JPH0136717B2 - - Google Patents
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- JPH0136717B2 JPH0136717B2 JP23362782A JP23362782A JPH0136717B2 JP H0136717 B2 JPH0136717 B2 JP H0136717B2 JP 23362782 A JP23362782 A JP 23362782A JP 23362782 A JP23362782 A JP 23362782A JP H0136717 B2 JPH0136717 B2 JP H0136717B2
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- JP
- Japan
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- groove
- opening
- frequency
- characteristic impedance
- radio wave
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/76—Prevention of microwave leakage, e.g. door sealings
- H05B6/763—Microwave radiation seals for doors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、高周波電波を遮蔽する電波シール
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、この種の電波シール装置として、たとえ
ば高周波により調理物を誘電加熱して調理する電
子レンジを例に挙げて説明する。電子レンジは調
理物を収納して高周波加熱する加熱庫と、この加
熱庫の調理物出入用の開口部を開閉自在に覆う扉
とを備えたものであるが、調理物の出入時に扉を
開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外へ漏洩
して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
ば高周波により調理物を誘電加熱して調理する電
子レンジを例に挙げて説明する。電子レンジは調
理物を収納して高周波加熱する加熱庫と、この加
熱庫の調理物出入用の開口部を開閉自在に覆う扉
とを備えたものであるが、調理物の出入時に扉を
開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外へ漏洩
して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
従来の一例として米国特許第3182164号を第1
図に示す。第1図において、1は電子レンジの加
熱庫であり、この加熱庫1の開口部2を開閉自在
に覆う取手3を有する扉4が設けられている。こ
の扉4の周縁部には加熱庫1側に向いて開口した
隙間部5を有する空胴のチヨーク部6が形成され
ている。このチヨーク部6の奥行7は、使用され
る高周波の波長の実質的に4分の1に設計されて
いる。この場合扉4の厚みも4分の1波長であ
る。すなわち従来電子レンジで使用されている電
磁波の周波数は2450MHzであるので、4分の1波
長は約30mmとなる。この長さのチヨーク部6と対
向させるために、加熱庫1の開口部2に形成した
周縁部8の厚さ9は4分の1波長より大きい値と
なる。したがつて加熱庫1の開口部2の有効大き
さは周縁部8の分だけひとまわり小さい。
図に示す。第1図において、1は電子レンジの加
熱庫であり、この加熱庫1の開口部2を開閉自在
に覆う取手3を有する扉4が設けられている。こ
の扉4の周縁部には加熱庫1側に向いて開口した
隙間部5を有する空胴のチヨーク部6が形成され
ている。このチヨーク部6の奥行7は、使用され
る高周波の波長の実質的に4分の1に設計されて
いる。この場合扉4の厚みも4分の1波長であ
る。すなわち従来電子レンジで使用されている電
磁波の周波数は2450MHzであるので、4分の1波
長は約30mmとなる。この長さのチヨーク部6と対
向させるために、加熱庫1の開口部2に形成した
