JPH0135539B2 - - Google Patents
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- JPH0135539B2 JPH0135539B2 JP58188996A JP18899683A JPH0135539B2 JP H0135539 B2 JPH0135539 B2 JP H0135539B2 JP 58188996 A JP58188996 A JP 58188996A JP 18899683 A JP18899683 A JP 18899683A JP H0135539 B2 JPH0135539 B2 JP H0135539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- capacitor
- photoelectric conversion
- signal
- selection switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Image Input (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、例えばフアクシミリ用送信原稿と
同一サイズに複数個の光電変換要素を配列し、原
稿上の画情報を読取ることのできる大形イメージ
センサに関するものである。
同一サイズに複数個の光電変換要素を配列し、原
稿上の画情報を読取ることのできる大形イメージ
センサに関するものである。
従来この種のものとして第１図に示す構成のも
のがあり、複数個のフオトダイオード列をマトリ
クス接続して駆動するようになつている。図にお
いて、BD11，BD12……BDmnはブロツキング・
ダイオード列、PD11，PD12…PDmnはフオトダ
イオード列、C11，C12…Cmnはフオトダイオード
の並列容量、SX1，SX2…SXmはマトリクスの共
通電極側の選択スイツチ列、SY1，SY2…SYpは
マトリクスの個別電極側の選択スイツチ列、
CX1，CX2…CXmは共通電極の浮遊容量列、
CY1，CY2…CYpは個別電極の浮遊容量列、RLは
負荷抵抗、E1およびE2は直流電源、１は信号出
力端子である。選択スイツチ列SX1，SX2…SXm
はそれぞれ直流電源E1又は接地のいずれかに接
続し、選択スイツチ列SY1，SY2…SYmはそれぞ
れ負荷抵抗RL又は直流電源E2のいずれかに接続
するようになつており、これらの選択スイツチ列
を所定の方法で切り換えることにより、任意のフ
オトダイオードの光電変換信号を検出できるよう
になつている。例えばフオトダイオードPD11を
選択するときは、共通電極側については選択スイ
ツチSX1は直流電源E1にそれ以外の選択スイツチ
SX2，SX3…SXmは接地側に接続し、個別電極側
については選択スイツチSY1は負荷抵抗RLに、そ
れ以外の選択スイツチSY2，SY3…SYpは直流電
源E2に接続する。このときフオトダイオード
PD11の並列容量C11を充電する電流がブロツキン
グダイオードBD11を通つて負荷抵抗RLに流れる。
この充電電流の大きさは、容量C11が前回選択さ
れて充電された時点から今回選択されるまでの否
選択期間にフオトダイオードPD11によつて放電
された放電量に等しい。従つてこの充電電流が光
電変換信号であり、信号出力端子１から外部へ取
り出される。このとき、PD11以外の否選択フオ
トダイオードに縦続接続されたブロツキングダイ
オードはすべて逆バイアス状態に維持されてお
り、否選択フオトダイオードの並列容量の信号電
荷は、選択時まで保存されるようになつている。
のがあり、複数個のフオトダイオード列をマトリ
クス接続して駆動するようになつている。図にお
いて、BD11，BD12……BDmnはブロツキング・
ダイオード列、PD11，PD12…PDmnはフオトダ
イオード列、C11，C12…Cmnはフオトダイオード
の並列容量、SX1，SX2…SXmはマトリクスの共
通電極側の選択スイツチ列、SY1，SY2…SYpは
マトリクスの個別電極側の選択スイツチ列、
CX1，CX2…CXmは共通電極の浮遊容量列、
CY1，CY2…CYpは個別電極の浮遊容量列、RLは
負荷抵抗、E1およびE2は直流電源、１は信号出
力端子である。選択スイツチ列SX1，SX2…SXm
はそれぞれ直流電源E1又は接地のいずれかに接
続し、選択スイツチ列SY1，SY2…SYmはそれぞ
