JPH0139085B2 - - Google Patents
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- JPH0139085B2 JPH0139085B2 JP16688180A JP16688180A JPH0139085B2 JP H0139085 B2 JPH0139085 B2 JP H0139085B2 JP 16688180 A JP16688180 A JP 16688180A JP 16688180 A JP16688180 A JP 16688180A JP H0139085 B2 JPH0139085 B2 JP H0139085B2
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- entire surface
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13731—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on a field-induced phase transition
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- Liquid Crystal (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はコレステリツク―ネマチツク相転移現
象を利用した液晶表示装置に関する。
象を利用した液晶表示装置に関する。
コレステリツク―ネマチツク相転移型の液晶表
示パネルは、電界を一度も印加されていない時の
コレステリツク相の構造により、第１図に示すよ
うに、(a)螺旋軸３が基板面に対し垂直なグランジ
ヤン構造をとるもの、(b)螺旋軸３が基板面に対し
傾いたフオーカルコニツク構造をとるもの、の２
つに分類することができる。この２つの初期状態
を分ける要因は、表面の配向処理と基板間のギヤ
ツプｄと液晶組成物の螺旋ピツチＰとの比ｄ／Ｐ
である。
示パネルは、電界を一度も印加されていない時の
コレステリツク相の構造により、第１図に示すよ
うに、(a)螺旋軸３が基板面に対し垂直なグランジ
ヤン構造をとるもの、(b)螺旋軸３が基板面に対し
傾いたフオーカルコニツク構造をとるもの、の２
つに分類することができる。この２つの初期状態
を分ける要因は、表面の配向処理と基板間のギヤ
ツプｄと液晶組成物の螺旋ピツチＰとの比ｄ／Ｐ
である。
実験結果の一例を次に述べる。第２図に示すよ
うに(1)両面の基板に垂直配向処理（垂直パネル）、
(2)片面の基板に垂直配向処理、もう一方の基板に
水平配向処理（ハイブリツドパネル）、(3)両面の
基板に水平配向処理（平行パネル）の３種類のパ
ネルを用意し、ｄ／Ｐ＝2.0となるように光学活
性物質を添加したカイラルネマチツク液晶と封入
した。(3)の平行パネルは平坦で透明な状態、(2)の
ハイブリツドパネルは、螺旋軸が一方向に傾いた
ストライプ状の組織が観察され、(3)の平行パネル
に比べ多少白濁した状態である。(1)の垂直パネル
は、ランダムに螺旋軸が傾いたフオーカルコニツ
ク構造となり白濁している。次にｄ／Ｐを変化さ
せる実験を行なつたところ、(1)の垂直パネルは、
ほぼｄ／Ｐ＝1.5を境界にして、それ以下では透
明な組織、それ以上ではフオーカルコニツク構造
による白濁が現われた。(2)のハイブリツドパネル
の白濁の程度が変化し、(3)の平行パネルは平坦で
透明な状態であつた。ｄ／Ｐをさらに大きくして
いくと(1)の垂直パネル、(2)のハイブリツドパネル
共に、透明に近い初期状態を呈するようになつ
た。
うに(1)両面の基板に垂直配向処理（垂直パネル）、
(2)片面の基板に垂直配向処理、もう一方の基板に
水平配向処理（ハイブリツドパネル）、(3)両面の
基板に水平配向処理（平行パネル）の３種類のパ
ネルを用意し、ｄ／Ｐ＝2.0となるように光学活
性物質を添加したカイラルネマチツク液晶と封入
した。(3)の平行パネルは平坦で透明な状態、(2)の
ハイブリツドパネルは、螺旋軸が一方向に傾いた
ストライプ状の組織が観察され、(3)の平行パネル
に比べ多少白濁した状態である。(1)の垂直パネル
は、ランダムに螺旋軸が傾いたフオーカルコニツ
ク構造となり白濁している。次にｄ／Ｐを変化さ
せる実験を行なつたところ、(1)の垂直パネルは、
