JPH0135547B2 - - Google Patents
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- JPH0135547B2 JPH0135547B2 JP58195074A JP19507483A JPH0135547B2 JP H0135547 B2 JPH0135547 B2 JP H0135547B2 JP 58195074 A JP58195074 A JP 58195074A JP 19507483 A JP19507483 A JP 19507483A JP H0135547 B2 JPH0135547 B2 JP H0135547B2
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- JP
- Japan
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- reset
- pulse
- gate electrode
- defective pixel
- solid
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/68—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to defects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体基板上に感光部を有する固体撮
像装置に係り、特に基板の結晶欠陥等による画像
欠陥を除去して良質の再生像を得るようにした固
体撮像装置に関する。
像装置に係り、特に基板の結晶欠陥等による画像
欠陥を除去して良質の再生像を得るようにした固
体撮像装置に関する。
第１図は固体撮像素子の１つであるCCD撮像
素子の構成図である。このCCD撮像素子はイン
ターライン転送方式であり、Pij（ｉ＝１、２、
…）Ｍ、ｊ＝１、２、…、Ｎ）は二次元配列され
た感光画素、Ciは垂直読み出しCCDレジスタ、
Ｈは水平読み出しCCDレジスタである。この構
造はシリコン等の半導体基板上に集積回路技術を
利用して一体形成される。そしてこの感光部に入
射光を光学的に結像して半導体基板の各感光画素
で光電変換された信号電荷を蓄積し、この蓄積さ
れた信号電荷を各レジスタに移してクロツクパル
スを印加することによつて順次転送して読み出す
ようになつている。
素子の構成図である。このCCD撮像素子はイン
ターライン転送方式であり、Pij（ｉ＝１、２、
…）Ｍ、ｊ＝１、２、…、Ｎ）は二次元配列され
た感光画素、Ciは垂直読み出しCCDレジスタ、
Ｈは水平読み出しCCDレジスタである。この構
造はシリコン等の半導体基板上に集積回路技術を
利用して一体形成される。そしてこの感光部に入
射光を光学的に結像して半導体基板の各感光画素
で光電変換された信号電荷を蓄積し、この蓄積さ
れた信号電荷を各レジスタに移してクロツクパル
スを印加することによつて順次転送して読み出す
ようになつている。
ところで、このような半導体を用いた固体撮像
素子では、半導体の結晶を一定の面積にわたつて
均一に形成することが困難であり、局部的に結晶
欠陥が生じる結果、この結晶欠陥がある部分で熱
的な原因によつて電荷が発生する。このため暗電
流がこの部分で他の部分に比べて大きくなる。こ
のときの入射光撮像時のCCD出力信号は第２図
に示すように欠陥画素において暗電流が異常に大
きくなる。したがつて再生画像上では欠陥画素の
部分がノイズとなつて現われ、画像劣化となり、
著しく見苦しいものとなる。
素子では、半導体の結晶を一定の面積にわたつて
均一に形成することが困難であり、局部的に結晶
欠陥が生じる結果、この結晶欠陥がある部分で熱
的な原因によつて電荷が発生する。このため暗電
流がこの部分で他の部分に比べて大きくなる。こ
のときの入射光撮像時のCCD出力信号は第２図
に示すように欠陥画素において暗電流が異常に大
きくなる。したがつて再生画像上では欠陥画素の
部分がノイズとなつて現われ、画像劣化となり、
著しく見苦しいものとなる。
この画像欠陥を回路的な処理によつて除去する
方法が特公昭55−32270号公報に開示されている。
この方法を第２図を用いて説明する。CCD出力
信号中の第ｎ番の画素が局部的な結晶欠陥による
ノイズであり、この部分が異状に大きい暗電流の
ためレベルが特に高くなつている。このレベルが
高くなつている画像欠陥のうち所定のレベルを越
えるものを検出し、欠陥画素の信号を欠陥画素の
１つ前の画素である第（ｎ―１）番の信号レベル
で置き換える方法である。
方法が特公昭55−32270号公報に開示されている。
この方法を第２図を用いて説明する。CCD出力
信号中の第ｎ番の画素が局部的な結晶欠陥による
ノイズであり、この部分が異状に大きい暗電流の
ためレベルが特に高くなつている。このレベルが
高くなつている画像欠陥のうち所定のレベルを越
えるものを検出し、欠陥画素の信号を欠陥画素の
１つ前の画素である第（ｎ―１）番の信号レベル
で置き換える方法である。
しかし、この方法は所定レベル以下の画像欠陥
の補正はできない問題があつた。またこの方法で
補正できるレベルを十分低く設定すると、CCD
を非常に狭い入射光の範囲で使うことになりＳ／
Ｎ劣化の原因となつていた。また、CCDを１個
用いてカラー画像を得るには第２図に示すように
一般に水平画素配列方向にａ，b2種類の色フイ
ルタを用いる。この色フイルタの透過率特性は
ａ，ｂで異なる。したがつて欠陥画素のレベルが
ａ，ｂで異なつた値となり、この方法をそのまま
用いることは問題があつた。
の補正はできない問題があつた。またこの方法で
補正できるレベルを十分低く設定すると、CCD
を非常に狭い入射光の範囲で使うことになりＳ／
Ｎ劣化の原因となつていた。また、CCDを１個
用いてカラー画像を得るには第２図に示すように
一般に水平画素配列方向にａ，b2種類の色フイ
ルタを用いる。この色フイルタの透過率特性は
ａ，ｂで異なる。したがつて欠陥画素のレベルが
ａ，ｂで異なつた値となり、この方法をそのまま
用いることは問題があつた。
このカラー化時の問題に対して、欠陥画素の位
置に例えばPROMなどに記憶しておき欠陥画素
である第ｎ番の信号と同一色フイルタである第
（ｎ―２）番の画素信号を欠陥画素信号に補間す
る方法がある。この方法では欠陥画素のレベルに
関係なく補正できる。しかし、入射光のコントラ
ストが欠陥画素（第ｎ番）を補間される画素（第
ｎ―２番）で大きく異なつた場合は誤差が生ず
る。例えば補間される画素（第ｎ―２番）で黒で
欠陥画素（第ｎ番）が白である入射光を撮像する
と欠陥画素は黒に補正される。これは白の中に黒
