JPH0137860B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜光電池装置に関し、より具体的
には、高い歩留りと信頼性をもつて製造できる薄
膜光電池装置に関する。

しばしば太陽電池と称される光電池は、光エネ
ルギーを電気エネルギーに変換する半導体接合装
置である。典型的な光電池は、吸収体−発電層、
コレクタ−変換層、透明電気的接触層、および不
透明電気的接触層を主要構成要素層として含み、
好ましくはさらにカプセル化層を含む層状構造を
有している。光が透明接触層を通して吸収体−発
電層に入射すると、透明接触層と不透明接触層と
の間に電位差および電流が発生される。

吸収体−発電層（通常、「吸収体」と呼ばれる）
は、光子を吸収して少数キヤリヤを発生する半導
体物質から成つている。典型的には、吸収体−発
電層を構成する半導体物質中の原子は光子を吸収
して電子を放出し、その結果、負電荷キヤリヤ
（電子）と正電荷キヤリヤ（正孔）の対を生成す
る。吸収体−発電層がｐ型半導体でできている場
合は、電子が少数キヤリヤであり、ｎ型半導体で
できている場合、正孔が少数キヤリヤである。少
数キヤリヤは吸収体−発電層中では豊富な多数キ
ヤリヤとの再結合により容易に消滅してしまうの
で、少数キヤリヤをそれらが多数キヤリヤとなる
領域に輸送して電気回路への電力を与えるように
利用できるようにしなければならない。

コレクタ−変換層（通常、「コレクタ」と呼ば
れる）は、吸収体−発電層と電気的に接触してい
る半導体物質の層であり、該層での多数キヤリヤ
は吸収体−発電層で発生する少数キヤリヤと同じ
導電型である。このコレクタ−変換層は、吸収体
−発電層からの少数キヤリヤを集めてこれらを多
数キヤリヤに変換する。コレクタ−変換層が吸収
体−発電層と同じ半導体でできていてかつ反対の
導電型にドープされた領域である場合、光電池装
置はｐ−ｎ接合またはホモジヤンクシヨン装置で
ある。コレクタ−変換層が別の半導体でできてい
場合には、装置はヘテロ接合を持ち、また、金属
でできている場合には、シヨツトキー接合を持
つ。

透明接触層は、光を吸収体−発電層に通過させ
ることができる導電性の電気的接触層である。該
透明接触層は、典型的には、透明な導電性物質の
連続したシートあるいは不透明な導電性物質の開
口格子のいずれかである。このような透明接触層
が吸収体−発電層と同じ側にある場合、装置は前
照射型と呼ばれ、透明接触層が反対側にある場
合、装置は後照射型と呼ばれる。

光電池については一世紀以上も前から知られて
いるが、有効量の電気を発生する実用的な手段と
して考えれるようになつたのはここ25年の間に過
ぎない。1950年以前には、光電池は、変換効率が
重要でなくかつ電流必要量が極めて少ない非常に
特殊な用途、たとえば、光測定にしか使用されて
いなかつた。

1950年代に入つてシリコン接合技術が出現した
結果、高価格ではあるが高変換効率のシリコン接
合光電池の開発が可能になつた。そのような装置
の配列体は、価格がほとんど問題にならない宇宙
計画で使用されてかなりの成功を収めた。しかし
ながら、そのような装置のエネルギー発生器とし
ての価格、典型的には7000ドル／キロワツト〜
100000ドル／キロワツトという価格は、通常の発
電機と競合しなければならない地球上での用途と
しては手が出せないほど高いものであつた。この
高価格のうちの多くは宇宙飛行体構成部品に要求
された高品質制御基準に起因するものであるが、
所要純度のシリコン結晶の生成に際しての高い製
造費や電池製造に際してのバツチ製造法の非能率
性に起因する部分もかなりあつた。

