JPH0520914B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0520914B2 JPH0520914B2 JP62503286A JP50328687A JPH0520914B2 JP H0520914 B2 JPH0520914 B2 JP H0520914B2 JP 62503286 A JP62503286 A JP 62503286A JP 50328687 A JP50328687 A JP 50328687A JP H0520914 B2 JPH0520914 B2 JP H0520914B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wafer
- metal paste
- main
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 85
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 47
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 37
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000013028 medium composition Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
請求の範囲
１ 太陽セルの背面コンタクトの下側に不純物ド
ープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有する半導体
材料のｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 ほぼ平行な主表面と主背面との間の前記n+−
ｐ接合と主背面との間にp+−ｐ接合を形成する
ように前記ウエハの主背面からウエハ内にp+層
を形成してp+−ｐ接合とn+−ｐ接合との間に挟
まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 予め定められたパターンでアルニウムを含む金
属ペーストを前記非導電層の露出主面上に付着さ
せ、 ウエハおよび金属ペーストを予め定められた温
度まで加熱して金属ペースト中のアルミニウムを
前記非導電層との接触によつて酸化させて金属ペ
ーストの下に位置する前記非導電層の部分を減少
させ、ペースト中の酸化されずに残つた金属によ
り加熱温度、加熱時間、および使用されるアルミ
ニウムを含む金属ペーストの量により定められた
深さまで金属ペーストの下に位置する前記p+層
およびｐ型層の一部を溶融させて合金領域を形成
し、 ウエハを冷却してウエハの主背面からウエハ中
に予め定められた深さまで延在する前記アルミニ
ウムを含む金属ペーストのパターンにしたがつた
パターンのp+型の不純物ドープ領域を形成する
ことを特徴とする不純物ドープ領域の形成方法。
ープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有する半導体
材料のｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 ほぼ平行な主表面と主背面との間の前記n+−
ｐ接合と主背面との間にp+−ｐ接合を形成する
ように前記ウエハの主背面からウエハ内にp+層
を形成してp+−ｐ接合とn+−ｐ接合との間に挟
まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 予め定められたパターンでアルニウムを含む金
属ペーストを前記非導電層の露出主面上に付着さ
せ、 ウエハおよび金属ペーストを予め定められた温
度まで加熱して金属ペースト中のアルミニウムを
前記非導電層との接触によつて酸化させて金属ペ
ーストの下に位置する前記非導電層の部分を減少
させ、ペースト中の酸化されずに残つた金属によ
り加熱温度、加熱時間、および使用されるアルミ
ニウムを含む金属ペーストの量により定められた
深さまで金属ペーストの下に位置する前記p+層
およびｐ型層の一部を溶融させて合金領域を形成
し、 ウエハを冷却してウエハの主背面からウエハ中
に予め定められた深さまで延在する前記アルミニ
ウムを含む金属ペーストのパターンにしたがつた
パターンのp+型の不純物ドープ領域を形成する
ことを特徴とする不純物ドープ領域の形成方法。
２ 前記金属ペーストは、直径約2.0乃至10マイ
クロメータの金属微粒子から成る請求項１記載の
方法。
クロメータの金属微粒子から成る請求項１記載の
方法。
３ 前記ウエハおよび金属ペーストは、約680℃
乃至約1000℃の温度になるまで加熱される請求項
１記載の方法。
乃至約1000℃の温度になるまで加熱される請求項
１記載の方法。
４ 前記ウエハの主背面下で形成された前記p+
層は、約0.05乃至0.3ミクロンの厚さである請求
項１記載の方法。
層は、約0.05乃至0.3ミクロンの厚さである請求
項１記載の方法。
５ 前記p+層は、前記ウエハの主背面下から約
３乃至約15マイクロメータの深さまで延在する請
求項１記載の方法。
３乃至約15マイクロメータの深さまで延在する請
求項１記載の方法。
６ 前記非導電層は、酸化物である請求項１記載
の方法。
の方法。
７ 前記非導電層は、シリコン酸化物である請求
項６記載の方法。
項６記載の方法。
８ 前記非導電層は、シリコン窒化物である請求
項１記載の方法。
項１記載の方法。
９ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの前記
付着は、この金属ペーストを前記非導電層の露出
主面上に予め定められたパターンでスクリーン印
刷することによつて行われる請求項１記載の方
法。
付着は、この金属ペーストを前記非導電層の露出
主面上に予め定められたパターンでスクリーン印
刷することによつて行われる請求項１記載の方
法。
１０ 太陽セルの背面コンタクトの下側に不純物
ドープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有するシリコ
ンのｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 前記ウエハを予め定められた期間ｐ型不純物の
存在下に予め定められた温度に維持して主背面か
らウエハ内にp+層を形成すると共にこのp+層と
前記n+層との間に挟まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 溶媒中にアルミニウムを含む金属微粒子を懸濁
させた金属ペーストを前記非導電層の露出主面上
に予め定められたパターンでスクリーン印刷し、 ウエハおよびアルミニウムを含む金属ペースト
を予め定められた温度に加熱して金属ペーストの
アルミニウムを前記非導電層との接触によつて酸
化させ金属ペーストパターンの下に位置する前記
非導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化さ
れずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、お
よび使用されるアルミニウムを含む金属ペースト
の量により定められた深さまで金属ペーストの下
に位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融
させて合金領域を形成し、 ウエハを冷却してウエハの主背面から前記ｐ型