点が現われることになり再生画像上では見苦しい
ものとなる。
置に例えばPROMなどに記憶しておき欠陥画素
である第ｎ番の信号と同一色フイルタである第
（ｎ―２）番の画素信号を欠陥画素信号に補間す
る方法がある。この方法では欠陥画素のレベルに
関係なく補正できる。しかし、入射光のコントラ
ストが欠陥画素（第ｎ番）を補間される画素（第
ｎ―２番）で大きく異なつた場合は誤差が生ず
る。例えば補間される画素（第ｎ―２番）で黒で
欠陥画素（第ｎ番）が白である入射光を撮像する
と欠陥画素は黒に補正される。これは白の中に黒
点が現われることになり再生画像上では見苦しい
ものとなる。
この問題を解決できる方法として、CCD出力
信号を処理する回路中に減算回路を設け、欠陥画
素信号中の欠陥暗電流成分のみCCD出力信号中
から減算するものがある。ここで減算に用いる信
号は例えばPROMなどに記憶された欠陥画素位
置の補正パルスであり、このパルスには欠陥画素
の振幅情報を持たせておく。この方法によれば上
記従来例で問題となつた補正誤差は現われない。
しかし、ここで用いる補正パルスは欠陥画素信号
を波形の整合性が強く要求される。すなわち補正
パルスの振幅、位相、形状などが１画素単位で打
ち消し合う条件でなければならない。これは回路
設計上極めて困難である。また、CCD出力信号
は入射光の強さに応じて位相特性が変化する。こ
の変化に応じて補正パルスの位相を調整しなけれ
ばならないという問題があつた。
信号を処理する回路中に減算回路を設け、欠陥画
素信号中の欠陥暗電流成分のみCCD出力信号中
から減算するものがある。ここで減算に用いる信
号は例えばPROMなどに記憶された欠陥画素位
置の補正パルスであり、このパルスには欠陥画素
の振幅情報を持たせておく。この方法によれば上
記従来例で問題となつた補正誤差は現われない。
しかし、ここで用いる補正パルスは欠陥画素信号
を波形の整合性が強く要求される。すなわち補正
パルスの振幅、位相、形状などが１画素単位で打
ち消し合う条件でなければならない。これは回路
設計上極めて困難である。また、CCD出力信号
は入射光の強さに応じて位相特性が変化する。こ
の変化に応じて補正パルスの位相を調整しなけれ
ばならないという問題があつた。
以上、３つの例を挙げて従来のCCDの画像欠
陥補正方式を説明したが、いずれの方法において
も確実に欠陥画素を補正することができず、良好
な再生像が得られない問題があつた。
陥補正方式を説明したが、いずれの方法において
も確実に欠陥画素を補正することができず、良好
な再生像が得られない問題があつた。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、半導
体基板の結晶欠陥などに起因して発生する画像欠
陥を簡単かつ効果的に除去し良質の再生像を得る
ことを可能とした固体撮像装置を提供することを
目的とする。
体基板の結晶欠陥などに起因して発生する画像欠
陥を簡単かつ効果的に除去し良質の再生像を得る
ことを可能とした固体撮像装置を提供することを
目的とする。
本発明は一次元もしくは二次元的に感光画素が
配列された感光部、信号電荷の転送部、フローテ
イング拡散層をもつ検出部、および検出部の信号
電荷をリセツトパルスによつて排出するリセツト
部を有する固体撮像装置において、欠陥画素位置
を記憶するメモリを備えこのメモリからのアドレ
スパルスによつて固体撮像装置出力信号中に含ま
れる１画素周期のリセツトパルスの混入量を制御
することにより画像欠陥を補正するものである。
配列された感光部、信号電荷の転送部、フローテ
イング拡散層をもつ検出部、および検出部の信号
電荷をリセツトパルスによつて排出するリセツト
部を有する固体撮像装置において、欠陥画素位置
を記憶するメモリを備えこのメモリからのアドレ
スパルスによつて固体撮像装置出力信号中に含ま
れる１画素周期のリセツトパルスの混入量を制御
することにより画像欠陥を補正するものである。
その第１の方法は、固体撮像装置のリセツトゲ
ート電極へ印加するリセツトパルスのドライバの
パルス振幅制御端子へ欠陥画素位置のみ発生する
アドレスパルスを加え、欠陥画素位置のみリセツ
トパルスの振幅を制御することによつて、出力信
号中に含まれるリセツトパルスの混入量を画像欠
陥の信号量に応じて変化させる。
ート電極へ印加するリセツトパルスのドライバの
パルス振幅制御端子へ欠陥画素位置のみ発生する
アドレスパルスを加え、欠陥画素位置のみリセツ
トパルスの振幅を制御することによつて、出力信
号中に含まれるリセツトパルスの混入量を画像欠
陥の信号量に応じて変化させる。
第２の方法は、固体撮像装置の出力ゲート電極
へ欠陥画素位置に限つてリセツトパルスと逆極性
のアドレスパルスを加え、出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量を画像欠陥の信号量に応
じて変化させる。
へ欠陥画素位置に限つてリセツトパルスと逆極性
のアドレスパルスを加え、出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量を画像欠陥の信号量に応
じて変化させる。
すなわち、本発明は、固体撮像装置の画像欠陥
の多くは通常画素に比べて局部的な暗電流によつ
てオフセツトをもち、入射光に対して感度を有す
ることと、固体撮像装置の出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量はこのパルス振幅に比例
することに着目し、欠陥画素位置に限つてリセツ
トパルスの混入量を制御して画像欠陥の補正をは
かるものである。
の多くは通常画素に比べて局部的な暗電流によつ
てオフセツトをもち、入射光に対して感度を有す
ることと、固体撮像装置の出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量はこのパルス振幅に比例
することに着目し、欠陥画素位置に限つてリセツ
トパルスの混入量を制御して画像欠陥の補正をは
かるものである。
本発明によれば、従来の補正方式で問題となつ
ていた点が大幅に改善され、確実に画像欠陥の補
正ができる。以下に本発明の具体的な効果を列記
する。
ていた点が大幅に改善され、確実に画像欠陥の補
正ができる。以下に本発明の具体的な効果を列記
する。
(a) 欠陥画素自身のオフセツト成分を補正する方
式であるので、白黒カメラはもちろんのことあ
らゆるカラー撮像方式に適合できる。
式であるので、白黒カメラはもちろんのことあ
らゆるカラー撮像方式に適合できる。
(b) 欠陥画素は隣接画素との補間は行なつてない
ので水平画素配列方向にコントラスト比の大き
