JPS645884Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645884Y2 JPS645884Y2 JP1984177260U JP17726084U JPS645884Y2 JP S645884 Y2 JPS645884 Y2 JP S645884Y2 JP 1984177260 U JP1984177260 U JP 1984177260U JP 17726084 U JP17726084 U JP 17726084U JP S645884 Y2 JPS645884 Y2 JP S645884Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- semiconductor material
- processing liquid
- processing
- table surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案はシリコンウエハーやガラスフオトマス
クなどの半導体材料の処理装置に関し、とくに半
導体材料の片面に処理液を吹上げる槽に関する。
クなどの半導体材料の処理装置に関し、とくに半
導体材料の片面に処理液を吹上げる槽に関する。
（従来の技術）
従来、この種の槽には底部に処理液導入用の通
路が備えられ、且つこの槽に関連して真空により
半導体材料を吸着して槽の上に支持するチヤツク
が用いられる。そして、処理すべき面を下に向け
て支持された該材料に対し下方より処理液を吹き
上げて接触させ槽の頂部をオーバーフローした液
を槽の外周のとよに受け、それをタンクに戻し
て、循環するように構成されている。従来の槽３
０は第６図に示すように、カツプ状の形状を有
し、処理液が半導体材料の上側の裏面にまわり込
むのを防ぐため該材料の上側の周囲に窒素ガスを
吹き付けていた。
路が備えられ、且つこの槽に関連して真空により
半導体材料を吸着して槽の上に支持するチヤツク
が用いられる。そして、処理すべき面を下に向け
て支持された該材料に対し下方より処理液を吹き
上げて接触させ槽の頂部をオーバーフローした液
を槽の外周のとよに受け、それをタンクに戻し
て、循環するように構成されている。従来の槽３
０は第６図に示すように、カツプ状の形状を有
し、処理液が半導体材料の上側の裏面にまわり込
むのを防ぐため該材料の上側の周囲に窒素ガスを
吹き付けていた。
（考案が解決しようとする問題点）
上記のように、従来の槽はカツプ状であつたた
め、処理すべき材料の裏面への処理液のまわり込
みがあり、従つて窒素ガスの吹付けが必要であつ
た。さらに半導体材料の面に当つた処理液はそこ
で半導体材料の面に沿う流れと下方にはね返る流
れを生じ、材料の面に対する処理液の接触に安定
性を欠くという問題点があつた。また反応中に発
生したガスの気泡および吹き上げられた処理液中
の気泡が半導体材料に付着し、吹上げられた処理
液の運動エネルギーではそれを取り除くだけの力
がなく、気泡による反応むらを生じさせた。
め、処理すべき材料の裏面への処理液のまわり込
みがあり、従つて窒素ガスの吹付けが必要であつ
た。さらに半導体材料の面に当つた処理液はそこ
で半導体材料の面に沿う流れと下方にはね返る流
れを生じ、材料の面に対する処理液の接触に安定
性を欠くという問題点があつた。また反応中に発
生したガスの気泡および吹き上げられた処理液中
の気泡が半導体材料に付着し、吹上げられた処理
液の運動エネルギーではそれを取り除くだけの力
がなく、気泡による反応むらを生じさせた。
本考案の目的は上記従来技術の問題点を解消す
ることであつて、それ故半導体材料の裏面への処
理液のまわり込みおよび気泡の付着を防ぐと共
に、材料の面と処理液の接触が好適に行なわれる
構造の処理槽を提供することである。
ることであつて、それ故半導体材料の裏面への処
理液のまわり込みおよび気泡の付着を防ぐと共
に、材料の面と処理液の接触が好適に行なわれる
構造の処理槽を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本考案による処理槽１の特徴はその槽の頂部が
処理される半導体材料の面より広い面積を有して
中央に孔のある面、半導体材料より大きな外径を
有する環状の面からなるテーブル面４になつてい
ることであり、槽の頂部の内側の面は中央の孔に
向つて上方に先細の台錐状の面になつており、且
つ中央の孔の内周縁は上方に末広状になるように
断面がほぼ円弧状になつている。処理液はそのテ
ーブル面中央の孔を通して半導体材料の下向きの
表面に吹き上げられる。
処理される半導体材料の面より広い面積を有して
中央に孔のある面、半導体材料より大きな外径を
有する環状の面からなるテーブル面４になつてい
ることであり、槽の頂部の内側の面は中央の孔に
向つて上方に先細の台錐状の面になつており、且
つ中央の孔の内周縁は上方に末広状になるように