層領域中に予め定められた深さまで延在する前記
金属ペーストのパターンにしたがつたパターンの
p+の不純物ドープ領域を形成し、 上記工程中に形成された酸化物および過剰な金
属を除去して前記非導電層の露出主面から前記
p+型の不純物ドープ領域まで延在する開口を有
する非導電層を残し、 導電材料を前記非導電層の露出主面に付着させ
てこの導電材料を前記p+型不純物ドープ領域に
電気的に接続させることを特徴とする不純物ドー
プ領域の形成方法。
ドープ領域を形成する方法において、 ほぼ平行な主表面および主背面を有するシリコ
ンのｐ型ウエハを形成し、 主表面と主背面との間にn+−ｐ接合を形成す
るように前記ウエハの主表面からウエハ内にn+
層を形成し、 前記ウエハを予め定められた期間ｐ型不純物の
存在下に予め定められた温度に維持して主背面か
らウエハ内にp+層を形成すると共にこのp+層と
前記n+層との間に挟まれたｐ型層領域を形成し、 前記主背面にほぼ平行な露出主面を有する非導
電層を前記主背面上に付着させ、 溶媒中にアルミニウムを含む金属微粒子を懸濁
させた金属ペーストを前記非導電層の露出主面上
に予め定められたパターンでスクリーン印刷し、 ウエハおよびアルミニウムを含む金属ペースト
を予め定められた温度に加熱して金属ペーストの
アルミニウムを前記非導電層との接触によつて酸
化させ金属ペーストパターンの下に位置する前記
非導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化さ
れずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、お
よび使用されるアルミニウムを含む金属ペースト
の量により定められた深さまで金属ペーストの下
に位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融
させて合金領域を形成し、 ウエハを冷却してウエハの主背面から前記ｐ型
層領域中に予め定められた深さまで延在する前記
金属ペーストのパターンにしたがつたパターンの
p+の不純物ドープ領域を形成し、 上記工程中に形成された酸化物および過剰な金
属を除去して前記非導電層の露出主面から前記
p+型の不純物ドープ領域まで延在する開口を有
する非導電層を残し、 導電材料を前記非導電層の露出主面に付着させ
てこの導電材料を前記p+型不純物ドープ領域に
電気的に接続させることを特徴とする不純物ドー
プ領域の形成方法。
１１ 前記金属ペーストは、直径約2.0乃至10マ
イクロメータの金属微粒子から成る請求項１０記
載の方法。
イクロメータの金属微粒子から成る請求項１０記
載の方法。
１２ 前記ウエハおよび金属ペーストは約680℃
乃至約1000℃の温度まで加熱される請求項１０記
載の方法。
乃至約1000℃の温度まで加熱される請求項１０記
載の方法。
１３ 主背面下で形成された前記p+層は、約0.05
乃至0.3ミクロンの厚さである請求項１０記載の
方法。
乃至0.3ミクロンの厚さである請求項１０記載の
方法。
１４ 前記p+型不純物ドープ領域は、ウエハの
主背面から約３乃至約15マイクロメータの深さま
で前記ウエハ中に延在する請求項１２記載の方
法。
主背面から約３乃至約15マイクロメータの深さま
で前記ウエハ中に延在する請求項１２記載の方
法。
１５ 前記非導電層は酸化物である請求項１０記
載の方法。
載の方法。
１６ 前記非導電層はシリコン酸化物である請求
項１５記載の方法。
項１５記載の方法。
１７ 前記非導電層はシリコン窒化物である請求
項１０記載の方法。
項１０記載の方法。
１８ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの予
め定められたパターンは、非導電層の露出主面の
１％以下を被覆する点状形状である請求項１０記
載の方法。
め定められたパターンは、非導電層の露出主面の
１％以下を被覆する点状形状である請求項１０記
載の方法。
１９ 前記アルミニウムを含む金属ペーストの予
め定められたパターンは、線状形状である請求項
１０記載の方法。
め定められたパターンは、線状形状である請求項
１０記載の方法。
［発明の技術分野］
本発明は一般に太陽セル、特に保護層を太陽セ
ルウエハ背面に設ける方法および保護層を通して
のセルの背面における選択領域に濃密ドーピング
を適用する方法に関する。
ルウエハ背面に設ける方法および保護層を通して
のセルの背面における選択領域に濃密ドーピング
を適用する方法に関する。
［関連技術］
従来の太陽セルは、ｎ型とｐ型のドープ不純物
領域の相互に結合しているｎ−ｐ接合と、受光主
面（エミツタ）および主背面（バルク）とを有す
る半導体材料から成る。光エネルギーがセルの受
光表面上に当ると、電子およびそれと対応するホ
ールがエミツタとバルクの両方において形成され
る。主にｎ−ｐ接合存在のために電子はセルの主
面の１つに導入され、ホールは別の主面へ向い、
光電流密度を生じる。典型的なｎ−ｐ接合太陽セ
ルにおいて、電子はセルの受光表面に、ホールは
背面に移動する。電気コンタクトは、一方のコン
タクトに電子を別のコンタクトにホールを収集す
るために太陽セル半導体材料の表面および背面に
結合される。目的は再結合する前にできる限り多
くの電子およびホールを収集し、最も高い光電流
密度を得ることである。
領域の相互に結合しているｎ−ｐ接合と、受光主
面（エミツタ）および主背面（バルク）とを有す
る半導体材料から成る。光エネルギーがセルの受
光表面上に当ると、電子およびそれと対応するホ
ールがエミツタとバルクの両方において形成され
る。主にｎ−ｐ接合存在のために電子はセルの主
面の１つに導入され、ホールは別の主面へ向い、
光電流密度を生じる。典型的なｎ−ｐ接合太陽セ
ルにおいて、電子はセルの受光表面に、ホールは
背面に移動する。電気コンタクトは、一方のコン
タクトに電子を別のコンタクトにホールを収集す
るために太陽セル半導体材料の表面および背面に
結合される。目的は再結合する前にできる限り多
くの電子およびホールを収集し、最も高い光電流
密度を得ることである。
しかしながら主背面の方向に導びかれた電子の
一部分は背面近くで再結合し、したがつて光電流
密度に寄与しない。背面におけるこのキヤリアの
再結合を減じるために背面フイールドセルが開発
された。このセルでは太陽セルの背面中にp+不
純物ドープ層が拡散される。しかし効果的に背面
再結合を減じるためにはこの層が厚くなければな
らない。背面キヤリア再結合を減じるために使用
される他の技術は、バツクコンタクトを不動態化
するために薄い酸化層をセルの背面に設けるもの
である。キヤリアは、この酸化層を通つて後の電
子コンタクトに達しなくてはならない。
一部分は背面近くで再結合し、したがつて光電流
密度に寄与しない。背面におけるこのキヤリアの
再結合を減じるために背面フイールドセルが開発
された。このセルでは太陽セルの背面中にp+不
純物ドープ層が拡散される。しかし効果的に背面
再結合を減じるためにはこの層が厚くなければな
らない。背面キヤリア再結合を減じるために使用
される他の技術は、バツクコンタクトを不動態化
するために薄い酸化層をセルの背面に設けるもの
である。キヤリアは、この酸化層を通つて後の電
子コンタクトに達しなくてはならない。
米国特許第4395583号明細書において、不動態
化された背面セルと背面フイールドセルとを結合
する太陽セルが示されている。太陽セルの背面
は、ｐ型の層中に拡散されたp+層を設けられて
いる。p+層の選択された領域はエツチングされ
