JPS6316873B2 - - Google Patents

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JPS6316873B2
JPS6316873B2 JP17730883A JP17730883A JPS6316873B2 JP S6316873 B2 JPS6316873 B2 JP S6316873B2 JP 17730883 A JP17730883 A JP 17730883A JP 17730883 A JP17730883 A JP 17730883A JP S6316873 B2 JPS6316873 B2 JP S6316873B2
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JP
Japan
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groove
conductor
opening
radio wave
characteristic impedance
Prior art date
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Application number
JP17730883A
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JPS6070688A (ja
Inventor
Takahiro Matsumoto
Shigeru Kusuki
Masaaki Yamaguchi
Tomotaka Nobue
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、高周波電波を遮蔽する電波シール
装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来、この種の電波シール装置として、たとえ
ば高周波により調理物を誘電加熱して調理する電
子レンジを例に挙げて説明する。電子レンジは調
理物を収納して高周波加熱する加熱庫と、この加
熱庫の調理物出入用の開口部を開閉自在に覆う扉
とを備えたものであるが、調理物の出入時に扉を
開ける際、加熱庫内の高周波電磁波が庫外へ漏洩
して人体に弊害を及ぼさないように電波シール対
策が施されている。
従来の一例として米国特許第3182164号を第1
図に示す。第1図において、1は電子レンジの加
熱庫であり、この加熱庫1の開口部2を開閉自在
に覆う取手3を有する扉4が設けられている。こ
の扉4の周縁部には加熱庫1側に向いて開口した
隙間部5を有する空胴のチヨーク部6が形成され
ている。このチヨーク部6の奥行7は、使用され
る高周波の波長の実質的に4分の1に設計されて
いる。この場合扉4の厚みも4分の1波長であ
る。すなわち従来電子レンジで使用されている電
磁波の周波数は2450MHzであるので、4分の1
波長は約30mmとなる。この長さのチヨーク部6と
対向させるために、加熱庫1の開口部2に形成し
た周縁部8の厚さ9は4分の1波長より大きい値
となる。したがつて加熱庫1の開口部2の有効大
きさは周縁部8の分だけひとまわり小さい。
次に従来の他の一例として、米国特許第
2500676号を第2図a,bに示す。この例も電子
レンジの構成を示したものであり、マグネトロン
10の発振によつて得た高周波を加熱庫11に供
給し、調理物12を電磁誘電により加熱調理する
ものである。この加熱庫11の開口部13にはこ
の開口部13を開閉自在に覆う扉14が設けられ
ている。この扉14の周縁部にも溝状のチヨーク
部15が形成され、高周波が外部へ漏洩するのを
このチヨーク部15で防いでいる。このチヨーク
部15の深さ16もやはり使用周波数の4分の1
波長で設計されている。このため開口部13の有
効大きさは第1図同様、加熱庫11よりもひとま
わり小さい。
上述のとおり従来のチヨーク部は4分の1波長
の深さとして高周波を減衰させるという技術思想
に基づいている。
すなわち、チヨーク部の特性インピーダンスを
Zo、深さをLとし、終端部を短絡したときにチ
ヨーク部開口部でのインピーダンスZINは、 ZIN=jZotan(2πL/λo) (λoは自由空間波長) となる。
