JPH0140072B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体ウエハの接着剤を用いて加工
プレートに接着した後研磨加工する場合に半導体
ウエハの周囲に付着した接着剤を効率よく除去し
うるスプレー洗浄による接着剤の除去方法に関す
るものである。

半導体ウエハを研磨（ラツピング、ポリツシン
グ）するときには、ウエハを研磨プレート上にワ
ツクス等の接着剤を用いて固着する必要がある。
ウエハの固着は、第１図に示されるように、研磨
プレート１をヒータ２で加熱するとともに（同図
ａ）、加熱されたプレート１にワツクス等の接着
剤３を塗布し（同図ｂ）、さらにその上にウエハ
４を接着した後（同図ｃ）、ウエハ４の周囲に付
着したワツクス等の接着剤３を除去している（同
図ｄ）。この場合の除去方法は、従来、たとえば
溶解性の高いトリクレンのような有機溶媒を用い
て浸漬したり、浸漬と撹拌または浸漬と振動（超
音波）を同時に行なつたり、あるいは蒸気浴中に
浸漬したりしているが（溶媒浸漬法）、第２図に
示すように、ウエハ４とプレート１との間の接着
に寄与している接着剤３の一部まで溶解除去した
り、膨潤させて接着力の低下を生じさせてしまう
結果、研磨中のウエハ４が欠損したり、ウエハ４
の裏面がポリシング液の化学作用によつて腐食し
たり汚れ（異物）が付着するという欠点を生じて
いる。また、この欠点があるために溶媒浸漬法に
よらずガーゼ、綿花、ペーパー等に有機溶媒を含
ませてふきとる方法も行なわれているが、作業性
が著しく悪く、量産手段としては採用できるもの
ではない。

本発明は、上記従来方法における欠点を解消し
た接着剤の除去方法を提供せんとするものであつ
て、その要旨とするところは加工プレート上に接
着剤で接着した半導体ウエハの表面及び側面に付
着した接着に寄与しない接着剤のみを有機溶媒で
除去する方法において、前記加工プレートを回転
させつつ、この加工プレートと対向するノズルに
より噴霧状の有機溶媒とともに高圧ガスを同時に
前記ウエハと前記加工プレート上吹きつけること
を特徴する。

以下、図面に示した実施例にもとずいて本発明
に係る接着剤の除去方法を説明する。

第３図は、本発明に係る除去方法を説明する原
理図である。半導体ウエハを研磨する場合、ま
ず、ウエハ４は回転台５上のプレート１にワツク
ス等の接着剤３を用いて固着せしめられる。本願
発明方法の特色は、ウエハ４（被加工物）の上方
に設けたウエハ４と対向するノズル６により、接
着剤３を除去するのに溶解性の高いトリクレンの
ような有機溶媒を窒素ガス等の高圧ガスととも
に、噴霧状に吹きつけ、ウエハ４の接着に寄与し
ない接着剤３のみを確実に除去することにある。
なお、有機溶媒をノズル６に供給するパイプ７に
は窒素ガス等の高圧ガスを供給するパイプが連通
され、それぞれのパイプに切替用電磁弁８が設け
られている。

本実施例では回転台５上のウエハ４へノズル６
より有機溶媒とともに高圧ガスを噴霧しているの
で不要な接着剤のみを確実に除去することがで
き、且つ噴霧された有機溶媒はプレート１及びウ
エハ４上に残ることなく速乾されるので、第２図
に示したようなウエハ４とプレート１の間の接着
に寄与している接着剤３の一部を溶解してしまう
ようなことがない。勿論、一定時間、有機溶媒及
び高圧ガスを吹きつけた後、有機溶媒の圧送を止
め窒素ガス等の高圧ガスのみをノズル６から吹き
つけて接着剤３上にある有機溶媒の残渣を速乾す
れば、更に本願発明の効果が高められることはい
うまでもない。

また、有機溶媒を噴霧状に吹きつけるに際し、
ウエハ４の上方に設けたノズル６よりプレート１
の回転方向に対向するように扇状に放射した有機
溶媒及び高圧ガスを吹きつけると、ウエハ４の形
状により有機溶媒が直接接着剤３に吹きつけられ
ない陰の部分３′ができるとともに速乾効果が向
上されるから、本願発明における接着剤３の不要
部分の除去効果は一層高められる。なお、このと
きノズル６の位置および噴霧される有機溶媒の吹
きつけ角度は吹きつけられる有機溶媒の量、吹き
つけ速度、接着剤に対する溶解力により相対的に
決定されるのものであり、何等限定されるもので
はないが、本発明の効果をより一層高めるために
は、ノズル６に吹きつけ角度を設定するととも
に、プレート１の回転軸を傾向せしめ、プレート
１の被加工物固定面を傾斜せしめて回転すればよ
い。

参考までに実験例を示すと、初めに研磨プレー
ト上にエレクトロンワツクス（商品名）を厚さ
100μの厚さに塗布したあと、被加工物である
GaAs半導体ウエハを接着し、更に一定時間加圧
を行つて被加工物と加工プレート間の接着剤の層
の厚さを10μｍ以下になるようにした。次にウエ
ハ上方のノズルからスプレー圧３Kg／cm²使用量
200c.c.／minで扇状に放射して吹きつけたところ、
１分間でウエハ10個分の周囲の不要ワツクスを除
去することができた。ちなみに同一条件下におい
て前記ふきとり法により不要ワツクスの除去を行
つたところウエハ10個分の周囲に不要ワツクスを
除去するのに70分を要し、じつに70分の１の効果
があることが証明された。

以上、図面に示した実施例にもとづいて説明し
たように、本発明の除去方法によれば、被加工物
下部の接着剤の溶解や膨潤がないとともに不要な
接着剤をすばやく、かつ均一に除去することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、被加工物の接着から不要な接着剤を
除去するための工程を示す説明図、第２図は従来
の除去方法によつて生じた欠点を示す説明図、第
３図は本発明方法を説明する原理図である。 図面中、１はプレート、２はヒーター、３は接
着剤、４は被加工物、５は回転台、６はノズル、
７はパイプ、８は切替用電磁弁である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 加工プレート上に接着剤で接着した半導体ウ
   エハの表面及び側面に付着した接着に寄与しない
   接着剤のみを有機溶媒で除去する方法において、
   前記加工プレートを回転させつつ、この加工プレ
   ートと対向するノズルにより噴霧状の有機溶媒と
   ともに高圧ガスを同時に前記ウエハと加工プレー
   ト上に吹きつけることを特徴とするスプレー洗浄
   による接着剤の除去方法。