JPH0138080B2 - - Google Patents

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JPH0138080B2
JPH0138080B2 JP58246512A JP24651283A JPH0138080B2 JP H0138080 B2 JPH0138080 B2 JP H0138080B2 JP 58246512 A JP58246512 A JP 58246512A JP 24651283 A JP24651283 A JP 24651283A JP H0138080 B2 JPH0138080 B2 JP H0138080B2
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silicon carbide
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single crystal
type silicon
carbide single
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Akira Suzuki
Masaki Furukawa
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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    • Y10S438/931—Silicon carbide semiconductor

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  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明はα型炭化珪素（SiC）の単結晶基板を
製造する方法に関するものである。
＜従来技術＞ 炭化珪素は広い禁制帯幅をもち（2.2〜3.3eV）、
また熱的、化学的及び機械的に極めて安定な性質
を示す半導体材料であり放射線損傷にも強いとい
う優れた特徴をもつている。また、広い禁制帯幅
をもつ半導体としては珍らしく、ｐ型及びｎ型の
両導電型共安定に存在する材料である。従つて可
視短波長用発光受光素子、高温動作素子大電用素
子、高信頼性半導体素子、耐放射線素子等の半導
体材料として有望視されている。又従来の半導体
材料を用いた素子では困難な環境下でも使用可能
となり、半導体デバイスの応用範囲を著しく拡大
し得る材料である。他の広い禁制帯幅をもつ半導
体材料例えば−複化合物半導体や〜複化
合物半導体等が一般に重金属をその主成分に含有
し、このために公害と資源の問題を伴なうのに対
して、炭化珪素はこれらの両問題より解放されて
いる点からも電子材料として有望視されるもので
ある。
炭化珪素には多くの結晶構造（Polytype、多
形と称される）が存在し、大きくα型の炭化珪素
とβ型の炭化珪素に分けられる。β型の炭化珪素
は立方晶系（Cubic）に属する結晶構造をもち、
炭化珪素の中で2.2eVと最も禁制帯が小さいのに
対し、α型の炭化珪素は六方晶系（Hexagonal）
や菱面体晶系（Rhombohedral）に属する結晶構
造をもち、2.9〜3.3eVと炭化珪素の中でも大きな
禁制帯幅をもつ。このためα型炭化珪素は、その
広い禁制帯幅を利用して青色をはじめとする短波
長可視光及び近紫外光の発光素子、受光素子等の
光電変換素子材料として非常に有望視されている
半導体材料である。青色をはじめとする短波長可
視光発光素子用の有望な材料として、他に硫化亜
鉛（ZnS）、セレン化亜鉛（ZnSe）、窒化ガリウ
ム（GaN）等があるが、いずれも通常はｐ型、
ｎ型の一方の導電型の結晶しか得られず、両方の
導電型の結晶を得るには多くの困難がともなう。
これに対してα型炭化珪素はｐ型、ｎ型両導電型
の結晶を製作するのが容易でｐ−ｎ接合構造を形
成できるため、発光特性や電気的特性に優れた発
光素子、受光素子の実現が期待できる。また、熱