て除去され、酸化層は露出されたp+層のエツチ
ングされない区域の表面領域を残しながらこれら
の選択された領域に設けられている。金属はこれ
らの露出p+領域に結合するように背面上に設置
されている。しかしながらエツチングが必要なた
めにかなりコスト高となり、その製造方法は複雑
になる。さらに背面キヤリア再結合により熱成長
酸化物のような高品質の酸化層は薄いp+層のた
めに0.3マイクロメータ以下に制限されてしまう。
化された背面セルと背面フイールドセルとを結合
する太陽セルが示されている。太陽セルの背面
は、ｐ型の層中に拡散されたp+層を設けられて
いる。p+層の選択された領域はエツチングされ
て除去され、酸化層は露出されたp+層のエツチ
ングされない区域の表面領域を残しながらこれら
の選択された領域に設けられている。金属はこれ
らの露出p+領域に結合するように背面上に設置
されている。しかしながらエツチングが必要なた
めにかなりコスト高となり、その製造方法は複雑
になる。さらに背面キヤリア再結合により熱成長
酸化物のような高品質の酸化層は薄いp+層のた
めに0.3マイクロメータ以下に制限されてしまう。
［発明の要約］
本発明の目的は、背面フイールド効果および不
動態効果を有する太陽セル製造の信頼でき、費用
効果性のある方法を提供することである。
動態効果を有する太陽セル製造の信頼でき、費用
効果性のある方法を提供することである。
さらに本発明の目的は、改善された背面再結合
特性を有する太陽セルを製造する方法を提供する
ことである。
特性を有する太陽セルを製造する方法を提供する
ことである。
本発明による太陽セルの背面コタクトの下側に
不純物ドープ領域を形成する方法は、ほぼ平行な
主表面および主背面を有する半導体材料のｐ型ウ
エハを形成し、主表面と主背面との間にn+−ｐ
接合を形成するように前記ウエハの主表面からウ
エハ内にn+層を形成し、ほぼ平行な主表面と主
背面との間の前記n+−ｐ接合と主背面との間に
p+−ｐ接合を形成するようにウエハの主背面か
らウエハ内にp+層を形成してp+−ｐ接合とn+−
ｐ接合とを間に挟まれたｐ型層領域を形成し、主
背面にほぼ平行な露出主面を有する非導電層を前
記主背面上に付着させ、予め定められたパターン
でアルニウムを含む金属ペーストを非導電層の露
出主面上に付着させ、ウエハおよび金属ペースト
を予め定められた温度まで加熱して金属ペースト
中のアルミニウムを前記非導電層との接触によつ
て酸化させて金属ペーストの下の位置する前記非
導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化され
ずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、およ
び使用されるアルミニウムを含む金属ペーストの
量により定められた深さまで金属ペーストの下に
位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融さ
せて合金領域を形成し、ウエハを冷却してウエハ
の背面からウエハ中に予め定められた深さまで延
在する前記アルミニウムを含む金属ペーストのパ
ターンにしがつたパターンのp+型の不純物ドー
プ領域を形成することを特徴とする。
不純物ドープ領域を形成する方法は、ほぼ平行な
主表面および主背面を有する半導体材料のｐ型ウ
エハを形成し、主表面と主背面との間にn+−ｐ
接合を形成するように前記ウエハの主表面からウ
エハ内にn+層を形成し、ほぼ平行な主表面と主
背面との間の前記n+−ｐ接合と主背面との間に
p+−ｐ接合を形成するようにウエハの主背面か
らウエハ内にp+層を形成してp+−ｐ接合とn+−
ｐ接合とを間に挟まれたｐ型層領域を形成し、主
背面にほぼ平行な露出主面を有する非導電層を前
記主背面上に付着させ、予め定められたパターン
でアルニウムを含む金属ペーストを非導電層の露
出主面上に付着させ、ウエハおよび金属ペースト
を予め定められた温度まで加熱して金属ペースト
中のアルミニウムを前記非導電層との接触によつ
て酸化させて金属ペーストの下の位置する前記非
導電層の部分を減少させ、ペースト中の酸化され
ずに残つた金属により加熱温度、加熱時間、およ
び使用されるアルミニウムを含む金属ペーストの
量により定められた深さまで金属ペーストの下に
位置する前記p+層およびｐ型層の一部を溶融さ
せて合金領域を形成し、ウエハを冷却してウエハ
の背面からウエハ中に予め定められた深さまで延
在する前記アルミニウムを含む金属ペーストのパ
ターンにしがつたパターンのp+型の不純物ドー
プ領域を形成することを特徴とする。
過剰なアルミニウムまたは酸化物は背面から除
去され、非導電層の露出表面からp+型の不純物
ドープ領域まで延在する開口を有する非導電層を
形成し、この非導電層の露出表面に導電材料を付
着させてこの導電材料をp+不純物ドープ領域に
電気的に接続させて電気接続が形成される。
去され、非導電層の露出表面からp+型の不純物
ドープ領域まで延在する開口を有する非導電層を
形成し、この非導電層の露出表面に導電材料を付
着させてこの導電材料をp+不純物ドープ領域に
電気的に接続させて電気接続が形成される。
本発明のその他の目的、効果性および特徴は、
添付図面と以下の詳細な本発明の好ましい実施例
の説明から容易に明らかになる。
添付図面と以下の詳細な本発明の好ましい実施例
の説明から容易に明らかになる。
第１ａ乃至第１ｈ図は、本発明による低背面再
結合太陽セルを製造するための好ましい製造工程
であり、 第２ａおよび第２ｂ図は、第１ｄ図に示された
段階における太陽セル背面の平面図であり、 第３ａ図および第３ｂ図は、第１ｈ図により示
された段階において設けられた金属被覆を有する
太陽セル背面の平面図である。
結合太陽セルを製造するための好ましい製造工程
であり、 第２ａおよび第２ｂ図は、第１ｄ図に示された
段階における太陽セル背面の平面図であり、 第３ａ図および第３ｂ図は、第１ｈ図により示
された段階において設けられた金属被覆を有する
太陽セル背面の平面図である。
［好ましい実施例］
大きな特質を有する第１ａ図を参照すると、例
えば本質的に平行な主表面１１および主背面１２
をそれぞれ備えたシリコンのような半導体材料の
ウエハ１０が示されている。ウエハ１０は最初に
一定のｐ型の導電性を有するのに十分な濃度の不
純物を含んでいる。
えば本質的に平行な主表面１１および主背面１２
をそれぞれ備えたシリコンのような半導体材料の
ウエハ１０が示されている。ウエハ１０は最初に
一定のｐ型の導電性を有するのに十分な濃度の不
純物を含んでいる。
第１ｂ図において、一定の浅い位置のn+−ｐ
接合１３をn+層１４とｐ型層１５との間に形成
するためにウエハ１０の主表面１１中に拡散され
たｎ型不純物が示されている。表面１１中に拡散
されたｎ型不純物は、例えばリンでもよい。太陽
装置を製造するためにウエハ１０においてn+−
ｐ接合１３を形成するｎ型不純物を拡散する処理
技術はよく知られており、例えばここで参照され
ている文献（“Semicondutors and Semimetals”
Vol.11、Solar Cells、1975年）に示されている。
接合１３をn+層１４とｐ型層１５との間に形成
するためにウエハ１０の主表面１１中に拡散され
たｎ型不純物が示されている。表面１１中に拡散
されたｎ型不純物は、例えばリンでもよい。太陽
装置を製造するためにウエハ１０においてn+−
ｐ接合１３を形成するｎ型不純物を拡散する処理
技術はよく知られており、例えばここで参照され
ている文献（“Semicondutors and Semimetals”
