JPH0135341B2 - - Google Patents
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- JPH0135341B2 JPH0135341B2 JP18246685A JP18246685A JPH0135341B2 JP H0135341 B2 JPH0135341 B2 JP H0135341B2 JP 18246685 A JP18246685 A JP 18246685A JP 18246685 A JP18246685 A JP 18246685A JP H0135341 B2 JPH0135341 B2 JP H0135341B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は半導体素子製造用のホトマクスやレチ
クル（以下単にマスクという）のパタン欠損欠陥
（以下白色欠陥という）をイオンビームを用いた
膜付によつて補修する装置（以下単にマスクリペ
ア装置という）に関する。
クル（以下単にマスクという）のパタン欠損欠陥
（以下白色欠陥という）をイオンビームを用いた
膜付によつて補修する装置（以下単にマスクリペ
ア装置という）に関する。
Ｂ 発明の概要
本発明はマスクの白色欠陥部に有機化合物蒸気
を吹き付け同時にイオンビームを走査しながら照
射して白色欠陥部に膜付けを行なうマスクリベア
装置において、マスクパタンの再生画像に基いて
膜付面積を計算する回路を設け、膜付面積とイオ
ンビーム電流の比がガス銃で吹き付ける有機化合
物種に応じた所定値以下の場合には走査時間中に
実際にはイオンビームが照射されない空白時間を
挿入し（以下この操作をブランキングという）全
体として走査時間を延長することにより、マスク
表面に有機化合物蒸気の分子が充分堆積するよう
にし、遮光性を持ち密着力の強固な膜付けを可能
としたものである。
を吹き付け同時にイオンビームを走査しながら照
射して白色欠陥部に膜付けを行なうマスクリベア
装置において、マスクパタンの再生画像に基いて
膜付面積を計算する回路を設け、膜付面積とイオ
ンビーム電流の比がガス銃で吹き付ける有機化合
物種に応じた所定値以下の場合には走査時間中に
実際にはイオンビームが照射されない空白時間を
挿入し（以下この操作をブランキングという）全
体として走査時間を延長することにより、マスク
表面に有機化合物蒸気の分子が充分堆積するよう
にし、遮光性を持ち密着力の強固な膜付けを可能
としたものである。
Ｃ 従来の技術
従来のマスクリペア装置の原理図を第２図に示
す。１はガス銃であつて有機化合物蒸気分子２を
基板３の上面に配設されたパタン４の白色欠陥部
５に吹き付け、有機化合物分子の吸着させる。６
はイオンビーム走査系であつてイオンビーム７を
走査しながら白色欠陥部５に照射する。その結果
有機化合物分子がポリマー化または炭化すること
により白色欠陥部の膜付けが行なわれる。このイ
オンビーム走査を繰り返し行ない、所望の遮光能
力を持つ厚さの膜を得る。イオンビームの走査範
囲８は、白色欠陥の大きさに依存する。又イオン
ビーム走査系６の構造を簡便にするため通常イオ
ンビームの電流強度は一定に保たれ、イオンビー
ム走査速度も一定に調整されている。
す。１はガス銃であつて有機化合物蒸気分子２を
基板３の上面に配設されたパタン４の白色欠陥部
５に吹き付け、有機化合物分子の吸着させる。６
はイオンビーム走査系であつてイオンビーム７を
走査しながら白色欠陥部５に照射する。その結果
有機化合物分子がポリマー化または炭化すること
により白色欠陥部の膜付けが行なわれる。このイ
オンビーム走査を繰り返し行ない、所望の遮光能
力を持つ厚さの膜を得る。イオンビームの走査範
囲８は、白色欠陥の大きさに依存する。又イオン
ビーム走査系６の構造を簡便にするため通常イオ
ンビームの電流強度は一定に保たれ、イオンビー
ム走査速度も一定に調整されている。
ガス銃からの有機化合物蒸気放出量は、真空チ
ヤンバ内を汚染しないため、最少限の量に調整さ
れている。
ヤンバ内を汚染しないため、最少限の量に調整さ
れている。
Ｄ 発明が解決しようとする問題点
しかしながら従来のマスクリベア装置では白色
欠陥の面積が小さいとき、膜付けができないとい
う問題点があつた。
欠陥の面積が小さいとき、膜付けができないとい
う問題点があつた。
第３図は膜付面積と2500Åの膜厚の膜付を行な
うに必要なイオンビーム走査フレーム数の関係を