い入射光に対しても補正誤差が生じない。
ので水平画素配列方向にコントラスト比の大き
い入射光に対しても補正誤差が生じない。
(c) 固体撮像装置の出力信号中に含まれるリセツ
トパルスの混入量を制御するので、出力信号波
の整合性が極めて良好である。
トパルスの混入量を制御するので、出力信号波
の整合性が極めて良好である。
(d) 固体撮像装置内の信号電荷から信号電圧に変
換する段階で補正するので、プリアンプなどの
信号処理回路の特性に影響を与えない。
換する段階で補正するので、プリアンプなどの
信号処理回路の特性に影響を与えない。
(e) アドレスパルスは固体撮像装置に加えるリセ
ツトパルスと位相合わせが容易にできるのでタ
イミングの余裕が大きくとれる。
ツトパルスと位相合わせが容易にできるのでタ
イミングの余裕が大きくとれる。
(f) 信号処理回路中にアドレスパルスを混合する
回路が不要となるのでアナログ回路が簡易化さ
れる。
回路が不要となるのでアナログ回路が簡易化さ
れる。
本発明の実施例の説明に先立ち、本発明の方式
を適用するCCDの欠陥画素の特徴とリセツトパ
ルスの混入量の特性について説明する。第３図は
発明者らが実験した画素の光入力量に対する出力
電圧の特性すなわち光電変換特性を示すものであ
る。欠陥のない通常画素の特性は図のＡに示すよ
うにγ（ガンマ）値がほぼ１であり所定以上の入
力光では出力電圧は飽和する。実際に使用する入
力光範囲はこの飽和点の1/3付近とし、不自然な
画像にならないようにしている。一方、CCDの
局部的な結晶欠陥などによる欠陥画素の特性は図
のＢに示すように通常画素の場合に対して結晶欠
陥による暗電流分だけオフセツトされた状態にな
る。すなわち欠陥画素においても光入力に対して
感度を有することがわかる。したがつてこれを補
正するには欠陥画素に限つて局部的な暗電流分の
オフセツト成分を減算して通常画素と同一線上の
図のＣの一点鎖線で示す特性にすれば良いことが
わかる。ここでＣの特性は飽和電圧がオフセツト
分だけ減少するが、使用する入力光範囲は前記し
たように1/3付近であり実用上問題はない。
を適用するCCDの欠陥画素の特徴とリセツトパ
ルスの混入量の特性について説明する。第３図は
発明者らが実験した画素の光入力量に対する出力
電圧の特性すなわち光電変換特性を示すものであ
る。欠陥のない通常画素の特性は図のＡに示すよ
うにγ（ガンマ）値がほぼ１であり所定以上の入
力光では出力電圧は飽和する。実際に使用する入
力光範囲はこの飽和点の1/3付近とし、不自然な
画像にならないようにしている。一方、CCDの
局部的な結晶欠陥などによる欠陥画素の特性は図
のＢに示すように通常画素の場合に対して結晶欠
陥による暗電流分だけオフセツトされた状態にな
る。すなわち欠陥画素においても光入力に対して
感度を有することがわかる。したがつてこれを補
正するには欠陥画素に限つて局部的な暗電流分の
オフセツト成分を減算して通常画素と同一線上の
図のＣの一点鎖線で示す特性にすれば良いことが
わかる。ここでＣの特性は飽和電圧がオフセツト
分だけ減少するが、使用する入力光範囲は前記し
たように1/3付近であり実用上問題はない。
第４図はCCDを駆動するリセツトゲート電極
に印加するリセツトパルス振幅とCCD出力信号
中に含まれるリセツトパルスの混入量の関係を示
したものである。両者の関係は比例している。そ
して欠陥画素のγ（ガンマ）値はほぼ１であるこ
とからリセツトパルスの混入量を欠陥画素のオフ
セツト分に相当した量Ｄを減算すれば、CCD出
力信号は第３図で説明したＣの特性を得ることが
できる。リセツトパルス振幅とその混入量の割合
は約1/20程度であり、例えば10Vp-pのリセツト
パルスを印加したときCCD出力信号中には
500mVp-pの混入量がある。一方CCDの飽和電圧
は約1000mVp-pであり、その使用最大電圧は前記
したように飽和電圧の1/3である300mVp-pにな
る。したがつて欠陥画素のオフセツト成分は使用
最大電圧値まで十分補正できることがわかる。本
発明の特徴は欠陥画素においても入力光に対して
感度を有することに着目し、そのオフセツト量に
応じてCCD出力信号中に含まれるリセツトパル
スの混入量を減量するものである。その減算手段
はCCD出力部にあるリセツトゲート電極、リセ
ツトドレイン電極、出力ゲート電極、リセツトゲ
ート電極に隣接して別途設けた電極、フローテン
グ拡散層に隣接した電極などに加えるパルス拡幅
を制御することによつて達成される。
に印加するリセツトパルス振幅とCCD出力信号
中に含まれるリセツトパルスの混入量の関係を示
したものである。両者の関係は比例している。そ
して欠陥画素のγ（ガンマ）値はほぼ１であるこ
とからリセツトパルスの混入量を欠陥画素のオフ
セツト分に相当した量Ｄを減算すれば、CCD出
力信号は第３図で説明したＣの特性を得ることが
できる。リセツトパルス振幅とその混入量の割合
は約1/20程度であり、例えば10Vp-pのリセツト
パルスを印加したときCCD出力信号中には
500mVp-pの混入量がある。一方CCDの飽和電圧
は約1000mVp-pであり、その使用最大電圧は前記
したように飽和電圧の1/3である300mVp-pにな
る。したがつて欠陥画素のオフセツト成分は使用
最大電圧値まで十分補正できることがわかる。本
発明の特徴は欠陥画素においても入力光に対して
感度を有することに着目し、そのオフセツト量に
応じてCCD出力信号中に含まれるリセツトパル
スの混入量を減量するものである。その減算手段
はCCD出力部にあるリセツトゲート電極、リセ
ツトドレイン電極、出力ゲート電極、リセツトゲ
ート電極に隣接して別途設けた電極、フローテン
グ拡散層に隣接した電極などに加えるパルス拡幅
を制御することによつて達成される。
次に本発明の具体的実施例を順次説明する。第
５図は本発明の画像欠陥補正回路の一実施例の構
成図、第６図はその信号波形図である。CCD撮
像素子１は第１図は説明したインターライン転送
方式CCDであり、図ではその出力部のみ示して
いる。出力部はフローテング拡散型と周知のもの
である。即ち出力部は基板２上に形成された出力
ゲート電極OGとフローテイング拡散層FDとから
なる検出部、拡散層FDの信号電荷を排出するた
めのリセツトゲート電極RSとドレイン領域RDと
からなるリセツト部、そしてMOSトランジスタ
による出力アンプ３で構成されている。光電変換
された信号電荷は出力ゲート電極OGへ印加した
電圧VOGによつて基板に形成した障壁電位を越え
て検知用ダイオードを構成している拡散層FDに
流れ込む。一方拡散層FDの電位はリセツトゲー
ト電極RSへ印加したリセツトパルスの周期でド
レイン電圧VRDにリセツトされる。拡散層FDへ