薄膜光電池は、シリコン電池に比べ地球上用途
で多くの潜在的な利点を有しているけれども、薄
膜光電池の製造および使用は、低い歩留りや再現
性および信頼性のなさの問題に悩まされてきた。
硫化カドミウムや硫化亜鉛カドミウムまたは硫化
銅のような多結晶物質の薄膜を使用した薄膜光電
池は、連続加工技術の開発に関してかなりの利点
をもたらした。それらの光電池は可撓性であり、
かつ重量が軽い。したがつて、それらの光電池
は、容易に製造でき、かつ容易に輸送でき、さら
に容易に大面積上に展開できる太陽電池として多
大の期待がかけられた。しかしながら、効率の良
いそのような薄膜光電池を終始一貫して再現する
ことは困難であり、製造される電池の動作寿命は
不確実であつた。

したがつて、より高い歩留り、再現性および信
頼性をもつて製造できる薄膜光電池装置を提供す
ることが必要とされている。

本発明は、薄膜光電池の製造ならびに大面積上
への展開においても支障（又は故障）の主因は、
電気的接触が意図されていない構成要素層間での
望ましくない短絡の発生または分路ダイオードの
生成にあるという認識に基づいている。具体的に
は、本発明者らは、前照射型太陽電池において
は、透明接触層を不透明接触層間、透明接触層と
コレクタ−変換層間、および吸収体−発電層と不
透明接触層間で望ましくない短絡が発生すること
を認識した。後照射型電池では、望ましくない短
絡は、透明接触層と不透明接触層間、透明接触層
と吸収体−発電層間、およびコレクタ−変換層と
不透明接触層間で発生する。

本発明によれば、薄膜光電池装置の製造におい
て、望ましくない短絡を防止するため、装置の引
続く構成要素層間に薄い電気的ブロツキング層が
形成される。

第１図は、本発明による典型的な前照射型薄膜
光電池（太陽電池）１を示す。一般に、光電池１
は、電気的通路に順次設けられた４つの構成要素
層、すなわち、たとえば、金、銀、ニツケル、銅
または金属合金等の金属性格子（グリツド）電極
あるいは導電性ガラスから成る透明電気的接触層
１０、該透明電気的接触層１０と電気的に接触し
て設けられていてたとえば硫化銅の薄膜から成る
吸収体−発電層１１、該吸収体−発電層１１と接
触して設けられていてかつ吸収体−発電層１１と
電気的接接合（光起電力接合）１３を形成してい
るたとえば硫化カドミウムまたは硫化亜鉛カドミ
ウムの膜から成るコレクタ−変換層１２、および
該コレクタ−変換層１２と電気的に接触して設け
られていてたとえば亜鉛メツキの銅箔または黄銅
の層から成る不透明電気的接触層１４を含んでい
る。典型的な薄膜光電池では、硫化銅の吸収体−
発電層は1000〜5000オングストローム程度の厚さ
を有し、硫化カドミウムまたは硫化亜鉛カドミウ
ムのコレクタ−変換層は約２〜40ミクロンの厚さ
を有し、亜鉛メツキ銅箔の不透明接触層は15〜30
ミクロンの銅箔厚さおよび約0.1〜１ミクロンの
亜鉛メツキ厚さを有する。なお、光電池の吸収体
−発電層の表面は、透明ガラス１５に収容（カプ
セル化）して露出面を酸化や汚染物ないし物理的
損傷から保護するのが好ましい。不透明接触層１
４は、他の構成要素層に対する基板となるので、
該層１４は第１電気的接触層と呼ばれ、透明接触
層１０は第２電気的接触層と呼ばれ、同様に、簡
単のために、吸収体−発電層およびコレクタ−変
換層は単に半導体層と呼ばれ得る。

本発明者は、そのような薄膜光電池では、物理
的、治金的および電気的不均一性のような欠陥が
生じることを認識した。これらの欠陥には、たと
えば、空孔（空隙）や不連続すなわちキヤリヤ、
不純物、ドープ剤、成分元素およびトラツプの濃
度のような不均一性であり得る。これらの欠陥を
総称して不連続部と称する。たとえば、第２図で
は、吸収体−発電層１１が透明接触層１０とコレ
クタ−変換層１２との間で望ましくない電気的接
触をもたらす空隙を典型的な不連続部として有し
ているが、この欠陥は本発明によればブロツキン
グ層１７の付与により回避されている。もちろ
ん、本発明は、光学的通路欠陥ではなく、開放、
短絡、分路または直列抵抗のような電気的通路欠
陥に関する。一般的に言えば、本発明は、電気的
に互いに接触すべきでない構成要素層間にブロツ
キング層を設けることにより望ましくない電気的
接触を防止することを含む。