Vol.11、Solar Cells、1975年）に示されている。
第１ｃ図に示されているように、薄いp+層１
８はウエハの主背面１２中に拡散される。この薄
いp+層１８は前記のようにn+−ｐ接合１３が形
成される前または後に形成されてよい。p+層１
８はホウ素、アルミニウムまたはガリウムのよう
などのｐ型ドーパントによつて製造されることが
でき、ドーパントを供給する方法は液体、固体ま
たは気体状の供給源を使用する電子ビームまたは
加熱蒸発により可能である。ドーパントまたはイ
オンビーム源を使用して注入されることができ
る。ｐ型ドーパントはレーザ、赤外線源または加
熱源を使用して加熱により背面中に拡散されるこ
とができる。コスト効果的で信頼できる薄いp+
層１８の製造方法は、ここに参照されている文献
（Low Alpha、Boron BSF Solar Cell”17th
IEEE Photovoltaic Specialists Conference138
（1984））において明かにされている。0.05乃至
0.3ミクロンの薄いp+層１８が望ましい。
８はウエハの主背面１２中に拡散される。この薄
いp+層１８は前記のようにn+−ｐ接合１３が形
成される前または後に形成されてよい。p+層１
８はホウ素、アルミニウムまたはガリウムのよう
などのｐ型ドーパントによつて製造されることが
でき、ドーパントを供給する方法は液体、固体ま
たは気体状の供給源を使用する電子ビームまたは
加熱蒸発により可能である。ドーパントまたはイ
オンビーム源を使用して注入されることができ
る。ｐ型ドーパントはレーザ、赤外線源または加
熱源を使用して加熱により背面中に拡散されるこ
とができる。コスト効果的で信頼できる薄いp+
層１８の製造方法は、ここに参照されている文献
（Low Alpha、Boron BSF Solar Cell”17th
IEEE Photovoltaic Specialists Conference138
（1984））において明かにされている。0.05乃至
0.3ミクロンの薄いp+層１８が望ましい。
第１ｄ図においてウエハ１０の主背面１２上に
付着された非導電層２０が示されており、これに
より後の段階で薄いp+層から金属被覆を保護す
る。この非導電層２０はシリコン酸化物またはシ
リコン窒化物またはその他低品質酸化物を使用し
て形成されてよく、0.05乃至0.3ミクロンの厚さ
でよい。例えば文献（“Thin Film Processes”、
1978年）のように非導電層を設ける周知の方法は
複数ある。（後に供給される）金属被覆から薄い
p+層１８を不動態化する好ましい方法は、例え
ば約0.05乃至0.3ミクロンの厚さの層２０を約400
℃乃至約600℃の温度で形成するためにシリコン
酸化物の低圧化学気化物質を主背面１２上に付着
する方法である。
付着された非導電層２０が示されており、これに
より後の段階で薄いp+層から金属被覆を保護す
る。この非導電層２０はシリコン酸化物またはシ
リコン窒化物またはその他低品質酸化物を使用し
て形成されてよく、0.05乃至0.3ミクロンの厚さ
でよい。例えば文献（“Thin Film Processes”、
1978年）のように非導電層を設ける周知の方法は
複数ある。（後に供給される）金属被覆から薄い
p+層１８を不動態化する好ましい方法は、例え
ば約0.05乃至0.3ミクロンの厚さの層２０を約400
℃乃至約600℃の温度で形成するためにシリコン
酸化物の低圧化学気化物質を主背面１２上に付着
する方法である。
第１ｅ図において非導電層２０の露出面２１に
スキージ（sqeegee）を使用してパターン化され
たスクリーンを通して供給された金属ペースト２
５が示されている。金属ペースト２５のパターン
は第２ａ図において示された点５０の形状および
第２ｂ図において示された線５１の形状か、また
は直列抵抗を増加することなく背面金属の接触領
域を減少させるその他の予め定められたパターン
でもよい。点５０または線５１は、表面再結合速
度を低下させるために露出面２１の１％以下を被
覆するとよい。金属ペーストは、媒体中に浮遊す
る直径約2.0乃至10マイクロメータの高いアルミ
ニウム微粒子から構成されてよい。約68％のアル
ミニウムパウダー、約29％の媒体および約３％の
ブチルカルビトールアセテートの組成が優れた金
属印刷ペーストを提供することが明らかになつ
た。金属ペーストの粘度はブルカルビトールアセ
テートの量を増減することによつて変化できる。
また約44.3％のアルフアテルピノール、約44.3％
のブチルカルビトールアセテート、約9.9％のエ
チルセルローズおよび約1.5％のチクサトールST
の媒体組成は優れた結果をもたらすことが分つ
た。添加の後、金属ペースト２５は例えば約150
℃乃至約400℃でオーブン中で乾燥される。
スキージ（sqeegee）を使用してパターン化され
たスクリーンを通して供給された金属ペースト２
５が示されている。金属ペースト２５のパターン
は第２ａ図において示された点５０の形状および
第２ｂ図において示された線５１の形状か、また
は直列抵抗を増加することなく背面金属の接触領
域を減少させるその他の予め定められたパターン
でもよい。点５０または線５１は、表面再結合速
度を低下させるために露出面２１の１％以下を被
覆するとよい。金属ペーストは、媒体中に浮遊す
る直径約2.0乃至10マイクロメータの高いアルミ
ニウム微粒子から構成されてよい。約68％のアル
ミニウムパウダー、約29％の媒体および約３％の
ブチルカルビトールアセテートの組成が優れた金
属印刷ペーストを提供することが明らかになつ
た。金属ペーストの粘度はブルカルビトールアセ
テートの量を増減することによつて変化できる。
また約44.3％のアルフアテルピノール、約44.3％
のブチルカルビトールアセテート、約9.9％のエ
チルセルローズおよび約1.5％のチクサトールST
の媒体組成は優れた結果をもたらすことが分つ
た。添加の後、金属ペースト２５は例えば約150
℃乃至約400℃でオーブン中で乾燥される。
それから金属ペースト２５およびウエハ１０
は、一般に約680℃から約1000℃に及び高温で加
熱される。媒体中を浮遊するアルミニウム微粒子
から構成された金属ペーストを使用して、例示の
ようにアルミニウム微粒子はこの高温で容積に対
する面積の比が高いために急速に酸化され、金属
ペーストパターン２５の下の非導電層２０の一部
分を減少させる。その結果生じた酸化物は面の方
向に移動し、一方残りのアルニウム粒子はp+層
１８に溶け出す。この残留アルミニウム金属は
p+層１８中に溶け出し、p+層の部分と合金し、
ｐ型の層１５中に突出して、約３乃至15マイクロ
メータの距離までｐ型の層１５の選択された区域
中に溶け出して合金する。それからウエハ１０は
冷却され、アルミニウムおよび半導体材料は、第
１ｆ図に示されるようにウエハ中において高ドー
プp+領域３０を形成するように合金される。第
１ａ図乃至第１ｈ図は実際のスケールでは示され
ていない。
は、一般に約680℃から約1000℃に及び高温で加
熱される。媒体中を浮遊するアルミニウム微粒子
から構成された金属ペーストを使用して、例示の
ようにアルミニウム微粒子はこの高温で容積に対
する面積の比が高いために急速に酸化され、金属
ペーストパターン２５の下の非導電層２０の一部
分を減少させる。その結果生じた酸化物は面の方
向に移動し、一方残りのアルニウム粒子はp+層
１８に溶け出す。この残留アルミニウム金属は
p+層１８中に溶け出し、p+層の部分と合金し、