示す。すなわちパタン厚が2500Åの場合の白色欠
陥補修を行なう展型的な例である。１フレームと
は白色欠陥部全面積を一通り走査することをい
う。第３図において膜付面積が200μm2以下のと
きは所定の膜厚を得るのにフレーム数が増大し、
50μm2以下では膜付は不可能であることが示され
ている。尚第３図ではイオンビーム電流が200PA
で一定とし、ガス銃で吹き付ける有機化合物種と
してピレンを使用している。従つて、イオンビー
ム電流が200PA以上だと200μm2以上の膜付面積
でも所定膜厚を得るフレーム数が増大しはじめ、
イオンビーム電流が200PA以下だとその逆とな
る。ともあれ膜付面積が小さいと、イオンビーム
走査速度が一定である関係上フレーム時間が短か
くなり、その間に次のフレームを重ねてポリマー
化または炭化させるべき有機化合物分子の吸着量
が不充分になる。
うに必要なイオンビーム走査フレーム数の関係を
示す。すなわちパタン厚が2500Åの場合の白色欠
陥補修を行なう展型的な例である。１フレームと
は白色欠陥部全面積を一通り走査することをい
う。第３図において膜付面積が200μm2以下のと
きは所定の膜厚を得るのにフレーム数が増大し、
50μm2以下では膜付は不可能であることが示され
ている。尚第３図ではイオンビーム電流が200PA
で一定とし、ガス銃で吹き付ける有機化合物種と
してピレンを使用している。従つて、イオンビー
ム電流が200PA以上だと200μm2以上の膜付面積
でも所定膜厚を得るフレーム数が増大しはじめ、
イオンビーム電流が200PA以下だとその逆とな
る。ともあれ膜付面積が小さいと、イオンビーム
走査速度が一定である関係上フレーム時間が短か
くなり、その間に次のフレームを重ねてポリマー
化または炭化させるべき有機化合物分子の吸着量
が不充分になる。
従つてイオンビームを照射しても膜が重ねて形
成されないばかりか、イオンビームにより、基板
表面やパタンをスパツタリング現象により、エツ
チングしてしまうという問題点があつた。この現
象はイオンビーム電流が大きいとより顕著にあら
われる。従つて膜付面積Ｓとイオンビーム電流Ｉ
の比すなわちＳ／Ｉがある値以下では従来技術で
はマスクリペアに適した膜ができない。尚、上記
現象は吹き付ける有機化合物種がピレンできる場
合について述べたが、他の化合物種でも同様の現
象が起こる。
成されないばかりか、イオンビームにより、基板
表面やパタンをスパツタリング現象により、エツ
チングしてしまうという問題点があつた。この現
象はイオンビーム電流が大きいとより顕著にあら
われる。従つて膜付面積Ｓとイオンビーム電流Ｉ
の比すなわちＳ／Ｉがある値以下では従来技術で
はマスクリペアに適した膜ができない。尚、上記
現象は吹き付ける有機化合物種がピレンできる場
合について述べたが、他の化合物種でも同様の現
象が起こる。
Ｅ 問題点を解決するための手段
本発明は上記の問題点を解決することを目的と
している。
している。
そのために、マスクの白色欠陥部に有機化合物
蒸気を吹き付け、同時にイオンビームを走査させ
ながら照射し、有機化合物分子による膜付けを行
なうマスクリペア装置において、マスク表面から
発する２次荷電粒子の強度分布に基いてマスクパ
タン像を再生し、所要膜付面積を計算するととも
に、膜付面積とイオンビーム電流の比が有機化合
物に応じた所定値以下の場合にはイオンビーム走
査中にブランキングを行ない全体としてイオンビ
ーム走査時間を延長させる構成とした。
蒸気を吹き付け、同時にイオンビームを走査させ
ながら照射し、有機化合物分子による膜付けを行
なうマスクリペア装置において、マスク表面から
発する２次荷電粒子の強度分布に基いてマスクパ
タン像を再生し、所要膜付面積を計算するととも
に、膜付面積とイオンビーム電流の比が有機化合
物に応じた所定値以下の場合にはイオンビーム走
査中にブランキングを行ない全体としてイオンビ
ーム走査時間を延長させる構成とした。
Ｆ 作用
上記構成手段によれば、膜付面積が小さい場合
でも、イオンビーム走査のフレーム時間が長くと
れ、その間に有機化合物分子の吸着が必要な数密
度以上で構成される。その結果、フレーム毎に膜
が重ねられていき所定の膜厚を得ることができ
る。
でも、イオンビーム走査のフレーム時間が長くと
れ、その間に有機化合物分子の吸着が必要な数密
度以上で構成される。その結果、フレーム毎に膜
が重ねられていき所定の膜厚を得ることができ
る。
Ｇ 実施例
以下本発明の実施例を図面に基いて説明する。