ブロツキング層は、種々の形態をとることがで
きる。たとえば、硫化亜鉛のような半導体物質を
電気的通路にデポジツト（被着）することができ
る。また、本発明の実施に際して、絶縁範囲の抵
抗率を有する物質を含む絶縁層を利用することも
できる。絶縁層が非常に薄ければ、その層の中に
も不連続部が生じ、その結果、そのような絶縁層
によるブロツキング層の不連続領域では光電池の
隣接構成要素層間に適正な電気的接触が存在する
ことになる。絶縁性ブロツキング層のそのような
不連続部は、層を施す付与手段を変えることによ
り計画的に（すなわち、意図的に）導入すること
もできる。ブロツキング層の不連続部が半導体層
（コレクタ−変換層または吸収体−発電層）の不
連続部と重複すなわち一致してしまう可能性は、
極めて低いので、あらゆる意図および目的に対し
てそのような可能性は考慮外とされるべきであ
る。したがつて、ブロツキング層の付与は、それ
自体に不連続部を有していても、本発明の目的の
達成に効果的に機能するものであることが理解さ
れるべきである。

本発明はまた、半導体層の露出領域、すなわ
ち、１つの半導体層が他の半導体層の不連続部を
通して露出される領域を化学的に反応させてその
生成物でブロツキング層を形成することによつて
も実施することができる。この点に関して、たと
えば、半導体層の露出部を特定の雰囲気、たとえ
ば空気中で加熱して反応させることにより不連続
部の露出領域のみにブロツキング層を生成させる
ことができる。

したがつて、本発明に特有なブロツキング層を
構成する物質の種類は広範である。ブロツキング
層は、前述したように、半導体物質の層で形成で
き、該層は、たとえば、装置の通常の動作電圧で
はかなりの量の電流を流すことはないがしかし該
層に隣接した構成要素層とオーミツク接触をなす
ようなヘテロ接合またはシヨツトキ障壁接合の生
成をもたらす電子親和力を有する半導体物質の薄
い層である。そのような層は、平行な半導体接合
の調製により望ましくない短絡を防止する。ある
いは、ブロツキング層は、該層に隣接しない構成
要素層とは整流接触を形成するような物質であつ
てもよい。さらに、ブロツキング層は、短絡が起
り得る領域で絶縁を行なうために選択的に形成さ
れた絶縁性物質の層であつてもよい。

第１図と第２図に示した特定実施例において
は、２つのブロツキング層が設けられているが、
ブロツキング層１６は透明接触層１０と不透明接
触層１４間および吸収体−発電層１１と不透明接
触層１４間の望ましくない電気的接触を防止する
ためのものであり、他方、ブロツキング層１７は
透明接触層１０とコレクタ−変換層１２間の望ま
しくない電気的接触を防止するためのものであ
る。より具体的には、コレクタ−変換層１２と不
透明接触層１４間の電気的通路にブロツキング層
１６を設けることにより、透明接触層１０と不透
明接触層１４間および吸収体−発電層１１と不透
明接触層１４間の短絡が防止され、さらに、吸収
体−発電層１１の不連続部領域にブロツキング層
１７を設けることにより、透明接触層１０とコレ
クタ−変換層１２間の短絡が防止される。

第３図は、ブロツキング層の別の配列を示すも
ので、ここではブロツキング層１９は光電池１Ａ
の吸収体−発電層１１の上でかつ透明接触層１０
の下に配置されている。ブロツキング層１６は第
１図の場合と同様である。