ｐ型の層１５中に突出して、約３乃至15マイクロ
メータの距離までｐ型の層１５の選択された区域
中に溶け出して合金する。それからウエハ１０は
冷却され、アルミニウムおよび半導体材料は、第
１ｆ図に示されるようにウエハ中において高ドー
プp+領域３０を形成するように合金される。第
１ａ図乃至第１ｈ図は実際のスケールでは示され
ていない。
アルミニウムおよび酸化物３５の過剰な付着物
は、50％の塩化水素溶液の中でウエハを煮沸する
ことによつて、合金されていない酸化層２０に影
響を及ぼすことなく除去される。第１ｇ図はこの
段階における装置を示し、高ドープp+領域３０
の上方の層２０においてそれらの露出面領域４０
および開口３６を有するこれら領域３０を示して
いる。
は、50％の塩化水素溶液の中でウエハを煮沸する
ことによつて、合金されていない酸化層２０に影
響を及ぼすことなく除去される。第１ｇ図はこの
段階における装置を示し、高ドープp+領域３０
の上方の層２０においてそれらの露出面領域４０
および開口３６を有するこれら領域３０を示して
いる。
第１ｈ図はセルの背面２１に設けられた金属被
覆４５を示す。金属を設ける前に、その背面は清
掃される。一般的にアルミニウム、チタン、パラ
ジウムおよび銀はセルコンタクトを形成するため
に背面２１上で蒸着される。コンタクトは、第３
ａ図に示されるようにセルの背面全体５５または
第３ｂ図に示されるグリツド製造５６のようなセ
ルの特定部分だけを被覆することができる。金属
被覆４５の部分は、非導電層２０における開口を
通る表面区域４０でp+ドープ不純物領域３０と
電気的な接触をする。金属金属被覆は、高ドープ
p+表面区域４０とのオームコンタクトを形成す
るために加熱処理される。金属被覆はまたセルの
前面にも設けられる。
覆４５を示す。金属を設ける前に、その背面は清
掃される。一般的にアルミニウム、チタン、パラ
ジウムおよび銀はセルコンタクトを形成するため
に背面２１上で蒸着される。コンタクトは、第３
ａ図に示されるようにセルの背面全体５５または
第３ｂ図に示されるグリツド製造５６のようなセ
ルの特定部分だけを被覆することができる。金属
被覆４５の部分は、非導電層２０における開口を
通る表面区域４０でp+ドープ不純物領域３０と
電気的な接触をする。金属金属被覆は、高ドープ
p+表面区域４０とのオームコンタクトを形成す
るために加熱処理される。金属被覆はまたセルの
前面にも設けられる。
完成した製品は、高い効率および定背面再結合
速度を具備した太陽セルとなり、これは安価な材
料により確実で簡単化された集積処理シーケンス
で製造されることができる。
速度を具備した太陽セルとなり、これは安価な材
料により確実で簡単化された集積処理シーケンス
で製造されることができる。
本発明は特定の１実施例を図示および説明して
いる。しかしながら本発明の関連分野における技
術者に明らかな種々の変更および修正は、本発明
の技術的範囲から逸脱することなく行われるもの
である。
いる。しかしながら本発明の関連分野における技
術者に明らかな種々の変更および修正は、本発明
の技術的範囲から逸脱することなく行われるもの
である。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/875,028 US4703553A (en) | 1986-06-16 | 1986-06-16 | Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells |
| US875,028 | 1986-06-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63503497A JPS63503497A (ja) | 1988-12-15 |
| JPH0520914B2 true JPH0520914B2 (ja) | 1993-03-22 |
Family
ID=25365075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62503286A Granted JPS63503497A (ja) | 1986-06-16 | 1987-05-11 | 低背面再結合太陽電池製造用ドライブスルードーピング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4703553A (ja) |
| EP (1) | EP0270603A1 (ja) |
| JP (1) | JPS63503497A (ja) |
| WO (1) | WO1987007766A1 (ja) |
Families Citing this family (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62234379A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| DE3815512C2 (de) * | 1988-05-06 | 1994-07-28 | Deutsche Aerospace | Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5011565A (en) * | 1989-12-06 | 1991-04-30 | Mobil Solar Energy Corporation | Dotted contact solar cell and method of making same |
| NL9000972A (nl) * | 1990-04-24 | 1991-11-18 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een silicium lichaam met een n-type toplaag en een daaraan grenzende, hoger gedoteerde n-type basislaag. |
| US5215599A (en) * | 1991-05-03 | 1993-06-01 | Electric Power Research Institute | Advanced solar cell |
| US5538564A (en) * | 1994-03-18 | 1996-07-23 | Regents Of The University Of California | Three dimensional amorphous silicon/microcrystalline silicon solar cells |
| CA2232857C (en) * | 1995-10-05 | 2003-05-13 | Jalal Salami | Structure and fabrication process for self-aligned locally deep-diffused emitter (salde) solar cell |
| AUPP437598A0 (en) * | 1998-06-29 | 1998-07-23 | Unisearch Limited | A self aligning method for forming a selective emitter and metallization in a solar cell |