周縁部8の厚さ9は4分の1波長より大きい値と
なる。したがつて加熱庫1の開口部2の有効大き
さは周縁部8の分だけひとまわり小さい。
次に従来の他の一例として、米国特許第
2500676号を第2図a,bに示す。この例も電子
レンジの構成を示したものであり、マグネトロン
10の発振によつて得た高周波を加熱庫11に供
給し、調理物12を電磁誘導により加熱調理する
ものである。この加熱庫11の開口部13にはこ
の開口部13を開閉自在に覆う扉14が設けられ
ている。この扉14の周縁部にも溝状のチヨーク
部15が形成され、高周波が外部へ漏洩するのを
このチヨーク部15で防いでいる。このチヨーク
部15の深さ16もやはり使用周波数の4分の1
波長で設計されている。このため開口部13の有
効大きさは第1図同様、加熱庫11よりもひとま
わり小さい。
2500676号を第2図a,bに示す。この例も電子
レンジの構成を示したものであり、マグネトロン
10の発振によつて得た高周波を加熱庫11に供
給し、調理物12を電磁誘導により加熱調理する
ものである。この加熱庫11の開口部13にはこ
の開口部13を開閉自在に覆う扉14が設けられ
ている。この扉14の周縁部にも溝状のチヨーク
部15が形成され、高周波が外部へ漏洩するのを
このチヨーク部15で防いでいる。このチヨーク
部15の深さ16もやはり使用周波数の4分の1
波長で設計されている。このため開口部13の有
効大きさは第1図同様、加熱庫11よりもひとま
わり小さい。
上述のとおり従来のチヨーク部は4分の1波長
の深さとして高周波を減衰させるという技術思想
に基づいている。
の深さとして高周波を減衰させるという技術思想
に基づいている。
すなわち、チヨーク部の特性インピーダンスを
Zo、深さをLとし、終端部を短絡したときにチ
ヨーク部開口部でのインピーダンスZINは、 ZIN=jZotan(2πL/λo) (λoは自由空間波長) となる。
Zo、深さをLとし、終端部を短絡したときにチ
ヨーク部開口部でのインピーダンスZINは、 ZIN=jZotan(2πL/λo) (λoは自由空間波長) となる。
チヨーク方式の電波減衰手段は、チヨーク部の
深さLを4分の1波長に選定することにより、 |ZIN|=Zotan(π/2)=∞ を達成するという原理に基づいている。
深さLを4分の1波長に選定することにより、 |ZIN|=Zotan(π/2)=∞ を達成するという原理に基づいている。
もし、チヨーク部内に誘電体(比誘電率εr)を
充填すると、電波の波長λ′は、 λ′≒λo/√r に圧縮される。この場合チヨーク部の深さL′は、 L′≒L/√r と短くなる。しかしながらL′=λ′/4とすること
に変りはなく、チヨーク方式においては、深さを
実質的に4分の1波長よりも小さくすることがで
きず、チヨーク部の小型化に限界のあるものであ
つた。
充填すると、電波の波長λ′は、 λ′≒λo/√r に圧縮される。この場合チヨーク部の深さL′は、 L′≒L/√r と短くなる。しかしながらL′=λ′/4とすること
に変りはなく、チヨーク方式においては、深さを
実質的に4分の1波長よりも小さくすることがで
きず、チヨーク部の小型化に限界のあるものであ
つた。
近年、固体発振器の開発が進み実用化の時代が
到来した。電子レンジも例外ではなく、従来のマ
グネトロン発振器から固体発振器へと移行しつつ
ある。
到来した。電子レンジも例外ではなく、従来のマ
グネトロン発振器から固体発振器へと移行しつつ
ある。
電子レンジにおいて発振器の個体化による長所
は次のとおりである。
は次のとおりである。
(1) マグネトロンの駆動電圧は約3kvであるのに
対し、トランジスタ等による固体発振器の駆動
電圧は約400v以下でよく、実際には約40vが使
用されている。よつて電源電圧が低いので人体
にとつて安全であり、たとえリークしても感電
事故が発生しにくいものである。このためアー
スレス化が可能となり、ポータブル化の展開も
図れる。
対し、トランジスタ等による固体発振器の駆動
電圧は約400v以下でよく、実際には約40vが使
用されている。よつて電源電圧が低いので人体
にとつて安全であり、たとえリークしても感電
事故が発生しにくいものである。このためアー
スレス化が可能となり、ポータブル化の展開も
図れる。
(2) マグネトロンの寿命は約5000時間であるのに
対し、固体発振器はその約10倍以上であり、長