第１図および第３図に示した前照射型光電池で
は、種々の層が平ら（すなわちプレーナ形）であ
る。このプレーナ構造は、自然デポジシヨン法ま
たは構成要素層の化学的研摩により得ることがで
きる。しかしながら、コレクタ−変換層と吸収体
−発電層間に山および谷を有する非プレーナ形ま
たは不規則接合を形成することができ、その場
合、化学的研摩の代りに通常の予備エツチング
（プリエツチング）技術を用いて第４図に示すよ
うなテクスチヤ構造が得られる。簡単のため、第
４図は、誇張された幾何学的に滑らかな山および
谷として不規則性を示していることが注意される
べきである。本発明の概念は、プレーナ構造でも
テクスチヤ構造でも実施できることはいうまでも
ない。第４図では、光電池１Ｂの吸収体−発電層
１１と透明接触層１０間の接合部にブロツキング
層２０が配置されている。

第５図は、本発明を後照射型電池に適用した場
合を示す。後照射型電池１Ｃは、たとえば、硫化
錫のような導電性層３４Ｂを上に有するガラス基
板３４Ａから成る透明接触層３４を含んでいる。
後照射型光電池１Ｃはまた、たとえば硫化カドミ
ウムまたは硫化亜鉛カドミウムでよいコレクタ−
変換層３２を含み、該コレクタ−変換層３２はた
とえば硫化銅でできた吸収体−発電層３１と（光
起電力）接合３３を形成している。さらに、たと
えば銅でできた不透明接触層３５が設けられてい
る。ブロツキング層３６および３７は、前照射型
光電池の場合と同じように設けられている。

第６図は、第１図および第２図に示した光電池
１の製造工程の流れ図である。一般的には、光電
池１の製造方法は、第１（または不透明）電気的
接触層１４を設ける工程、第１電気的接触層上に
コレクタ−変換層１２をデポジツトする工程、コ
レクタ−変換層１２上に吸収体−発電層１１をデ
ポジツトしてそれらの間に接合１３を形成する工
程、および第２（または透明）電気的接触層１０、
好ましくは、さらにカプセル化手段１５を吸収体
−発電層１１に施す工程を含むが、本発明の第１
図に示した実施例によれば、本来接触せずに互い
に離れた位置にある主要構成要素層間の望ましく
ない短絡を、引続く隣接主要構成要素層間の電気
的流れを実質的に妨害することなしに防止する物
質のブロツキング層１６および１７を電気的接触
層１４と１０間に設ける工程をさらに含む。

第６図に示されているように、第１工程は不透
明電気的接触層１４を設けることを含み、この接
触層は残りの工程において基板として都合よく使
用される。第１図の装置の製造において、この第
１工程は、好ましくは、(a)銅箔を設け、(b)銅箔表
面を電解的におよび硫酸に浸漬して清浄にし、さ
らに(c)清浄にした表面に亜鉛の薄い層を電気メツ
キによりデポジツトすることにより行なわれる。

次の第２工程は、硫化亜鉛の層でよいブロツキ
ング層１６を形成することを含む。そのような層
は、蒸着、スパツタリングまたは化学的デポジシ
ヨンにより平均厚さ0.1〜２ミクロンの硫化亜鉛
層をデポジツトすることにより形成される。

ブロツキング層１６を構成する物質は、酸化物
または窒化物でもよい。前述したように、ブロツ
キング層として絶縁性物質が使用される場合、そ
の層が非常に薄ければ不連続部が生じ得るし、ま
た、ブロツキング層自体に不連続部を意図的に形
成してもよく、これらの不連続部の存在により、
不透明接触層１４とコレクタ−変換層１２間の所
望の電気的接触が可能となる。

第３工程は、コレクタ−変換層１２をデポジツ
トすることを含む。第１図の装置の製造におい
て、この工程は、好ましくは、硫化カドミウムま
たは硫化亜鉛カドミウムの蒸着、スパツタリング
または化学的デポジシヨンにより行なわれる。コ
レクタ−変換層１２の表面は、効率的な光捕集を
促進するために塩酸でエツチングしてテクスチヤ
構造にしてもよい。この目的のためには、60℃の
55％Ｖ／Ｖ濃度HClに４秒間浸漬するだけで十分
であることが判明した。

