JPH0135475Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0135475Y2 JPH0135475Y2 JP1985130488U JP13048885U JPH0135475Y2 JP H0135475 Y2 JPH0135475 Y2 JP H0135475Y2 JP 1985130488 U JP1985130488 U JP 1985130488U JP 13048885 U JP13048885 U JP 13048885U JP H0135475 Y2 JPH0135475 Y2 JP H0135475Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- semiconductor
- height
- blade
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、バンプ電極が形成された半導体ウエ
ーハをダイシングして分割する半導体製造装置に
関するものである。
ーハをダイシングして分割する半導体製造装置に
関するものである。
従来の技術
バンプ電極を有する半導体装置の一具体例とし
て、DHD（Double HeatSink Diode）型ダイオ
ードの構造を、第５図を参照して次に示す。同図
に示すように、DHD型ダイオード１は、ガラス
バルブ２内において、一対のスラグリード３，４
のスラグ部３ａ，４ａ間に半導体ペレツト５を挾
持し、スラグ部３ａ，４ａの外周面にガラスバル
ブ２の内周面を溶着して気密封止したものであ
る。半導体ペレツト５は、表面に銀などの金属メ
ツキによるバルプ電極６、及び裏面に金属蒸着で
形成したフラツトな電極７を有する。スラグリー
ド３，４は、スラグ部３ａ，４ａとスラグ部３
ａ，４ａを外部に引き出すリード部３ｂ，４ｂと
からなり、スラグ部３ａ，４ａの開放端面で半導
体ペレツト５を各電極６，７を介して挾持し、リ
ード３ｂ，４ｂは各々180゜反対方向に延びる（実
公昭51−29746号公報）。
て、DHD（Double HeatSink Diode）型ダイオ
ードの構造を、第５図を参照して次に示す。同図
に示すように、DHD型ダイオード１は、ガラス
バルブ２内において、一対のスラグリード３，４
のスラグ部３ａ，４ａ間に半導体ペレツト５を挾
持し、スラグ部３ａ，４ａの外周面にガラスバル
ブ２の内周面を溶着して気密封止したものであ
る。半導体ペレツト５は、表面に銀などの金属メ
ツキによるバルプ電極６、及び裏面に金属蒸着で
形成したフラツトな電極７を有する。スラグリー
ド３，４は、スラグ部３ａ，４ａとスラグ部３
ａ，４ａを外部に引き出すリード部３ｂ，４ｂと
からなり、スラグ部３ａ，４ａの開放端面で半導
体ペレツト５を各電極６，７を介して挾持し、リ
ード３ｂ，４ｂは各々180゜反対方向に延びる（実
公昭51−29746号公報）。
ここで、上記バンプ電極６は、第６図に示すペ
レツト形成後で分割前の半導体ウエーハ８に、ウ
エーハ状態のまま噴流式メツキと呼ばれる手段に
て金属メツキを施すことにより、50〜60μｍの高
さ（H2）に形成され（第７図参照）、その後、ダ
イシングによつて、ペレツトに分割する。噴流式
メツキは、第８図に示すように、絶縁筒体９の上
端面にスペーサピン１０を介して半導体ウエーハ
８を載せると共に位置決めピン１１によつて位置
決めし、下方よりメツキ液を吹き上げ（図の矢印
方向）ながら、メツキ液を介し半導体ウエーハ８
に電界を印加してメツキするもので、吹き上げら
れたメツキ液は、絶縁筒体９と半導体ウエーハ８
との間を経て絶縁筒体９外に流れ出る。
レツト形成後で分割前の半導体ウエーハ８に、ウ
エーハ状態のまま噴流式メツキと呼ばれる手段に
て金属メツキを施すことにより、50〜60μｍの高