ほぼｄ／Ｐ＝1.5を境界にして、それ以下では透
明な組織、それ以上ではフオーカルコニツク構造
による白濁が現われた。(2)のハイブリツドパネル
の白濁の程度が変化し、(3)の平行パネルは平坦で
透明な状態であつた。ｄ／Ｐをさらに大きくして
いくと(1)の垂直パネル、(2)のハイブリツドパネル
共に、透明に近い初期状態を呈するようになつ
た。
以上は、一度も電界を印加されない初期状態の
各パネルの状態である。しかし、ｄ／Ｐ≧1.5を
満足する該液晶パネルに電界を印加、除去した時
の状態と前記の初期状態は、いずれの配向処理を
行なつた場合も一致しない。電界印加、除去後、
(1)の垂直パネルは、初期状態に近い白濁状態とな
るが、組織はより細かな指紋様となり、初期状態
とは一致していない。(3)の水平パネルは白濁し、
平坦で透明であつた初期状態とはまつたく異なる
フオーカルコニツク構造となる。(2)のハイブリツ
ドパネルは、初期状態と比較的同じ白濁状態に戻
るが、ストライプ状組織の完全な一致はみられな
い。
各パネルの状態である。しかし、ｄ／Ｐ≧1.5を
満足する該液晶パネルに電界を印加、除去した時
の状態と前記の初期状態は、いずれの配向処理を
行なつた場合も一致しない。電界印加、除去後、
(1)の垂直パネルは、初期状態に近い白濁状態とな
るが、組織はより細かな指紋様となり、初期状態
とは一致していない。(3)の水平パネルは白濁し、
平坦で透明であつた初期状態とはまつたく異なる
フオーカルコニツク構造となる。(2)のハイブリツ
ドパネルは、初期状態と比較的同じ白濁状態に戻
るが、ストライプ状組織の完全な一致はみられな
い。
このように、従来のｄ／Ｐ≧1.5を満足する相
転移型液晶表示パネルは、電界の印加除去後の表
示セグメント電極上と、初期状態である背景部分
とが、表示上同一と認織されず、表示品位の低下
を招いていた。このため、現状ではｄ／Ｐの小さ
な領域を用いるか、表示品位のある程度の低下を
認め使用する他はなかつた。
転移型液晶表示パネルは、電界の印加除去後の表
示セグメント電極上と、初期状態である背景部分
とが、表示上同一と認織されず、表示品位の低下
を招いていた。このため、現状ではｄ／Ｐの小さ
な領域を用いるか、表示品位のある程度の低下を
認め使用する他はなかつた。
本発明はこのような欠点を除去し、ｄ／Ｐ≧
1.5の領域でも高い表示品位を得ることを目的と
して発明されたものである。
1.5の領域でも高い表示品位を得ることを目的と
して発明されたものである。
以下、実施例に基づいて本発明を詳説する。
実施例 １
実施例１は、本発明を散乱型表示装置に応用し
たものである。第３図はその概念図である。構成
は、基板９の上に全面電極８、絶縁膜７、セグメ
ント電極６を積層した下側基板と、全面共通電極
５を持つ上側基板４で、液晶層をサンドウイツチ
したものからなつている。本実施例では、基板
９、基板４は平坦なパイレツクスガラス、絶縁膜
７は8000ÅのSiO2スパツタ膜、全面電極８は反
射板を兼ねた金―クロムの蒸着膜、セグメント電
極６と全面電極５はIn2O3の透明導電膜である。
基板はさらに大日本インキ化学製の垂直配向処理
剤Surfine−150によつて垂直配向処理を施され、
9μのナイロンスペーサを介し、圧着されている。
封入した液晶は、シアノビフエニル系液晶とフエ
ニルシクロヘキシルカーボネート系液晶の混合液
晶にBDH社製CB―15を4.0重量％添加し、ピツ
チを3.2μとしたものである。
たものである。第３図はその概念図である。構成
は、基板９の上に全面電極８、絶縁膜７、セグメ
ント電極６を積層した下側基板と、全面共通電極
５を持つ上側基板４で、液晶層をサンドウイツチ
したものからなつている。本実施例では、基板
９、基板４は平坦なパイレツクスガラス、絶縁膜
７は8000ÅのSiO2スパツタ膜、全面電極８は反
射板を兼ねた金―クロムの蒸着膜、セグメント電
極６と全面電極５はIn2O3の透明導電膜である。
基板はさらに大日本インキ化学製の垂直配向処理
剤Surfine−150によつて垂直配向処理を施され、
9μのナイロンスペーサを介し、圧着されている。
封入した液晶は、シアノビフエニル系液晶とフエ
ニルシクロヘキシルカーボネート系液晶の混合液
晶にBDH社製CB―15を4.0重量％添加し、ピツ
チを3.2μとしたものである。
次に、第３図を説明する。ａ，a′は、液晶の封
入後、セグメント電極６と全面電極５にネマチツ