流れ込んだ信号電荷はこの拡散層FDと出力アン
プ３の入力ゲート容量の合計で決まる容量Ciによ
つて信号電圧に変換される。この信号電圧の中に
はリセツトゲート電極RSと拡散層RD間の容量Cr
によつてリセツトゲート電極RSへ印加するリセ
ツトパルスが混入する。この信号電圧は出力アン
プ３で電流増幅され出力端子から取り出し、プリ
アンプ４を通し、リセツトパルスの混入の除去や
インピーダンス変換などを行ない、色分離回路５
によつて輝度（Ｙ）、赤（Ｒ）、青(B)などに分離し
各信号をプロセス処理後カラーエンコーダ６によ
つてNTSCカラー信号に形成して出力する。画像
欠陥のあるCCD出力信号は第６図に示すように
欠陥画素部分で暗電流が異状に大きいためレベル
が特に高くなつている（図では下の方向）。この
欠陥画素の位置に限つてアドレスパルスを発生す
る。このアドレスパルスはアドレスメモリ７によ
つてあらかじめCCD撮像素子１の欠陥画素の位
置を記憶しておく。これには例えばPROMを使
う。アドレスメモリ７の出力はインターフエース
回路８によつてCCD撮像素子１のクロツク周期
のパルスに変換してデコーダ９により欠陥画素位
置のアドレスパルスを発生する。アドレスパルス
はリセツトパルスがオンの期間に切換えるタイミ
ングにしておく。そして振幅制御回路１０によつ
て欠陥画素のオフセツト相当分になるパルス振幅
を発生させる。このオフセツト相当分は温度変化
によつてその量が変わるのでCCDの温度変化検
知をCCD内もしくはCCD近傍に設けた温度検出
素子TDによつて行なう構成としている。振幅制
御回路１０によつて得たアドレスパルスはリセツ
トパルスドライバ１１の低レベル電圧制御端子へ
印加する。この結果、欠陥画素位置に限つてリセ
ツトパルスの振幅が低下する。したがつてCCD
出力信号中に混入するリセツトパルスの混入量は
減少し、欠陥画素の画像信号分と通常画素の画像
信号分は同一になる。ここで重要なことは欠陥画
素のオフセツト分とリセツトパルスの混入量の加
算量が通常画素のリセツトパルスの混入量と同一
にすることである。タイミング発生回路１２は
CCD駆動に必要なパルスとキズ補正方式に必要
なパルスを同期して発生する。
５図は本発明の画像欠陥補正回路の一実施例の構
成図、第６図はその信号波形図である。CCD撮
像素子１は第１図は説明したインターライン転送
方式CCDであり、図ではその出力部のみ示して
いる。出力部はフローテング拡散型と周知のもの
である。即ち出力部は基板２上に形成された出力
ゲート電極OGとフローテイング拡散層FDとから
なる検出部、拡散層FDの信号電荷を排出するた
めのリセツトゲート電極RSとドレイン領域RDと
からなるリセツト部、そしてMOSトランジスタ
による出力アンプ３で構成されている。光電変換
された信号電荷は出力ゲート電極OGへ印加した
電圧VOGによつて基板に形成した障壁電位を越え
て検知用ダイオードを構成している拡散層FDに
流れ込む。一方拡散層FDの電位はリセツトゲー
ト電極RSへ印加したリセツトパルスの周期でド
レイン電圧VRDにリセツトされる。拡散層FDへ
流れ込んだ信号電荷はこの拡散層FDと出力アン
プ３の入力ゲート容量の合計で決まる容量Ciによ
つて信号電圧に変換される。この信号電圧の中に
はリセツトゲート電極RSと拡散層RD間の容量Cr
によつてリセツトゲート電極RSへ印加するリセ
ツトパルスが混入する。この信号電圧は出力アン
プ３で電流増幅され出力端子から取り出し、プリ
アンプ４を通し、リセツトパルスの混入の除去や
インピーダンス変換などを行ない、色分離回路５
によつて輝度（Ｙ）、赤（Ｒ）、青(B)などに分離し
各信号をプロセス処理後カラーエンコーダ６によ
つてNTSCカラー信号に形成して出力する。画像
欠陥のあるCCD出力信号は第６図に示すように
欠陥画素部分で暗電流が異状に大きいためレベル
が特に高くなつている（図では下の方向）。この
欠陥画素の位置に限つてアドレスパルスを発生す
る。このアドレスパルスはアドレスメモリ７によ
つてあらかじめCCD撮像素子１の欠陥画素の位
置を記憶しておく。これには例えばPROMを使
う。アドレスメモリ７の出力はインターフエース
回路８によつてCCD撮像素子１のクロツク周期
のパルスに変換してデコーダ９により欠陥画素位
置のアドレスパルスを発生する。アドレスパルス
はリセツトパルスがオンの期間に切換えるタイミ
ングにしておく。そして振幅制御回路１０によつ
て欠陥画素のオフセツト相当分になるパルス振幅
を発生させる。このオフセツト相当分は温度変化
によつてその量が変わるのでCCDの温度変化検
知をCCD内もしくはCCD近傍に設けた温度検出
素子TDによつて行なう構成としている。振幅制
御回路１０によつて得たアドレスパルスはリセツ
トパルスドライバ１１の低レベル電圧制御端子へ
印加する。この結果、欠陥画素位置に限つてリセ
ツトパルスの振幅が低下する。したがつてCCD
出力信号中に混入するリセツトパルスの混入量は
減少し、欠陥画素の画像信号分と通常画素の画像
信号分は同一になる。ここで重要なことは欠陥画
素のオフセツト分とリセツトパルスの混入量の加
算量が通常画素のリセツトパルスの混入量と同一
にすることである。タイミング発生回路１２は
CCD駆動に必要なパルスとキズ補正方式に必要
なパルスを同期して発生する。
このように本実施例によればCCDの出力信号
中に含まれる局部的な結晶欠陥などによる異状暗
電流にもとずくノイズは確実に除去でき、良好な
カラー画像が得られる。
中に含まれる局部的な結晶欠陥などによる異状暗
電流にもとずくノイズは確実に除去でき、良好な
カラー画像が得られる。
次に本発明の別の実施例を第７図、第８図に示
す。この実施例は本発明を確実に行なうものであ
り発明者が設計、実験を行ない簡単な回路構成で
極めて良好な補正が得られたものである。第７図
にその構成図、第８図にその信号波形図を示す。
この実施例は欠陥画素のオフセツト分の除去を
CCD撮像素子１の出力ゲート電極OGを制御して
行なう画像欠陥補正回路である。ここで第５図と
対応する部分は第５図と同一付号を付して詳細な
説明は省略する。アドレスメモリ７によつて、
CCDの欠陥画素のアドレス位置と振幅量を記憶
しておく。アドレスメモリ７の書き込み、読み出
しはメモリの消費電力を下げるため、通常のスピ
ードより十分遅い速度で行なつている。この遅い
速度のデータを通常の速度に変換するインターフ
エース回路８を通し振幅デコーダ９―１、アドレ
スデコーダ９―２によつて欠陥画素の振幅量、ア
ドレス位置に対応したパルスを発生する。ここで
リセツトパルスは通常の状態としておく。アドレ
スデコーダ９―２から得るアドレスパルスは、第
８図のようにリセツトパルスのオフ期間で立上