的、、化学的、機械的に極めて安定な性質をもつ
ているため、他の半導体材料に比して広範な応用
領域を開拓することができる。
このように、炭化珪素はα型、β型を含めて、
多くの利点や可能性を有する材料であるにもかか
わらず実用化が阻まれているのは、生産性を考慮
した工業的規模での量産に必要となる高品質の大
面積炭化珪素基板を得る上で、寸法、形状、品質
を再現性良く制御できる結晶成長技術が確立され
ていないところにその原因がある。
従来、研究室規模で炭化珪素結晶基板を得る方
法としては、黒鉛坩堝中で炭化珪素粉末を2.200
〜2.600℃で昇華させ、さらに再結晶させて炭化
珪素基板を得るいわゆる昇華再結晶法（レーリー
法と称される）。珪素又は珪素に鉄、コバルト、
白金等の不純物を混入した混合物を黒鉛坩堝で溶
融して炭化珪素基板を得るいわゆる溶液法のほ
か、研摩材料を工業的に得るために一般に用いら
れているアチエソン法により偶発的に得られる炭
化珪素基板を用いる方法等がある。これらの結晶
成長法で得られたα型炭化珪素を基板として、そ
の上に液相エピタキシヤル成長法（LPE法）や
気相成長法（CVD法）でα型炭化珪素単結晶層
をエピタキシヤル成長させてｐ−ｎ接合を形成
し、青色発光ダイオード（LED）が製作されて
いる。
しかしながら、上記昇華再結晶法、溶液法では
多数の小形の単結晶を得ることはできるが、多く
の結晶核が結晶成長初期に発生する為に大型の単
結晶基板を得ることが困難である。又、アチエソ
ン法により偶発的に得られる炭化珪素基板は半導
体材料として使用するには純度及び結晶性の点で
問題があり、又、比較的大型のものが得られても
偶発的に得られるものである。このように、炭化
珪素基板を製作するための従来の結晶成長法は寸
法、形状、品質、不純物等の制御が困難で、炭化
珪素単結晶基板を、量産性を考慮した工業的規模
で得る方法としては適当でない。上述したよう
に、これらの方法で得たα型炭化珪素基板上に液
相エピタキシヤル法や気相成長法で発光ダイオー
ドが製作されているが、大面積で高品質のα型単
結晶基板を工業的に得る方法が無いため、量産用
化にはほど遠い。
一方、最近、本発明者らは、珪素（Si）単結晶
基板上に気相成長法（CVD法）で良質な大面積
炭化珪素単結晶を成長させる方法を完成し、特願
昭58−76842号（特公昭63−46039号）にて出願し
ている。この方法は珪素基板上に低温CVD法で
炭化珪素薄膜を形成した後昇温してCVD法でこ
の上に炭化珪素単結晶膜を成長させる技術であ
り、安価で入手の容易な珪素単結晶基板上に結晶
多形、不純物濃度、電気伝導度、寸法、形状等を
制御して大面積で高品質のβ型の炭化珪素単結晶
基板を製作することができる。
＜発明の目的＞ 本発明は上述の問題的に鑑み、β型炭化珪素単
結晶板上に、α型炭化珪素単結晶層を成長させる
ことにより、工業的規模での量産性に優れた大面
積、高品質のα型炭化珪素単結晶基板を得ること
のできる製造方法を提供することを目的とする。
＜実施例の説明＞ β型炭化珪素はα型炭化珪素と結晶構造は異な
るが、結晶格子の大きさを示す各原子間の結合距
離はほとんど変わらないため、一般的に異種基板
上へのエピタキシヤル成長（ヘテロエピタキシヤ
ル成長）において結晶格子の大きさの遠い（格子
不整合）から発生するエピタキシヤル成長層の結
晶品質の劣化は起こらず、また基板も同一構成原
子のため、成長層への基板からの不純物汚染も防
ぐことができ、良質のα型炭化珪素単結晶膜が得
られる。しかし、このためには基板として用いう
るに十分な結晶性と表面平坦性をもつ高品質で大
面積のβ型炭化珪素単結晶が必要であり、本発者
らが提唱した珪素単結晶基板への二段階温度制御
のCVD法（特願昭58−76842号）（特交昭63−
46039号））にて製作したβ型炭化珪素を基板とし
て用いることにより初めて実現が可能となつた。
以下、実施例を詳細に説明する。
先ず、基板として用いるβ型炭化珪素単結晶
を、二段階温度制御のCVD法により以下の如く
作製する。大きさが１cm×１cmの珪素単結晶基板