れ負荷抵抗RL又は直流電源E2のいずれかに接続
するようになつており、これらの選択スイツチ列
を所定の方法で切り換えることにより、任意のフ
オトダイオードの光電変換信号を検出できるよう
になつている。例えばフオトダイオードPD11を
選択するときは、共通電極側については選択スイ
ツチSX1は直流電源E1にそれ以外の選択スイツチ
SX2，SX3…SXmは接地側に接続し、個別電極側
については選択スイツチSY1は負荷抵抗RLに、そ
れ以外の選択スイツチSY2，SY3…SYpは直流電
源E2に接続する。このときフオトダイオード
PD11の並列容量C11を充電する電流がブロツキン
グダイオードBD11を通つて負荷抵抗RLに流れる。
この充電電流の大きさは、容量C11が前回選択さ
れて充電された時点から今回選択されるまでの否
選択期間にフオトダイオードPD11によつて放電
された放電量に等しい。従つてこの充電電流が光
電変換信号であり、信号出力端子１から外部へ取
り出される。このとき、PD11以外の否選択フオ
トダイオードに縦続接続されたブロツキングダイ
オードはすべて逆バイアス状態に維持されてお
り、否選択フオトダイオードの並列容量の信号電
荷は、選択時まで保存されるようになつている。
ところで、大形イメージセンサにおいてはブロ
ツキングダイオード、フオトダイオードはａ−
Si：Ｈに代表される薄膜半導体で形成されている
ため、その特性は単結晶半導体と比較して悪く、
特にブロツキングダイオードの順方向抵抗が大き
いために大形イメージセンサの駆動速度を速くで
きない。
ツキングダイオード、フオトダイオードはａ−
Si：Ｈに代表される薄膜半導体で形成されている
ため、その特性は単結晶半導体と比較して悪く、
特にブロツキングダイオードの順方向抵抗が大き
いために大形イメージセンサの駆動速度を速くで
きない。
さらに詳細に説明すると任意のフオトダイオー
ドを選択したときに得られる光電変換出力信号の
立上り時間は、フオトダイオードの並列容量Ｃと
ブロツキングダイオードの順方向抵抗R6による
時定数R6×Ｃによつて近似できるが、一般にフ
オトダイオードの並列容量Ｃは20pF〜30PF、ブ
ロツキングダイオードの順方向直流抵抗は電流値
によつて変化し100KΩ〜数ＭΩの値をとるため、
上記時定数は数μs以上になり、駆動速度を速くで
きない原因となつている。また、第１図の共通電
極側の選択スイツチを薄膜トランジスタTFTで
フオトダイオードやブロツキングダイオードと一
体形成して小形、低価格化する試みがなされてい
るが、薄膜トランジスタのオン抵抗は通常数百Ｋ
Ωと大きく、移動度も小さいため従来の大形イメ
ージセンサの構成では、時定数Rx×Cx（但し、
Cxは共通電極の浮遊容量）が数十μs以上になり、
駆動速度の点で実現が困難であつた。
ドを選択したときに得られる光電変換出力信号の
立上り時間は、フオトダイオードの並列容量Ｃと
ブロツキングダイオードの順方向抵抗R6による
時定数R6×Ｃによつて近似できるが、一般にフ
オトダイオードの並列容量Ｃは20pF〜30PF、ブ
ロツキングダイオードの順方向直流抵抗は電流値
によつて変化し100KΩ〜数ＭΩの値をとるため、
上記時定数は数μs以上になり、駆動速度を速くで
きない原因となつている。また、第１図の共通電
極側の選択スイツチを薄膜トランジスタTFTで
フオトダイオードやブロツキングダイオードと一
体形成して小形、低価格化する試みがなされてい
るが、薄膜トランジスタのオン抵抗は通常数百Ｋ
Ωと大きく、移動度も小さいため従来の大形イメ
ージセンサの構成では、時定数Rx×Cx（但し、
Cxは共通電極の浮遊容量）が数十μs以上になり、
駆動速度の点で実現が困難であつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、従来の大形イメー
ジセンサにくらべて駆動速度を大幅に速くできる
新規な大形イメージセンサを提供することを目的
としている。
去するためになされたもので、従来の大形イメー
ジセンサにくらべて駆動速度を大幅に速くできる
新規な大形イメージセンサを提供することを目的
としている。
第２図はこの発明の一実施例を示す。マトリク
スの構成は第１図の従来例と同じであるが、個別
電極側の選択スイツチ列SY1，SY2…SYpは信号
出力側又は接地側に切り替わるようになつてお
り、信号出力側にはそれぞれ信号電荷転送用の容
量CS1，CS2…CSpが接続されている。この信号