さ（H2）に形成され（第７図参照）、その後、ダ
イシングによつて、ペレツトに分割する。噴流式
メツキは、第８図に示すように、絶縁筒体９の上
端面にスペーサピン１０を介して半導体ウエーハ
８を載せると共に位置決めピン１１によつて位置
決めし、下方よりメツキ液を吹き上げ（図の矢印
方向）ながら、メツキ液を介し半導体ウエーハ８
に電界を印加してメツキするもので、吹き上げら
れたメツキ液は、絶縁筒体９と半導体ウエーハ８
との間を経て絶縁筒体９外に流れ出る。
又、半導体ペレツト５をスラグ部３ａ，４ａ間
に挾持するに際しては、半導体ペレツトの高さ
H1とバンプ電極６の高さH2とを加えた高さＨに
スラグ部３ａ，４ａ間の距離を加算して規制して
おり、この高さＨにスラグ部３ａ，４ａの高さを
加えたものが、製品の寸法になる。ところで、こ
の製品の寸法は、一定の許容寸法内に収めるベ
く、予め、スラグ部３ａ，４ａの高さ、及びスラ
グ部３ａ，４ａ間の距離Ｈを許容誤差内で一定の
範囲の値に規制しており、これによりバルプ電極
６の高さH2も上記のように50〜60μｍに形成され
る。
に挾持するに際しては、半導体ペレツトの高さ
H1とバンプ電極６の高さH2とを加えた高さＨに
スラグ部３ａ，４ａ間の距離を加算して規制して
おり、この高さＨにスラグ部３ａ，４ａの高さを
加えたものが、製品の寸法になる。ところで、こ
の製品の寸法は、一定の許容寸法内に収めるベ
く、予め、スラグ部３ａ，４ａの高さ、及びスラ
グ部３ａ，４ａ間の距離Ｈを許容誤差内で一定の
範囲の値に規制しており、これによりバルプ電極
６の高さH2も上記のように50〜60μｍに形成され
る。
考案が解決しようとする問題点
ところで、上述したように噴流式メツキにより
半導体ウエーハ８にバンプ電極６をメツキするに
際しては、半導体ウエーハ８の周辺で印加電界が
高くなるため、バンプ電極６がウエーハ周辺で厚
く中央部で薄くなり、高さH2がバラついて、製
品が許容寸法内に収まらないことがある。しか
も、時に第９図に示すように、バンプ電極６にコ
ブ状部６ａが形成されることがあり、このような
コブ状部６ａが形成されると、バンプ電極高さ
H2が異常に高くなる。更に、半導体ペレツト５
をスラグ部３ａ，４ａ間に挾持した際、バンプ電
極６はコブ状部６ａによつてスラグ部３ａと接触
するため、バンプ電極６とスラグ部３ａとの接触
面積が小さくなつて接触不良、圧接不良が生じる
ことがある。
半導体ウエーハ８にバンプ電極６をメツキするに
際しては、半導体ウエーハ８の周辺で印加電界が
高くなるため、バンプ電極６がウエーハ周辺で厚
く中央部で薄くなり、高さH2がバラついて、製
品が許容寸法内に収まらないことがある。しか
も、時に第９図に示すように、バンプ電極６にコ
ブ状部６ａが形成されることがあり、このような
コブ状部６ａが形成されると、バンプ電極高さ
H2が異常に高くなる。更に、半導体ペレツト５
をスラグ部３ａ，４ａ間に挾持した際、バンプ電
極６はコブ状部６ａによつてスラグ部３ａと接触
するため、バンプ電極６とスラグ部３ａとの接触
面積が小さくなつて接触不良、圧接不良が生じる
ことがある。
問題点を解決するための手段
本考案は、半導体ウエーハにバンプ電極を形成
した後、ウエーハ表面に平行な軸を回転軸とする
ブレードを所定高さまで回転・下降させ、上記半
導体ウエーハをダイシングして各半導体ペレツト
毎に分割する半導体製造装置において、上記ブレ
ードの回転軸に同軸的にバンプ切削手段を設けた
ことを特徴とする。
した後、ウエーハ表面に平行な軸を回転軸とする
ブレードを所定高さまで回転・下降させ、上記半
導体ウエーハをダイシングして各半導体ペレツト
毎に分割する半導体製造装置において、上記ブレ
ードの回転軸に同軸的にバンプ切削手段を設けた
ことを特徴とする。
作 用
ダイシング用ブレードによつて半導体ウエーハ
