁性材
の内部を流れ、磁性材からの漏洩磁束も殆んどんなくな
る。従って、磁性材付近の空間磁場は、殆んど無に等し
くなる。
次に、同図（ｅ）の様に、薄い磁性板を厚い磁性板のか
わりに挿入すると、コイル間の空間磁束はこの磁性材内
部を流れようとするが、内部の磁束密度が飽和してしま
うため、漏洩磁束となって、磁性板周辺空間に空間磁場
を生成する。このとき、この磁場は磁性板に近い空間で
は、磁性板面に平行で均一なものが得られる。
わりに挿入すると、コイル間の空間磁束はこの磁性材内
部を流れようとするが、内部の磁束密度が飽和してしま
うため、漏洩磁束となって、磁性板周辺空間に空間磁場
を生成する。このとき、この磁場は磁性板に近い空間で
は、磁性板面に平行で均一なものが得られる。
このように、磁性体平板からは漏洩磁束による空間磁場
を、第１図に示す実施例で利用しているものである。
を、第１図に示す実施例で利用しているものである。
この図において、真空容器１内に、スパッタ用カソード
ｉ！！極２と、スパッタ用ターゲツト材３゜及び、基板
ホルダー６に搭載された基板５が配置されている。真空
容器１内には排気口１１より、図示しない排気装置によ
り真空排気された後、給気口１６より所望のガスを制御
しながら供給し。
ｉ！！極２と、スパッタ用ターゲツト材３゜及び、基板
ホルダー６に搭載された基板５が配置されている。真空
容器１内には排気口１１より、図示しない排気装置によ
り真空排気された後、給気口１６より所望のガスを制御
しながら供給し。
真空容器１内を一定のガス圧に保つようになっている。
基板ホルダー６は、図示しない搬送機構により、ターゲ
ット電極３の真上に設置される。この基板ホルダー６と
、ターゲット電極３の間には。
ット電極３の真上に設置される。この基板ホルダー６と
、ターゲット電極３の間には。
基板へのスパッタ量を制御もしくは遮へいするためのシ
ャツタ板４が配置されている。一方、基板ホルダー６の
背後には、基板を所望の温度迄加熱するための、基板ヒ
ーター８が配置されている。
ャツタ板４が配置されている。一方、基板ホルダー６の
背後には、基板を所望の温度迄加熱するための、基板ヒ
ーター８が配置されている。
この装置の基板面と同一平面上に外部磁場を印加するた
めの磁場発生用空心コイル９が、基板の両側に対向配置
されている。左右のコイルに同一方向の電流、たとえば
、左右上側のコイル断面を流れる電流の向きを、紙面表
面より裏面へ流れるように選んでいる。こうすることに
より、誘起される磁場は、基板面上では、紙面上、右よ
り左側へ磁束が向くようになる。このとき、基板面での
磁場の均一性を向上させるための磁極板７が、基板面と
平行に、且つ基板ホルダー両側で基板ホルダーと接続固
定、若しくは、基板ホルダーの一部を構成する様に配置
されている。
めの磁場発生用空心コイル９が、基板の両側に対向配置
されている。左右のコイルに同一方向の電流、たとえば
、左右上側のコイル断面を流れる電流の向きを、紙面表
面より裏面へ流れるように選んでいる。こうすることに
より、誘起される磁場は、基板面上では、紙面上、右よ
り左側へ磁束が向くようになる。このとき、基板面での
磁場の均一性を向上させるための磁極板７が、基板面と
平行に、且つ基板ホルダー両側で基板ホルダーと接続固
定、若しくは、基板ホルダーの一部を構成する様に配置
されている。
本実施例の特徴は、この両側の磁極板７間を磁気的に接
続する薄い磁性材からなるヨーク板１２を基板と平行に
設けたことにある。
続する薄い磁性材からなるヨーク板１２を基板と平行に
設けたことにある。
このヨーク板１２と磁極板７との接続は、わずかな空隙
を介していても構わないことはもちろんである。
を介していても構わないことはもちろんである。
磁場発生コイル９により生成された磁束は、磁極板７に
集められ、磁極板７内を通りヨーク板１２に流れ込む、
このとき、ヨーク板１２の厚さを十分薄くしておくと、
磁束はヨーク板１２内部で飽和し、第３図（ｃ）のよう
に、漏洩磁束による磁場が、ヨーク板と平行に生成され
る。このようにして、生成された、磁場は、磁極板７の
みでヨーク板１２のない場合に比べて、より均一平行磁
場となるため、このヨーク板に近接した基板面での磁場
も、均一平行となる。
集められ、磁極板７内を通りヨーク板１２に流れ込む、
このとき、ヨーク板１２の厚さを十分薄くしておくと、
磁束はヨーク板１２内部で飽和し、第３図（ｃ）のよう
に、漏洩磁束による磁場が、ヨーク板と平行に生成され
る。このようにして、生成された、磁場は、磁極板７の
みでヨーク板１２のない場合に比べて、より均一平行磁
場となるため、このヨーク板に近接した基板面での磁場
も、均一平行となる。
従って、このような磁場中の基板に磁性材をスパッタさ
せることにより、前述のような、磁区の向きを揃えた成
膜が可能となる。
せることにより、前述のような、磁区の向きを揃えた成
膜が可能となる。
本実施例では、基板面に磁場を印加する方法として、空
心コイルを対向配置させる方法としたが。
心コイルを対向配置させる方法としたが。
この他に、電磁コイルの磁極ギャップ間に磁場を発生さ
せ、この中に、磁極板７．基板ホルダー６を配置する方
法、永久磁石を対向配置させる方法等でも構わないこと
はいうまでもない。
せ、この中に、磁極板７．基板ホルダー６を配置する方
法、永久磁石を対向配置させる方法等でも構わないこと
はいうまでもない。
一方、基板ホルダーに取付ける基板も、大口径のもので
も、多枚数取付けたものでも構わない。
も、多枚数取付けたものでも構わない。
又、磁性体をスパッタさせるスパッタ源も、直流タイプ
、高周波タイプ、マグネトロンタイプのいずれでも構わ
ないことはもちろんである。
、高周波タイプ、マグネトロンタイプのいずれでも構わ
ないことはもちろんである。
第４図は本発明によるスパッタ装置の他の実施例を示す
構成図である。同図において、基板面の背後に、基板を
加熱するためのヒーター・が取付けられているが、この
ヒーターからの熱輻射を均一にするために、均−板１４
が設けられている。この均−板の表面に、薄い磁性材か
らなるヨーク板１３を取り付けることが１本実施例の特
徴となる。
構成図である。同図において、基板面の背後に、基板を
加熱するためのヒーター・が取付けられているが、この
ヒーターからの熱輻射を均一にするために、均−板１４
が設けられている。この均−板の表面に、薄い磁性材か
らなるヨーク板１３を取り付けることが１本実施例の特
徴となる。
前記実施例と同様、磁極板７よりの磁束がヨーク板１３
内で飽和し、ヨーク板１３近辺に、均一平行磁場が生成
される。更には、基板ヒーター８が上下に昇降機能を備
え、基板面に、ヨーク板１３が密着するように操作する