| US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US6552405B2 (en) * | 2000-07-27 | 2003-04-22 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| DE10239845C1 (de) | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul |
| JP4549655B2 (ja) * | 2003-11-18 | 2010-09-22 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 機能性塗料 |
| US7790574B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-09-07 | Georgia Tech Research Corporation | Boron diffusion in silicon devices |
| FR2881879B1 (fr) * | 2005-02-08 | 2007-03-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation de contacts metal/semi-conducteur a travers un dielectrique. |
| EP1763086A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-14 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum | Photovoltaic cell with thick silicon oxide and silicon nitride passivation and fabrication method |
| US20070144577A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Rubin George L | Solar cell with physically separated distributed electrical contacts |
| US8076570B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
| US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
| US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
| US20080092944A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Leonid Rubin | Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure |
| EP2654089A3 (en) | 2007-02-16 | 2015-08-12 | Nanogram Corporation | Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes |
| US7993700B2 (en) * | 2007-03-01 | 2011-08-09 | Applied Materials, Inc. | Silicon nitride passivation for a solar cell |
| DE102007012277A1 (de) | 2007-03-08 | 2008-09-11 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle |
| ES2651625T3 (es) * | 2007-04-25 | 2018-01-29 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Formulaciones para conductores de película gruesa, que comprenden plata y níquel o aleaciones de plata y níquel y celdas solares fabricadas a partir de las mismas |
| US20100275982A1 (en) * | 2007-09-04 | 2010-11-04 | Malcolm Abbott | Group iv nanoparticle junctions and devices therefrom |
| WO2009094564A2 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Applied Materials, Inc. | Point contacts for polysilicon emitter solar cell |
| US20090250108A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Applied Materials, Inc. | Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation |
| DE102008017312B4 (de) * | 2008-04-04 | 2012-11-22 | Universität Stuttgart | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
| DE102008028104A1 (de) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Deutsche Cell Gmbh | Metallisierungsverfahren für Solarzellen |
| US8293568B2 (en) | 2008-07-28 | 2012-10-23 | Day4 Energy Inc. | Crystalline silicon PV cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process |
| TWI423462B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-01-11 | Ind Tech Res Inst | 矽晶太陽電池之背面電極製造方法 |
| GB0820684D0 (en) * | 2008-11-12 | 2008-12-17 | Silicon Cpv Plc | Photovoltaic solar cells |
| DE102008037613A1 (de) * | 2008-11-28 | 2010-06-02 | Schott Solar Ag | Verfahren zur Herstellung eines Metallkontakts |
| US8207443B2 (en) * | 2009-01-27 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Point contacts for polysilicon emitter solar cell |
| US20100294349A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Back contact solar cells with effective and efficient designs and corresponding patterning processes |