寿命である。
対し、固体発振器はその約10倍以上であり、長
寿命である。
(3) マグネトロンの発振周波数は固定であるのに
対し、固体発振器の発振周波数は可変可能であ
り、たとえば915MHzに対して上下13MHzの範
囲で変化させることができる。したがつて、負
荷(調理物)の大きさで周波数を自動追尾させ
ることにより、共振周波数が変わり高効率動作
を得ることができる。実験によれば2450±50M
Hz内で周波数を自動追尾させると、実用負荷効
率を固定周波数に比べて約60〜80%向上させる
ことができた。
対し、固体発振器の発振周波数は可変可能であ
り、たとえば915MHzに対して上下13MHzの範
囲で変化させることができる。したがつて、負
荷(調理物)の大きさで周波数を自動追尾させ
ることにより、共振周波数が変わり高効率動作
を得ることができる。実験によれば2450±50M
Hz内で周波数を自動追尾させると、実用負荷効
率を固定周波数に比べて約60〜80%向上させる
ことができた。
(4) 固体発振器は大量生産により、将来マグネト
ロンよりも低価格となり得る。
ロンよりも低価格となり得る。
また現在高周波調理用として国際的に割り当て
られているISM周波数(Iudustial、Scientific、
Medical)は5880MHz、2450MHz、915MHz、
400MHz等であり、これを逸脱して使用してはな
らない。現在のマグネトロンは上述のとおり
2450MHzで発振させているが、固体発振器で、同
一周波数2450MHzで発振させると、十分な出力電
力が得られずパワー不足となつてしまう。そこで
所望の出力電力を得るためには必然的により低い
周波数を選定しなければならず、たとえば915M
Hzが適当である。しかしながらこの周波数は従来
の周波数に比べて約2.7分の1であるので、波長
は逆に約2.7倍となり、4分の1波長は約80mmと
なつてしまう。したがつて電子レンジの周波数と
して915MHzを選定すると、第1図、第2図で説
明したチヨーク部の厚みは約80mmを超えることに
なり、加熱室の開口部の有効大きさは従来例に比
してきわめて小さくなり、実用化はきわめて困難
となる不都合を有するものである。
られているISM周波数(Iudustial、Scientific、
Medical)は5880MHz、2450MHz、915MHz、
400MHz等であり、これを逸脱して使用してはな
らない。現在のマグネトロンは上述のとおり
2450MHzで発振させているが、固体発振器で、同
一周波数2450MHzで発振させると、十分な出力電
力が得られずパワー不足となつてしまう。そこで
所望の出力電力を得るためには必然的により低い
周波数を選定しなければならず、たとえば915M
Hzが適当である。しかしながらこの周波数は従来
の周波数に比べて約2.7分の1であるので、波長
は逆に約2.7倍となり、4分の1波長は約80mmと
なつてしまう。したがつて電子レンジの周波数と
して915MHzを選定すると、第1図、第2図で説
明したチヨーク部の厚みは約80mmを超えることに
なり、加熱室の開口部の有効大きさは従来例に比
してきわめて小さくなり、実用化はきわめて困難
となる不都合を有するものである。
一方、発振周波数を2450MHzから915MHzに変
更する長所は次のとおりである。
更する長所は次のとおりである。
1 波長が長くなつたため、調理物の内部まで電
波が浸透し、加熱調理時間の速度を速くするこ
とができた。たとえば直径12cmの肉塊の中央部
を約50℃にするのに、2450MHz、600wで50分
以上要したのに対し、915MHz、300wで50分以
下しかかからない。
波が浸透し、加熱調理時間の速度を速くするこ
とができた。たとえば直径12cmの肉塊の中央部
を約50℃にするのに、2450MHz、600wで50分
以上要したのに対し、915MHz、300wで50分以
下しかかからない。
2 焼けむらの原因は定在波であり、定在波ピツ
チは波長と相関がある。915MHzを使用した場
合は定在波ピツチが大きく、調理物に焼けむら
が目立ちにくいものである。
チは波長と相関がある。915MHzを使用した場
合は定在波ピツチが大きく、調理物に焼けむら
が目立ちにくいものである。
よつて、電子レンジの使用周波数を915MHzに
変更することの短所は、電波シール手段が大きく
なつてしまうことである。