り、立下りを行えば良くタイミングの余裕が約
100nsある。OGパルス発生回路１３ではアドレ
スパルスとリセツトパルスのオン期間のAND成
分を検出し、欠陥画素位置の直前のリセツトパル
スがオン期間に限つて第８図のようにリセツトパ
ルスと逆極性のOGパルスを発生させる。そして
OGパルスドライバ１４ではCCDの欠陥画素の温
度変化の振幅に対応した量を発生する振幅制御回
路１０より得た電圧でOGパルス振幅を制御す
る。そしてCCD撮像素子１の出力ゲート電極OG
へOGパルスを印加する。この結果CCD出力信号
中に含まれるリセツトパルスの混入量は欠陥画素
位置に限つて欠陥画素の暗電流分のオフセツト量
に相当する分を減少させることができる。
す。この実施例は本発明を確実に行なうものであ
り発明者が設計、実験を行ない簡単な回路構成で
極めて良好な補正が得られたものである。第７図
にその構成図、第８図にその信号波形図を示す。
この実施例は欠陥画素のオフセツト分の除去を
CCD撮像素子１の出力ゲート電極OGを制御して
行なう画像欠陥補正回路である。ここで第５図と
対応する部分は第５図と同一付号を付して詳細な
説明は省略する。アドレスメモリ７によつて、
CCDの欠陥画素のアドレス位置と振幅量を記憶
しておく。アドレスメモリ７の書き込み、読み出
しはメモリの消費電力を下げるため、通常のスピ
ードより十分遅い速度で行なつている。この遅い
速度のデータを通常の速度に変換するインターフ
エース回路８を通し振幅デコーダ９―１、アドレ
スデコーダ９―２によつて欠陥画素の振幅量、ア
ドレス位置に対応したパルスを発生する。ここで
リセツトパルスは通常の状態としておく。アドレ
スデコーダ９―２から得るアドレスパルスは、第
８図のようにリセツトパルスのオフ期間で立上
り、立下りを行えば良くタイミングの余裕が約
100nsある。OGパルス発生回路１３ではアドレ
スパルスとリセツトパルスのオン期間のAND成
分を検出し、欠陥画素位置の直前のリセツトパル
スがオン期間に限つて第８図のようにリセツトパ
ルスと逆極性のOGパルスを発生させる。そして
OGパルスドライバ１４ではCCDの欠陥画素の温
度変化の振幅に対応した量を発生する振幅制御回
路１０より得た電圧でOGパルス振幅を制御す
る。そしてCCD撮像素子１の出力ゲート電極OG
へOGパルスを印加する。この結果CCD出力信号
中に含まれるリセツトパルスの混入量は欠陥画素
位置に限つて欠陥画素の暗電流分のオフセツト量
に相当する分を減少させることができる。
このことをさらに詳しく説明する。CCDの出
力部に形成されている出力ゲート電極OGはリセ
ツトゲード電極RS同様にフローテング拡散層FD
との間に容量Cpを持つ。リセツトパルスの混入は
リセツトゲート電極RSと拡散層FDとの間の容量
Crによつてあるので、出力ゲート電極OGへリセ
ツトパルスと逆極性のパルスを印加すると、その
印加場所に限つてリセツトパスの混入量が減算さ
れた形となる。このときOGパルスはリセツトパ
ルスのオン期間に限つて加えることでリセツトパ
ルスの混入レベルがリセツト動作で確実に通常画
素の場所とそろえられる。この実施例では出力ゲ
ート電極OGは入力パルスに対して比例するこ
と、出力ゲート電極のプロセスマージンを損なわ
ないこと、パルスの高速性が良いこと、リセツト
ゲート電極側の容量CrとCpはほぼ等しいことなど
が要求されるが、これらの点は発明者の実験結果
で200mV信号電圧のセツトに対して200mVオフ
セツト成分を持つ画像欠陥まで十分に補正できる
ことが実証されている。特にプロセスマージンは
出力ゲート電極OGに負側のパルスを印加してい
るのでむしろマージンが増加する方向にある。パ
ルスの高速性と容量Crはリセツトゲート電極RS
と同様な構造であるから特に問題はない。
力部に形成されている出力ゲート電極OGはリセ
ツトゲード電極RS同様にフローテング拡散層FD
との間に容量Cpを持つ。リセツトパルスの混入は
リセツトゲート電極RSと拡散層FDとの間の容量
Crによつてあるので、出力ゲート電極OGへリセ
ツトパルスと逆極性のパルスを印加すると、その
印加場所に限つてリセツトパスの混入量が減算さ
れた形となる。このときOGパルスはリセツトパ
ルスのオン期間に限つて加えることでリセツトパ
ルスの混入レベルがリセツト動作で確実に通常画
素の場所とそろえられる。この実施例では出力ゲ
ート電極OGは入力パルスに対して比例するこ
と、出力ゲート電極のプロセスマージンを損なわ
ないこと、パルスの高速性が良いこと、リセツト
ゲート電極側の容量CrとCpはほぼ等しいことなど
が要求されるが、これらの点は発明者の実験結果
で200mV信号電圧のセツトに対して200mVオフ
セツト成分を持つ画像欠陥まで十分に補正できる
ことが実証されている。特にプロセスマージンは
出力ゲート電極OGに負側のパルスを印加してい
るのでむしろマージンが増加する方向にある。パ
ルスの高速性と容量Crはリセツトゲート電極RS
と同様な構造であるから特に問題はない。
次に複数の欠陥画素について温度補償を行なつ
た場合の別の実施例を説明する。第９図は欠陥画
素が３個ある場合の構成例であり、第１０図はそ
の信号波形図である。CCDの欠陥画素はａ，ｂ，
ｃの３個である。CCD撮像素子１内に設けられ
た温度検出素子TD例えばＰ−oダイオードで構成
されたものを、定電流回路１５を電圧V1で駆動
して温度変化に対応した電圧を発生する。この電
圧を乗算回路１６に通しその出力から温度補正さ
れた各欠陥画素ａ，ｂ，ｃに対応する直流電圧
υa，υb，υcを発生する。一方基準電圧υrを発生し
バツフアアンプ１７を通しアナログマルチプレク
サ２１のアナログ入力端子へ加える。また、欠陥
画素に対応した直流電圧υa，υb，υcはそれぞれバ
ツフアアンプ１８，１９，２０を通しアナログマ
ルチプレクサ２１のアナログ入力端子へ加える。
一方、欠陥画素位置のパルスを発生するため、ア
ドレスメモリ７からインターフエース回路８を通
しアドレスデコーダ９によつてアドレスパルス
P1，P2を得る。アドレスパルスP1，P2はAND回
路２２，２３によつてリセツトパルスとのAND
を得て、第１０図に示すようにリセツトパルスが
オン期間のみパルスが発生するアドレスパルス
P1A，P2Aを得る。このパルスをアナログマルチプ
レクサ２１のコントロール入力端子へ印加する。
アナログマルチプレクサ２１の出力はａ，ｂ，ｃ
の欠陥画素に応じたオフセツト成分を持つOGパ
ルスが得られる。このOGパルスをコンデンサ２
４を通し、OGバイアス回路２５によつて所定の
電圧にセツトした状態でCCD撮像素子１のOG端
子へ加える。この結果、欠陥画素ａ，ｂ，ｃの
CCD出力信号中に含まれるリセツトノイズ量は