次の第４工程は、吸収体−発電層１１をコレク
タ−変換層１２上にデポジツトして吸収体−発電
層１１とコレクタ−変換層１２間に接合１３を形
成することを含む。第１図の装置の製造におい
て、この工程は、好ましくは、塩化第一銅の水溶
液を用いてイオン交換法によりCu₂S（硫化銅）を
CdS（硫化カドミウム）上に成長させることによ
り行なう。酸素を排除した下記の浴組成物に90〜
100℃で10秒間浸漬すれば十分であることが判明
した。

成 分 量 脱イオン水 ４ CuCl 24ｇ NaCl ８ｇ HCl PHを２−３にするのに十分な量 別法として、塩化第一銅を蒸着してもよい。

次に、上記構造体を還元性雰囲気中で熱処理
し、コレクタ−変換層１２の硫化カドミウムと吸
収体−発電層１１の硫化銅間に接合１３を形成す
る。熱処理中、硫化銅は硫化カドミウム中に拡散
し、界面領域にドープされる。さらに、還元性雰
囲気は、硫化銅Cu₂Sの自由表面に生成する酸化
物（たとえばCu₂O）を化学的に還元する。90％
アルゴン−10％水素雰囲気中で170℃で15時間の
熱処理で十分であることが判明した。別法とし
て、より高い温度およびより短い時間での熱処理
も満足である。

第１図および第２図に示したように、本発明者
は、吸収体−発電層１１中に不連続部が生じるこ
とを認めた。このような不連続部は、吸収体−発
電層１１を構成する硫化銅または他の吸収体物質
の穴または空隙とみなすことができ、これらの空
隙では硫化カドミウムのコレクタ−変換層１２が
露出される。そのような不連続部はまた、コレク
タ−変換層１２を貫通し、それによつて、たとえ
ば硫化亜鉛のブロツキング層１６の部分が露出さ
れることもある。第１図は、本発明の理解を助け
るために、吸収体−発電層１１の不連続部を誇張
して示している。第１図の実施例において、装置
は、特定の液体または気体（たとえば空気）の存
在下で加熱され、その結果、コレクタ−変換層１
２の露出部分１２Ａで反応が起り、吸収体−発電
層１１の不連続部が生じている空隙領域にブロツ
キング層１７が形成される。第１〜２図の実施例
では、ブロツキング層１７は、構造体を酸素含有
雰囲気たとえば空気中で200℃で２分間加熱する
ことによりコレクタ−変換層１２の硫化カドミウ
ムの露出部分上に生成された硫酸カドミウムであ
る。別法として、ブロツキング層は、不連続部を
含む吸収体−発電層１１の全表面をおおうように
設けてもよい。この別法の１つの例は、銅を蒸着
またはスパツタし、酸化により酸化銅を形成する
ことにより酸化銅層をデポジツトすることであ
る。以上が、第５工程である。

最後に、第６工程として、透明接触層１０が形
成される。層１０は、好ましくは、プリントある
いは適当なマスクを介した蒸着により施される導
電性ガラスあるいは金属性格子（グリツド）であ
る。カプセル化材１５としてはガラスが使用でき
る。

光電池１の特定の形成法に関して前述した記載
は、単に例示的なものであり、他の方法が採用で
きることはいうまでもない。たとえば、薄膜光電
池の連続製造工程を記載している1979年５月29日
提出の米国特許願第43315号明細書に開示されて
いる技術が本発明の実施に利用できる。同様に、
1978年９月22日提出の米国特許願第944999号明細
書の詳細も参考になる。

第３図〜第５図に示す光電池は、第１図のブロ
ツキング層１６の形成と同様の方法で該当位置に
所望の物質をデポジツトすることにより形成され
たブロツキング層を含んでいる。すなわち、第３
図のブロツキング層１９、第４図のブロツキング
層２０および第５図のブロツキング層３６，３７
は、第１図の層１７のように互いに分離した箇所
に別の層を形成するのではなく、第１図の層１６
と同様に層自体が有する不連続部を除いて完全な
（または一体的な）層である。上部ブロツキング
層１９，２０，３７は、酸化物、硫酸塩または他
の絶縁性物質でよく、したがつて、必ずしも硫化
カドミウムに限定されない。