変更することの短所は、電波シール手段が大きく
なつてしまうことである。
なお、チヨーク部の厚さを小さくする手段の一
つとして、チヨーク部に誘電体を充填する構成が
ある。この構成によればチヨーク部の誘電率が大
きくなるので、チヨーク部を4分の1波長よりも
小さくでき、しかも4分の1波長のチヨーク部と
同等の効果を奏する。しかしながら誘電体が高価
であるために電子レンジ全体の価格も高価なもの
となつてしまい、また製造上手間とコストがかか
り、実用化の妨げとなつていた。
つとして、チヨーク部に誘電体を充填する構成が
ある。この構成によればチヨーク部の誘電率が大
きくなるので、チヨーク部を4分の1波長よりも
小さくでき、しかも4分の1波長のチヨーク部と
同等の効果を奏する。しかしながら誘電体が高価
であるために電子レンジ全体の価格も高価なもの
となつてしまい、また製造上手間とコストがかか
り、実用化の妨げとなつていた。
以下、従来例の原理を理論的に説明する。
チヨーク方式は周知の4分の1波長インピーダ
ンス変換原理にもとづくものである。即ち、チヨ
ーク溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを
lcとし、加熱室からチヨーク溝に至る漏波路1の
特性インピーダンスをZop、漏波路17の長さを
lp使用波長をλとしたときに、第3図の如くチヨ
ーク溝18の底Cの短絡インピーダンス(Zc=
0)はチヨーク溝18の開孔部Bで ZB=jZoctan2π/λlcとなる。19は電子レンジの 加熱室、20はドアである。ここでlc=λ/4と選 ぶことにより|ZB|=∞と変換できる。この開孔
部BのインピーダンスZBを線路始点A部でみたと
きのインピーダンスZAは ZA=−J2op1/tan2π/λlp となる。ここでlp=λ/4と選ぶことにより|ZA| =0と変換できる。チヨーク溝18の底部Cでの
短絡状態が4分の1波長インピーダンス変換原理
をたくみに利用することで線路始点に現出するこ
とにより電波シール装置として実用化しているも
のである。
ンス変換原理にもとづくものである。即ち、チヨ
ーク溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを
lcとし、加熱室からチヨーク溝に至る漏波路1の
特性インピーダンスをZop、漏波路17の長さを
lp使用波長をλとしたときに、第3図の如くチヨ
ーク溝18の底Cの短絡インピーダンス(Zc=
0)はチヨーク溝18の開孔部Bで ZB=jZoctan2π/λlcとなる。19は電子レンジの 加熱室、20はドアである。ここでlc=λ/4と選 ぶことにより|ZB|=∞と変換できる。この開孔
部BのインピーダンスZBを線路始点A部でみたと
きのインピーダンスZAは ZA=−J2op1/tan2π/λlp となる。ここでlp=λ/4と選ぶことにより|ZA| =0と変換できる。チヨーク溝18の底部Cでの
短絡状態が4分の1波長インピーダンス変換原理
をたくみに利用することで線路始点に現出するこ
とにより電波シール装置として実用化しているも
のである。
漏波路17やチヨーク溝18に誘電率εrの誘電
体を装荷することにより波長λ′は自由空間波長λ
のλ/√rになるが、4分の1波長(λ′/4)イ
ンピーダンス原理を用いることにより同様の効果
を得られる。
体を装荷することにより波長λ′は自由空間波長λ
のλ/√rになるが、4分の1波長(λ′/4)イ
ンピーダンス原理を用いることにより同様の効果
を得られる。
発明の目的
この発明は、発振周波数を低くしても、チヨー
ク部の大きさが大きくならない電波シール装置を
提供するものである。
ク部の大きさが大きくならない電波シール装置を
提供するものである。
発明の構成
この発明は、新しいインピーダンス変換原理を
用いた電波シールであり、漏波路と溝のそれぞれ
が特性インピーダンス不連続構成をとることによ
り、4分の1波長相当の寸法よりも小さい形状と
したものである。
用いた電波シールであり、漏波路と溝のそれぞれ
が特性インピーダンス不連続構成をとることによ
り、4分の1波長相当の寸法よりも小さい形状と
したものである。
実施例の説明
本発明はたとえば電子レンジの本体又は扉の少
くとも一方に溝を少くとも2つ設け、この溝の形
状は短絡部側の特性インピーダンスを開孔部側の
それよりも大きく構成し、開孔端から短絡端まで