チヨーク方式の電波減衰手段は、チヨーク部の
深さLを4分の1波長に選定することにより、 |ZIN|=Zotan(π/2)=∞ を達成するという原理に基づいている。
もし、チヨーク部内に誘電体(比誘電率εr)を
充填すると、電波の波長λ′は、 λ′≒λo/√r に圧縮される。この場合チヨーク部の深さL′は、 L′≒L/√r と短くなる。しかしながらL′=λ′/4とすること
に変りはなく、チヨーク方式においては、深さを
実質的に4分の1波長よりも小さくすることがで
きず、チヨーク部の小型化に限界のあるものであ
つた。
近年、固体発振器の開発が進み実用化の時代が
到来した。電子レンジも例外ではなく、従来のマ
グネトロン発振器から固体発振器へと移行しつつ
ある。
電子レンジにおいて発振器の固体化による長所
は次のとおりである。
(1) マグネトロンの駆動電圧は約3kvであるのに
対し、トランジスタ等による固体発振器の駆動
電圧は約400v以下でよく、実際には約40vが使
用されている。よつて電源電圧が低いので人体
にとつて安全であり、たとえリークしても感電
事故が発生しにくいものである。このためアー
スレス化が可能となり、ポータブル化の展開も
図れる。
(2) マグネトロンの寿命は5000時間であるのに対
し、固体発振器はその約10倍以上であり、長寿
命である。
(3) マグネトロンの発振周波数は固定であるのに
対し、固体発振器の発振周波数は可変可能であ
り、たとえば915MHzに対して上下13MHzの
範囲で変化させることができる。したがつて、
負荷(調理物)の大きさで周波数を自動追尾さ
せることにより、共振周波数が変わり高効率動
作を得ることができる。実験によれば2450±
50MHz内で周波数を自動追尾させると、実用
負荷効率を固定周波数に比べて約60〜80%向上
させることができた。
(4) 固体発振器は大量生産により、将来マグネト
ロンよりも低価格となり得る。
また現在高周波調理用として国際的に割り当て
られているISM周波数(Industrial、Scientific、
Medical)は5880MHz、2450MHz、915MHz、
400MHz等であり、これを逸脱して使用してはな
らない。現在のマグネトロンは上述のとおり
2450MHzで発振させているが、固体発振器では
同一周波数2450MHzで発振させると、十分な出
力電力が得られずパワー不足となつてしまう。
そこで所望の出力電力を得るためには必然的に
より低い周波数を選定しなければならず、たとえ
ば915MHzが適当である。しかしながらこの周波
数は従来の周波数に比べて約2.7分の1であるの
で、波長は逆に約2.7倍となり、4分の1波長は
約80mmとなつてしまう。したがつて電子レンジの
周波数として915MHzを選定すると、第1図、第
2図で説明したチヨーク部の厚みは約80mmを超え
ることになり、加熱室の開口部の有効大きさは従
来例に比してきわめて小さくなり、実用化はきわ
めて困難となる不都合を有するものである。
一方、発振周波数を2450MHzから915MHzに
変更する長所は次のとおりである。
(1) 波長が長くなつたため、周波数の内部まで電
波が浸透し、加熱調理時間の速度を速くするこ
とができた。たとえば直径12cmの肉塊の中央部
を約50℃にするのに、2450MHz、600Wで50分
以上要したのに対し、915MHz、300Wで50分
以下しかかからない。
(2) 焼けむらの原因は定在波であり、定在波ピツ
チは波長と相関がある。915MHzを使用した場
合は定在波ピツチが大きく、調理物に焼けむら
が目立ちにくいものである。
よつて、電子レンジの使用周波数を915MHzに
変更することの短所は、電波シール手段が大きく
なつてしまうことである。
なお、チヨーク部の厚さを小さくする手段の一
つとして、チヨーク部に誘電体を充填する構成が
ある。この構成によればチヨーク部の誘電率が大
きくなるので、チヨーク部を4分の1波長よりも
小さくでき、しかも4分の1波長のチヨーク部と
同等の効果を奏する。しかしながら誘電体が高価
であるために電子レンジ全体の価格も高価なもの
となつてしまい。また製造上手間とコストがかか
り、実用化の妨げとなつていた。
以下、従来例の原理を理論的に説明する。
チヨーク方式は周知の4分の1波長インピーダ
ンス変換原理にもとづくものである。即ち、チヨ