と、基板面上での磁場分布が、更に改善可能となる。
内で飽和し、ヨーク板１３近辺に、均一平行磁場が生成
される。更には、基板ヒーター８が上下に昇降機能を備
え、基板面に、ヨーク板１３が密着するように操作する
と、基板面上での磁場分布が、更に改善可能となる。
本発明によれば、磁性体材をスパッタする際の、基板面
での外部印加磁場を、均一平行にすることができるので
、磁区の方向性をより均一に揃えた磁性材の成膜に効果
がある。
での外部印加磁場を、均一平行にすることができるので
、磁区の方向性をより均一に揃えた磁性材の成膜に効果
がある。
第１図は本発明によるスパッタ装置に一実施例を示す側
断面図、第２図（ａ）、（ｂ）および第３図（８）ない
しくｃ）は本発明の効果を示す原理図、イ４図は本発明
によるスパッタ装置の他の実施例を示す側断面図、第５
図は従来のスパッタ装置の一例を示す側断面図である。 １・・・真空容器、２・・・カソード電極、３・・・タ
ーゲット、４・・・シャッタ、５・・・基板、６・・・
基板ホルダ。 ７・・・磁極板、８・・・基板ヒーター、９・・・コイ
ル、１０・・・絶縁物、１１・・・排気口、１２・・・
ヨーク板。 １３・・・ヨーク板、１４・・・均−板、１５・・・シ
ールド板、１６・・・ガス給気口。
断面図、第２図（ａ）、（ｂ）および第３図（８）ない
しくｃ）は本発明の効果を示す原理図、イ４図は本発明
によるスパッタ装置の他の実施例を示す側断面図、第５
図は従来のスパッタ装置の一例を示す側断面図である。 １・・・真空容器、２・・・カソード電極、３・・・タ
ーゲット、４・・・シャッタ、５・・・基板、６・・・
基板ホルダ。 ７・・・磁極板、８・・・基板ヒーター、９・・・コイ
ル、１０・・・絶縁物、１１・・・排気口、１２・・・
ヨーク板。 １３・・・ヨーク板、１４・・・均−板、１５・・・シ
ールド板、１６・・・ガス給気口。
Claims (1)
- １、少なくとも一対の磁場発生源と、この磁場発生源内
に配置される基板と、この基板に対向して配置されるタ
ーゲットとを備えるスパッタ装置において、前記基板の
前記ターゲットに対する背後にて前記基板に接触あるい
は近接して磁性薄板を配置させたことを特徴とするスパ
ッタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212976A JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
| US06/911,421 US4673482A (en) | 1985-09-26 | 1986-09-25 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212976A JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6274073A true JPS6274073A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0133548B2 JPH0133548B2 (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=16631411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212976A Granted JPS6274073A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | スパツタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4673482A (ja) |
| JP (1) | JPS6274073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235453A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置、及びシートプラズマ調整方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4842707A (en) * | 1986-06-23 | 1989-06-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dry process apparatus |
| US5215619A (en) * | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| JPH0649937B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1994-06-29 | 株式会社日立製作所 | 磁性膜形成装置 |
| JPH0689446B2 (ja) * | 1988-12-19 | 1994-11-09 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成装置 |
| JPH04501102A (ja) * | 1989-04-10 | 1992-02-27 | インターユニバーシテア・マイクロ―エレクトロニカ・セントラム・ヴェ・ゼット・ベ | 超電導物質層を作用させる作用方法及びその装置 |
| US5026470A (en) * | 1989-12-19 | 1991-06-25 | International Business Machines | Sputtering apparatus |
| US5630916A (en) * | 1993-03-02 | 1997-05-20 | Cvc Products, Inc. | Magnetic orienting device for thin film deposition and method of use |
| GB2318590B (en) * | 1995-07-10 | 1999-04-14 | Cvc Products Inc | Magnetron cathode apparatus and method for sputtering |
| US6039848A (en) * | 1995-07-10 | 2000-03-21 | Cvc Products, Inc. | Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition. |
| JPH11509273A (ja) * | 1995-07-10 | 1999-08-17 | シーヴィシー、プラダクツ、インク | 永久磁石配列装置とその方法 |