ク相転移を生ずるに十分な電圧を印加した時の断
面ａと表示の様子ｂを示した図である。セグメン
ト電極６に対応した領域１１の液晶分子は電界に
より、コレステリツク―ネマチツク相転移を起こ
しホメオトロピツク配向する。これに対し、背景
領域１０に対応する液晶の構造は、封入後の初期
状態であるフオーカルコニツク構造を保つてい
る。したがつて、セグメント領域は光学的に均質
で透明となり、背景領域はフオーカルコニツク構
造に起因する白濁状態になる。反射板を兼ねた全
面電極８があるために、セグメント領域１１は反
射性、背景領域１０は光散乱性となりa′に示す表
示が行なわれる。
入後、セグメント電極６と全面電極５にネマチツ
ク相転移を生ずるに十分な電圧を印加した時の断
面ａと表示の様子ｂを示した図である。セグメン
ト電極６に対応した領域１１の液晶分子は電界に
より、コレステリツク―ネマチツク相転移を起こ
しホメオトロピツク配向する。これに対し、背景
領域１０に対応する液晶の構造は、封入後の初期
状態であるフオーカルコニツク構造を保つてい
る。したがつて、セグメント領域は光学的に均質
で透明となり、背景領域はフオーカルコニツク構
造に起因する白濁状態になる。反射板を兼ねた全
面電極８があるために、セグメント領域１１は反
射性、背景領域１０は光散乱性となりa′に示す表
示が行なわれる。
第３図ｂ，b′は、ａ，a′の電界印加状態から電
界を０にした時の断面ｂ、表示の様子b′を示した
図である。セグメント電極に対応した領域の液晶
分子１３は、再びフオーカルコニツク構造となる
が、その組織は初期状態であるフオーカルコニツ
ク構造とは少し異なる。第４図に第３図b′の組織
の様子を示した。Ａはセグメント電極領域、Ｂは
背景領域に対応する。つまり、Ａは電界を印加、
除去後のフオーカルコニツク構造、Ｂは初期状態
であるフオーカルコニツク構造を表わしたもので
ある。第４図より、Ｂに比較しＡは、指紋様のパ
ターンが細かくなつていることがわかる。これは
螺旋軸の傾きの方向が、初期状態よりもさらにラ
ンダムになつたことを表わしている。したがつ
て、Ａの領域はＢの初期状態よりも光散乱の強い
白濁となる。第３図ｂ，b′はその様子を示してい
る。このため、表示のOFF状態で、セグメント
領域と背景領域の区別がつき、表示品位の低下を
招いている。
界を０にした時の断面ｂ、表示の様子b′を示した
図である。セグメント電極に対応した領域の液晶
分子１３は、再びフオーカルコニツク構造となる
が、その組織は初期状態であるフオーカルコニツ
ク構造とは少し異なる。第４図に第３図b′の組織
の様子を示した。Ａはセグメント電極領域、Ｂは
背景領域に対応する。つまり、Ａは電界を印加、
除去後のフオーカルコニツク構造、Ｂは初期状態
であるフオーカルコニツク構造を表わしたもので
ある。第４図より、Ｂに比較しＡは、指紋様のパ
ターンが細かくなつていることがわかる。これは
螺旋軸の傾きの方向が、初期状態よりもさらにラ
ンダムになつたことを表わしている。したがつ
て、Ａの領域はＢの初期状態よりも光散乱の強い
白濁となる。第３図ｂ，b′はその様子を示してい
る。このため、表示のOFF状態で、セグメント
領域と背景領域の区別がつき、表示品位の低下を
招いている。
本発明により付設された全面電極間に電圧を印
加した時の、断面と表示の様子を示したのが、第
３図ｃ，c′である。全面電極に対応した領域の液
晶分子はホメオトロピツク配向し、第３図a′のセ
グメント電極領域と同様な反射性の表示となる。
次に、電圧を０にした時の断面と表示の様子を第
３図ｄ，d′を示す。全面電極領域はフオーカルコ
ニツク構造をとり、白濁する。また、そのフオー
カルコニツク構造は、第４図Ａに示した細い指紋
様のパターンを見せる。表示に関しては、第３図
b′のセグメント電極領域と同一な白濁状態であ
る。第３図ｅ，e′は、ｄ，d′の状態の液晶パネル
のセグメント電極に電圧を印加した時の断面と表
示の様子を示したものである。セグメント電極に
対応した領域は、ネマチツク相転移し、透明にな
つている。
加した時の、断面と表示の様子を示したのが、第
３図ｃ，c′である。全面電極に対応した領域の液
晶分子はホメオトロピツク配向し、第３図a′のセ
グメント電極領域と同様な反射性の表示となる。
次に、電圧を０にした時の断面と表示の様子を第
３図ｄ，d′を示す。全面電極領域はフオーカルコ
ニツク構造をとり、白濁する。また、そのフオー
カルコニツク構造は、第４図Ａに示した細い指紋