| US20100294352A1 (en) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | Uma Srinivasan | Metal patterning for electrically conductive structures based on alloy formation |
| DE102009038141A1 (de) * | 2009-08-13 | 2011-02-17 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren zur Herstellung einer Emitter-Elektrode auf eine kristalline Siliziumsolarzelle und entsprechende Siliziumsolarzelle |
| US8614115B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic solar cell device manufacture |
| DE102009044823A1 (de) * | 2009-12-08 | 2011-06-09 | Q-Cells Se | Verfahren zur Herstellung von Solarzellen und Verfahren zur Herstellung von Solarmodulen |
| FR2953999B1 (fr) * | 2009-12-14 | 2012-01-20 | Total Sa | Cellule photovoltaique heterojonction a contact arriere |
| EP2339648A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-29 | Applied Materials, Inc. | Enhanced passivation layer for wafer based solar cells, method and system for manufacturing thereof |
| US8852994B2 (en) | 2010-05-24 | 2014-10-07 | Masimo Semiconductor, Inc. | Method of fabricating bifacial tandem solar cells |
| CN102947942B (zh) * | 2010-06-18 | 2015-12-16 | 弗劳恩霍弗实用研究促进协会 | 制造光伏太阳能电池的金属接触结构的方法 |
| DE102010024307A1 (de) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktstruktur einer photovoltaischen Solarzelle |
| US9461186B2 (en) | 2010-07-15 | 2016-10-04 | First Solar, Inc. | Back contact for a photovoltaic module |
| US8912083B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-12-16 | Nanogram Corporation | Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes |
| DE102011075352A1 (de) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Solarworld Innovations Gmbh | Verfahren zum Rückseitenkontaktieren einer Silizium-Solarzelle und Silizium-Solarzelle mit einer solchen Rückseitenkontaktierung |
| CN102891189B (zh) * | 2011-07-22 | 2015-07-01 | 茂迪股份有限公司 | 具有连续背电场层的太阳能电池及其制造方法 |
| DE202012004369U1 (de) * | 2012-04-30 | 2012-05-14 | Solarworld Innovations Gmbh | Photovoltaikmodul |
| DE102012216580A1 (de) * | 2012-09-17 | 2014-05-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Erzeugen mindestens eines Dotierkanals in einer Halbleiterschicht und photovoltaische Solarzelle, umfassend mindestens einen Dotierkanal |
| CN103117312A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-05-22 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法 |
| TW201503393A (zh) * | 2013-07-15 | 2015-01-16 | Motech Ind Inc | 太陽能電池、其模組及其製造方法 |
| GB2531097A (en) * | 2014-05-31 | 2016-04-13 | Gm Global Tech Operations Llc | Method for treating plate |
| DE102017105465A1 (de) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | Hanwha Q Cells Gmbh | Solarzellenherstellungsverfahren |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3903427A (en) * | 1973-12-28 | 1975-09-02 | Hughes Aircraft Co | Solar cell connections |
| US3988167A (en) * | 1975-03-07 | 1976-10-26 | Rca Corporation | Solar cell device having improved efficiency |
| US3990097A (en) * | 1975-09-18 | 1976-11-02 | Solarex Corporation | Silicon solar energy cell having improved back contact and method forming same |
| US4106047A (en) * | 1977-03-28 | 1978-08-08 | Joseph Lindmayer | Solar cell with discontinuous junction |