それぞれに応じてオフセツト分だけ減少する。
た場合の別の実施例を説明する。第９図は欠陥画
素が３個ある場合の構成例であり、第１０図はそ
の信号波形図である。CCDの欠陥画素はａ，ｂ，
ｃの３個である。CCD撮像素子１内に設けられ
た温度検出素子TD例えばＰ−oダイオードで構成
されたものを、定電流回路１５を電圧V1で駆動
して温度変化に対応した電圧を発生する。この電
圧を乗算回路１６に通しその出力から温度補正さ
れた各欠陥画素ａ，ｂ，ｃに対応する直流電圧
υa，υb，υcを発生する。一方基準電圧υrを発生し
バツフアアンプ１７を通しアナログマルチプレク
サ２１のアナログ入力端子へ加える。また、欠陥
画素に対応した直流電圧υa，υb，υcはそれぞれバ
ツフアアンプ１８，１９，２０を通しアナログマ
ルチプレクサ２１のアナログ入力端子へ加える。
一方、欠陥画素位置のパルスを発生するため、ア
ドレスメモリ７からインターフエース回路８を通
しアドレスデコーダ９によつてアドレスパルス
P1，P2を得る。アドレスパルスP1，P2はAND回
路２２，２３によつてリセツトパルスとのAND
を得て、第１０図に示すようにリセツトパルスが
オン期間のみパルスが発生するアドレスパルス
P1A，P2Aを得る。このパルスをアナログマルチプ
レクサ２１のコントロール入力端子へ印加する。
アナログマルチプレクサ２１の出力はａ，ｂ，ｃ
の欠陥画素に応じたオフセツト成分を持つOGパ
ルスが得られる。このOGパルスをコンデンサ２
４を通し、OGバイアス回路２５によつて所定の
電圧にセツトした状態でCCD撮像素子１のOG端
子へ加える。この結果、欠陥画素ａ，ｂ，ｃの
CCD出力信号中に含まれるリセツトノイズ量は
それぞれに応じてオフセツト分だけ減少する。
したがつて本実施例では温度変化に応じて複数
の欠陥画素を確実に補正できる。またOGパルス
を発生する回路にアナログマルチプレクサを用い
ることによりパルス振幅が変化した場合において
もパルス波形の劣化が少ない特徴がある。
の欠陥画素を確実に補正できる。またOGパルス
を発生する回路にアナログマルチプレクサを用い
ることによりパルス振幅が変化した場合において
もパルス波形の劣化が少ない特徴がある。
以上、説明した実施例ではインターライン転送
方式CCDで行なつたが、本発明はこれに限らず、
例えばフレーム転送方式CCDを用いた場合も同
様な効果が期待できる。要するに検出部がフロー
テング拡散層で形成され周基的にリセツト動作を
行なう固体撮像素子であれば本発明を適用するこ
とが可能である。
方式CCDで行なつたが、本発明はこれに限らず、
例えばフレーム転送方式CCDを用いた場合も同
様な効果が期待できる。要するに検出部がフロー
テング拡散層で形成され周基的にリセツト動作を
行なう固体撮像素子であれば本発明を適用するこ
とが可能である。
また、本発明は固体撮像素子の光電変換特性の
γ（ガンマ）値が１の場合について説明したが、
γ（ガンマ）値が１以外の場合にも本発明は適用
することができる。この場合は第５図ないし第７
図の振幅制御回路１０に固体撮像素子に合わせた
γ（ガンマ）補正係数を持たせれば良い。
γ（ガンマ）値が１の場合について説明したが、
γ（ガンマ）値が１以外の場合にも本発明は適用
することができる。この場合は第５図ないし第７
図の振幅制御回路１０に固体撮像素子に合わせた
γ（ガンマ）補正係数を持たせれば良い。
また、本発明と従来の画素補間方式を組み合わ
せて、本発明で感度を有する欠陥画素を補正し、
補間方式で感度を有しない欠陥画素を補正するよ
うにすれば、より高い歩留が期待でき、この結果
安価な固体撮像装置が実現できる。
せて、本発明で感度を有する欠陥画素を補正し、
補間方式で感度を有しない欠陥画素を補正するよ
うにすれば、より高い歩留が期待でき、この結果
安価な固体撮像装置が実現できる。
また、本発明は黒の画像欠陥の補正にも適用で
きる。この場合は第３図で説明した欠陥画素のオ
フセツト分が通常画素に対して負の方向になるの
で、リセツトパルスの混入分を欠陥画素に限つて
増加すれば良い。
きる。この場合は第３図で説明した欠陥画素のオ
フセツト分が通常画素に対して負の方向になるの
で、リセツトパルスの混入分を欠陥画素に限つて
増加すれば良い。
また、アドレスパルスの位相はリセツトパルス
の位相に合わせて固定の位置で説明したが、この
位置が多少ずれても効果はそれ程減少しない。
の位相に合わせて固定の位置で説明したが、この
位置が多少ずれても効果はそれ程減少しない。
また、アドレスパルスの位相は再生画像上で欠
陥画素の暗電流分が最小になるようパルスの位相
を調整しても良い。
陥画素の暗電流分が最小になるようパルスの位相
を調整しても良い。
また、本発明は一次元の固体撮像素子に適用し
ても同様の効果が待期できる。
ても同様の効果が待期できる。
また、CCD内にオンチツプされている出力ア
ンプにサンプルアンドホールド回路を設ければ、
CCD出力信号にはリセツトパルスの混入分が除
去されるので後段の信号処理が容易になる。
ンプにサンプルアンドホールド回路を設ければ、
CCD出力信号にはリセツトパルスの混入分が除
去されるので後段の信号処理が容易になる。
第１図はインターライン転送方式CCD撮像素
子の概略構成を示す図、第２図は欠陥画素のある
CCD出力信号波形図、第３図は画素の入力光に
対する出力電圧特性を示す図、第４図はリセツト
パルス振幅に対するCCD出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量の関係を示す図、第５図
は本発明の一実施例の構成図、第６図はその動作
を説明するための信号波形図、第７図は本発明の
別の実施例を説明するための構成図、第８図はそ
の信号波形図、第９図は本発明に温度補償を行な
つた一実施例の構成図、第１０図はその信号波形
図である。 １……CCD撮像素子、OG……出力ゲート電
極、FD……フローテイング拡散層、RS……リセ
ツトゲート電極、RD……ドレイン、３……出力
アンプ、４……プリアンプ、５……色分離回路、
６……カラーエンコーダ、７……アドレスメモ
リ、８……インターフエース回路、９……デコー
ダ、１０……振幅制御回路、１１……リセツトパ
ルスドライバ、１２……タイミング回路、１３…
…OGパルス発生回路、１４……OGパルスドラ
イバ、１５……定電流回路、１６……乗算回路、
１７，１８，１９，２０……バツフアアンプ、２
１……アナログマルチプレクサ、２２，２３……
AND回路、２４……コンデンサ、２５……バイ
アス回路。
子の概略構成を示す図、第２図は欠陥画素のある
CCD出力信号波形図、第３図は画素の入力光に
対する出力電圧特性を示す図、第４図はリセツト