の溝深さは4分の1波長未満である点に特徴を有
する。
くとも一方に溝を少くとも2つ設け、この溝の形
状は短絡部側の特性インピーダンスを開孔部側の
それよりも大きく構成し、開孔端から短絡端まで
の溝深さは4分の1波長未満である点に特徴を有
する。
小型化を可能にする基本的考え方としては、以
下のとおりである。
下のとおりである。
溝開孔部の特性インピーダンス、長さ位相定数
をZo1,ll1,β1とする。溝短絡部の特性インピー
ダンス、長さ位相定数をZo2,l2,β2とする溝の
開孔端から短絡端までの距離(溝の深さ)をl
(total)とするとl(total)=l1+l2となる。
をZo1,ll1,β1とする。溝短絡部の特性インピー
ダンス、長さ位相定数をZo2,l2,β2とする溝の
開孔端から短絡端までの距離(溝の深さ)をl
(total)とするとl(total)=l1+l2となる。
上記条件で溝の開孔端のインピーダンスZは、
Z=Zo1・tanβ1l1+Ktanβ2l2/1−Ktanβ1l1・tan
β2l2……(1) (但しK=Zo2/Zo1) となることは、簡単な計算で導出できる。
β2l2……(1) (但しK=Zo2/Zo1) となることは、簡単な計算で導出できる。
従来例ではZo2=Zo1、β1=β2(即ちK=1)に
相当するものである。従つてそのインピーダンス
Z′は1式より Z′=Zo1・tanβ1l1+tanβ2l2/1−tanβ1l1・tan
β2l2 =Zo1tan(β1l1+β2l2) =Zo1tan(β1・ltotal) ……(2) となり、ltotalをλ/4とすることでインピーダン ス反転していた。
相当するものである。従つてそのインピーダンス
Z′は1式より Z′=Zo1・tanβ1l1+tanβ2l2/1−tanβ1l1・tan
β2l2 =Zo1tan(β1l1+β2l2) =Zo1tan(β1・ltotal) ……(2) となり、ltotalをλ/4とすることでインピーダン ス反転していた。
一方本発明の構成によれば構成要件より、特性
インピーダンスがZo2>Zo1であるから、1式に
おいて特性インピーダンスの比Kの値は必らず1
より大きくなる。インピーダンスZを無限大にす
るためには1式の分母が零になればよいので1=
Ktanβ1l1・tanβ2l2を満たせばよく、特性インピ
ーダンス比Kの値を1より大きくした分だけ寸法
l1,l2を小さくしても従来と同様のインピーダン
ス反転がはかれるのである。
インピーダンスがZo2>Zo1であるから、1式に
おいて特性インピーダンスの比Kの値は必らず1
より大きくなる。インピーダンスZを無限大にす
るためには1式の分母が零になればよいので1=
Ktanβ1l1・tanβ2l2を満たせばよく、特性インピ
ーダンス比Kの値を1より大きくした分だけ寸法
l1,l2を小さくしても従来と同様のインピーダン
ス反転がはかれるのである。
本発明は電波シールの分野で歴史的に用いられ
ていたλ/4線路ではなく、λ/4未満線路でイ
ンピーダンス反転を実施するものである。この原
理を、理解しやすくするために、解析結果の一部
を第4図に示す。第4図は、A端を励振源としD
端を開放した伝送路の1部に、先端Cが短絡され
た開孔Bを有する溝を設けている。溝は開孔側よ
り短絡側の溝幅を2倍にしている。A点を同一条
件で励振し、溝の深さlTを変化させたとき、伝
送路内の電界は、a、b、cのように変化し、D
端に電波がとどかないのはbの場合、すなわち溝
の深さlTが、4分の1波長の約80%のとき
(λ/4未満線路)であり、それよりも長くても
短くても(a、cの場合)、bにくらべて電波が
よく洩れる。これはl1=l2=lT/2=λ/10.2、
K=b2/b1=2を1≒ktanβl1・tanβl2に代入す
ることで確認できる。
ていたλ/4線路ではなく、λ/4未満線路でイ
ンピーダンス反転を実施するものである。この原
理を、理解しやすくするために、解析結果の一部
を第4図に示す。第4図は、A端を励振源としD
端を開放した伝送路の1部に、先端Cが短絡され
た開孔Bを有する溝を設けている。溝は開孔側よ
り短絡側の溝幅を2倍にしている。A点を同一条
件で励振し、溝の深さlTを変化させたとき、伝
送路内の電界は、a、b、cのように変化し、D
端に電波がとどかないのはbの場合、すなわち溝
の深さlTが、4分の1波長の約80%のとき