第１図は本発明にかかるマスクリペア装置の全
体構成図である。
体構成図である。
９はイオン源であつて、例えばカリウム液体金
属イオン源が使われる。１０は集束レンズであつ
てイオン流をイオンビーム７にする。１１はブラ
ンキング電極であつて、イオンビーム７に強力な
偏向電圧を印加し、イオンビーム７の直進を防げ
る作用をする。１２は走査電極であり、Ｘ，Y2
組の電極からなりイオンビーム７のスポツトをマ
スク１３のXY平面上でラスタスキヤンする作用
をする。１４は対物レンズでイオンビーム７のス
ポツトをマスク平面上に結像する作用をする。１
５は検出器であつてイオンビーム照射によりたた
き出された、パタンの２次荷電粒子１６（例えば
パタンがCrよりできているときはCr+イオン）強
度を検出する。１７はXYステージであり、マス
ク１３を載置してある。１はガス銃であり有機化
合物蒸気２をマスク１３の白色欠陥部に供給す
る。すなわちマスクの白色欠陥部に有機化合物分
子（例えばピレン）を吸着させると同時にイオン
ビーム７を照射して、ピレンをポリマー化または
炭化させる。このイオン走査を繰り返すことによ
り膜を重ねて形成し、白色欠陥の補修を行なう。
尚、イオンビーム電流は図示していないフアラデ
ーカツプにより測定する。
属イオン源が使われる。１０は集束レンズであつ
てイオン流をイオンビーム７にする。１１はブラ
ンキング電極であつて、イオンビーム７に強力な
偏向電圧を印加し、イオンビーム７の直進を防げ
る作用をする。１２は走査電極であり、Ｘ，Y2
組の電極からなりイオンビーム７のスポツトをマ
スク１３のXY平面上でラスタスキヤンする作用
をする。１４は対物レンズでイオンビーム７のス
ポツトをマスク平面上に結像する作用をする。１
５は検出器であつてイオンビーム照射によりたた
き出された、パタンの２次荷電粒子１６（例えば
パタンがCrよりできているときはCr+イオン）強
度を検出する。１７はXYステージであり、マス
ク１３を載置してある。１はガス銃であり有機化
合物蒸気２をマスク１３の白色欠陥部に供給す
る。すなわちマスクの白色欠陥部に有機化合物分
子（例えばピレン）を吸着させると同時にイオン
ビーム７を照射して、ピレンをポリマー化または
炭化させる。このイオン走査を繰り返すことによ
り膜を重ねて形成し、白色欠陥の補修を行なう。
尚、イオンビーム電流は図示していないフアラデ
ーカツプにより測定する。
１８はＡ／Ｄ変換器であつて２次荷電粒子１６
の強度分布アナログデータをデジタルデータに変
換する。このデジタルデータはパタン記憶回路１
９のメモリ上に記憶される。本マスクリペア装置
においては、膜付を行なう前に１回イオンビーム
７の走査が行なわれ、マスクパタンの観察が行な
われる。このマスクパタン情報が２次荷電粒子強
度の分布データとして把握され、デジタルデータ
に変換された上で、パタン記憶回路１９に記憶さ
れる。このデジタルデータは表示装置２０（例え
ばブラウン管）に送られパタン画像が視覚的に拡
大再生される。オペレータはこの拡大画像を観察
して、白色欠陥の位置を確認し白色欠陥修正のた
めのイオンビーム走査範囲を、走査範囲設定回路
２１に入力する。
の強度分布アナログデータをデジタルデータに変
換する。このデジタルデータはパタン記憶回路１
９のメモリ上に記憶される。本マスクリペア装置
においては、膜付を行なう前に１回イオンビーム
７の走査が行なわれ、マスクパタンの観察が行な
われる。このマスクパタン情報が２次荷電粒子強
度の分布データとして把握され、デジタルデータ
に変換された上で、パタン記憶回路１９に記憶さ
れる。このデジタルデータは表示装置２０（例え
ばブラウン管）に送られパタン画像が視覚的に拡
大再生される。オペレータはこの拡大画像を観察
して、白色欠陥の位置を確認し白色欠陥修正のた
めのイオンビーム走査範囲を、走査範囲設定回路
２１に入力する。
同時に膜付面積計算回路２２が作動し、膜付面
積とイオンビーム電流の比が所定値以下の場合に
はブランキング信号をイオンビーム走査制御回路
２３に供給する。所定値は、通常のイオンビーム
走査ではフレーム時間が短すぎて、充分なピレン
分子の吸着層が形成されない膜付面積値が選ばれ
る。
積とイオンビーム電流の比が所定値以下の場合に
はブランキング信号をイオンビーム走査制御回路
２３に供給する。所定値は、通常のイオンビーム
走査ではフレーム時間が短すぎて、充分なピレン
分子の吸着層が形成されない膜付面積値が選ばれ
る。