| US4165241A (en) * | 1977-06-08 | 1979-08-21 | Atlantic Richfield Company | Solar cell with improved printed contact and method of making the same |
| US4163678A (en) * | 1978-06-30 | 1979-08-07 | Nasa | Solar cell with improved N-region contact and method of forming the same |
| US4234352A (en) * | 1978-07-26 | 1980-11-18 | Electric Power Research Institute, Inc. | Thermophotovoltaic converter and cell for use therein |
| US4253881A (en) * | 1978-10-23 | 1981-03-03 | Rudolf Hezel | Solar cells composed of semiconductive materials |
| US4278831A (en) * | 1979-04-27 | 1981-07-14 | The Boeing Company | Process for fabricating solar cells and the product produced thereby |
| US4395583A (en) * | 1980-04-30 | 1983-07-26 | Communications Satellite Corporation | Optimized back contact for solar cells |
| FR2505556B1 (fr) * | 1981-05-11 | 1986-07-25 | Labo Electronique Physique | Procede de fabrication de cellules solaires en silicium et cellules solaires ainsi obtenues |
| JPS58157175A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-19 | Hitachi Ltd | 太陽電池素子 |
| JPS5932179A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Hoxan Corp | 太陽電池の製造方法 |
| US4602120A (en) * | 1983-11-25 | 1986-07-22 | Atlantic Richfield Company | Solar cell manufacture |
-
1986
- 1986-06-16 US US06/875,028 patent/US4703553A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-05-11 JP JP62503286A patent/JPS63503497A/ja active Granted
- 1987-05-11 WO PCT/US1987/001064 patent/WO1987007766A1/en not_active Ceased
- 1987-05-11 EP EP87903585A patent/EP0270603A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4703553A (en) | 1987-11-03 |
| EP0270603A1 (en) | 1988-06-15 |
| JPS63503497A (ja) | 1988-12-15 |
| WO1987007766A1 (en) | 1987-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0520914B2 (ja) | ||
| US5258077A (en) | High efficiency silicon solar cells and method of fabrication | |
| US5698451A (en) | Method of fabricating contacts for solar cells | |
| US7170001B2 (en) | Fabrication of back-contacted silicon solar cells using thermomigration to create conductive vias | |
| US4070689A (en) | Semiconductor solar energy device | |
| EP2149155B1 (en) | Formation of high quality back contact with screen-printed local back surface field | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| US4612698A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| JP2002539625A (ja) | アルミニウム合金背面接合太陽電池およびその製造プロセス | |
| JP7492087B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池及びその製造 | |
| JPH0758354A (ja) | 薄膜光電池デバイスの製造方法 | |
| KR20010012327A (ko) | 실리콘 솔라셀 및 다른 실리콘 소자용 음전극 및 양전극을자체 도핑하기 위한 방법 및 장치 | |
| KR20110097827A (ko) | 깊은 홈 후측 콘택 광발전 태양 전지들 | |
| CN111063760B (zh) | 一种太阳能电池的制备工艺 | |
| IL90456A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| US4609565A (en) | Method of fabricating solar cells | |
| AU574431B2 (en) | Proton milling as a form of plating mask | |
| JPH0466393B2 (ja) | ||
| AU574761B2 (en) | Method of fabricating solar cells | |
| JPH0137860B2 (ja) | ||
| JP2023527958A (ja) | バックコンタクト型太陽電池 | |
| US20130168684A1 (en) | Back contact to film silicon on metal for photovoltaic cells | |
| JPS58157176A (ja) | 太陽電池素子 | |
| JPH04348569A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| MXPA98002174A (en) | Process of manufacturing and structure for solar cell (eldaa) issuer, locally divided to depth, which is auto ali |