ーク溝の特性インピーダンスをZoc、溝の深さを
lcとし、加熱室からチヨーク溝に至る漏波路1の
特性インピーダンスをZop、漏波路17の長さを
lp使用波長をλとしたときに、第3図の如くチヨ
ーク溝18の底Cの短絡インピーダンス(Zc=
O)はチヨーク溝18の開孔部BでZB=jZoctan
2π/λlcとなる。19は電子レンジの加熱室、20 はドアである。ここでlc=λ/4と選ぶことにより |ZB|=∞と変換できる。この開孔部Bのインピ
ーダンスZBを線路始点A部でみたときのインピー
ダンスZAは ZA=−jZop1/tan2π/λlpとなる。ここで、lp=λ/
4と 選ぶことにより|ZA|=Oと変換できる。チヨ
ーク溝18の低部Cでの短絡状態が4分の1波長
インピーダンス変換原理をたくみに利用すること
で線路始点に現出することにより電波シール装置
として実用化しているものである。
漏波路17やチヨーク溝18に誘電率εrの誘電
体を装荷することにより波長λ′は自由空間波長λ
のλ/√rになるが、4分の1波長(λ′/4)イ
ンピーダンス原理を用いることにより同様の効果
が得られる。
発明の目的 この発明は、発振周波数を低くしても、チヨー
ク部の大きさが大きくならない電波シール装置を
提供するものである。
発明の構成 この発明は、新しいインピーダンス変換原理を
用いた電波シールであり、漏波路と溝のそれぞれ
が特性インピーダンス不連続構成をとることによ
り、4分の1波長相当の寸法と異つた形状とした
ものである。
実施例の説明 本発明はたとえば電子レンジの本体又はドアの
少なくとも一方に溝を少なくとも1つ設け、この
溝の形状は短絡部側の特性インピーダンスを開孔
部側のそれと変えることにより、開孔端から短絡
端までの溝の深さを使用周波数の4分の1波長に
限定されないようにし、かつ、溝の長手方向に開
孔部と短絡部の特性インピーダンス比の異なる溝
を周期的に並べてあることに特徴を有する。
溝の深さが4分の1波長に限定されない基本的
考え方としては、以下のとおりである。
溝開孔部の特性インピーダンス、長さ位相定数
をZo1、l1、β1とする。溝短絡部の特性インピー
ダンス、長さ位相定数をZo2、l2、β2とする。溝
の開孔端から短絡端までの距離(溝の深さ)をl
(total)とするとl(total)=l1+l2となる。
上記条件で溝の開孔端のインピーダンスZは、 Z=Zo1・tanβ1l1+Ktanβ2l2/1−Ktanβ1l1・tanβ
2l2…(1) (但しK=Zo2/Zo1) となることは、簡単な計算で導出できる。
従来例ではZo2=Zo1、β1=β2(即ちK=1)に
相当するものである。従つてそのインピーダンス
Z′は(1)式より Z′=Zo1・tanβ1l1+tanβ2l2/1−tanβ1l1・tanβ2
l2 =Zo1tan(β1l1+β2l2) =Zo1tan(β1・ltotal) …(2) となり、ltotalをλ/4とすることでインピーダン
ス反転していた。
一方本発明の構成によれば構成要件により、特
性インピーダンスがZo2≠Zo1であるから、(1)式
において特性インピーダンスの比Kの値は、K≠
1である。インピーダンスZを無限大にするに
は、(1)式の分母が零となればよいので1=
Ktanβ1l1・tanβ2l2を満たせばよく、例えば特性
インピーダンス比Kの値を1より大きくしたと
き、寸法l1,l2を小さくしても従来と同様のイン
ピーダンス反転がはかれ、ltotalがλ/4相当の長
さを必ずしも必要としないのである。このことは
言い換えると、寸法ltotalを一定にして、特性イ
ンピーダンスの比Kを変えると、インピーダンス
反転のおこる波長が変化するといえる。
本発明では、このことを利用して、チヨーク溝
の長手方向に、特性インピーダンス比Kの異なつ
た溝を周期的に並べて、2種類以上の周波数の電
波漏洩防止を行なつている。
本発明は電波シールの分野で歴史的に用いられ
ていたλ/4線路ではない線路でインピーダンス反
転を実施するものである。この原理を理解しやす
くするために、解析結果の一部を第4図a,b,
cに示す。第4図はA端を励振源とし、D端を開
放した伝送路の1部に、先端Cが短絡された開孔
Bを有する溝を設けている。溝は開孔側より短絡
側の溝幅を2倍にしている。A点を同一条件で励
