JPH0134277Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0134277Y2 JPH0134277Y2 JP4703582U JP4703582U JPH0134277Y2 JP H0134277 Y2 JPH0134277 Y2 JP H0134277Y2 JP 4703582 U JP4703582 U JP 4703582U JP 4703582 U JP4703582 U JP 4703582U JP H0134277 Y2 JPH0134277 Y2 JP H0134277Y2
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- Japan
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- anode
- sample
- ray
- rays
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- Expired
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
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- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はＸ線光電子分光分析装置におけるＸ線
源装置に関する。
源装置に関する。
Ｘ線光電子分光分析は試料の表面分析法の一つ
であるが、試料面を電子線で照射して試料から放
射される２次電子とかＸ線を検出する方法が試料
面の極めて浅い部分の分析を行うものであるのに
対し、数百オングストローム程度の深さまでの分
析ができる所に特徴があり、しかも試料面から深
さ方向に分析を行うのに試料面をイオン衝撃等の
手段で削除しながら表面分析を行つて行く方法と
異り、完全に非破壊的な分析法である所にもう一
つの特徴がある。
であるが、試料面を電子線で照射して試料から放
射される２次電子とかＸ線を検出する方法が試料
面の極めて浅い部分の分析を行うものであるのに
対し、数百オングストローム程度の深さまでの分
析ができる所に特徴があり、しかも試料面から深
さ方向に分析を行うのに試料面をイオン衝撃等の
手段で削除しながら表面分析を行つて行く方法と
異り、完全に非破壊的な分析法である所にもう一
つの特徴がある。
Ｘ線光電子分光分析で分析できる深さは使用す
るＸ線（種々な元素の特性Ｘ線を使う）のエネル
ギーが高い程大となるが、反面特性Ｘ線のスペク
トル幅は一般に高エネルギーのもの程大であり、
それに応じてＸ線光電子のスペクトルのピーク幅
を広くなる。即ち試料を励起するＸ線のエネルギ
ーが大である程Ｘ線光電子分光の分解能が低くな
る。従つて試料励起用Ｘ線のエネルギーは分析し
ようとする深さに応じてその深さまで分析できる
範囲で最低エネルギーの特性Ｘ線を選択するのが
望ましい。このため従来のＸ線光電子分光分析で
は分析目的に応じてＸ線源を取換えるようにして
いた。しかしＸ線光電子分光分析装置でＸ線源を
取換えると云うのは大変面倒であり、一つの試料
を表面の浅い所から深い所まで可及的に高分解能
で分析するために、一つの試料に対してＸ線源を
順次交換して分析を行うと云つた方法は操作とし
て甚だしく面倒な上非常に長時間を要することに
なつて、特別な場合以外には実行は困難である。
るＸ線（種々な元素の特性Ｘ線を使う）のエネル
ギーが高い程大となるが、反面特性Ｘ線のスペク
トル幅は一般に高エネルギーのもの程大であり、
それに応じてＸ線光電子のスペクトルのピーク幅
を広くなる。即ち試料を励起するＸ線のエネルギ
ーが大である程Ｘ線光電子分光の分解能が低くな
る。従つて試料励起用Ｘ線のエネルギーは分析し
ようとする深さに応じてその深さまで分析できる
範囲で最低エネルギーの特性Ｘ線を選択するのが
望ましい。このため従来のＸ線光電子分光分析で
は分析目的に応じてＸ線源を取換えるようにして
いた。しかしＸ線光電子分光分析装置でＸ線源を
取換えると云うのは大変面倒であり、一つの試料
を表面の浅い所から深い所まで可及的に高分解能
で分析するために、一つの試料に対してＸ線源を
順次交換して分析を行うと云つた方法は操作とし
て甚だしく面倒な上非常に長時間を要することに
なつて、特別な場合以外には実行は困難である。
本考案は上述したような状況に鑑み、Ｘ線光電
子分光分析装置で、単に電気的な切換え操作だけ
で複数種のＸ線源の任意の一つを選択して分析を
行い得るようにすることを目的としてなされたも
ので、試料を取巻いて複数種のＸ線源を配列し、
アノードの形状を試料のＸ線照射に最適な形状と
したＸ線源装置を提供するものである。以下実施
例によつて本考案を説明する。
子分光分析装置で、単に電気的な切換え操作だけ
で複数種のＸ線源の任意の一つを選択して分析を
行い得るようにすることを目的としてなされたも
ので、試料を取巻いて複数種のＸ線源を配列し、