転送用容量CS1，CS2…CSpに転送された信号電
荷は、信号出力スイツチ列S1，S2…Spが順次開
閉されることにより、負荷抵抗RLに流れ出し、
信号出力端子１から信号が取り出される。
スの構成は第１図の従来例と同じであるが、個別
電極側の選択スイツチ列SY1，SY2…SYpは信号
出力側又は接地側に切り替わるようになつてお
り、信号出力側にはそれぞれ信号電荷転送用の容
量CS1，CS2…CSpが接続されている。この信号
転送用容量CS1，CS2…CSpに転送された信号電
荷は、信号出力スイツチ列S1，S2…Spが順次開
閉されることにより、負荷抵抗RLに流れ出し、
信号出力端子１から信号が取り出される。
以下、第３図のタイミングチヤートにより、動
作の詳細を説明する。第２図において、フオトダ
イオード列PD11，PD12…PDmnはｎ個ずつを１
ブロツクとし、ｍ個のブロツクに分けられている
が、信号の取り出しは、１ブロツク単位に行う。
まず、選択スイツチSX1に選続されている第１ブ
ロツクの信号を取り出す場合を説明する。第１ブ
ロツクを選択するには、選択スイツチSX1を直流
電源側に、SX2，SX3…SXmを接地側に接続す
る。選択スイツチ列SY1，SY2…SYpは常に切り
替わるようになつており、選択スイツチSX1を直
流電源側に切り替えるのと同期して、蓄積コンデ
ンサCS1，CS2…CSp側に切り替える。また信号
スイツチS1，S2…Spは全て開いた状態にする。
この状態を第３図の期間t1に示す。この期間t1
に、フオトダイオードの並列容量C11，C12…C1n
に蓄積された信号電荷は転送容量CS1，CS2…
CSmに転送される。転送が完了すると、選択ス
イツチSY1，SY2…SYpは接地側に同時に切り替
えられる。この状態を期間t2に示す。この期間に
は、第１ブロツクのブロツキングダイオード
BD11，BD12…BD1oは順方向にバイアスされ、フ
オトダイオードの並列容量C11，C12…1oは全て電
源電圧E1により完全に充電される。充電が完了
すると、選択スイツチSX1は接地側に切り替えら
れ、ブロツキングダイオードBD11，BD12…BD1o
は逆バイアス状態になる。この逆バイアス状態
は、駆動走査が一順して次に再び第１ブロツクが
選択されるまで続き、この間にフオトダイオード
PD11，PD12…PD1oに流れる光電流に応じて、各
容量C11，C12…C1oの電荷は放電する。この放電
した電荷が（正確には、放電した電荷に比例して
一義的に定まる電荷量が）、信号検出時に転送容
量CS1，CS2…CS3に転送されるのである。
作の詳細を説明する。第２図において、フオトダ
イオード列PD11，PD12…PDmnはｎ個ずつを１
ブロツクとし、ｍ個のブロツクに分けられている
が、信号の取り出しは、１ブロツク単位に行う。
まず、選択スイツチSX1に選続されている第１ブ
ロツクの信号を取り出す場合を説明する。第１ブ
ロツクを選択するには、選択スイツチSX1を直流
電源側に、SX2，SX3…SXmを接地側に接続す
る。選択スイツチ列SY1，SY2…SYpは常に切り
替わるようになつており、選択スイツチSX1を直
流電源側に切り替えるのと同期して、蓄積コンデ
ンサCS1，CS2…CSp側に切り替える。また信号
スイツチS1，S2…Spは全て開いた状態にする。
この状態を第３図の期間t1に示す。この期間t1
に、フオトダイオードの並列容量C11，C12…C1n
に蓄積された信号電荷は転送容量CS1，CS2…
CSmに転送される。転送が完了すると、選択ス
イツチSY1，SY2…SYpは接地側に同時に切り替
えられる。この状態を期間t2に示す。この期間に
は、第１ブロツクのブロツキングダイオード
BD11，BD12…BD1oは順方向にバイアスされ、フ
オトダイオードの並列容量C11，C12…1oは全て電
源電圧E1により完全に充電される。充電が完了
すると、選択スイツチSX1は接地側に切り替えら
れ、ブロツキングダイオードBD11，BD12…BD1o
は逆バイアス状態になる。この逆バイアス状態
は、駆動走査が一順して次に再び第１ブロツクが
選択されるまで続き、この間にフオトダイオード
PD11，PD12…PD1oに流れる光電流に応じて、各
容量C11，C12…C1oの電荷は放電する。この放電
した電荷が（正確には、放電した電荷に比例して
一義的に定まる電荷量が）、信号検出時に転送容
量CS1，CS2…CS3に転送されるのである。
