JPH0740715B2 - 画像読取センサ - Google Patents
画像読取センサInfo
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- JPH0740715B2 JPH0740715B2 JP61034732A JP3473286A JPH0740715B2 JP H0740715 B2 JPH0740715 B2 JP H0740715B2 JP 61034732 A JP61034732 A JP 61034732A JP 3473286 A JP3473286 A JP 3473286A JP H0740715 B2 JPH0740715 B2 JP H0740715B2
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- Japan
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- image sensor
- linear image
- chips
- sensor chips
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は画像を光電的に読取るための画像読取センサに
関するものである。
関するものである。
デジタル複写機やフアクシミリの原稿画像読取り用に、
単一の基板上に複数のリニアイメージセンサを配列し、
これにより原稿を一対一で読取り可能な密着型マルチチ
ツプリニアイメージセンサが提案されている。
単一の基板上に複数のリニアイメージセンサを配列し、
これにより原稿を一対一で読取り可能な密着型マルチチ
ツプリニアイメージセンサが提案されている。
この従来提案の密着型マルチチツプリニアイメージセン
サは第４図に示すように、短尺なリニアイメージセンサ
チツプ１〜５を必要とする原稿主走査長を賄える長さだ
けつなぎ合わせる。このために、長尺なセラミツク基板
11を用い、この基板11上に形成した連続する導電ランド
パタン７上に前述のリニアイメージセンサチツプ１〜５
をハンダ取り付けし一体物として製作していた。
サは第４図に示すように、短尺なリニアイメージセンサ
チツプ１〜５を必要とする原稿主走査長を賄える長さだ
けつなぎ合わせる。このために、長尺なセラミツク基板
11を用い、この基板11上に形成した連続する導電ランド
パタン７上に前述のリニアイメージセンサチツプ１〜５
をハンダ取り付けし一体物として製作していた。
即ち、第４図において、１〜５は、直線上に並べられた
多数の感光画素を有し、入射する量に応じて画像信号を
出力する個々に独立なCCDリニアイメージセンサチツ
プ、６はCCDリニアイメージセンサチツプ１〜５を一体
化するための長尺セラミツク基板、７はセラミツク基板
６上に設けられた個々に独立なCCDリニアイメージセン
サチツプをセラミツク基板６上に取り付け、かつ各CCD
リニアイメージセンサチツプ１〜５に電源を供給する為
の導電性ランドパタン、８は個々に独立なCCDリニアイ
メージセンサチツプ１〜５を駆動する為に、外部から与
えられるセンサ駆動パルスや個々のセンサが出力する画
像信号を外部へ取り出す為のセラミツク基板６上に設け
られた導電パタン、９は導電パタン８をセラミツク基板
６上で終端し、セラミツク基板６上から各信号を外部か
ら、また外部へ伝達する為のターミナルランドである。
第５図に第４図で丸枠で囲んだ部分の拡大図を示す。第
５図において10は個々に独立なリニアイメージセンサチ
ツプ１〜５を駆動する為の、あるいはリニアイメージセ
ンサチツプ１〜５からの出力を、セラミツク板上の導電
パタン８へ接続する為のボンデイングワイアである。ま
た、第４図で11はリニアイメージセンサチツプ１〜５と
セラミツク基板６から成る密着型マルチチツプリニアイ
メージセンサを示す。
多数の感光画素を有し、入射する量に応じて画像信号を
出力する個々に独立なCCDリニアイメージセンサチツ
プ、６はCCDリニアイメージセンサチツプ１〜５を一体
化するための長尺セラミツク基板、７はセラミツク基板
６上に設けられた個々に独立なCCDリニアイメージセン
サチツプをセラミツク基板６上に取り付け、かつ各CCD
リニアイメージセンサチツプ１〜５に電源を供給する為
の導電性ランドパタン、８は個々に独立なCCDリニアイ
メージセンサチツプ１〜５を駆動する為に、外部から与
えられるセンサ駆動パルスや個々のセンサが出力する画