断面がほぼ円弧状になつている。処理液はそのテ
ーブル面中央の孔を通して半導体材料の下向きの
表面に吹き上げられる。
（作用）
テーブル面中央の孔から吹上げられた処理液は
テーブル面と半導体材料の間の空間を半径方向外
方に層状に流れ、従つて下方にはね返る流れはな
いため処理液は半導体材料に好適に接触する。半
導体材料の外周縁では処理液はさらにテーブル面
に沿つて外方に層状に流れるので、表面張力によ
つて材料の裏側にまわり込もうとする力は外方に
流れようとする吸引力によつて打消され、まわり
込みが防止される。さらに半導体材料と槽のテー
ブル面の間を流れる処理液は半導体材料に付着し
ている気泡を取り除くことができる。
テーブル面と半導体材料の間の空間を半径方向外
方に層状に流れ、従つて下方にはね返る流れはな
いため処理液は半導体材料に好適に接触する。半
導体材料の外周縁では処理液はさらにテーブル面
に沿つて外方に層状に流れるので、表面張力によ
つて材料の裏側にまわり込もうとする力は外方に
流れようとする吸引力によつて打消され、まわり
込みが防止される。さらに半導体材料と槽のテー
ブル面の間を流れる処理液は半導体材料に付着し
ている気泡を取り除くことができる。
（実施例）
次に図面を参照のもとに本考案の実施例に関し
説明する。第１図および第２図は本考案の一実施
例を示すものであつて、図示のように、この槽１
は底部２に処理液導入用の通路３が備えられる。
この例では槽１の頂部は環状の面からなるテーブ
ル面４になつており、その外周４ａの径は処理す
べきウエハーなどの材料ｓの外径より大きくなつ
ている。なお、テーブル面４の外周は必ずしも円
形である必要はない。テーブル面４の中央の孔５
を通して処理液は吹上げられる。この孔５の内周
縁は第１図に示すように上方に末広状になるよう
に断面がほぼ円弧状になつている。この孔５の空
間もテーブル面の面積の一部に含まれる。
説明する。第１図および第２図は本考案の一実施
例を示すものであつて、図示のように、この槽１
は底部２に処理液導入用の通路３が備えられる。
この例では槽１の頂部は環状の面からなるテーブ
ル面４になつており、その外周４ａの径は処理す
べきウエハーなどの材料ｓの外径より大きくなつ
ている。なお、テーブル面４の外周は必ずしも円
形である必要はない。テーブル面４の中央の孔５
を通して処理液は吹上げられる。この孔５の内周
縁は第１図に示すように上方に末広状になるよう
に断面がほぼ円弧状になつている。この孔５の空
間もテーブル面の面積の一部に含まれる。
好ましくは、頂部の内側の面、即ち槽の周壁６
より内側におけるテーブル面４の下側の面７は中
央の孔５に向つて上方に先細の台錐状の面になつ
ており、その傾斜角ｏは約30〜60度であるのが望
ましい。このように頂部の内側の面を形成するこ
とにより処理液中に生じる気泡が流出しやすい利
点がある。
より内側におけるテーブル面４の下側の面７は中
央の孔５に向つて上方に先細の台錐状の面になつ
ており、その傾斜角ｏは約30〜60度であるのが望
ましい。このように頂部の内側の面を形成するこ
とにより処理液中に生じる気泡が流出しやすい利
点がある。
また好ましい形態では、通路３の上端８は閉塞
され、その近傍の通路３の周壁に孔９が設けら
れ、そこから処理液を流出するように構成され
る。このようにすれば、処理液は槽１内の上部の
台錐状の面７を好適に伝つて孔５から吹上げられ
る。
され、その近傍の通路３の周壁に孔９が設けら
れ、そこから処理液を流出するように構成され
る。このようにすれば、処理液は槽１内の上部の
台錐状の面７を好適に伝つて孔５から吹上げられ
る。
槽１は好ましくはテフロンで作られるが、他の
材質であつてもよい。処理される半導体材料ｓは
第１図に見られるように、真空チヤツクなどによ
りテーブル面４の上に近接して離れて支持され
る。その間の距離は通常、２〜５mmであるが、そ
の間隔は処理液の粘度によつて最適な値が決めら
れる。
材質であつてもよい。処理される半導体材料ｓは
第１図に見られるように、真空チヤツクなどによ
りテーブル面４の上に近接して離れて支持され
る。その間の距離は通常、２〜５mmであるが、そ
の間隔は処理液の粘度によつて最適な値が決めら
れる。
このように処理すべき材料ｓはテーブル面４に
近接するため、第３図に示すように処理液１０は
テーブル面４と材料の間を層流状態で流れ、材料
の外周縁における処理液の表面張力F1はそこか
らさらに外方に流れる吸引力F2によつて打消さ
れ、そのため処理液のまわり込みが防止される。
また、反応中に発生したガスや吹上げられた処理
液中の気泡が半導体材料の表面に付着しても、半
導体材料は層流状態で流れる処理液に接触するの
でそれらの気泡は取り除かれ、効果的に且つ均一
に接触する。所望により、第４図に示すように、
槽１を容器１１内に設置し且つ容器の周壁から内
側に突出する環状の蓋１２を設けて、テーブル面