を約1050℃昇温し、モノシラン（SiH4）とプロ
パン（C3H8）を原料ガスとしたCVD法で１分間
成長を行なつて、、厚さ約250Åの極く薄い炭化珪
素単結晶膜で珪素基板表面を覆う。次いで基板温
度を約1350℃に昇温してβ型炭化珪素単結晶の
CVD成長を行ない、10時間の成長で約30μｍの厚
さの膜を得る。次に硝酸とフツ化水素酸との混酸
を用いて珪素基板のみを溶解除去する。こうして
得たβ型炭化珪素単結晶膜を基板として用いて以
下の如くα型炭化珪素単結晶膜を得る。
添付図面は本実施例に用いられる成長装置の構
成図である。水冷式横型二重石英反応管１内に、
黒鉛製試料台２が黒鉛製支持棒３により設置され
ている。反応管１の外胴部に巻回されたワークコ
イル４に高周波電流を流してこの試料台２を誘導
加熱する。反応管１の片側には、ガス流入口とな
る枝管５が設けられ、二重石英反応管１の外側の
石英管内には枝管６，７を介して冷却水が供給さ
れる。反応管１の他端はステンレス鋼製のフラン
ジ８、止め板９、ボルト１０、ナツト１１、Ｏ−
リング１２にてシールされている。フランジ８に
はガスの出口となる枝管１３が設けられ、支持台
１４に黒鉛棒３が固定される。試料台２の上にβ
型炭化珪素単結晶基板が載置される。この成長装
置を用いた気相成長法（CVD法）でα型炭化珪
素の結晶成長を行なう。即ち、反応管１内を排気
して水素ガスで置換し、ワークコイル４に高周波
電流を流して黒鉛製作試料台２を加熱し、β型炭
化珪素基板１５の温度を1500〜1600℃に昇温す
る。原料ガスとしてモノシラン（SiH4）を毎分
0.1〜0.4cm3、プロパン（C3H8）を毎分0.1〜0.4cm3、
キヤリアガスとして水素を毎分１〜５、枝管５
より反応管１内へ供給して成長を行なつた。その
結果１時間の成長で約2μｍの膜厚のα型炭化珪
素単結晶膜が基板上全面に得られる。α型炭化珪
素単結晶膜の成長基板であるβ型炭化珪素単結晶
は必要に応じてエツチング等により除去し、α型
炭化珪素単結晶単体を半導体材料とする。
＜発明の効果＞ 本発明を用いれば、1μｍ以上の厚膜として得
られたβ型SiC単結晶の上に、モノシランガスと
プロパンを原料カス、水素をキヤリアガスとする
低温の気相成長によつて容易かつ再現性良く工業
的規模での量産性に優れた大面積、高品質のα型
炭化珪素単結晶の製造が可能となり、青色を初め
とする短波長可視光及び近紫外光の発光素子、受
光素子等の光電変換材料として安定した実用化の
道が開ける。また、熱的、化学的、機械的に極め
て安定な性質を生かして、広範な分野での応用が
期待される。
【図面の簡単な説明】
添付図面は本発明の１実施例の説明に供する成
長装置の断面図である。 １……反応管、２……試料台、３……支持棒、
４……ワークコイル、５，６，７，１３……枝
管、８……フランジ、９……止め板、１０……ボ
ルト、１１……ナツト、１２……Ｏ−リング、１
４……支持台、１５……β型炭化珪素単結晶基
板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 珪素基板を気相成長用の支持基板とし、該珪
    素基板面に低温の気相成長法で炭化珪素の多結晶
    又は非晶質から成る薄い膜を一様に形成して前記
    珪素基板面を被覆し、再度前記珪素基板を支持基
    板とし、前記気相成長法より高温でかつ前記珪素
    基板の融点以下の温度の気相成長法で前記薄い膜
    上に炭化珪素の単結晶層を連続的に成長させてβ
    型炭化珪素単結晶膜を形成した後、前記珪素基板
    を除去して前記β型炭化珪素単結晶膜を成長用基
    板とし、該成長用基板上にモノシランガスとプロ
    パンを原料ガス、水素をキヤリアガスとしてα型
    炭化珪素単結晶をCVD法により気相成長するこ
    とを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
JP58246512A 1983-12-29 1983-12-29 炭化珪素単結晶基板の製造方法 Granted JPS60145992A (ja)