像信号を外部へ取り出す為のセラミツク基板６上に設け
られた導電パタン、９は導電パタン８をセラミツク基板
６上で終端し、セラミツク基板６上から各信号を外部か
ら、また外部へ伝達する為のターミナルランドである。
第５図に第４図で丸枠で囲んだ部分の拡大図を示す。第
５図において10は個々に独立なリニアイメージセンサチ
ツプ１〜５を駆動する為の、あるいはリニアイメージセ
ンサチツプ１〜５からの出力を、セラミツク板上の導電
パタン８へ接続する為のボンデイングワイアである。ま
た、第４図で11はリニアイメージセンサチツプ１〜５と
セラミツク基板６から成る密着型マルチチツプリニアイ
メージセンサを示す。
第４図、第５図に示すように、従来の密着型マルチチツ
プリニアイメージセンサ11は独立なリニアイメージセン
サチツプ１〜５を１枚のセラミツク基板６上の導電性ラ
ンドパタン７上に組み立て、セラミツク基板６上の導電
パタン８、ボンデイングワイア10、そしてターミナルラ
ンド９を通して内部の個々に独立なリニアイメージセン
サチツプ１〜５への駆動信号、電源、画像信号の授受を
外部と行っていた。そして、この独立なリニアイメージ
センサチツプ１〜５が独立に出力する分割主走査画像
は、不図示の外部装置にて合成され一本の連続した主走
査画像が形成される。
プリニアイメージセンサ11は独立なリニアイメージセン
サチツプ１〜５を１枚のセラミツク基板６上の導電性ラ
ンドパタン７上に組み立て、セラミツク基板６上の導電
パタン８、ボンデイングワイア10、そしてターミナルラ
ンド９を通して内部の個々に独立なリニアイメージセン
サチツプ１〜５への駆動信号、電源、画像信号の授受を
外部と行っていた。そして、この独立なリニアイメージ
センサチツプ１〜５が独立に出力する分割主走査画像
は、不図示の外部装置にて合成され一本の連続した主走
査画像が形成される。
しかしながら、この従来の密着型マルチチツプリニアイ
メージセンサ11の複数のリニアイメージセンサチップ１
〜５を並行して駆動する場合には、隣接独立イメージセ
ンサチツプ間の信号が互いにわずかではあるが混じり合
う信号クロストークという問題があった。これはこのセ
ンサを用いた原稿画像読み取り装置が白、黒のみを判別
する二値画像読み取り装置である場合は、その白黒検出
比較信号レベル差が大きな為問題とはならなかったが、
原稿の白レベルから黒レベルまで連続した階調画像の読
取りを行おうとした場合、この隣接する独立イメージセ
ンサチツプ間の信号もれが主走査全体の原稿画像読み取
り信号の質を著しく劣化させる。
メージセンサ11の複数のリニアイメージセンサチップ１
〜５を並行して駆動する場合には、隣接独立イメージセ
ンサチツプ間の信号が互いにわずかではあるが混じり合
う信号クロストークという問題があった。これはこのセ
ンサを用いた原稿画像読み取り装置が白、黒のみを判別
する二値画像読み取り装置である場合は、その白黒検出
比較信号レベル差が大きな為問題とはならなかったが、
原稿の白レベルから黒レベルまで連続した階調画像の読
取りを行おうとした場合、この隣接する独立イメージセ
ンサチツプ間の信号もれが主走査全体の原稿画像読み取
り信号の質を著しく劣化させる。
例えば、第６図に示すように、信号コントラストのはっ
きりした白黒パタンを有した原稿12を走査して得た白黒
信号がリニアイメージセンサチツプ４に入った場合、第
７図に示すとおり、リニアイメージセンサチツプ４に隣
接する独立した筈のリニアイメージセンサチツプ３及び
５にもVR3、VR5というリニアイメージセンサチツプ４の
信号V4の濡れ信号が現われる。この隣接するリニアイメ
ージセンサチツプ間の信号濡れ原因はセラミツク基板６
上のリニアイメージセンサチツプ取り付け用の導電性ラ
ンドパタン７が微小な電気抵抗を含んでいる事に起因す
る。尚、第７図において、リニアイメージセンサ４の信
号V4の濡れ信号がリニアイメージセンサ3,5にのみ現れ
ているのは、リニアイメージセンサ1,2はリニアイメー
ジセンサ４から位置的に離れており、従って抵抗値が大
であり、リニアイメージセンサ３の信号V4の濡れ信号が
リニアイメージセンサ1,2へは現れにくく、リニアイメ
ージセンサ３の信号V4の濡れ信号がリニアイメージセン
サ1,2へは現れていない場合を示したからである。
きりした白黒パタンを有した原稿12を走査して得た白黒
信号がリニアイメージセンサチツプ４に入った場合、第
７図に示すとおり、リニアイメージセンサチツプ４に隣
