JPH0139659B2 - - Google Patents

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JPH0139659B2
JPH0139659B2 JP57137701A JP13770182A JPH0139659B2 JP H0139659 B2 JPH0139659 B2 JP H0139659B2 JP 57137701 A JP57137701 A JP 57137701A JP 13770182 A JP13770182 A JP 13770182A JP H0139659 B2 JPH0139659 B2 JP H0139659B2
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JP
Japan
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light guide
receptor
thyristor
internal
internal light
Prior art date
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JP57137701A
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English (en)
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JPS5927573A (ja
Inventor
Toyohiko Kyohara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP57137701A priority Critical patent/JPS5927573A/ja
Publication of JPS5927573A publication Critical patent/JPS5927573A/ja
Publication of JPH0139659B2 publication Critical patent/JPH0139659B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/26Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
    • H10F30/263Photothyristors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/421Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4295Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光トリガサイリスタ素子に関し、
特にパツケージに取付けられ、気密封止された光
取入口の構造に関するものである。
第1図は従来の光トリガサイリスタの構造を示
す断面図である。図において、1は、その上面に
トリガ用の受光部1aを有する光トリガサイリス
タのベーシツクエレメント、2および3は電極、
4は、たとえばアルミナセラミツクス等の絶縁物
でできたパツケージで、上記電極2および3をそ
れぞれに設けられたフランジ部2aおよび3aを
用いてロー付や溶接等の適当な方法で気密に固定
している。5は、上記パツケージ4の側面に設け
られた穴にロー付等の適当な方法で気密に固定さ
れたリセプタである。6はサイリスタ素子の外部
からサイリスタをトリガするための光信号を上記
ベーシツクエレメント1にある受光部1aに伝達
させる内部ライトガイドであり、その光の入口側
には円筒状の内部ライトガイドスリーブ7が、エ
ポキシ樹脂等で固定されている。さらに上記内部
ライトガイドスリーブ7は、上記リセプタ5の一
部とエポキシ樹脂等を用いて固定されている。8
は光トリガサイリスタをトリガさせるための光信
号発生源から光を導びいてくる、たとえばバンド
ルフアイバ(bundle fiber)の様な外部ライトガ
イド9を中心に有する外部ライトガイドスリーブ
である。また上記内部ライトガイドスリーブ7と
外部ライトガイドスリーブ8の外径は一致させて
ある。10は整列スリーブで、その内径が上記ラ
イトガイドスリーブ7および8の外径と同じ円筒
であり、これをライトガイドスリーブ7および8
の外径にかぶせることにより、軸合せをしながら
結合している。11はコネクタでねじ等の適当な
方法で、上記リセプタ5と結合されており、上記
外部ライトガイドスリーブ8が光サイリスタから
離れない様にしている。
従来の光サイリスタ素子はこの様な構造になつ
ていたので、素子使用時の素子の加熱および停止
時の冷却による温度サイクルが加わると、ライト
ガイド6と内部ライトガイドスリーブ7および内
部ライトガイドスリーブ7とリセプタ5を結合し
ているエポキシ樹脂等の結合剤との界面にはく離
が生じ、スローリークが生じ、パツケージ内に水