ところで、転送容量CS1，CS2…CSpに転送さ
れた信号電荷は、転送完了後信号出力スイツチ
S1，S2…Spを順次閉じていくことにより負荷抵
抗RLを通して完全に放電する。このときの負荷
抵抗RLの尖頭電圧を信号電圧として端子１から
取り出すのである。この期間を第３図のt3に示
す。また期間ｔはフオトダイオード１個当りの期
間である。以上の動作を第２ブロツク、第３ブロ
ツクと順次行つていくことにより、駆動走査を行
うのである。
れた信号電荷は、転送完了後信号出力スイツチ
S1，S2…Spを順次閉じていくことにより負荷抵
抗RLを通して完全に放電する。このときの負荷
抵抗RLの尖頭電圧を信号電圧として端子１から
取り出すのである。この期間を第３図のt3に示
す。また期間ｔはフオトダイオード１個当りの期
間である。以上の動作を第２ブロツク、第３ブロ
ツクと順次行つていくことにより、駆動走査を行
うのである。
以上の説明から明らかなように、１ブロツクｎ
個のフオトダイオードを駆動する期間はt1＋t3
（＝t1＋ｎ×ｔ）、フオトダイオード１個当りでは
t1／ｎ＋ｔで示すことができる。駆動速度を速くす る場合、期間t1、ｔをいずれも小さくする必要が
ある。期間ｔは、転送容量CS1，CS2…CSpの容
量Csと、信号出力スイツチS1，S2…Spのオン抵
抗Rsおよび負荷抵抗RLから定まる時定数に依存
するが、容量Csは10〜50PF（個別電極の浮遊容量
CY1，CY2…CYpの数分の一以下の値）が適当で
あり、オン抵抗Rsは汎用のICであるアナログス
イツチ列を用いれば50〜300Ω、負荷抵抗RLを数
ＫΩ以下に選択すると、時定数は数百ns以下にで
きる。一方、期間t1は、従来例である第１図の場
合と同じく、ブロツキング・ダイオードBD11，
BD12…BDmnの順方向抵抗とフオトダイオード
の並列容量C11，C12…Cmnで定まる時定数に近似
でき、その値は数μs以上必要となる。しかしこの
発明によるとフオトダイオード１個当りに換算す
るとt1／ｎになり、ｎの値ととしては通常16、32な ど大きな値を選ぶため、t1／ｎの値は数百ns以下に できる。このように、フオトダイオード１個当り
の駆動期間t1／ｎ＋ｔは数百ns以下と高速化でき、 従来の10倍以上の高速化が可能である。
個のフオトダイオードを駆動する期間はt1＋t3
（＝t1＋ｎ×ｔ）、フオトダイオード１個当りでは
t1／ｎ＋ｔで示すことができる。駆動速度を速くす る場合、期間t1、ｔをいずれも小さくする必要が
ある。期間ｔは、転送容量CS1，CS2…CSpの容
量Csと、信号出力スイツチS1，S2…Spのオン抵
抗Rsおよび負荷抵抗RLから定まる時定数に依存
するが、容量Csは10〜50PF（個別電極の浮遊容量
CY1，CY2…CYpの数分の一以下の値）が適当で
あり、オン抵抗Rsは汎用のICであるアナログス
イツチ列を用いれば50〜300Ω、負荷抵抗RLを数
ＫΩ以下に選択すると、時定数は数百ns以下にで
きる。一方、期間t1は、従来例である第１図の場
合と同じく、ブロツキング・ダイオードBD11，
BD12…BDmnの順方向抵抗とフオトダイオード
の並列容量C11，C12…Cmnで定まる時定数に近似
でき、その値は数μs以上必要となる。しかしこの
発明によるとフオトダイオード１個当りに換算す
るとt1／ｎになり、ｎの値ととしては通常16、32な ど大きな値を選ぶため、t1／ｎの値は数百ns以下に できる。このように、フオトダイオード１個当り
の駆動期間t1／ｎ＋ｔは数百ns以下と高速化でき、 従来の10倍以上の高速化が可能である。
また、この発明によると選択スイツチSX1，
SX2…SXmおよびSY1，SY2…SYpを薄膜トラン
ジスタで構成し、信号出力スイツチS1，S2…Sp
だけを半導体ICで構成して、大形イメージセン
サを小形化、低価格化することも可能である。即
ちこの場合薄膜トランジスタ化によりt1の値が数
十μsの値になるが、ｎの値を32、64等と大きく選
ぶことによりフオトダイオード１個当りの駆動期
間は２〜5μsにでき、十分実用化できる値になる。
SX2…SXmおよびSY1，SY2…SYpを薄膜トラン
ジスタで構成し、信号出力スイツチS1，S2…Sp
だけを半導体ICで構成して、大形イメージセン
サを小形化、低価格化することも可能である。即
ちこの場合薄膜トランジスタ化によりt1の値が数
十μsの値になるが、ｎの値を32、64等と大きく選
ぶことによりフオトダイオード１個当りの駆動期