前に強調したように、ブロツキング層は広範囲
の物質から選択することができる。しかしなが
ら、特定の物質についていえば、それは半導体層
（吸収体−発電層およびコレクタ−変換層）の少
なくとも１つと「化学的に相容性」であることが
好ましい。「化学的に相容性」とは、特定の周囲
と本来露出すべきでない半導体層の望ましくない
露出部分との反応から生じる物質を意味し、さら
にはまた少なくとも１つの半導体層（たとえば、
硫化カドミウムのコレクタ−変換層１２）と共通
の化学成分を有する物質（たとえば、硫化亜鉛）
を意味する。

本文および特許請求の範囲において、硫化カド
ミウムでできた層とは、純粋な硫化カドミウムの
層ばかりでなく、硫化カドミウムの特性が支配的
である硫化カドミウム含有関連物質、たとえば、
10〜30％の亜鉛をカドミウムの代りに含む硫化亜
鉛カドミウムのような合金のように、少量の他の
金属（たとえば、亜鉛）を含む硫化カドミウム層
を包含することが理解されるべきである。同様
に、硫化亜鉛でできた層とは、たとえば、少量の
カドミウムを含む硫化カドミウム亜鉛層を包含す
る。また、半導体として技術的に分類することが
できる物質でも、絶縁体として効果的に作用でき
かつ作用するほど十分に電流について制限的であ
り得ることが注意されべきである。さらに、層と
いう用語は、連続的な層ばかりでなく、複数の必
要な局所位置に選択的に形成された不連続な層を
も含むものとして用いられている。