振し、溝の深さlTを変化させたとき、伝送路内の
電界は、第4図a,b,cのように変化し、D端
に電波がとどかないのは2の場合、すなわち溝の
深さlTが4分の1波長の約80%のとき(λ/4未
満線路)であり、それよりも長くても短かくても
(第4図a,cの場合)、第4図bにくらべて電波
がよく洩れる。これはl1=l2=lT/2=λ/10.2、K =b2/b1=2を1≒Ktanβl1・tanβl2に代入する
ことで確認できよう。
特性インピーダンスを不連続にする考え方は以
下のとおりである。
本発明はシール装置の構部を一方を接地導体と
し間隙寸法b離して幅寸法aの導体片を配置した
構成からなる。
詳細には溝開孔部側の幅をa1間隙をb1実効誘電
率をεlffとし、溝短絡部側の幅をa2間隙をb2とし
た構成で特性インピーダンスの比Kを次式で計算
し、 Kの値をK≠1とすることで特性インピーダンス
を不連続にする工夫をしている。
図面に基づき実施例の詳細を説明する。
第5図は電子レンジの斜視図でパツチング板2
1を有するドア22が本体カバー23で覆われた
本体に装着されている。本体には操作パネル24
が設けられドア把手25は上記ドアに装着されて
いる。第6図には第5図のA−A線断面図、第7
図にはB−B線断面図を示す。溝26を形成する
壁面は2種類あつて、溝の長手方向に交互に並べ
られており、その様子を第8図に示す。第6図、
第8図に於て、溝を形成する一壁面である導体片
22aはほぼコの字状に折り曲げられ、c、d、
e、f部からなる。溝の開孔端は27、短絡端は
28で示される。溝の開孔部側を覆う溝カバー2
9は、ある間隔毎に抜け防止用のツメ30を備え
ている。ドア22の外側は合成樹脂製のドアカバ
ー31が覆つている。導体片22aは幅a1のc、
d、e部と幅a2のf部とからなり、導体片の折れ
曲げ部Cとドア22との間隙をb1、f部とドア2
2の間隙がb2としている。従つて溝26における
開孔側溝()と短絡側溝()の特性インピーダン
スの比Kaは となる。
このKaの値が1のとき溝の深さ(l1+l2)のほ
ぼ4倍相当の波長の電波に対して、この溝はチヨ
ーク部として働く。Kaを1より大きくすると、
より長い波長の電波に対応し、Kaを1より小さ
くするとより短い波長の電波に対応したチヨーク
溝として働く。この例ではKaを1より大きくし、
溝の深さ(l1+l2)の4倍よりも長い波長の電波
に対して有効なように構成している。
第7図、第8図に於て、溝26の一壁面の導体
片22bは、先端を折り曲げた構造をしている。
この例に於て、溝の開孔端側()と短絡端側()
の特性インピーダンスの比Kbはほぼ1となる構
成にしている。従つて、溝の深さ(l1+l2)のほ
ぼ4倍相当の波長に対してチヨーク溝として働く
構成になつている。
このように深さが一定の一つの溝で、異つた波
長の電波漏洩防止のできる構造としている。
第9図a,bには、溝の壁面を構成する導体板
の他の形状の例を示す。第9図bは溝に封口板を
設け、溝の2つの壁面の形成を周期的に変えてい
る。
上記では、板金を折り曲げて溝を構成する例を
示したが、プラスチツクに金属メツキをする方法
でも可能である。また、このシール構造は
915MHzの電波シールのみならず、2450MHz及
びその他の高周波についても同等の効果があると
いうことは、いうまでもない。
上記のように従来、2種類以上の波長、例えば
基本波と第2高調波の電波シールを行うために、
2本以上の溝が必要なものが、一つにすることが
可能であり、Kの値を大きくとれば、溝の深さも
小さくできる。
本質的に1=Ktanβ1l1・tanβ2l2を満たすイン
ピーダンス反転法の誤差要因について述べる。
本発明の実際の製品への応用にあたつては、溝
カバーのスペース(TOP1)や折り曲げ補強スペ
ース(lx1)を設けることが少なくない。これら
は原理説明をした場合にくらべ電波の乱れが発生
し上式通り計算した寸法から多少ずれるものであ
る。ズレの内容を以下に示す。
TOP1の寸法を2mmにした場合とIx1を5〜6mm
にした場合の例を示す。
第10図は915MHzのシール装置検討例で
TOP1の寸法で溝の深さlTが変化する関係を示す。
TOP1の寸法を1〜3mmにするとlTは1〜6mm深
くなる。
第11図は2450MHzのシール装置の検討例で