アノードの形状を試料のＸ線照射に最適な形状と
したＸ線源装置を提供するものである。以下実施
例によつて本考案を説明する。
第１図は本考案の一実施例を示す。Ａ１，Ａ３
はアノードで第２図に示すようにアノードＡ２，
Ａ４と共に一個の円環を構成するように配列され
ている。各アノードは円環状に曲成された角形管
の冷却ブロツクＢに取付けられており、同ブロツ
クＢには冷却水が流してある。各アノードＡ１〜
Ａ４は夫々材質が異つている。Ｗはウエネルト電
極でアノードＡ１〜Ａ４の下方にあつて、アノー
ドＡ１〜Ａ４が構成している円環と平行同軸の環
状板であり、このウエネルト電極の下方にフイラ
メントＦがアノードの構成している円環と平行同
軸の環状に配置されている。Ｓは試料であつてア
ノードＡ１〜Ａ４が形成している環の中心位置稍
下寄りにセツトされる。アノードＡ１〜Ａ４の各
内側面はその中心に立てた垂線が試料Ｓの中心位
置に向うように面の傾斜が決められ、かつアノー
ドが作る円環の中心軸に対して回転対称的な形状
である。換言すれば各アノードの内側面はアノー
ドが作る円環の中心軸を軸とする凹円錐状面の一
部をなしている。フイラメントＦは第３図に示す
ように円環状であり、アノードＡ１〜Ａ４の隣同
士のアノード間の境界に対応する位置に端子Ｌ１
〜Ｌ４が熔接してある。この構成で例えば端子Ｌ
１，Ｌ２間に電源を接続すると、電流は主として
フイラメントのＦ１部分に流れてＦ１を点灯す
る。このときフイラメントＦ４，Ｆ３，Ｆ２と流
れる電流もあるが、この部分の抵抗はＦ１部分の
３倍であり、従つて電流は1/3でフイラメントを
赤熱するのに足りないからこの部分からの熱電子
放出はなされない。第４図はフイラメントＦ１〜
Ｆ４の選択切換え回路を示し、SWは２極切換え
スイツチである。
はアノードで第２図に示すようにアノードＡ２，
Ａ４と共に一個の円環を構成するように配列され
ている。各アノードは円環状に曲成された角形管
の冷却ブロツクＢに取付けられており、同ブロツ
クＢには冷却水が流してある。各アノードＡ１〜
Ａ４は夫々材質が異つている。Ｗはウエネルト電
極でアノードＡ１〜Ａ４の下方にあつて、アノー
ドＡ１〜Ａ４が構成している円環と平行同軸の環
状板であり、このウエネルト電極の下方にフイラ
メントＦがアノードの構成している円環と平行同
軸の環状に配置されている。Ｓは試料であつてア
ノードＡ１〜Ａ４が形成している環の中心位置稍
下寄りにセツトされる。アノードＡ１〜Ａ４の各
内側面はその中心に立てた垂線が試料Ｓの中心位
置に向うように面の傾斜が決められ、かつアノー
ドが作る円環の中心軸に対して回転対称的な形状
である。換言すれば各アノードの内側面はアノー
ドが作る円環の中心軸を軸とする凹円錐状面の一
部をなしている。フイラメントＦは第３図に示す
ように円環状であり、アノードＡ１〜Ａ４の隣同
士のアノード間の境界に対応する位置に端子Ｌ１
〜Ｌ４が熔接してある。この構成で例えば端子Ｌ
１，Ｌ２間に電源を接続すると、電流は主として
フイラメントのＦ１部分に流れてＦ１を点灯す
る。このときフイラメントＦ４，Ｆ３，Ｆ２と流
れる電流もあるが、この部分の抵抗はＦ１部分の
３倍であり、従つて電流は1/3でフイラメントを
赤熱するのに足りないからこの部分からの熱電子
放出はなされない。第４図はフイラメントＦ１〜
Ｆ４の選択切換え回路を示し、SWは２極切換え
スイツチである。
第１図に戻つて、試料Ｓの周囲には筒Ｐが立て
られ、この筒にはＸ線透過窓Ｖが設けられてい
る。各窓には厚さ2μ程度のアルミ箔が張つてあ
る。筒Ｐの内外共真空であるが、Ｘ線源と試料と
の間を窓Ｖで距てるのはフイラメントＦから放出
された電子の一部が試料Ｓに当つて散乱されたり
２次電子を放出させたりしてＸ線光電子検出時の
バツクグラウンドを高めるのを防ぐためである。
られ、この筒にはＸ線透過窓Ｖが設けられてい
る。各窓には厚さ2μ程度のアルミ箔が張つてあ
る。筒Ｐの内外共真空であるが、Ｘ線源と試料と
の間を窓Ｖで距てるのはフイラメントＦから放出
された電子の一部が試料Ｓに当つて散乱されたり
２次電子を放出させたりしてＸ線光電子検出時の
バツクグラウンドを高めるのを防ぐためである。
前述した所によつて例えばフイラメントＦ１に
通電すると、Ｆ１から放出された熱電子はアノー
ドＡ１に当つてＡ１からＸ線を放出させる。Ａ１
から放出されたＸ線は窓Ｖを通して試料Ｓを照射
する。アノードＡ１〜Ａ４は電気的には一体で同
時に高電圧が印加されている。フイラメントＦ１
〜Ｆ４の何れかを選択して通電することにより対
応するアノードからＸ線を発射させることができ
る。
通電すると、Ｆ１から放出された熱電子はアノー
ドＡ１に当つてＡ１からＸ線を放出させる。Ａ１
から放出されたＸ線は窓Ｖを通して試料Ｓを照射
する。アノードＡ１〜Ａ４は電気的には一体で同
時に高電圧が印加されている。フイラメントＦ１
〜Ｆ４の何れかを選択して通電することにより対
応するアノードからＸ線を発射させることができ
る。
アノードを電子線で照射したときアノードから