様のパターンを見せる。表示に関しては、第３図
b′のセグメント電極領域と同一な白濁状態であ
る。第３図ｅ，e′は、ｄ，d′の状態の液晶パネル
のセグメント電極に電圧を印加した時の断面と表
示の様子を示したものである。セグメント電極に
対応した領域は、ネマチツク相転移し、透明にな
つている。
本実施例での表示のON状態、OFF状態は、そ
れぞれ、第３図のｅ，e′，ｄ，d′に対応してい
る。表示に用いられる２つの状態は、第４図Ａに
示す細い指紋様パターンを持つフオーカルコニツ
ク構造の白濁状態と、ホメオトロピツク配向した
ネマチツク相の透明状態である。
れぞれ、第３図のｅ，e′，ｄ，d′に対応してい
る。表示に用いられる２つの状態は、第４図Ａに
示す細い指紋様パターンを持つフオーカルコニツ
ク構造の白濁状態と、ホメオトロピツク配向した
ネマチツク相の透明状態である。
このように本実施例では、OFF状態が均質な
表示となる散乱型表示装置が実現された。
表示となる散乱型表示装置が実現された。
実施例 ２
実施例２は、本発明を相転移型ゲスト―ホスト
液晶表示装置に応用したものである。第５図はそ
の概念図である。基板９の上に全面電極８、絶縁
膜７、セグメント電極６を積層した下側基板と、
全面共通電極５を持つ上側基板４で、液晶層をサ
ンドウイツチした構成となつている。本実施例で
は基板９、基板４は平坦なパイレツクスガラス、
絶縁膜７は8000ÅのSiO2スパツタ膜、全面電極
５，８とセグメント電極６は、In2O3の透明導電
膜を用いた。基板は実施例１と同様に垂直配向処
理され、圧着されている。封入した液晶組成物は
シアノビフエニル系液晶とフエニルシクロヘキシ
ルカーボネート系液晶に、BDH社製CB―15を
3.0wt％添加し、さらにBDH社製の二色性色素Ｄ
―35を適当量混合したものである。
液晶表示装置に応用したものである。第５図はそ
の概念図である。基板９の上に全面電極８、絶縁
膜７、セグメント電極６を積層した下側基板と、
全面共通電極５を持つ上側基板４で、液晶層をサ
ンドウイツチした構成となつている。本実施例で
は基板９、基板４は平坦なパイレツクスガラス、
絶縁膜７は8000ÅのSiO2スパツタ膜、全面電極
５，８とセグメント電極６は、In2O3の透明導電
膜を用いた。基板は実施例１と同様に垂直配向処
理され、圧着されている。封入した液晶組成物は
シアノビフエニル系液晶とフエニルシクロヘキシ
ルカーボネート系液晶に、BDH社製CB―15を
3.0wt％添加し、さらにBDH社製の二色性色素Ｄ
―35を適当量混合したものである。
コレステリツク―ネマチツク相転移を利用した
ゲスト―ホスト液晶表示において、表示は主に、
色素分子１４の配向変化による吸収の差によつて
行なわれるが、液晶の配向変化による光散乱効果
の表示に与える影響は少なくない。事実、高コン
トラスト化を目的としたｄ／Ｐの値が大きな表示
パネルにおいては、OFF時の白濁状態と、ON時
の透明状態は、二色性色素による光の吸収の差以
上に表示効果を与える場合がある。しかし、この
白濁状態も実施例１で述べたように、電界を一度
も印加されていない初期状態と、一度印加された
OFF状態とでは構造が多少異なつている。これ
はゲスト―ホスト効果についても悪影響を与え
る。つまり、構造の差異が光の吸収の差異とな
り、光散乱状態の差も相乗され、OFF時にセグ
メント電極領域１１と背景領域１０との見分けが
つくのである。
ゲスト―ホスト液晶表示において、表示は主に、
色素分子１４の配向変化による吸収の差によつて
行なわれるが、液晶の配向変化による光散乱効果
の表示に与える影響は少なくない。事実、高コン
トラスト化を目的としたｄ／Ｐの値が大きな表示
パネルにおいては、OFF時の白濁状態と、ON時
の透明状態は、二色性色素による光の吸収の差以
上に表示効果を与える場合がある。しかし、この
白濁状態も実施例１で述べたように、電界を一度
も印加されていない初期状態と、一度印加された
OFF状態とでは構造が多少異なつている。これ
はゲスト―ホスト効果についても悪影響を与え
る。つまり、構造の差異が光の吸収の差異とな
り、光散乱状態の差も相乗され、OFF時にセグ
メント電極領域１１と背景領域１０との見分けが
つくのである。
第５図ａ，a′に、本発明による全面電極８と、
上側基板の全面電極５の間に電圧を印加した時
の、断面と表示の様子を示した。これは、液晶パ
ネル全面の液晶分子１３、色素分子１４がホメオ