TOP1=2mmと固定し補強スペース(lx1)で溝の
深さlTが変化する関係を示す。スペースlx1を2〜
6mmにすることで溝の深さlTは1〜3mm深くな
る。
発明の効果 以上のように発明の目的である小型化を実現で
きる効果に加えて次の効果が出る。
(1) 溝の壁面の形状を変えるという簡単な構成で
電波シール装置が提供でき、低コスト化に貢献
できる。
(2) 折り曲げ部を誘電体カバー押さえに兼用でき
る。
(3) 溝の特性インピーダンス比を例えば一方を
2450MHz用、他方を915MHz用にインピーダ
ンス反転周波数を設定することにより加熱室内
で2つの発振源を有する高周波加熱器が実現で
きる。
よつて電子レンジにおいて、冷凍物の解凍の
ように低パワーでよい場合には915MHzの周波
数で調理し、高速加熱調理のように高パワーが
必要な場合には2450MHzの周波数で調理する
ことができ、しかもどちらの電波洩れをも防止
できる電波シール体を提供できる。
(4) 溝の深さが限定されないので、デザインや強
度の面を考えた設計が容易になる。
(5) 溝カバーを取りつけることにより、外観を美
しく仕上げることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図a,b、第3図はそれぞれ従来
例の電波シール装置の断面図、第4図a,b,c
は本発明における溝部の電界の解析図、第5図は
一般的な電子レンジの斜視図、第6図、第7図は
本発明の一実施例における電波シール装置の断面
図、第8図は第6図、第7図の溝の壁面部の斜視
図、第9図a,bは、他の本発明におけるシール
用溝の斜視図、第10図a,b,cは915MHzの
シール装置の断面図、正面図、特性図、第11図
a,b,cは2450MHzのシール装置の断面図、
正面図、特性図である。 22…ドア、22a,22b…導体片、26…
溝、27…溝の開孔部、28…溝の短絡部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 開口部を有し周波数が異なる2種類の電波が
    内部に供給される本体を設け、この本体の前記開
    口部を開閉自在に覆うドアを設け、前記本体と前
    記ドアとが対向する部分の少なくとも一方に一つ
    以上の溝部を設け、前記溝部の少なくとも一つの
    壁面は、溝の長手方向に間隔をおいて連続的に設
    置された導体片群により構成され、前記溝は、各
    導体片単位で溝の開孔部側と溝の短絡部側とで、
    溝幅、導体片幅及び、実効誘電率のうち少なくと
    も一つが異なる構成をとり、前記導体片群は二種
    類以上の異なつた形状を持つ導体片を溝の長手方
    向に周期的に配置し、少なくとも一種類は溝の開
    孔部の特性インピーダンスを底部の特性インピー
    ダンスよりも小さくし、周期的に異なつた周波数
    の電波に対するシール特性を持たした電波シール
    装置。 2 二種類以上の異つた形状の導体片群のうち、
    導体片の底部を細くして、溝の深さを使用波長の
    4分の1よりも短くした特許請求の範囲第1項記
    載の電波シール装置。 3 二種類の導体片を交互に溝の長手方向に配置
    し、各々の導体片によつて形成される溝の開孔部
    側の特性インピーダンスと短絡部側の特性インピ
    ーダンスの比を変えて、同一の溝で基本周波と第
    2高調波を吸収させた特許請求の範囲第1項記載
    の電波シール装置。
JP58177308A 1983-09-26 1983-09-26 電波シ−ル装置 Granted JPS6070688A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017163799A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 高周波加熱装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017163799A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 高周波加熱装置

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