を分割する際、同時にバンプ切削手段によつてバ
ンプ電極が一定の高さまで切削される。
を分割する際、同時にバンプ切削手段によつてバ
ンプ電極が一定の高さまで切削される。
実施例
本考案の一実施例を第１図乃至第４図を参照し
て以下説明する。第１図において、１２はウエー
ハダイシング用ブレード、１３はブレード１２の
回転軸、１４はバルプ切削手段である。ブレード
１２は円板状で、その円周にダイシング刃が形成
されている。回転軸１３は、ダイシング時にウエ
ーハ表面に平行に配されて回転し、ブレード１２
の板面はウエーハ表面に垂直になる。バンプ切削
手段１４は、円柱状でブレード１２の表裏側に回
転軸１３に同軸的に設けられ、本考案の特徴部分
である。
て以下説明する。第１図において、１２はウエー
ハダイシング用ブレード、１３はブレード１２の
回転軸、１４はバルプ切削手段である。ブレード
１２は円板状で、その円周にダイシング刃が形成
されている。回転軸１３は、ダイシング時にウエ
ーハ表面に平行に配されて回転し、ブレード１２
の板面はウエーハ表面に垂直になる。バンプ切削
手段１４は、円柱状でブレード１２の表裏側に回
転軸１３に同軸的に設けられ、本考案の特徴部分
である。
上記構成に基づき本考案の動作を次に示す。ま
ず、第２図に示すように、ブレード１２を回転さ
せつつ下降させバンプ電極６の形成後の半導体ウ
エーハ８をダイシングして分割する。同時に、バ
ンプ切削手段１４がブレード１２の表裏側に位置
するバンプ電極６ｂ，６ｃに接触すると、これら
も上面の一部が切削される。この時、ブレード１
２の下降量、即ち、半導体ウエーハ８の切削深さ
ｄは、常に一定であり、そのため、バンプ切削手
段１４のウエーハ表面に対する高さｈも一定とな
る。そこで、第３図左図に示すように、バンプ電
極６ｄにコブ状部６d1が形成されていて、バンプ
電極高さH2が上記高さｈよりも大きい場合、及
び第４左図に示すように、バンプ電極６ｅの高さ
H2が上記高さｈよりも大きい場合、ブレード１
２によるウエーハダイシングと同時に、バンプ切
削手段１４によつてバンプ電極６ｄ，６ｅの上面
が、第３図及び第４図の各右図に示すように、高
さｈまで切削される。従つて、バンプ電極高さ
H2がバラついていても、一定の高さｈまで切削
されることにより、切削後のバンプ電極高さH2
は、高さｈに一定化され、しかもバンプ電極６
ｄ，６ｅの上面が平坦になり、接触面積が増大す
る。
ず、第２図に示すように、ブレード１２を回転さ
せつつ下降させバンプ電極６の形成後の半導体ウ
エーハ８をダイシングして分割する。同時に、バ
ンプ切削手段１４がブレード１２の表裏側に位置
するバンプ電極６ｂ，６ｃに接触すると、これら
も上面の一部が切削される。この時、ブレード１
２の下降量、即ち、半導体ウエーハ８の切削深さ
ｄは、常に一定であり、そのため、バンプ切削手
段１４のウエーハ表面に対する高さｈも一定とな
る。そこで、第３図左図に示すように、バンプ電
極６ｄにコブ状部６d1が形成されていて、バンプ
電極高さH2が上記高さｈよりも大きい場合、及
び第４左図に示すように、バンプ電極６ｅの高さ
H2が上記高さｈよりも大きい場合、ブレード１
２によるウエーハダイシングと同時に、バンプ切
削手段１４によつてバンプ電極６ｄ，６ｅの上面
が、第３図及び第４図の各右図に示すように、高
さｈまで切削される。従つて、バンプ電極高さ
H2がバラついていても、一定の高さｈまで切削
されることにより、切削後のバンプ電極高さH2
は、高さｈに一定化され、しかもバンプ電極６
ｄ，６ｅの上面が平坦になり、接触面積が増大す
る。
考案の効果
本考案によれば、ウエーハダイシング用ブレー
ドに同軸的にバンプ切削手段を設け、バンプ電極
形成後の半導体ウエーハをダイシングによつて分
割すると同時にバンプ電極を一定高さまで切削す