接する独立した筈のリニアイメージセンサチツプ３及び
５にもVR3、VR5というリニアイメージセンサチツプ４の
信号V4の濡れ信号が現われる。この隣接するリニアイメ
ージセンサチツプ間の信号濡れ原因はセラミツク基板６
上のリニアイメージセンサチツプ取り付け用の導電性ラ
ンドパタン７が微小な電気抵抗を含んでいる事に起因す
る。尚、第７図において、リニアイメージセンサ４の信
号V4の濡れ信号がリニアイメージセンサ3,5にのみ現れ
ているのは、リニアイメージセンサ1,2はリニアイメー
ジセンサ４から位置的に離れており、従って抵抗値が大
であり、リニアイメージセンサ３の信号V4の濡れ信号が
リニアイメージセンサ1,2へは現れにくく、リニアイメ
ージセンサ３の信号V4の濡れ信号がリニアイメージセン
サ1,2へは現れていない場合を示したからである。
第５図のイメージセンサの電源等価回路を描くと第８図
の様になる。つまり、各独立したリニアイメージセンサ
チツプへの電源供給が隣接センサチツプ相互間にて微小
な電気抵抗をもった供給線にて行われる為、１つの独立
したイメージセンサチツプへの光入力信号変化による電
流変化が他独立イメージセンサチツプの電源電圧変化と
なる。
の様になる。つまり、各独立したリニアイメージセンサ
チツプへの電源供給が隣接センサチツプ相互間にて微小
な電気抵抗をもった供給線にて行われる為、１つの独立
したイメージセンサチツプへの光入力信号変化による電
流変化が他独立イメージセンサチツプの電源電圧変化と
なる。
従って、この共通電源供給線に存在する微小な抵抗分が
原因となって画像信号変化による電源変動を起こし個々
に独立な筈のリニアイメージセンサチツプの画像出力が
互いに僅かであるが混じり合う現象を起こし、原稿画像
読み取り装置としての性能を落とす原因となっていた。
原因となって画像信号変化による電源変動を起こし個々
に独立な筈のリニアイメージセンサチツプの画像出力が
互いに僅かであるが混じり合う現象を起こし、原稿画像
読み取り装置としての性能を落とす原因となっていた。
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、密着型マ
ルチチツプリニアイメージセンサにおけるチツプ間クロ
ストークを無くし、高精度に画像信号を作成する画像読
取センサの実現を目的とするものである。
ルチチツプリニアイメージセンサにおけるチツプ間クロ
ストークを無くし、高精度に画像信号を作成する画像読
取センサの実現を目的とするものである。
以下、本発明を好ましい実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図に本発明を適用した密着型マルチチツプリニアイ
メージセンサ41の構成を示す。第１図において、31〜35
は直線状に並べられた多数の感光画素を有し、入射する
光量に応じて画像信号を出力する個々に独立なCCDリニ
アイメージセンサチツプ、36はCCDRリニアイメージセン
サチツプ31〜35を一体化するための長尺セラミツク基
板、21〜25はセラミツク基板36上に設けられた個々に独
立なCCDリニアイメージセンサチツプ31〜35の夫々を独
立にセラミツク基板36上に取り付け、かつ各CCDリニア
イメージセンサチツプ31〜35に電源を供給する為の導電
性ランドパタン、38は個々に独立CCDリニアイメージセ
ンサチツプ31〜35を駆動する為に、外部から与えられる
センサ駆動パルスや個々のセンサが出力する画像信号を
外部へ取り出す為のセラミツク基板36上に設けられた導
電パタン、39は導電パタン38をセラミツク基板36上で終
端し、セラミツク基板36上から各信号を外部から、また
外部へ伝達する為のターミナルランドである。第２図に
第１図で丸枠で囲んだ部分の拡大図を示す。第２図にお
いて40は個々に独立なリニアイメージセンサチツプ31〜
35を駆動する為の、あるいはリニアイメージセンサチツ
プ31〜35からの出力を、セラミツク板上の導電パタン38
へ接続する為のボンデイングワイアである。
メージセンサ41の構成を示す。第１図において、31〜35
は直線状に並べられた多数の感光画素を有し、入射する
光量に応じて画像信号を出力する個々に独立なCCDリニ
アイメージセンサチツプ、36はCCDRリニアイメージセン
サチツプ31〜35を一体化するための長尺セラミツク基
板、21〜25はセラミツク基板36上に設けられた個々に独