トロピツク配向し、透明で色素による光吸収が弱
い表示状態である。ｂ，b′はａ，a′の電圧を０に
した時を示している。液晶分子はフオーカルコニ
ツク構造をとり、それに伴い、色素分子による光
の吸収が増加し、さらに白濁する。このフオーカ
ルコニツク構造は、初期状態よりも細かな指紋状
パターンとして観察される。これは実施例１の第
４図Ａに対応する。第５図ｃ，c′は、セグメント
電極と上側全面電極間に電圧を印加した時を表し
ている。セグメント電極領域は、透明で色素によ
る着色が薄く、背景領域は白濁した着色の濃い表
示となる。これがON状態である。OFF状態は前
述の第５図ｂ，b′であり、液晶パネル全面が均質
な表示をなつている。
上側基板の全面電極５の間に電圧を印加した時
の、断面と表示の様子を示した。これは、液晶パ
ネル全面の液晶分子１３、色素分子１４がホメオ
トロピツク配向し、透明で色素による光吸収が弱
い表示状態である。ｂ，b′はａ，a′の電圧を０に
した時を示している。液晶分子はフオーカルコニ
ツク構造をとり、それに伴い、色素分子による光
の吸収が増加し、さらに白濁する。このフオーカ
ルコニツク構造は、初期状態よりも細かな指紋状
パターンとして観察される。これは実施例１の第
４図Ａに対応する。第５図ｃ，c′は、セグメント
電極と上側全面電極間に電圧を印加した時を表し
ている。セグメント電極領域は、透明で色素によ
る着色が薄く、背景領域は白濁した着色の濃い表
示となる。これがON状態である。OFF状態は前
述の第５図ｂ，b′であり、液晶パネル全面が均質
な表示をなつている。
実施例 ３
実施例３は、実施例２と同様、相転移型ゲスト
―ホスト液晶表示装置に応用したものである。
―ホスト液晶表示装置に応用したものである。
構成は実施例２と同じであり省略する。基板の
配向処理を、ポリイミド塗付、ラビングによる平
行配向処理にした点が異なつている。封入した液
晶組成物についても、実施例２と同じである。
配向処理を、ポリイミド塗付、ラビングによる平
行配向処理にした点が異なつている。封入した液
晶組成物についても、実施例２と同じである。
平行配向処理を施された場合、初期状態は第１
図ａに示す、平坦なグランジヤン構造である。そ
のため、透明で色素による光の吸収が強い。しか
し、電界印加、除去後、グランジヤン構造に緩和
するのに長時間を要する。この現象は一般にメモ
リー現象と称されている。またｄ／Ｐが大きな領
域では、ほとんど緩和しないケースも見られる。
この時、液晶分子はフオーカルコニツク構造をと
り光散乱性を有している。したがつて、初期状態
がグランジヤン構造、OFF状態がフオーカルコ
ニツク構造であることから、セグメント電極領域
と背景領域は明確に見分けられ、表示上の大きな
問題である。本発明により、背景領域にも電界を
印加、除去し、グランジヤン構造をフオーカルコ
ニツク状態に変化させれば、表示上、OFF時に
セグメント電極領域と背景領域の区別がされない
のである。
図ａに示す、平坦なグランジヤン構造である。そ
のため、透明で色素による光の吸収が強い。しか
し、電界印加、除去後、グランジヤン構造に緩和
するのに長時間を要する。この現象は一般にメモ
リー現象と称されている。またｄ／Ｐが大きな領
域では、ほとんど緩和しないケースも見られる。
この時、液晶分子はフオーカルコニツク構造をと
り光散乱性を有している。したがつて、初期状態
がグランジヤン構造、OFF状態がフオーカルコ
ニツク構造であることから、セグメント電極領域
と背景領域は明確に見分けられ、表示上の大きな
問題である。本発明により、背景領域にも電界を
印加、除去し、グランジヤン構造をフオーカルコ
ニツク状態に変化させれば、表示上、OFF時に
セグメント電極領域と背景領域の区別がされない
のである。
実施例２の第５図を用いて説明する。第５図
ａ，a′に示すように、全面電極５，８の間に電圧
を印加し、全体をホメオトロピツク配向させる。
次に電圧を０にすると、液晶分子はフオーカルコ
ニツク構造をとる。第５図ｂ，b′に対応するこの
状態は白濁、着色の濃いOFF状態であり、全面
均質である。第５図ｃ，c′は、ｂ，b′のセグメン
ト電極と、上側全面電極間に電圧を印加したON
状態を表わしている。このように、実施例２と同
様、本実施例の場合も、全面均質なOFF状態を
得ることがでる。
ａ，a′に示すように、全面電極５，８の間に電圧
を印加し、全体をホメオトロピツク配向させる。
