JPH0140193Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案はシリコンウエハやガラスフオトマスク
などの半導体ウエハの片面にエツチングもしくは
現像等の処理を施こすための装置の改良に関す
る。

（従来の技術） 従来、底部に処理液導入用の通路があるカツプ
状の槽と、その上に近接して設けられ且つ処理す
べき面を下向きにして半導体ウエハを支持するチ
ヤツクとから成る片面処理装置では、例えばウエ
ハに半導体装置としての特定のパターンを形成す
るため、片面の金属薄膜や酸化膜のエツチングを
行なう場合、エツチング液は槽の底部の通路を通
つて上方に吹き上げられ、チヤツクに支持された
ウエハの下面に当つて槽の周囲から流出し、ウエ
ハはそのように吹き上げられるエツチング液との
接触によつてエツチングされた。この種の装置は
複数個が、例えば５行５列では25個が共通の容器
内に収められ、同時に扱われる。

（考案が解決しようとする課題） 容器内の各槽に液を送る共通の管にはバルブが
設けられ、そこで流量調整されるが、容器内の各
槽に送られる液の流量は容器内の位置によつてば
らつきを生じ、槽における液の流量が多すぎると
ウエハの中央の区域が周囲より強くエツチングさ
れ、逆に流量が少なすぎると中央の区域より周囲
が強くエツチングされ、均一に処理し得ない欠点
があつた。

本考案の目的は上記従来技術の問題点を解消す
ることであつて、それ故、複数の処理装置が並置
されて同時に複数の半導体ウエハを処理するもの
において各ウエハの面に均一な処理を施こすこと
ができる半導体ウエハの片面処理装置を提供する
ことである。

（課題を解決するための手段） 本考案によるウエハの片面処理装置は、底部に
処理液導入用の通路１１が備えられたカツプ状の
槽と、その上に近接して設けられ且つ処理すべき
片面を下向きにしてウエハを支持するチヤツクを
含むと共に、槽の通路１１の頂部に互いに回動し
得る一対の空所付円板１４，１５を設置し、それ
らの円板の空所間の整合度によつて液の流量を調
整するようにしたことである。

（作用） この処理装置は複数個が並置されて用いられ、
予め各槽内に液が或る程度多く流れるように共通
の管のバルブでセツトする。並置された各処理装
置では通路１１の頂部に備えられた円板１４，１
５によつて液は絞られ、各槽ごとに流量が調整さ
れる。その際、処理液の流量がかなり多い場合に
は一対の円板の空所１４ａ，１５ａ間の整合度を
弱め、従つて絞りを強めて最適流量に調整され
る。また流量があまり多くない場合には整合度を
高めて液の絞りが弱められる。

（実施例） 次に図面を参照のもとに本考案の実施例に関し
説明する。第１図は本考案が関連する処理装置の
全体を示すものであつて、この装置は基本的には
概してカツプ状の槽１０と、その上に近接して設
けられたチヤツク２０から構成される。このチヤ
ツク２０はその下面で半導体ウエハＡを真空によ
り吸引して支持するものであつて、好ましくは回
転自在に構成され、適当な駆動装置によつて回転
される。

槽１０の底部には処理液、例えばエツチング液
の導入用通路１１が形成されており、この通路１
１はエツチング液を送る共通の管１２に接続され
る。槽１０の頂部１３は円形であつて、その断面
は上方に凸のなめらかな曲線、例えば円弧状の面
になつている。なお、図には省略されているが、
槽１０の頂部にはウエハがチヤツク２０に吸引さ
れるまでの間、ウエハを一時的に水平に支持する
ピンなどが在る。一般には槽１０は耐酸性樹脂で
作られるが、チヤツク２０は透明塩化ビニールな
どの透明材料で作られるのが好ましい。

このウエハ処理装置の特徴は図示のように、槽
１０の通路１１の頂部の拡開した区域に一対の互
に重ねられた空所付円板１４，１５が設置されて
いることであつて、この一対の円板は互に相対的
に回動可能になつている。好ましい形態では第１
図に見られるように、それらの円板１４，１５は
中央部を貫通するピン１６によつて重ね合わされ
た状態で連結されている。また、各円板の複数の
空所１４ａ，１５ａは任意の形状をとり得るが、
第２図に示すように、それらの空所は各円板１
４，１５において同じように分布し、且つそれぞ
れ同じ形状で均等に分布するのが好ましい。