分その他の入つた外気が入り、素子特性を劣化さ
せてしまうという欠点があつた。また、整列スリ
ーブ10は、取はずし可能となつているが、組立
時、このスリーブ10がなくても外観上は変わら
ないので、組み忘れによる結合損失の増加が生ず
る危険性があるという欠点もあつた。また、組立
て時に、このスリーブ10を落としてなくしたり
する可能性があるという欠点もあつた。
この発明は上記の様な従来の光トリガサイリス
タ素子の構造の欠点を除去するためになされたも
ので、外部ライトガイドスリーブと、内部ライト
ガイドの外径の各々に一致した内径を有する2つ
の穴をリセプタの両側から同軸に明け、そしてそ
の段差部に熱膨脹係数が上記リセプタの構成材料
とほぼ等しいサフアイア板をロー付により気密に
封止したリセプタを用いる構造により気密性があ
り、しかも、組立てミスを起こしにくい光トリガ
サイリスタ素子を得ることを目的としている。
第2図は、この発明の一実施例を示す断面図で
あり、また第3図は、特にリセプタ部分を示す部
分の断面図である。図中1〜4,6,8,9およ
び11は従来と同一または相当部品である。15
は本発明により新しく考案されたリセプタで、そ
の素子内面側には、内部ライトガイド6と同じ
か、または少し大きな穴15aが明けてあり、ま
た素子外面側には、外部ライトガイドスリーブ8
の外形と同じ直径で、しかも上記穴15aと同軸
に穴15bが明けてある。そして、このリセプタ
15はパツケージ4にロー付等の適当な方法で気
密に固定されている。12はその周辺部にメタラ
イズをし、上記リセプタ15内の穴15aと15
bの段差部に高温のロー付処理により気密に取付
けられたサフアイアの薄い板である。また13は
接着剤であり、内部ライトガイド6をリセプタ1
5に固定している。なお、リセプタ15は、前記
パツケージ4や上記サフアイア板12と熱膨脹率
の比較的近いニツケル鉄合金や、ニツケルコバル
ト鉄合金等を用いることが望ましい。
上記のように構成された光トリガサイリスタの
特にリセプタ15部では、ロー付等の比較的高い
温度でサフアイア板12を気密固定しているの
で、素子運転停止時の温度変化程度では、ほとん
どリークは生じない。従つて長期にわたり初期素
子特性を維持することができ、信頼性の高い光ト
リガサイリスタを得ることができる。さらに、リ
セプタ15は、それ自体で内部ライトガイド6と
外部ライトガイド9との軸合せをするので、従来
の様に整列スリーブ10は必要なく、従つて組立
時に整列スリーブ10を組み忘れたり、なくした
りするという作業ミスをなくすることができる。
なお上記実施例では、サフアイア板12の表面
12aおよび、サフアイア板12と内部ライトガ
イド6との間にはなにも施していないが、ここに
空気層があると、サフアイア板12の屈接率が高
いため、大きな反射損失(約15〜20%)を生じて
しまう。そこで、サフアイア板12の素子外側表
面12aには、たとえば弗化マグネシウム
(MgF2)の薄膜等による反射防止膜を付け、さ
らにサフアイア板12と内部ライトガイド6との
間にはレンズ接着材等のマツチング剤を挿入し、
反射損失を1〜2%程度にまで小さくすることが
できる。
また、内部ライトガイド6は、一般的に、比較
的屈折率の高いガラスでできた中央のコア部とそ
のまわりの比較的屈折率の低いガラスでできたク
ラツド部を有するものが使われている。これは、
第1図において、内部ライトガイド6と内部ライ
トガイドスリーブ7との界面での光の吸収による
損失を生じさせない様に光をコア部に閉じ込めて
おくためである。ところで、第3図において、内
部ライトガイド6は、接着剤13によつて囲まれ
ており、また、この接着剤13は、気密を保つ必
要がないので、比較的自由にその種類を選ぶこと
ができるわけである。ここでその材質にライトガ
イド6の屈折率より十分に低い屈折率、たとえば
内部ライトガイド6の90〜95%程度の屈折率で、
光の吸収の少ないものを選べば、この接着剤13
は、従来のライトガイド6のクラツド部の役割を
するので、従つて、ライトガイド6は、クラツド
部のない屈折率の高いしかも単一屈折率のガラス
棒材を用いて安価に作ることができる。たとえば
一例として、ライトガイド6に屈折率1.62のガラ
スを用い、接着剤13に屈折率1.5で吸収率5%
以下のシリコン樹脂を用いることができる。また
前記のサフアイア板12と内部ライトガイド6の
間のマツチング剤は、サフアイアと内部ライトガ
イドの屈折率の中間程度のものが望ましいが、双
方より多少低くても、たとえばサフアイア板12
の85%程度であつても反射損失1%以下というか
なりの効果が期待でき、従つて、このマツチング
剤と内部ライトガイドが固定用で、しかも内部ラ
イトガイド6のクラツド層の役目をする接着剤1
3と同一でもよい。
この発明は以上説明したとうり、外部ライトガ
イドスリーブと内部ライトガイドの外径の各々に
一致した2つの径の穴をリセプタの両側から同軸
に明け、そしてその段差部にサフアイア板をロー
付等により気密封止したリセプタを用いる構造に
より、信頼性のある気密構造を有する光トリガサ