次に電圧を０にすると、液晶分子はフオーカルコ
ニツク構造をとる。第５図ｂ，b′に対応するこの
状態は白濁、着色の濃いOFF状態であり、全面
均質である。第５図ｃ，c′は、ｂ，b′のセグメン
ト電極と、上側全面電極間に電圧を印加したON
状態を表わしている。このように、実施例２と同
様、本実施例の場合も、全面均質なOFF状態を
得ることがでる。
本実施例の平行配向処理の場合、使用する液
晶、配向処理方法によつて、グランジヤン構造に
緩和する時間が短い場合がある。このような場合
は必要に応じ適宜、全面電極間に電圧を印加する
ことにより、OFF状態のセグメント、背景領域
の不均質を解消できる。
晶、配向処理方法によつて、グランジヤン構造に
緩和する時間が短い場合がある。このような場合
は必要に応じ適宜、全面電極間に電圧を印加する
ことにより、OFF状態のセグメント、背景領域
の不均質を解消できる。
以上、実施例により本発明を説明したが、本発
明は実施例中の液晶組成物、配向処理に限定され
ることなく、背景領域の表示状態が、電界除去後
のセグメント電極領域と一致する相転移型液晶表
示装置であれば有効である。
明は実施例中の液晶組成物、配向処理に限定され
ることなく、背景領域の表示状態が、電界除去後
のセグメント電極領域と一致する相転移型液晶表
示装置であれば有効である。
以上の如く本発明によれば、一方の基板上には
全面電極と絶縁性薄膜とセグメント電極を有し、
他方の基板上には全面電極を有するので、まず、
前記全面電極間に電圧を印加し除去することによ
り、全面領域における液晶の配列構造を均質な状
態をつくりだすことができる。次にセグメント電
極によりパターンを良好にし、高品位な表示が実
現できるのである。
全面電極と絶縁性薄膜とセグメント電極を有し、
他方の基板上には全面電極を有するので、まず、
前記全面電極間に電圧を印加し除去することによ
り、全面領域における液晶の配列構造を均質な状
態をつくりだすことができる。次にセグメント電
極によりパターンを良好にし、高品位な表示が実
現できるのである。
第１図ａ，ｂはグランジヤン構造とフオーカル
コニツク構造の模式図である。 ａ……グランジヤン構造、ｂ……フオーカルコ
ニツク構造、１……基板、２……液晶分子、３…
…螺旋軸。 第２図１，２，３は基板の配向処理を変えた時
の模式図である。 １……垂直パネル、２……ハイブリツドパネ
ル、３……平行パネル。図中の指示番号は第１図
と同じである。 第３図ａ，a′，ｂ，b′，ｃ，c′d，d′，ｅ，
e′は、散乱型表示装置に実施した時の概念図であ
る。 ａ，a′……従来法のON状態、ｂ，b′……従来
法のOFF状態、ｃ，c′……全面電極に電圧を印加
した時、ｄ，d′……本発明によるOFF状態、ｅ，
e′……本発明によるON状態、４……上側基板、
５……上側全面電極、６……セグメント電極、７
……絶縁性薄膜、８……下側全面電極、９……下
側基板、１０……背景領域、１１……セグメント
領域、１２……電源、１３……液晶分子。 第４図Ａ，Ｂは、偏光顕微鏡で２つの指紋様組
織を観察した図である。 Ａ……電界印加、除去後のパターン、、Ｂ……
初期状態が示すパターン。 第５図ａ，a′，ｂ，b′，ｃ，c′は、相転移型ゲ
スト―ホスト液晶表示装置に実施した時の概念図
である。 ａ，a′……全面電極に電圧を印加した時、ｂ，
b′……本発明によるOFF状態、ｃ，c′……本発明
によるON状態、１４……二色性色素分子。図中
の他の指示番号は第３図と同じである。
コニツク構造の模式図である。 ａ……グランジヤン構造、ｂ……フオーカルコ
ニツク構造、１……基板、２……液晶分子、３…
…螺旋軸。 第２図１，２，３は基板の配向処理を変えた時
の模式図である。 １……垂直パネル、２……ハイブリツドパネ
ル、３……平行パネル。図中の指示番号は第１図
と同じである。 第３図ａ，a′，ｂ，b′，ｃ，c′d，d′，ｅ，
e′は、散乱型表示装置に実施した時の概念図であ
る。 ａ，a′……従来法のON状態、ｂ，b′……従来
法のOFF状態、ｃ，c′……全面電極に電圧を印加
した時、ｄ，d′……本発明によるOFF状態、ｅ，
e′……本発明によるON状態、４……上側基板、
５……上側全面電極、６……セグメント電極、７
……絶縁性薄膜、８……下側全面電極、９……下
側基板、１０……背景領域、１１……セグメント
領域、１２……電源、１３……液晶分子。 第４図Ａ，Ｂは、偏光顕微鏡で２つの指紋様組