立なCCDリニアイメージセンサチツプ31〜35の夫々を独
立にセラミツク基板36上に取り付け、かつ各CCDリニア
イメージセンサチツプ31〜35に電源を供給する為の導電
性ランドパタン、38は個々に独立CCDリニアイメージセ
ンサチツプ31〜35を駆動する為に、外部から与えられる
センサ駆動パルスや個々のセンサが出力する画像信号を
外部へ取り出す為のセラミツク基板36上に設けられた導
電パタン、39は導電パタン38をセラミツク基板36上で終
端し、セラミツク基板36上から各信号を外部から、また
外部へ伝達する為のターミナルランドである。第２図に
第１図で丸枠で囲んだ部分の拡大図を示す。第２図にお
いて40は個々に独立なリニアイメージセンサチツプ31〜
35を駆動する為の、あるいはリニアイメージセンサチツ
プ31〜35からの出力を、セラミツク板上の導電パタン38
へ接続する為のボンデイングワイアである。
第１図、第２図示の密着型マルチチツプリニアイメージ
センサ41は独立なリニアイメージセンサチツプ31〜35を
１枚のセラミツク基板36上に各リニアイメージセンサチ
ツプに対応して設けられた電気的に独立した導電性ラン
ドパタン21〜25上に組み立て、セラミツク基板36上の導
電パタン38、ボンデイングワイア40、そしてターミナル
ランド39を通して内部の個々に独立なリニアイメージセ
ンサチツプ31〜35への駆動信号、電源、画像信号の授受
を外部と行う。そして、この独立なリニアイメージセン
サチツプ31〜35が独立に出力する分割主走査画像は、不
図示の外部装置にて合成され一本の連続した主走査画像
が形成される。
センサ41は独立なリニアイメージセンサチツプ31〜35を
１枚のセラミツク基板36上に各リニアイメージセンサチ
ツプに対応して設けられた電気的に独立した導電性ラン
ドパタン21〜25上に組み立て、セラミツク基板36上の導
電パタン38、ボンデイングワイア40、そしてターミナル
ランド39を通して内部の個々に独立なリニアイメージセ
ンサチツプ31〜35への駆動信号、電源、画像信号の授受
を外部と行う。そして、この独立なリニアイメージセン
サチツプ31〜35が独立に出力する分割主走査画像は、不
図示の外部装置にて合成され一本の連続した主走査画像
が形成される。
このように、セラミツク基板36上でセンサチツプ取り付
け用の導電性ランドパタン21〜25を各チツプ31〜35ごと
に電気的独立にする。すなわち、第３図に示す等価回路
の如く各リニアイメージセンサチツプに独立に電源供給
する構成で密着型マルチチツプリニアイメージセンサを
形成する事で、隣接イメージセンサチツプ間の電源電圧
変動を抑えるものである。
け用の導電性ランドパタン21〜25を各チツプ31〜35ごと
に電気的独立にする。すなわち、第３図に示す等価回路
の如く各リニアイメージセンサチツプに独立に電源供給
する構成で密着型マルチチツプリニアイメージセンサを
形成する事で、隣接イメージセンサチツプ間の電源電圧
変動を抑えるものである。
尚、本実施例では、セラミツク基板上に５本のリニアイ
メージセンサチツプを設けた密着型マルチチツプイメー
ジセンサを提示したが、これに限るものではなく、読取
るべき主走査巾や解像度等により、リニアイメージセン
サチツプの数や夫々の長さは適宜選択できる。
メージセンサチツプを設けた密着型マルチチツプイメー
ジセンサを提示したが、これに限るものではなく、読取
るべき主走査巾や解像度等により、リニアイメージセン
サチツプの数や夫々の長さは適宜選択できる。
以上説明した様に、本発明によると、単一のセラミック
基板上の複数のリニアイメージセンサチップへの電源供
給を共通の電源供給線を介して行うのではなく、単一の
セラミック基板上に電気的に独立した複数の導電性ラン
ドパタンを設け、複数のランドパタンの夫々を介して複
数のリニアイメージセンサチップに独立に電源供給可能
に構成したので、複数のリニアイメージセンサを並行し
て駆動する場合において、リニアイメージセンサチップ
間のクロストークの発生をなくすことでき、これによ
り、連続階調を有する原稿画像の高画質読取りが可能と
なるものである。
基板上の複数のリニアイメージセンサチップへの電源供
給を共通の電源供給線を介して行うのではなく、単一の
セラミック基板上に電気的に独立した複数の導電性ラン
ドパタンを設け、複数のランドパタンの夫々を介して複
数のリニアイメージセンサチップに独立に電源供給可能
に構成したので、複数のリニアイメージセンサを並行し