は連続Ｘ線と特性Ｘ線とが放射されるが、連続Ｘ
線が全ての方向に略均一か或は斜方向に稍強く放
射されるのに対して特性Ｘ線はアノード面の垂線
からの傾き角の余弦に略比例した強度で放射され
るので、アノード面の垂線方向において強い性質
がある。Ｘ線光電子分光では試料を励起するＸ線
はエネルギーが既知の一定値であることが必要な
ので、特性Ｘ線が用いられる。本考案ではアノー
ド面は試料に向う凹円錐面状となつているから特
性Ｘ線は試料上に集中する傾向を示し、Ｘ線照射
効率が高い。
は連続Ｘ線と特性Ｘ線とが放射されるが、連続Ｘ
線が全ての方向に略均一か或は斜方向に稍強く放
射されるのに対して特性Ｘ線はアノード面の垂線
からの傾き角の余弦に略比例した強度で放射され
るので、アノード面の垂線方向において強い性質
がある。Ｘ線光電子分光では試料を励起するＸ線
はエネルギーが既知の一定値であることが必要な
ので、特性Ｘ線が用いられる。本考案ではアノー
ド面は試料に向う凹円錐面状となつているから特
性Ｘ線は試料上に集中する傾向を示し、Ｘ線照射
効率が高い。
本考案Ｘ線源装置は上述したような構成で、複
数のＸ線源が試料を取巻いて円環状に配置され、
何れのＸ線源のフイラメントに通電するかでＸ線
源を選択しているので、Ｘ線源を一々取扱えるの
に比し、Ｘ線源を換えて分析を行う操作が非常に
簡単となり、アノード面が試料に向う凹円錐状面
なので、前述したように試料のＸ線照射効率が高
く高感度の分析が可能となる。
数のＸ線源が試料を取巻いて円環状に配置され、
何れのＸ線源のフイラメントに通電するかでＸ線
源を選択しているので、Ｘ線源を一々取扱えるの
に比し、Ｘ線源を換えて分析を行う操作が非常に
簡単となり、アノード面が試料に向う凹円錐状面
なので、前述したように試料のＸ線照射効率が高
く高感度の分析が可能となる。
図面は本考案の一実施例を示し、第１図は縦断
面図、第２図は平面図、第３図は底面図、第４図
はフイラメント通電切換回路の回路図である。 Ａ１〜Ａ４……アノード、Ｗ……エーネルト電
極、Ｆ，Ｆ１〜Ｆ４……フイラメント、Ｓ……試
料、Ｂ……冷却ブロツク、Ｐ……筒、Ｖ……Ｘ線
透過窓、SW……フイラメント切換え用スイツ
チ。
面図、第２図は平面図、第３図は底面図、第４図
はフイラメント通電切換回路の回路図である。 Ａ１〜Ａ４……アノード、Ｗ……エーネルト電
極、Ｆ，Ｆ１〜Ｆ４……フイラメント、Ｓ……試
料、Ｂ……冷却ブロツク、Ｐ……筒、Ｖ……Ｘ線
透過窓、SW……フイラメント切換え用スイツ
チ。
Claims (1)
- 材質の異る複数個のアノードを円環状に配置
し、これらのアノードによつて構成される円環の
内面が同円環の中心に立てた垂線を軸とする円錐
面状となるように各アノードの内面の形を凹円錐
状面の一部とし、アノードが作る上記円環と平行
な面で同円環と同軸的に環状にフイラメントを配
置し、上記各アノードに対応する部分毎にフイラ
メント加熱電流を流し得るようにし、上記アノー
ドが作る円環の中心位置に試料をセツトする場所
を設けたＸ線源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4703582U JPS58150260U (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Ｘ線源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4703582U JPS58150260U (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Ｘ線源装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150260U JPS58150260U (ja) | 1983-10-08 |
| JPH0134277Y2 true JPH0134277Y2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=30058010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4703582U Granted JPS58150260U (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | Ｘ線源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150260U (ja) |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP4703582U patent/JPS58150260U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150260U (ja) | 1983-10-08 |
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