イオンビーム走査回路の出力はブランキング電
極駆動回路２４及び走査回路２５に接続されてい
る。ブランキング電極駆動回路２４の出力は、ブ
ランキング電極１１に接続されており、必要なと
き、強力な偏向電圧を供給し、イオンビーム７が
直接マスク１３に照射しないようイオンビーム７
を偏向させる。走査回路２５の出力は走査電極１
２に供給され、イオンビーム７をラスタスキヤン
するための電圧を供給する。
極駆動回路２４及び走査回路２５に接続されてい
る。ブランキング電極駆動回路２４の出力は、ブ
ランキング電極１１に接続されており、必要なと
き、強力な偏向電圧を供給し、イオンビーム７が
直接マスク１３に照射しないようイオンビーム７
を偏向させる。走査回路２５の出力は走査電極１
２に供給され、イオンビーム７をラスタスキヤン
するための電圧を供給する。
次に膜付面積計算回路２２からブランキング信
号がイオンビーム走査制御回路に供給された場合
の動作について説明する。第４図はイオンビーム
の走査状態を表わす図である。イオンビーム走査
範囲８（すなわち膜付範囲）内において、イオン
ビームスポツトは、デジタル的に左上から右に向
つてドツト２６を単位として移動する。ドツト２
６がライン２７を形成すると、走査ラインは順次
下方に向う。イオンビーム走査範囲がライン２７
で埋まるとフレーム２８が形成される。膜付はこ
のフレーム２８を繰返し行なうのである。本装置
の場合１ドツト照射時間は常に一定となつてい
る。従つて膜付面積とイオンビーム電流の比が小
さいと、ドツト数も小さくなり、従つてピレンガ
ス吸着に要する時間が短かくなる。そこでかかる
場合には、ブランキング電極１１によりブランキ
ングをかけ、走査時間中に空白期間を挿入するこ
とにより、充分なピレンガス吸着時間を作り出し
ているのである。ブランキングのかけ方は第５図
に示すように例えば３通り考えられるが、これに
限られない。
号がイオンビーム走査制御回路に供給された場合
の動作について説明する。第４図はイオンビーム
の走査状態を表わす図である。イオンビーム走査
範囲８（すなわち膜付範囲）内において、イオン
ビームスポツトは、デジタル的に左上から右に向
つてドツト２６を単位として移動する。ドツト２
６がライン２７を形成すると、走査ラインは順次
下方に向う。イオンビーム走査範囲がライン２７
で埋まるとフレーム２８が形成される。膜付はこ
のフレーム２８を繰返し行なうのである。本装置
の場合１ドツト照射時間は常に一定となつてい
る。従つて膜付面積とイオンビーム電流の比が小
さいと、ドツト数も小さくなり、従つてピレンガ
ス吸着に要する時間が短かくなる。そこでかかる
場合には、ブランキング電極１１によりブランキ
ングをかけ、走査時間中に空白期間を挿入するこ
とにより、充分なピレンガス吸着時間を作り出し
ているのである。ブランキングのかけ方は第５図
に示すように例えば３通り考えられるが、これに
限られない。
第５図Ａは１フレーム終了毎にブランキングす
る例である。
る例である。
第５図Ｂは１ライン終了毎にブランキングする
例である。
例である。
第５図Ｃは１ドツト終了毎にブランングする例
である。
である。
その他にも数フレーム，数ライン．数ドツト毎
にブランキングすることも考えられる。
にブランキングすることも考えられる。
Ｈ 発明の効果
本発明によれば、膜付面積とイオンビーム電流
の比が有機化合物種に応じた所定値より小さい場
合にはイオンビーム走査中にブランキングにより
空白時間を挿入する。その結果、各フレーム毎に
充分量の有機化合物分子をポリマー化又は炭化さ
せることにより密着性が良く強固で光遮断性の良
い膜付けができ、マスク補修が白色欠陥の面積の
大小にかかわらず可能になるという効果が生じ
る。又ブランキングによる空白時間を設けても、
膜付面積が小さい場合には元々イオンビーム走査
時間が短いので生産性に問題はない。
の比が有機化合物種に応じた所定値より小さい場
合にはイオンビーム走査中にブランキングにより
空白時間を挿入する。その結果、各フレーム毎に
充分量の有機化合物分子をポリマー化又は炭化さ
せることにより密着性が良く強固で光遮断性の良
い膜付けができ、マスク補修が白色欠陥の面積の
大小にかかわらず可能になるという効果が生じ
る。又ブランキングによる空白時間を設けても、
膜付面積が小さい場合には元々イオンビーム走査
時間が短いので生産性に問題はない。
第１図は本発明にかかるマスクリペア装置の全
体構成図、第２図は従来のマスクリペア装置の原