るようにしたから、バンプ電極の高さがバラつい
ていても一定化され、バンプ電極を有する半導体
装置の製品寸法の誤差が縮少し、しかもバンプ電
極の接触面積が増大して製品の信頼性が向上す
る。
ドに同軸的にバンプ切削手段を設け、バンプ電極
形成後の半導体ウエーハをダイシングによつて分
割すると同時にバンプ電極を一定高さまで切削す
るようにしたから、バンプ電極の高さがバラつい
ていても一定化され、バンプ電極を有する半導体
装置の製品寸法の誤差が縮少し、しかもバンプ電
極の接触面積が増大して製品の信頼性が向上す
る。
第１図は本考案に係る半導体製造装置であるウ
エーハダイシング用ブレードとバンプ切削手段の
一実施例を示す斜視図、第２図は第１図のブレー
ドによる半導体ウエーハのダイシングとバンプ切
削の動作説明図、第３図と第４図は各左図が第１
図のバンプ切削手段による切削前のバンプ電極の
各側面図で、各右図は切削後のバンプ電極の各側
面図、第５図はDHD型ダイオードの側断面図、
第６図は半導体ウエーハの平面図、第７図はバン
プ電極を有する半導体ペレツトの側面図、第８図
は噴流式メツキ装置の要部概略側断面図、第９図
はコブ状部の出来たバンプ電極を有する半導体ペ
レツトの側面図である。 ５……半導体ペレツト、６，６ｂ，６ｃ，６
ｄ，６ｅ……バンプ電極、８……半導体ウエー
ハ、１２……ブレード、１３……回転軸、１４…
…バンプ切削手段。
エーハダイシング用ブレードとバンプ切削手段の
一実施例を示す斜視図、第２図は第１図のブレー
ドによる半導体ウエーハのダイシングとバンプ切
削の動作説明図、第３図と第４図は各左図が第１
図のバンプ切削手段による切削前のバンプ電極の
各側面図で、各右図は切削後のバンプ電極の各側
面図、第５図はDHD型ダイオードの側断面図、
第６図は半導体ウエーハの平面図、第７図はバン
プ電極を有する半導体ペレツトの側面図、第８図
は噴流式メツキ装置の要部概略側断面図、第９図
はコブ状部の出来たバンプ電極を有する半導体ペ
レツトの側面図である。 ５……半導体ペレツト、６，６ｂ，６ｃ，６
ｄ，６ｅ……バンプ電極、８……半導体ウエー
ハ、１２……ブレード、１３……回転軸、１４…
…バンプ切削手段。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエーハにバンプ電極を形成した後、ウ
エーハ表面に平行な軸を回転軸とするブレードを
所定高さまで回転・下降させ、上記半導体ウエー
ハをダイシングして各半導体ペレツト毎に分割す
る半導体製造装置において、 上記ブレードの回転軸に同軸的にバンプ切削手
段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237933U JPS6237933U (ja) | 1987-03-06 |
| JPH0135475Y2 true JPH0135475Y2 (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=31028034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U Expired JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0135475Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP1985130488U patent/JPH0135475Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6237933U (ja) | 1987-03-06 |
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