て駆動する場合において、リニアイメージセンサチップ
間のクロストークの発生をなくすことでき、これによ
り、連続階調を有する原稿画像の高画質読取りが可能と
なるものである。
第１図は本発明を適用した密着型マルチチツプリニアイ
メージセンサの構成図、第２図は第１図の部分拡大図、
第３図は第１図の等価回路図、第４図は従来の密着型マ
ルチチツプリニアイメージセンサの構成図、第５図は第
４図の部分拡大図、第６図は画像の一例を示す図、第７
図は第６図示の画像を第４図の密着型マルチチツプリニ
アイメージセンサで走査した場合の出力を示す図、第８
図は第４図の等価回路図であり、21〜25は導電性ランド
パタン、31〜35はCCDリニアイメージセンサチツプ、36
はセラミツク基板、39はターミナルランドである。
メージセンサの構成図、第２図は第１図の部分拡大図、
第３図は第１図の等価回路図、第４図は従来の密着型マ
ルチチツプリニアイメージセンサの構成図、第５図は第
４図の部分拡大図、第６図は画像の一例を示す図、第７
図は第６図示の画像を第４図の密着型マルチチツプリニ
アイメージセンサで走査した場合の出力を示す図、第８
図は第４図の等価回路図であり、21〜25は導電性ランド
パタン、31〜35はCCDリニアイメージセンサチツプ、36
はセラミツク基板、39はターミナルランドである。
Claims (1)
- 【請求項１】単一のセラミック基板上に複数のリニアイ
メージセンサチップを備え、前記複数のリニアイメージ
センサチップにより原稿主走査域を分割して読取る画像
読取センサであって、 前記単一のセラミック基板上に電気的に独立した複数の
導電性ランドパタンを設け、 前記複数の導電性ランドパタンの夫々にリニアイメージ
センサチップを取り付け、 前記複数のリニアイメージセンサチップを駆動するため
の電源を外部の電源供給源から前記複数のランドパタン
の夫々を介して前記複数のリニアイメージセンサチップ
に独立に供給可能に構成したことを特徴とする画像読取
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034732A JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034732A JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193353A JPS62193353A (ja) | 1987-08-25 |
| JPH0740715B2 true JPH0740715B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=12422486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034732A Expired - Fee Related JPH0740715B2 (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 画像読取センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740715B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183263A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 密着イメージセンサー |
| JP5768039B2 (ja) | 2012-12-28 | 2015-08-26 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | イメージセンサユニット、それを用いた画像読取装置、画像形成装置、及びイメージセンサユニットの制御方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6080361A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034732A patent/JPH0740715B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62193353A (ja) | 1987-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |