JPS6237933U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6237933U JPS6237933U JP1985130488U JP13048885U JPS6237933U JP S6237933 U JPS6237933 U JP S6237933U JP 1985130488 U JP1985130488 U JP 1985130488U JP 13048885 U JP13048885 U JP 13048885U JP S6237933 U JPS6237933 U JP S6237933U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- bump
- blade
- semiconductor wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
第1図は本考案に係る半導体製造装置であるウ
エーハダイシング用ブレードとバンプ切削手段の
一実施例を示す斜視図、第2図は第1図のブレー
ドによる半導体ウエーハのダイシングとバンプ切
削の動作説明図、第3図と第4図は各左図が第1
図のバンプ切削手段による切削前のバンプ電極の
各側面図で、各右図は切削後のバンプ電極の各側
面図、第5図はDHD型ダイオードの側断面図、
第6図は半導体ウエーハの平面図、第7図はバン
プ電極を有する半導体ペレツトの側面図、第8図
は噴流式メツキ装置の要部概略側断面図、第9図
はコブ状部の出来たバンプ電極を有する半導体ペ
レツトの側面図である。 5…半導体ペレツト、6,6b,6c,6d,
6e…バンプ電極、8…半導体ウエーハ、12…
ブレード、13…回転軸、14…バンプ切削手段
。
エーハダイシング用ブレードとバンプ切削手段の
一実施例を示す斜視図、第2図は第1図のブレー
ドによる半導体ウエーハのダイシングとバンプ切
削の動作説明図、第3図と第4図は各左図が第1
図のバンプ切削手段による切削前のバンプ電極の
各側面図で、各右図は切削後のバンプ電極の各側
面図、第5図はDHD型ダイオードの側断面図、
第6図は半導体ウエーハの平面図、第7図はバン
プ電極を有する半導体ペレツトの側面図、第8図
は噴流式メツキ装置の要部概略側断面図、第9図
はコブ状部の出来たバンプ電極を有する半導体ペ
レツトの側面図である。 5…半導体ペレツト、6,6b,6c,6d,
6e…バンプ電極、8…半導体ウエーハ、12…
ブレード、13…回転軸、14…バンプ切削手段
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体ウエーハにバンプ電極を形成した後、ウ
エーハ表面に平行な軸を回転軸とするブレードを
所定高さまで回転・下降させ、上記半導体ウエー
ハをダイシングして各半導体ペレツト毎に分割す
る半導体製造装置において、 上記ブレードの回転軸に同軸的にバンプ切削手
段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237933U true JPS6237933U (ja) | 1987-03-06 |
| JPH0135475Y2 JPH0135475Y2 (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=31028034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985130488U Expired JPH0135475Y2 (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0135475Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP1985130488U patent/JPH0135475Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0135475Y2 (ja) | 1989-10-30 |