パルス振幅に対するCCD出力信号中に含まれる
リセツトパルスの混入量の関係を示す図、第５図
は本発明の一実施例の構成図、第６図はその動作
を説明するための信号波形図、第７図は本発明の
別の実施例を説明するための構成図、第８図はそ
の信号波形図、第９図は本発明に温度補償を行な
つた一実施例の構成図、第１０図はその信号波形
図である。 １……CCD撮像素子、OG……出力ゲート電
極、FD……フローテイング拡散層、RS……リセ
ツトゲート電極、RD……ドレイン、３……出力
アンプ、４……プリアンプ、５……色分離回路、
６……カラーエンコーダ、７……アドレスメモ
リ、８……インターフエース回路、９……デコー
ダ、１０……振幅制御回路、１１……リセツトパ
ルスドライバ、１２……タイミング回路、１３…
…OGパルス発生回路、１４……OGパルスドラ
イバ、１５……定電流回路、１６……乗算回路、
１７，１８，１９，２０……バツフアアンプ、２
１……アナログマルチプレクサ、２２，２３……
AND回路、２４……コンデンサ、２５……バイ
アス回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に、一次元もしくは二次元的に
配列形成された感光画素と、各感光画素で光電変
換されて蓄積された信号電荷を順次転送する転送
部と、転送された信号電荷を読出すための出力ゲ
ート電極とフローテイング拡散層とからなる検出
部と、この検出部の信号電荷を一定周期毎に排出
するためのリセツトゲート電極とドレインとから
なるリセツト部とを集積して構成される固体撮像
装置において、欠陥画素位置を記憶するメモリを
設け、このメモリから読出されたアドレスパルス
により前記欠陥画素の出力信号への前記リセツト
電極からのリセツトパルス混入量を制御して欠陥
画素部分で発生するオフセツト電圧を相殺するよ
うにしたことを特徴とする固体撮像装置。 ２ 前記リセツトパルス混入量の制御は、前記リ
セツトゲート電極へ印加するリセツトパルスのオ
フ期間でその振幅を制御することにより行なうよ
うにした特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装
置。 ３ 前記リセツトパルス混入量の制御は、前記リ
セツトゲート電極へ印加するリセツトパルスのオ
ン期間に前記出力ゲート電極、リセツトゲート電
極またはフローテイング拡散層に隣接して設けた
別の電極へパルスを印加することにより行うよう
にした特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195074A JPS6086980A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 固体撮像装置 |
| DE8484112395T DE3476956D1 (en) | 1983-10-18 | 1984-10-13 | Ccd picture element defect compensating apparatus |
| EP84112395A EP0140266B1 (en) | 1983-10-18 | 1984-10-13 | Ccd picture element defect compensating apparatus |
| US06/661,050 US4567525A (en) | 1983-10-18 | 1984-10-15 | CCD Picture element defect compensating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195074A JPS6086980A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086980A JPS6086980A (ja) | 1985-05-16 |
| JPH0135547B2 true JPH0135547B2 (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=16335116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195074A Granted JPS6086980A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4567525A (ja) |
| EP (1) | EP0140266B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6086980A (ja) |
| DE (1) | DE3476956D1 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59174085A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-02 | Toshiba Corp | カラ−固体撮像装置 |
| US4719512A (en) * | 1983-10-18 | 1988-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Noise cancelling image sensor |
| US4677490A (en) * | 1985-09-13 | 1987-06-30 | Rca Corporation | CCD imager output signal processing using drain output signal and wide-band sampled detected floating-element output signal |
| US4703442A (en) * | 1985-09-25 | 1987-10-27 | Rca Corporation | Temperature tracking defect corrector for a solid-state imager |
| US4739495A (en) * | 1985-09-25 | 1988-04-19 | Rca Corporation | Solid-state imager defect corrector |
| US5113246A (en) * | 1985-10-11 | 1992-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus for correcting a defect in color signals generated by a CCD |