間は２〜5μsにでき、十分実用化できる値になる。
第２図の実施例では、転送容量CS1，CS2…
CSpに転送された信号電荷を負荷抵抗RLに流すこ
とによる信号電圧を取り出しているが、第４図に
示すようにリセツトスイツチSrを備えた構成に
し、画素信号毎に転送容量の両端電圧を検出する
期間と転送容量の電荷をリセツトスイツチSrを
閉じて急速に放電さす期間を設ける方法であつて
もよい。この場合には、個別電極の選択スイツチ
SY1，SY2…SYpは接地側に接続する端子は無く
てもよく、浮遊容量CY1，CY2…CYpの不要な電
荷を放電さすという同等の機能をリセツトスイツ
チSrで行うことができる。
CSpに転送された信号電荷を負荷抵抗RLに流すこ
とによる信号電圧を取り出しているが、第４図に
示すようにリセツトスイツチSrを備えた構成に
し、画素信号毎に転送容量の両端電圧を検出する
期間と転送容量の電荷をリセツトスイツチSrを
閉じて急速に放電さす期間を設ける方法であつて
もよい。この場合には、個別電極の選択スイツチ
SY1，SY2…SYpは接地側に接続する端子は無く
てもよく、浮遊容量CY1，CY2…CYpの不要な電
荷を放電さすという同等の機能をリセツトスイツ
チSrで行うことができる。
また、第２図および第３図に示した例では、転
送期間と信号出力期間を別々に設けた例を示した
が、個別電極側のマトリクス接続を偶数ブロツク
と奇数ブロツクとを別々に行つて２組に分け、
各々の組毎に第２図または第４図に示す転送およ
び信号検出回路を設け、一方の転送期間を他方の
信号出力期間にあて、交互に信号出力を取り出す
ようにすれば、より高速駆動ができる。
送期間と信号出力期間を別々に設けた例を示した
が、個別電極側のマトリクス接続を偶数ブロツク
と奇数ブロツクとを別々に行つて２組に分け、
各々の組毎に第２図または第４図に示す転送およ
び信号検出回路を設け、一方の転送期間を他方の
信号出力期間にあて、交互に信号出力を取り出す
ようにすれば、より高速駆動ができる。
さらに、第２図においてはフオトダイオードと
ブロツキングダイオードを直列に接続したものを
光電変換の単位要素としたものを示したが、この
部分は、第５図のようにフオトダイオードと容量
を直列に接続したものであつてもよい。この場
合、フオトダイオードはブロツキングダイオード
の機能を兼ねて動作し、直列容量は第２図のフオ
トダイオードの並列容量C11，C12…Cmnと同等の
機能を有する。
ブロツキングダイオードを直列に接続したものを
光電変換の単位要素としたものを示したが、この
部分は、第５図のようにフオトダイオードと容量
を直列に接続したものであつてもよい。この場
合、フオトダイオードはブロツキングダイオード
の機能を兼ねて動作し、直列容量は第２図のフオ
トダイオードの並列容量C11，C12…Cmnと同等の
機能を有する。
以上のようにこの発明によると、フオトダイオ
ード列をマトリクス構成に接続するとともに、個
別電極側に転送容量列CS1，CS2…CSpを配置し
た構成にし、信号の検出は、フオトダイオードの
並列容量C11，C12…Cmnに蓄積された信号電荷を
ブロツク単位に同時に上記転送容量列CS1，CS2
…CSpに転送し、その後信号出力スイツチS1，S2
…Spにより高速に信号出力端子１から信号電圧
として検出するようにしたので、従来のものに対
して、格段に高速駆動ができる効果がある。
ード列をマトリクス構成に接続するとともに、個
別電極側に転送容量列CS1，CS2…CSpを配置し
た構成にし、信号の検出は、フオトダイオードの
並列容量C11，C12…Cmnに蓄積された信号電荷を
ブロツク単位に同時に上記転送容量列CS1，CS2
…CSpに転送し、その後信号出力スイツチS1，S2
…Spにより高速に信号出力端子１から信号電圧
として検出するようにしたので、従来のものに対
して、格段に高速駆動ができる効果がある。
第１図は従来の大形イメージセンサの構成を示
す図、第２図はこの発明の一実施例による大形イ
メージセンサの構成を示す図、第３図は第２図の
実施例の動作を説明するためのタイミングを示す
図、第４図はこの発明の他の実施例を説明するた
めの構成図、第５図はこの発明の第３の実施例を
説明する図である。 図において、PD11，PD12…PDmnはフオトダ
イオード、BD11，BD12…BDmnはブロツキング
ダイオード、SX1，SX2…SXmは共通電極側選択
スイツチ、SY1，SY2…SYpは個別電極側選択ス