(λ/4未満線路)であり、それよりも長くても
短くても(a、cの場合)、bにくらべて電波が
よく洩れる。これはl1=l2=lT/2=λ/10.2、
K=b2/b1=2を1≒ktanβl1・tanβl2に代入す
ることで確認できる。
特性インピーダンスを不連続にする考え方は以
下のとおりである。
下のとおりである。
本発明はシール装置の溝部を一方を接地導体と
し間隙寸法b離して幅寸法aの導体板を配置した
構成からなる。
し間隙寸法b離して幅寸法aの導体板を配置した
構成からなる。
詳細には溝開孔部側の幅をa1間隙をb1実効誘電
体をεeffとし、溝短絡部側の幅をa2間隙をb2とし
た構成で特性インピーダンスの比Kを次式で計算
し、 Kの値を1より大きくなるようにすることで特
性インピーダンスを不連続にする工夫をしてい
る。
体をεeffとし、溝短絡部側の幅をa2間隙をb2とし
た構成で特性インピーダンスの比Kを次式で計算
し、 Kの値を1より大きくなるようにすることで特
性インピーダンスを不連続にする工夫をしてい
る。
実際に応用にあたつては、溝カバーのスペース
TOP1が折り曲げ補強スペースlX1を設けるこ
とが少なくない。これらは原理説明をした場合に
くらべ電波の乱れが発生し計算寸法から多少ずれ
るものである。ずれの内容を下に示す。
TOP1が折り曲げ補強スペースlX1を設けるこ
とが少なくない。これらは原理説明をした場合に
くらべ電波の乱れが発生し計算寸法から多少ずれ
るものである。ずれの内容を下に示す。
TOP1の寸法を2mmにした場合とlX1を5〜
6mmにした場合の例を示す。
6mmにした場合の例を示す。
第5図は915MHzのシール装置検討例でTOP1
の寸法で溝の深さlTが変化する関係を示す。
TOP1の寸法を1〜3mmにするとlTは1〜6mm
深くなる。
の寸法で溝の深さlTが変化する関係を示す。
TOP1の寸法を1〜3mmにするとlTは1〜6mm
深くなる。
第6図は、2450MHzのシール装置の検討例で
TOP1=2mmと固定し補強スペースXl1で溝の
深さlTが変化する関係を示す。スペースlX1を
2〜6mmにすることで溝の深さlTは1〜3mm深
くなる。
TOP1=2mmと固定し補強スペースXl1で溝の
深さlTが変化する関係を示す。スペースlX1を
2〜6mmにすることで溝の深さlTは1〜3mm深
くなる。
図面に基づき実施例の詳細を説明する。
第7図は電子レンジの斜視図でパツチング板2
1を有する扉22が本体カバー23で覆われた本
体に装着されている。本体には操作パネル24が
設けられドア把手25は上記ドアに装着されてい
る。第8図には第7図のA―A線断面図、第9図
には第8図の斜視図を示している。第8図、第9
図において、第1の溝には折れ曲げ部aを有する
封口板26が臨み、第1の溝35と第2の溝36
を仕切る導体板群27は全体がU字形に折り曲げ
られたb、c、d、e部から成る。
1を有する扉22が本体カバー23で覆われた本
体に装着されている。本体には操作パネル24が
設けられドア把手25は上記ドアに装着されてい
る。第8図には第7図のA―A線断面図、第9図
には第8図の斜視図を示している。第8図、第9
図において、第1の溝には折れ曲げ部aを有する
封口板26が臨み、第1の溝35と第2の溝36
を仕切る導体板群27は全体がU字形に折り曲げ
られたb、c、d、e部から成る。
第1の溝35と第2の溝36をカバーする溝カ
バー28も同様形状のf、g、h部から成る。第
1、第2の溝35,36の開孔部側溝は,、
短絡部溝側溝は,で示される。
バー28も同様形状のf、g、h部から成る。第
1、第2の溝35,36の開孔部側溝は,、
短絡部溝側溝は,で示される。
第1、2溝35,36の開孔端と短絡端はそれ
ぞれ29,30,31,32で示される。パンチ
ング板21とドア22は止め具33とともにビス
34でしめつけてある。
ぞれ29,30,31,32で示される。パンチ
ング板21とドア22は止め具33とともにビス
34でしめつけてある。
導体板27はピツチpで幅a11のc、d、e部
と幅a12のb部から構成されている。第1の溝3
5の折れ曲げ部aとc部、b部とドア22との間
隙をそれぞれb1A,b12とし、第2の溝36のド
ア壁とe部、b部との間隙はそれぞれb21,b22と
している。従つて第1の溝35における特性イン
ピーダンスの比K1は となり第2の溝の値K2は となり、いずれもK1、K2を1のよりも大きくす