| JPS639288A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の駆動方法 |
| JPS6358968A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷結合素子 |
| US4680489A (en) * | 1986-09-25 | 1987-07-14 | Rockwell International Corporation | Controllable piecewise linear gain circuit |
| JP2565260B2 (ja) * | 1987-10-17 | 1996-12-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置用画像欠陥補正装置 |
| JPH0828811B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1996-03-21 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像入力装置 |
| US5008758A (en) * | 1989-05-24 | 1991-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Suppressing dark current in charge-coupled devices |
| US5047863A (en) | 1990-05-24 | 1991-09-10 | Polaroid Corporation | Defect correction apparatus for solid state imaging devices including inoperative pixel detection |
| JP2805659B2 (ja) * | 1990-09-06 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | ブレミッシュ補正装置 |
| JPH0635027A (ja) * | 1992-07-22 | 1994-02-10 | Nikon Corp | カメラの自動露出装置及びカメラの測光装置 |
| US6618084B1 (en) * | 1997-11-05 | 2003-09-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Pixel correction system and method for CMOS imagers |
| US6611288B1 (en) * | 1998-02-26 | 2003-08-26 | Micron Technology, Inc. | Dead pixel correction by row/column substitution |
| US6118846A (en) * | 1999-02-23 | 2000-09-12 | Direct Radiography Corp. | Bad pixel column processing in a radiation detection panel |
| US7233393B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-06-19 | Applera Corporation | Signal noise reduction for imaging in biological analysis |
| JP5202462B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査装置および方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721904B2 (ja) * | 1973-10-03 | 1982-05-10 | ||
| JPS5373915A (en) * | 1976-12-14 | 1978-06-30 | Sony Corp | Noise eliminating circuit for solid image pickup unit |
| JPS6034872B2 (ja) * | 1977-01-28 | 1985-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の雑音除去回路 |
| JPS5919513B2 (ja) * | 1978-01-20 | 1984-05-07 | 株式会社東芝 | 固体撮像方式 |
| JPS5532270A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | Read control circuit for memory unit |
| US4435730A (en) * | 1982-03-08 | 1984-03-06 | Rca Corporation | Low noise CCD output |
| US4499497A (en) * | 1982-12-27 | 1985-02-12 | Rca Corporation | CCD Imager with improved low light level response |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58195074A patent/JPS6086980A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-13 DE DE8484112395T patent/DE3476956D1/de not_active Expired
- 1984-10-13 EP EP84112395A patent/EP0140266B1/en not_active Expired
- 1984-10-15 US US06/661,050 patent/US4567525A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0140266A1 (en) | 1985-05-08 |
| US4567525A (en) | 1986-01-28 |
| JPS6086980A (ja) | 1985-05-16 |
| EP0140266B1 (en) | 1989-03-01 |
| DE3476956D1 (en) | 1989-04-06 |
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