イツチ、CS1，CS2…CSpは転送容量である。な
お各図中において同一符号は同一又は相当部分を
示す。
す図、第２図はこの発明の一実施例による大形イ
メージセンサの構成を示す図、第３図は第２図の
実施例の動作を説明するためのタイミングを示す
図、第４図はこの発明の他の実施例を説明するた
めの構成図、第５図はこの発明の第３の実施例を
説明する図である。 図において、PD11，PD12…PDmnはフオトダ
イオード、BD11，BD12…BDmnはブロツキング
ダイオード、SX1，SX2…SXmは共通電極側選択
スイツチ、SY1，SY2…SYpは個別電極側選択ス
イツチ、CS1，CS2…CSpは転送容量である。な
お各図中において同一符号は同一又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電変換要素を多数配列したものをマトリク
ス接続したものにおいて、上記マトリクス回路の
共通電極側に接続され、所定電位の直流電源側又
は大地側に切替え接続できる選択スイツチ列と、
上記マトリクス回路の個別電極と同数の容量列
と、上記個別電極を該容量列又は大地側に切替え
接続できる選択スイツチ列と、上記容量列にそれ
ぞれ接続したスイツチ列とを備え、上記個別電極
側の選択スイツチ列は、同時に切替え動作を行
い、上記光電変換要素の出力電荷を上記容量列に
転送することを特徴としたイメージセンサ。 ２ 光電変換要素がフオトダイオードと容量を直
列接続したものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のイメージセンサ。 ３ 光電変換要素がフオトダイオードとブロツキ
ングダイオードとを直列接続したものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイメー
ジセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188996A JPS6080361A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188996A JPS6080361A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080361A JPS6080361A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH0135539B2 true JPH0135539B2 (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=16233545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58188996A Granted JPS6080361A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080361A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740715B2 (ja) * | 1986-02-18 | 1995-05-01 | キヤノン株式会社 | 画像読取センサ |
| US6141045A (en) * | 1997-09-22 | 2000-10-31 | Xerox Corporation | Method for detecting defective photosensor circuits in a photosensor array |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59153373A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-09-01 | Canon Inc | 光センサ装置 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58188996A patent/JPS6080361A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6080361A (ja) | 1985-05-08 |
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