４から流下した処理液を包囲する。そのようにす
れば、蓋１２で処理液のガス１０ａと空気を分離
し、それにより処理液は空気との接触が少なくな
り、劣化を遅らせることができる。分離の度合は
蓋１２の内周と槽の周壁６の外周の間隔１２ａで
きまる。
近接するため、第３図に示すように処理液１０は
テーブル面４と材料の間を層流状態で流れ、材料
の外周縁における処理液の表面張力F1はそこか
らさらに外方に流れる吸引力F2によつて打消さ
れ、そのため処理液のまわり込みが防止される。
また、反応中に発生したガスや吹上げられた処理
液中の気泡が半導体材料の表面に付着しても、半
導体材料は層流状態で流れる処理液に接触するの
でそれらの気泡は取り除かれ、効果的に且つ均一
に接触する。所望により、第４図に示すように、
槽１を容器１１内に設置し且つ容器の周壁から内
側に突出する環状の蓋１２を設けて、テーブル面
４から流下した処理液を包囲する。そのようにす
れば、蓋１２で処理液のガス１０ａと空気を分離
し、それにより処理液は空気との接触が少なくな
り、劣化を遅らせることができる。分離の度合は
蓋１２の内周と槽の周壁６の外周の間隔１２ａで
きまる。
なお、第５図は本考案による槽１がウエハーの
酸化膜窓開けエツチングに用いられた例を示すも
のであつて、その装置ではモータ１３によりベル
ト１４を介して回転される真空チヤツク１５でウ
エハーｓが槽１の上に支持され、チヤツク１５の
通路１６に連通する管１７には圧力センサ１８と
バルブ１９が在り、バルブ１９には窒素ガス導入
用の管２０と真空装置（図示せず）に連通した管
２１が設置されている。図中、２２はチヤツクを
包囲するホルダーであり、２３はチヤツクを僅か
に持上げるエアシリンダである。ホルダー２２に
は窒素ガス導入路２４が設けられる。槽１の周囲
にはテーブル面４を流下した処理液を受けるとよ
２５があり、とよ２５は流出管２６によりタンク
２７に連通する。２８はポンプであり、タンク内
の液はポンプ２８により管を介し、槽１の通路３
に導入される。
酸化膜窓開けエツチングに用いられた例を示すも
のであつて、その装置ではモータ１３によりベル
ト１４を介して回転される真空チヤツク１５でウ
エハーｓが槽１の上に支持され、チヤツク１５の
通路１６に連通する管１７には圧力センサ１８と
バルブ１９が在り、バルブ１９には窒素ガス導入
用の管２０と真空装置（図示せず）に連通した管
２１が設置されている。図中、２２はチヤツクを
包囲するホルダーであり、２３はチヤツクを僅か
に持上げるエアシリンダである。ホルダー２２に
は窒素ガス導入路２４が設けられる。槽１の周囲
にはテーブル面４を流下した処理液を受けるとよ
２５があり、とよ２５は流出管２６によりタンク
２７に連通する。２８はポンプであり、タンク内
の液はポンプ２８により管を介し、槽１の通路３
に導入される。
ウエハーをエツチングする際は、その表面を下
にしてテーブル面４の上に載せ、そこにチヤツク
１５を下降する。チヤツクがウエハーに接近する
と、圧力センサー１８で感知し、バルブ１９によ
り真空に切換え、ウエハーを吸着してテーブル４
上の所定の高さ位置に支持する。次いでエツチン
グ用の処理液が管２９から通路３を通つて槽１内
に導入され且つ上方に吹き上げられ、ウエハーの
下向きの表面に当つてその表面とテーブル面４の
間を外側に流れ、テーブル面４の縁からとよ２５
に流下し、流出管２６によりタンク２７に戻る。
時折、モータ１３を作動してチヤツク１５と共に
ウエハーが回転され、ウエハーの下面中央に留つ
た反応ガスが除去される。
にしてテーブル面４の上に載せ、そこにチヤツク
１５を下降する。チヤツクがウエハーに接近する
と、圧力センサー１８で感知し、バルブ１９によ
り真空に切換え、ウエハーを吸着してテーブル４
上の所定の高さ位置に支持する。次いでエツチン
グ用の処理液が管２９から通路３を通つて槽１内
に導入され且つ上方に吹き上げられ、ウエハーの
下向きの表面に当つてその表面とテーブル面４の
間を外側に流れ、テーブル面４の縁からとよ２５
に流下し、流出管２６によりタンク２７に戻る。
時折、モータ１３を作動してチヤツク１５と共に
ウエハーが回転され、ウエハーの下面中央に留つ
た反応ガスが除去される。
上記の例ではエツチングの場合が示されている
が、本考案の槽は回路パターンの現像処理または
バンプメツキなどにも同様に用いることができ
る。
が、本考案の槽は回路パターンの現像処理または
バンプメツキなどにも同様に用いることができ
る。
（考案の効果）
上記のように、本考案によれば、処理液は半導
体材料の面とその下のテーブル面の間を流れ、そ
の間に処理液と半導体材料の接触が行なわれるの
で、効果的に接触し、且つ材料の面に付着してい
たガスの気泡は除去されるので、むらのない均一
な処理が行なわれる。さらに、処理液が半導体材
料の裏面にまわり込むこともない。
体材料の面とその下のテーブル面の間を流れ、そ
の間に処理液と半導体材料の接触が行なわれるの