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US06/683,651 US5037502A (en) 1983-12-29 1984-12-19 Process for producing a single-crystal substrate of silicon carbide
DE19843446956 DE3446956A1 (de) 1983-12-29 1984-12-21 Verfahren zum herstellen eines einkristall-substrates aus siliciumcarbid

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09263497A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
US9212305B2 (en) * 2009-03-02 2015-12-15 Nalco Company Compositions for inhibiting the formation of hydrate agglomerates

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61243000A (ja) * 1985-04-18 1986-10-29 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
US5319220A (en) * 1988-01-20 1994-06-07 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon carbide semiconductor device
DE4109005C1 (ja) * 1991-03-19 1992-09-10 Cs Halbleiter- Und Solartechnologie Gmbh, 8000 Muenchen, De
JPH04292499A (ja) * 1991-03-22 1992-10-16 Sharp Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
DE4121798A1 (de) * 1991-07-02 1993-01-14 Daimler Benz Ag Mehrschichtige, monokristallines siliziumkarbid enthaltene zusammensetzung
JP3214868B2 (ja) * 1991-07-19 2001-10-02 ローム株式会社 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
US5433167A (en) * 1992-02-04 1995-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Method of producing silicon-carbide single crystals by sublimation recrystallization process using a seed crystal
DE4234508C2 (de) * 1992-10-13 1994-12-22 Cs Halbleiter Solartech Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht
TW337513B (en) * 1992-11-23 1998-08-01 Cvd Inc Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties and preparation process thereof
CA2113336C (en) * 1993-01-25 2001-10-23 David J. Larkin Compound semi-conductors and controlled doping thereof
SE9502288D0 (sv) † 1995-06-26 1995-06-26 Abb Research Ltd A device and a method for epitaxially growing objects by CVD
SE9503428D0 (sv) † 1995-10-04 1995-10-04 Abb Research Ltd A method for epitaxially growing objects and a device for such a growth
US5944890A (en) * 1996-03-29 1999-08-31 Denso Corporation Method of producing single crystals and a seed crystal used in the method
US6110279A (en) * 1996-03-29 2000-08-29 Denso Corporation Method of producing single-crystal silicon carbide
JP3524679B2 (ja) * 1996-06-21 2004-05-10 東芝セラミックス株式会社 高純度ＣＶＤ−ＳｉＣ質の半導体熱処理用部材及びその製造方法
US6217662B1 (en) * 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
US6270573B1 (en) 1997-08-27 2001-08-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Silicon carbide substrate, and method for producing the substrate, and semiconductor device utilizing the substrate
JP2891978B1 (ja) * 1998-02-17 1999-05-17 日本ピラー工業株式会社 炭化珪素質構造体
US6706114B2 (en) 2001-05-21 2004-03-16 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide crystals
JP3978494B2 (ja) * 2003-06-12 2007-09-19 国立大学法人東北大学 Ｓｉ薄膜の作製方法
TWD105531S1 (zh) * 2003-11-04 2005-07-11 東京威力科創股份有限公司 半導體製造裝置之處理管
TWD104755S1 (zh) * 2003-11-04 2005-05-21 東京威力科創股份有限公司 半導體製造裝置之處理管
USD520467S1 (en) * 2003-11-04 2006-05-09 Tokyo Electron Limited Process tube for semiconductor device manufacturing apparatus
US8110623B2 (en) 2006-09-27 2012-02-07 H.B. Fuller Company Hot melt pressure sensitive adhesive composition that includes vegetable wax and articles including the same
TWD125601S (zh) * 2007-05-08 2008-10-21 東京威力科創股份有限公司 半導體製造用加工處理管
USD724551S1 (en) * 2011-11-18 2015-03-17 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD720308S1 (en) * 2011-11-18 2014-12-30 Tokyo Electron Limited Inner tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
USD725053S1 (en) * 2011-11-18 2015-03-24 Tokyo Electron Limited Outer tube for process tube for manufacturing semiconductor wafers
FR3103962B1 (fr) 2019-11-29 2021-11-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic cristallin

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6814915A (ja) * 1968-10-18 1970-04-21
JPS5213656B2 (ja) * 1972-09-20 1977-04-15
DE2364989C3 (de) * 1973-12-28 1979-10-18 Consortium Fuer Elektrochemische Industrie Gmbh, 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung von Schichten aus Siliciumcarbid auf einem Siliciumsubstrat
US3956032A (en) * 1974-09-24 1976-05-11 The United States Of America As Represented By The United States National Aeronautics And Space Administration Process for fabricating SiC semiconductor devices
US4455385A (en) * 1975-06-30 1984-06-19 General Electric Company Silicon carbide sintered body
JPS5443200A (en) * 1977-09-13 1979-04-05 Sharp Corp Production of silicon carbide substrate
JPS6045159B2 (ja) * 1978-02-03 1985-10-08 シャープ株式会社 炭化珪素結晶層の製造方法
DE3002671C2 (de) * 1979-01-25 1983-04-21 Sharp K.K., Osaka Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidsubstrats
JPS5812238B2 (ja) * 1979-02-27 1983-03-07 シャープ株式会社 炭化珪素結晶層の製造方法
JPS56140021A (en) * 1980-03-31 1981-11-02 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of silicon carbide thin film
US4512825A (en) * 1983-04-12 1985-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Recovery of fragile layers produced on substrates by chemical vapor deposition
JPS59203799A (ja) * 1983-04-28 1984-11-17 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09263497A (ja) * 1996-03-29 1997-10-07 Denso Corp 炭化珪素単結晶の製造方法
US9212305B2 (en) * 2009-03-02 2015-12-15 Nalco Company Compositions for inhibiting the formation of hydrate agglomerates

Also Published As

Publication number Publication date
US5037502A (en) 1991-08-06
DE3446956C2 (ja) 1992-09-24
JPS60145992A (ja) 1985-08-01
DE3446956A1 (de) 1985-07-11

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