イリスタパツケージが得られ、さらに整列スリー
ブの組み忘れによる外部ライトガイドと内部ライ
トガイドの軸ずれ損失の増加や、整列スリーブの
紛失等の作業ミスがなくなるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の光トリガサイリスタ素子の構造
を示す断面図、第2図は本発明の一実施例の光ト
リガサイリスタ素子の構造を示す断面図、第3図
はそのリセプタ回りの部分断面図である。 図において、1はベーシツクエレメント、1a
は受光部、2は電極、2aはフランジ、3は電
極、3aはフランジ、4は絶縁物でできたパツケ
ージ、6は内部ライトガイド、7は内部ライトガ
イドスリーブ、8は外部ライトガイドスリーブ、
9は外部ライトガイド、10は整列スリーブ、1
1はコネクタ、12はサフアイア板、13は接着
剤、15はリセプタ、15aは内部ライトガイド
と同径の穴、15は外部ライトガイドスリーブと
同径の上記穴15aと同軸に明けられた穴であ
る。なお、図中同一符号は同一または相当部分を
示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 上面に光トリガ用受光部を有する光トリガサ
    イリスタベーシツクエレメントと、 該ベーシツクエレメントの上下面に設けられた
    2つの電極とこの2つの電極をフランジを介して
    気密に固定する絶縁物でできたパツケージと、 このパツケージの側面に明けられた穴に気密固
    定されたリセプタと、 サイリスタトリガ用の光信号を上記ベーシツク
    エレメント上の受光部に導く内部ライトガイド
    と、 外部から来る上記サイリスタトリガ用の光信号
    を上記内部ライトガイドに導く外部ライトガイド
    と、 上記外部ライトガイドを中心に有する外部ライ
    トガイドスリーブと、 上記内部ライトガイド外径および外部ライトガ
    イドスリーブ外径の各々と一致した内径を有し同
    軸に上記リセプタに明けられた2つの穴と、 この2つの穴の段差部にロー付により気密固定
    された上記リセプタ構成材料と熱膨脹係数のほぼ
    等しいサフアイア板と、 上記リセプタと内部ライトガイドとを固定する
    接着剤とを備えたことを特徴とする光トリガサイ
    リスタ素子。 2 反射防止膜をサフアイア板の外表面に付け、
    サフアイア板と内部ライトガイド端面間にマツチ
    ング剤を挿入したことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の光トリガサイリスタ素子。 3 内部ライトガイドとリセプタとを固定する接
    着剤として内部ライトガイドより低い屈折率で光
    吸収の少ない接着剤を用い、さらに内部ライトガ
    イドをクラツド層のない単一屈折率の材料で構成
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
    第2項記載の光トリガサイリスタ素子。 4 サフアイア板と内部ライトガイド端面との固
    定に、内部ライトガイドとリセプタの固定に使用
    する接着剤と同じ接着剤を用いたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第2項または第3項記載の光ト
    リガサイリスタ素子。
JP57137701A 1982-08-06 1982-08-06 光トリガサイリスタ素子 Granted JPS5927573A (ja)

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JP57137701A JPS5927573A (ja) 1982-08-06 1982-08-06 光トリガサイリスタ素子

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JPS5927573A JPS5927573A (ja) 1984-02-14
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4131905A (en) * 1977-05-26 1978-12-26 Electric Power Research Institute, Inc. Light-triggered thyristor and package therefore
JPS54136283A (en) * 1978-04-14 1979-10-23 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor photo detector
JPS5653371U (ja) * 1979-10-01 1981-05-11

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JPS5927573A (ja) 1984-02-14

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