織を観察した図である。 Ａ……電界印加、除去後のパターン、、Ｂ……
初期状態が示すパターン。 第５図ａ，a′，ｂ，b′，ｃ，c′は、相転移型ゲ
スト―ホスト液晶表示装置に実施した時の概念図
である。 ａ，a′……全面電極に電圧を印加した時、ｂ，
b′……本発明によるOFF状態、ｃ，c′……本発明
によるON状態、１４……二色性色素分子。図中
の他の指示番号は第３図と同じである。
Claims (1)
- １ 対向する内面に電極が形成された一対の基板
間にコレステリツク液晶あるいは誘電異方性が正
のネマチツク液晶に光学活性物質が添加された液
晶組成物が挾持され、コレステリツク―ネマチツ
ク相転移現象を利用し、電圧が印加されない背景
領域の白濁状態と、電圧を印加し除去した領域の
白濁状態とが異なる相転移型液晶表示装置の駆動
方法において、、前記一対の基板の対向する各々
の内面のほぼ全面に形成さた全面電極と、一方の
基板上に形成された前記全面電極上のほぼ全面に
形成された絶縁性薄膜と、該絶縁性薄膜上に形成
されたセグメント電極とを有し、前記全面電極間
に電圧を印加し除去した後、前記セグメント電極
と、他方の基板上に形成された前記全面電極との
間に電圧を印加してパターン表示することを特徴
とする相転移型液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16688180A JPS5790615A (en) | 1980-11-27 | 1980-11-27 | Phase transfer type liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16688180A JPS5790615A (en) | 1980-11-27 | 1980-11-27 | Phase transfer type liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5790615A JPS5790615A (en) | 1982-06-05 |
| JPH0139085B2 true JPH0139085B2 (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=15839341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16688180A Granted JPS5790615A (en) | 1980-11-27 | 1980-11-27 | Phase transfer type liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5790615A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617646A (en) * | 1984-06-29 | 1986-10-14 | International Business Machines Corporation | Electric field gradient excited liquid crystal cell having bistability |
| JPS6216928U (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-31 | ||
| JPS6225728A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-03 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS62227126A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0212223A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Takiron Co Ltd | 模様調光シート |
-
1980
- 1980-11-27 JP JP16688180A patent/JPS5790615A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5790615A (en) | 1982-06-05 |
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