なお、これらの円板のうちの下方に置かれるも
の１４は通路１１の頂部の段部１７にはめ込まれ
るのが好ましく、且つ下方の円板１４はそのよう
な段部に固定され、上方の円板１５は下方の円板
１４の上で回動可能になつており、第３図に示す
ように各円板の空所相互の整合度、即ち重なり度
によつてそこを通過する液を絞り、液の流量が調
整されるように構成されている。これらの円板１
４，１５は槽１０と同じ材質のもので構成される
のが好ましい。なお、第２図および第３図の例で
は各空所１４ａ，１５ａは孔であるが、必ずしも
孔である必要はない。

次に作用について説明すると、半導体ウエハの
片面の金属薄膜にフオトレジストが施こされた被
処理面を下向きにしてチヤツク２０が該ウエハを
槽１０の上に近接して支持すると、エツチング液
は管１２から槽１０の通路１１内に入り、そこを
上昇して一対の円板１４，１５の空所１４ａ，１
５ａを通過して吹き上げられ、チヤツク２０に支
持されたウエハの面に当り、槽１０の頂部を越え
て流出する。このエツチング液の吹き上げによつ
てウエハの処理面がエツチングされるが、液の流
量がかなり多い場合にはウエハの周囲に比し中央
部がかなり強くエツチングされるので、円板１
４，１５を回動し、その空所１４ａと１５ａの整
合度を弱め、従つて間隙１９（第３図）を小さく
し、絞りを強めて流量を少なくし、ウエハが均一
に処理される最適流量に調整する。また、流量が
それほど多くない槽１０に対しては該一対の円板
の空所間の整合度を高めて液の流れに対する絞り
を弱めることにより流量調整が行なわれる。

なお、この種の装置では槽の通路１１を吹き上
げる液に回転方向性が生じやすいが、そのような
場合、第４図に示すように、円板１４，１５の周
囲に超音波発生用の振動子１８を設置するのが好
ましく、これにより液に振動を加え、回転方向性
を弱めると共に縦方向の反応を促進することがで
きる。このような振動子は例えば通路１１の入口
など他の位置に設置してもよい。

上記の例ではフオトレジストが施こされた部分
以外の金属薄膜の部分をエツチングする場合が示
されているが、この装置はそれ以外のウエハの処
理にも用いることができ、例えば半導体ウエハの
面にフオトレジストのパターンを形成するための
現像にも用いることができる。また、第５図に示
すように、空所１４ａ，１５ａは切欠きであつて
もよく、この場合も同様に切欠き間の整合度によ
つて間隙１９が調整される。

（考案の効果） 上記のように本考案によれば、共通の容器内に
複数の槽が並置される場合に各槽内の一対の空所
付円板によつて槽内を吹き上げられる処理液を絞
り、そのため各槽ごとにその流量を最適流量に調
整することができる。従つて、並置された複数の
槽にセツトされた各ウエハの面をそれぞれ均一
に、即ち中央の区域と周囲の区域との間に差がな
く処理することができ、エツチングの場合には局
部的なサイドカツトやアンダーカツトが生じるの
を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一例による半導体ウエハの片
面処理装置の縦断面図、第２図はその装置に含ま
れる一対の円板の分解平面図、第３図は一対の円
板が重ねられた状態を示す一部の拡大平面図、第
４図は他の実施例を示す縦断面図、第５図は別の
実施例を示す第３図に類似の平面図である。 図中、１０……槽、１１……通路、１２……
管、１４，１５……円板、１４ａ，１５ａ……円
板の空所、１６……ピン、２０……チヤツク。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 底部に処理液導入用の通路が備えられたカツ
   プ状の槽と、前記槽の上に近接して設けられ且
   つ処理すべき片面を下向きにして半導体ウエハ
   を支持するチヤツクを含む処理装置において、
   前記通路の頂部には互に相対的に回動し得る一
   対の円板が設置され、各前記円板には複数の空
   所が同じように分布して形成されており、前記
   円板相互の空所の整合度によつてそこを通過し
   て半導体ウエハの下面に対し吹上げられる処理
   液の流量が調整されるようになつていることを
   特徴とする半導体ウエハの片面処理装置。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の装置
   において、前記一対の円板の各空所は同じ形状
   に形成されている半導体ウエハの片面処理装
   置。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の装置
   において、前記一対の円板は中央に設けられた
   ピンにより互に連結されている半導体ウエハの
   片面処理装置。 (4) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の装置
   において、各前記空所は孔である半導体ウエハ
   の片面処理装置。 (5) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の装置
   において、各前記空所は切欠きである半導体ウ
   エハの片面処理装置。