理図、第３図は従来のマスクリペア装置における
膜付面積対イオンビーム走査フレーム回数特性
図、第４図は本発明にかかるマスクリペア装置の
イオンビーム走査図、第５図は実施例の具体的波
形図である。 １…ガス銃、９…イオン源、１１…ブランキン
グ電極、１２…走査電極、１５…検出器、１９…
パタン記憶回路、２２…膜付面積計算回路、２３
…イオンビーム走査制御回路、２４…ブランキン
グ電極駆動回路、２５…走査回路。
体構成図、第２図は従来のマスクリペア装置の原
理図、第３図は従来のマスクリペア装置における
膜付面積対イオンビーム走査フレーム回数特性
図、第４図は本発明にかかるマスクリペア装置の
イオンビーム走査図、第５図は実施例の具体的波
形図である。 １…ガス銃、９…イオン源、１１…ブランキン
グ電極、１２…走査電極、１５…検出器、１９…
パタン記憶回路、２２…膜付面積計算回路、２３
…イオンビーム走査制御回路、２４…ブランキン
グ電極駆動回路、２５…走査回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスクの白色欠陥部にガス銃で化合物蒸気を
吹き付け、同時にイオン源より発する一定強度の
イオンビームを一定速度で走査させながら照射し
白色欠陥部に膜付を行なうマスクリペア装置にお
いて、マスク表面から発する２次荷電粒子の強度
分布に基いてマスクパタン像を再生し、所要膜付
面積を計算するとともに、膜付面積とイオンビー
ム電流の比が有機化合物種に応じた所定値以下の
場合には、イオンビーム走査中にイオンビームの
ブランキングを行ない、全体としてイオンビーム
走査時間を延長させたことを特徴とするマスクリ
ペア装置。 ２ ブランキングはイオンビーム走査の１又は数
フレームが終了する毎に行なう特許請求の範囲第
１項記載のマスクリペア装置。 ３ ブランキングはイオンビーム走査の１又は数
ラインが終了する毎に行なう特許請求の範囲第１
項記載のマスクリペア装置。 ４ ブランキングはイオンビーム走査の１又は数
ドツトが終了する毎に行なう特許請求の範囲第１
項記載のマスクリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182466A JPS6242156A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | マスクリペア装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182466A JPS6242156A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | マスクリペア装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242156A JPS6242156A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0135341B2 true JPH0135341B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=16118751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182466A Granted JPS6242156A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | マスクリペア装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242156A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2981983B2 (ja) * | 1996-09-02 | 1999-11-22 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | パターン膜修正装置 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182466A patent/JPS6242156A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242156A (ja) | 1987-02-24 |
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