本発明は少数の特定実施例に関して記載された
が、これらは本発明の原理を利用できる多くの他
の特定の実施例の中の例示的なものに過ぎない。
したがつて、当業者は本発明の精神および範囲か
ら逸脱することなく多くの変形装置を形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による前照射型光電
池の概略断面図であつてブロツキング層が吸収体
−発電層でおおわれていないコレクタ−変換層部
分上およびコレクタ−変換層と不透明電気的接触
層の間に配置されているのを示す図、第２図は第
１図の線２−２に沿つた断面図、第３図はブロツ
キング層に対する異なる位置を示す本発明の他の
実施例の第１図と類似の断面図、第４図は吸収体
−発電層とコレクタ−変換層間の接合を山および
谷型構造として示す第３図と類似の断面図、第５
図は後照射型光電池の１つの形態を示す第３図と
類似の断面図、そして第６図は第１図の光電池の
製造工程を示す流れ図である。 １，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ……光電池、１０……透
明電気的接触層、１１……吸収体−発電層、１２
……コレクタ−変換層、１３……（光起電力）接
合、１４……不透明電気的接触層、１５……透明
ガラス、１６，１７，２０……ブロツキング層、
３４Ａ……ガラス基板、３４Ｂ……導電性層、３
４……透明電気的接触層、３１……吸収体−発電
層、３２……コレクタ−変換層、３３……（光起
電力）接合、３５……不透明電気的接触層、３
６，３７……ブロツキング層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 透明電気的接触層および不透明電気的接触層
   ならびにそれらの間に配置された中間の一対の互
   いに重り合つた半導体層を構成要素層として含
   み、前記一対の半導体層はそれらの間に光起電力
   接合を形成しているとともにそれぞれコレクター
   変換層および吸収体−発電層として機能し、前記
   透明および不透明電気的接触層間の電気的通路に
   これら電気的接触層の一つに隣接した半導体もし
   くは絶縁性物質のブロツキング層が設けられてい
   て該ブロツキング層に隣接した前記一つの電気的
   接触層と該ブロツキング層に隣接していない他の
   構成要素層との間の望ましくない電気的接触を防
   止するように構成された薄膜光電池装置におい
   て、前記ブロツキング層が、孔が生ずる程十分に
   薄い半導体もしくは絶縁性物質の層または、孔が
   できている半導体もしくは絶縁性物質の層を含
   み、前記孔が光電池の隣接した構成要素間に電気
   的接触がつくられるようにしていることを特徴と
   する薄膜光電池装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ブ
   ロツキング層は前記コレクター変換層に隣接し前
   記吸収体−発電層とは離れて配置されていること
   を特徴とする薄膜光電池装置。 ３ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ブ
   ロツキング層は前記不透明電気的接触層に隣接し
   て配置されていることを特徴とする薄膜光電池装
   置。 ４ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ブ
   ロツキング層は前記透明電気的接触層に隣接して
   配置されていることを特徴とする薄膜光電池装
   置。 ５ 特許請求の範囲第１項から第４項までの任意
   の項記載において、前記ブロツキング層は硫化亜
   鉛の層でできていることを特徴とする薄膜光電池
   装置。 ６ 特許請求の範囲第１項記載において、前記ブ
   ロツキング層は前記一対の半導体層の少なくとも
   一つと共通の化学成分を有する物質でできている
   ことを特徴とする薄膜光電池装置。 ７ 特許請求の範囲第１項から第６項までの任意
   の項記載において、前記透明電気的接触層は透明
   なカプセル化層を上に有する導電性ガラスの形態
   になつていて、装置が前照射型太陽電池であるこ
   とを特徴とする薄膜光電池装置。 ８ 特許請求の範囲第１項から第６項までの任意
   の項記載において、前記透明電気的接触層は透明
   なカプセル化層を上に有する金属性格子の形態に
   なつていて、装置が前照射型太陽電池であること
   を特徴とする薄膜光電池装置。 ９ 特許請求の範囲第２項記載において、前記一
   対の半導体層間に形成される前記接合は山と谷を
   有する形状の非プレーナ形であることを特徴とす
   る薄膜光電池装置。 １０ 特許請求の範囲第６項記載において、前記
   吸収体−発電層は硫化銅、前記コレクタ−変換層
   は硫化カドミウムまたは硫化亜鉛カドミウム、前
   記ブロツキング層は硫化亜鉛でできていることを
   特徴とする薄膜光電池装置。 １１ 特許請求の範囲第１項記載において、前記
   一対の半導体層の一方は他方の半導体層を露出さ
   せる不連続部をその中に有しており、該他方の半
   導体層のそれら露出領域部にのみ不連続部を有し
   ない別個のブロツキング層がさらに設けられてい
   ることを特徴とする薄膜光電池装置。 １２ 特許請求の範囲第１１項記載において、前
   記他方の半導体層は硫化カドミウムまたは硫化亜
   鉛カドミウムでできており、前記不連続部を有し
   ない別個のブロツキング層は硫酸カドミウムでで
   きていることを特徴とする薄膜光電池装置。 １３ 特許請求の範囲第１１項記載において、前
   記吸収体−発電層は硫化銅、前記コレクタ−変換
   層は硫化カドミウム、前記不連続部を有しない別
   個のブロツキング層は硫酸カドミウム、前記不連
   続部を有するブロツキング層は硫化亜鉛でできて
   いることを特徴とする薄膜光電池装置。 １４ 特許請求の範囲第１３項記載において、硫
   化銅でできた前記吸収体−発電層は硫化カドミウ
   ムでできた前記コクレタ−変換層を部分的に露出
   させる不連続部をその中に有しており、硫酸カド
   ミウムでできた前記ブロツキング層は硫化カドミ
   ウムでできた前記コレクタ−変換層の露出部にの
   み設けられていることを特徴とする薄膜光電池装
   置。 １５ 特許請求の範囲第１項記載において、前記
   ブロツキング層は酸化銅でできていて、前記吸収
   体−発電層と前記透明電気的接触層の間に設けら
   れていることを特徴とする薄膜光電池装置。 １６ 特許請求の範囲第１項から第６項までの任
   意の項記載において、前記透明電気的接触層は透
   明な導電層を上に有するガラス基板から成つてい
   て、装置が後照射型太陽電池である薄膜光電池装
   置。