| US6221217B1 (en) | 1995-07-10 | 2001-04-24 | Cvc, Inc. | Physical vapor deposition system having reduced thickness backing plate |
| US6249200B1 (en) * | 1998-04-10 | 2001-06-19 | Dexter Magnetic Technologies, Inc. | Combination of magnets for generating a uniform external magnetic field |
| US6106682A (en) * | 1998-05-22 | 2000-08-22 | Cvc Products, Inc. | Thin-film processing electromagnet for low-skew magnetic orientation |
| US6042707A (en) * | 1998-05-22 | 2000-03-28 | Cvc Products, Inc. | Multiple-coil electromagnet for magnetically orienting thin films |
| US6545580B2 (en) | 1998-09-09 | 2003-04-08 | Veeco Instruments, Inc. | Electromagnetic field generator and method of operation |
| US6579421B1 (en) | 1999-01-07 | 2003-06-17 | Applied Materials, Inc. | Transverse magnetic field for ionized sputter deposition |
| US10047430B2 (en) | 1999-10-08 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US8696875B2 (en) * | 1999-10-08 | 2014-04-15 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| US6373364B1 (en) | 2000-02-03 | 2002-04-16 | Cvc Products, Inc. | Electromagnet for thin-film processing with winding pattern for reducing skew |
| US7504006B2 (en) * | 2002-08-01 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering |
| CN110643958A (zh) * | 2019-10-21 | 2020-01-03 | 吴浪生 | 一种利用溅镀实现晶圆的物理镀膜设备 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4461688A (en) * | 1980-06-23 | 1984-07-24 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device having a plurality of magnetic field sources including improved plasma trapping device and method |
| US4434038A (en) * | 1980-09-15 | 1984-02-28 | Vac-Tec Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source |
| US4361472A (en) * | 1980-09-15 | 1982-11-30 | Vac-Tec Systems, Inc. | Sputtering method and apparatus utilizing improved ion source |
| CH648690A5 (de) * | 1980-10-14 | 1985-03-29 | Balzers Hochvakuum | Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage. |
| CH649578A5 (de) * | 1981-03-27 | 1985-05-31 | Ulvac Corp | Hochgeschwindigkeits-kathoden-zerstaeubungsvorrichtung. |
| US4422896A (en) * | 1982-01-26 | 1983-12-27 | Materials Research Corporation | Magnetically enhanced plasma process and apparatus |
| EP0144838B1 (de) * | 1983-12-05 | 1989-10-11 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetronkatode zum Zerstäuben ferromagnetischer Targets |
| US4606802A (en) * | 1983-12-21 | 1986-08-19 | Hitachi, Ltd. | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212976A patent/JPS6274073A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-25 US US06/911,421 patent/US4673482A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235453A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Shinmaywa Industries Ltd | シートプラズマ成膜装置、及びシートプラズマ調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0133548B2 (ja) | 1989-07-13 |
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