ることにより溝の深さ(l11+l12)及び(l21+l22)
を4分の1波長よりも小さく構成している。
と幅a12のb部から構成されている。第1の溝3
5の折れ曲げ部aとc部、b部とドア22との間
隙をそれぞれb1A,b12とし、第2の溝36のド
ア壁とe部、b部との間隙はそれぞれb21,b22と
している。従つて第1の溝35における特性イン
ピーダンスの比K1は となり第2の溝の値K2は となり、いずれもK1、K2を1のよりも大きくす
ることにより溝の深さ(l11+l12)及び(l21+l22)
を4分の1波長よりも小さく構成している。
第10図には第8図、第9図における測定例を
示している。測定は915MHzで本体とドアのギヤ
ツプを2mmにして測定した。寸法l11,l21はとも
に15mm、b11,b21はともに5mm、b12,b22はとも
に15mm、幅a11,a12はそれぞれ40mm、5mm、ピツ
チpは50mm、導板体dの寸法は約10mmとし、誘電
体カバーは厚み2mmのABS樹脂で構成したもの
である。グラフの縦軸は漏洩実測値を対数目盛で
目盛り、横軸は第1と第2の溝35,36の深さ
を使用波長との比で目盛つたものである。
示している。測定は915MHzで本体とドアのギヤ
ツプを2mmにして測定した。寸法l11,l21はとも
に15mm、b11,b21はともに5mm、b12,b22はとも
に15mm、幅a11,a12はそれぞれ40mm、5mm、ピツ
チpは50mm、導板体dの寸法は約10mmとし、誘電
体カバーは厚み2mmのABS樹脂で構成したもの
である。グラフの縦軸は漏洩実測値を対数目盛で
目盛り、横軸は第1と第2の溝35,36の深さ
を使用波長との比で目盛つたものである。
この特性図から明らかなように溝の深さは従来
のλ/4にくらべてさらに4分の1位にできるこ
とを示している。構成上のポイントは、導体板の
C部寸法、e部寸法及び封口板折り曲げ部(a
部)寸法を殆んど等しくしてる点にある。
のλ/4にくらべてさらに4分の1位にできるこ
とを示している。構成上のポイントは、導体板の
C部寸法、e部寸法及び封口板折り曲げ部(a
部)寸法を殆んど等しくしてる点にある。
発明の効果
実施例と測定値から明らかなように、発明の目
的である小型化を実現できる効果に加えて次の効
果が出る。
的である小型化を実現できる効果に加えて次の効
果が出る。
(1) 封口板の折り曲げ部で寸法b11をb12より小さ
くしてあるのでドアの溝部をアンダーカツトな
しに製造できる。
くしてあるのでドアの溝部をアンダーカツトな
しに製造できる。
(2) 折り曲げ部は誘電体カバー押えに兼用でき
る。
る。
(3) 第1の溝とそれ以外の溝の特性インピーダン
ス比を実施例の如く等しくすることで単一の溝
よりシール性能の向上がはかれる。
ス比を実施例の如く等しくすることで単一の溝
よりシール性能の向上がはかれる。
(4) 第1の溝とそれ以外の溝の特性インピーダン
ス比を変えることで例えば一方を2450MHz用、
他方は915MHz用と、各溝のインピーダンス反
転周波数を設定することにより加熱室内で2つ
の発振源を有する高周波加熱器が実現できる。
ス比を変えることで例えば一方を2450MHz用、
他方は915MHz用と、各溝のインピーダンス反
転周波数を設定することにより加熱室内で2つ
の発振源を有する高周波加熱器が実現できる。
よつて電子レンジにおいて、冷凍物の解凍の
ように低パワーでよい場合には915MHzの周波
数で調理し、高速加熱調理のように高パワーが
必要な場合には2450MHzの周波数で調理するこ
とができ、しかもどちらの電波洩れをも十分防
止できる電波シール体を提供できるものであ
る。
ように低パワーでよい場合には915MHzの周波
数で調理し、高速加熱調理のように高パワーが
必要な場合には2450MHzの周波数で調理するこ
とができ、しかもどちらの電波洩れをも十分防
止できる電波シール体を提供できるものであ
る。
(5) 溝の開口部側に誘電体を装荷することにより
開口部側位相定数を大きくでき、これも溝の寸
法の小型化に寄与できるものである。
開口部側位相定数を大きくでき、これも溝の寸
法の小型化に寄与できるものである。
第1図、第2図a,b、第3図はそれぞれ従来
側の電波シール装置の断面図、第4図a,b,c
は本発明における溝部の電界解析図、第5図a,