で、効果的に接触し、且つ材料の面に付着してい
たガスの気泡は除去されるので、むらのない均一
な処理が行なわれる。さらに、処理液が半導体材
料の裏面にまわり込むこともない。
第１図は本考案の一例による処理槽の縦断面
図、第２図はその平面図、第３図は第１図のＡ部
の拡大図、第４図は他の実施例の縦断面図、第５
図は本考案による槽が組込まれたエツチング装置
の縦断面図、そして第６図は従来の槽の縦断面図
である。 図中、１……槽、２……底部、３……通路、４
……テーブル面、５……テーブル面の孔、７……
テーブル面の下側面、８……通路の上端、１１…
…容器、１２……蓋。
図、第２図はその平面図、第３図は第１図のＡ部
の拡大図、第４図は他の実施例の縦断面図、第５
図は本考案による槽が組込まれたエツチング装置
の縦断面図、そして第６図は従来の槽の縦断面図
である。 図中、１……槽、２……底部、３……通路、４
……テーブル面、５……テーブル面の孔、７……
テーブル面の下側面、８……通路の上端、１１…
…容器、１２……蓋。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体材料の片面に現像、エツチングもしく
はメツキ等の処理を施こすための槽であつて、
前記槽の底部に形成された通路を通して処理液
を導入し且つ前記槽の頂部上に離れて支持され
た半導体材料に対し処理液が吹上げられるよう
になつている槽において、前記槽の頂部は中央
に前記処理液が通過する孔があり、且つ処理さ
れる半導体材料の面より広い面積を有するテー
ブル面になつており、前記テーブル面は処理さ
れる半導体材料より大きな外径の環状の面から
なり、さらに前記槽の頂部の内側の面は前記中
央の孔に向つて上方に先細の台錐状の面になつ
ており、且つ前記中央の孔の内周縁は上方に末
広状になるように断面がほぼ円弧状になつてい
ることを特徴とする半導体材料の処理槽。 (2) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の槽に
おいて、前記通路の頂部は閉塞されてその近傍
の周壁の孔から処理液が吹出すようになつてい
る半導体材料の処理槽。 (3) 実用新案登録請求の範囲第１項に記載の槽に
おいて、前記テーブル面から流下した処理液の
ガスと空気を分離するため前記槽を包囲する容
器の内周には内側に突出する環状の蓋が備えら
れている半導体材料の処理槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984177260U JPS645884Y2 (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1984177260U JPS645884Y2 (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6192053U JPS6192053U (ja) | 1986-06-14 |
| JPS645884Y2 true JPS645884Y2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=30734831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1984177260U Expired JPS645884Y2 (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS645884Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4118303A (en) * | 1976-08-30 | 1978-10-03 | Burroughs Corporation | Apparatus for chemically treating a single side of a workpiece |
| JPS57110674A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-09 | Fujitsu Ltd | Surface treating device |
| JPS58210170A (ja) * | 1982-06-01 | 1983-12-07 | Seiichiro Sogo | 金属薄膜または酸化膜のエツチング装置 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP1984177260U patent/JPS645884Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6192053U (ja) | 1986-06-14 |
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