b,cは915MHzにおける装置の断面図、側面図、
特性図、第6図a,b,cは2450MHzにおける装
置の断面図、側面図、特性図、第7図は一般的な
電子レンジの斜視図、第8図は本発明の一実施例
における電波シール装置の断面図、第9図は第8
図の斜視図、第10図は同装置の特性図である。 21……扉、26……封口板、27……導体
板、35……第1の溝、36……第2の溝、a…
…折り曲げ部。
側の電波シール装置の断面図、第4図a,b,c
は本発明における溝部の電界解析図、第5図a,
b,cは915MHzにおける装置の断面図、側面図、
特性図、第6図a,b,cは2450MHzにおける装
置の断面図、側面図、特性図、第7図は一般的な
電子レンジの斜視図、第8図は本発明の一実施例
における電波シール装置の断面図、第9図は第8
図の斜視図、第10図は同装置の特性図である。 21……扉、26……封口板、27……導体
板、35……第1の溝、36……第2の溝、a…
…折り曲げ部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 開口部を有し電波が内部に供給される本体を
設け、この本体の前記開口部を開閉自在に覆う扉
を設け、前記本体と前記扉とが対向する部分の少
なくとも一方に第1の溝と第2の溝とを平行に設
け、前記第1の溝の開口部の一部を覆う封口板は
開口部分と折り曲げ部分との寸法をほぼ等しく
し、前記第2の溝の中に設けられほぼU字状をな
し前記第2の溝の開口部の一部を覆い、溝の長手
方向に周期的に切込み部を有する導体板を設け、
この導体板の底部を細くして第2の溝の開口部の
特性インピーダンスを底部の特性インピーダンス
よりも小さくした電波シール装置。 2 第1の溝および第2の溝のそれぞれの開口部
を短絡部の特性インピーダンスの比をほぼ等しく
した特許請求の範囲第1項記載の電波シール装
置。 3 第1の溝を第1の周波数の電波を吸収し、第
2の溝で第2の周波数の電波を吸収するよう、そ
れぞれの溝の開口部と短絡部の比を決定した特許
請求の範囲第1項記載の電波シール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233627A JPS59193098A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電波シ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233627A JPS59193098A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電波シ−ル装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193098A JPS59193098A (ja) | 1984-11-01 |
| JPH0136717B2 true JPH0136717B2 (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=16958005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233627A Granted JPS59193098A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 電波シ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193098A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060289526A1 (en) * | 2003-04-25 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency heating device and method for controlling same |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57233627A patent/JPS59193098A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59193098A (ja) | 1984-11-01 |