JPH0140967B2 - - Google Patents
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- JPH0140967B2 JPH0140967B2 JP58029289A JP2928983A JPH0140967B2 JP H0140967 B2 JPH0140967 B2 JP H0140967B2 JP 58029289 A JP58029289 A JP 58029289A JP 2928983 A JP2928983 A JP 2928983A JP H0140967 B2 JPH0140967 B2 JP H0140967B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1524—Transition metal compounds
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエレクトロクロミツク表示素子、特に
高コントラストなエレクトロクロミツク表示素子
に関するものである。
高コントラストなエレクトロクロミツク表示素子
に関するものである。
従来のエレクトロクロミツク表示素子として
は、一方のみが透光性である一対の電極層間に遷
移金属酸化物、例えばタングステン酸化物層より
なる発色層および電解質層を介在させて成るも
の、あるいは一対の透明電極間に電解質を挾み、
一方の電極表面上に還元状態で発色する金属酸化
物、例えばタングステン酸化物の層よりなる第１
のエレクトロクロミツク層を備え、他方の電極表
面上に酸化状態にて発色する金属酸化物、例えば
Cr2O3、ニツケル酸化物等の層よりなる第２のエ
レクトロクロミツク層を備えて成るものが、知ら
れている（特開昭55−64216号公報）。
は、一方のみが透光性である一対の電極層間に遷
移金属酸化物、例えばタングステン酸化物層より
なる発色層および電解質層を介在させて成るも
の、あるいは一対の透明電極間に電解質を挾み、
一方の電極表面上に還元状態で発色する金属酸化
物、例えばタングステン酸化物の層よりなる第１
のエレクトロクロミツク層を備え、他方の電極表
面上に酸化状態にて発色する金属酸化物、例えば
Cr2O3、ニツケル酸化物等の層よりなる第２のエ
レクトロクロミツク層を備えて成るものが、知ら
れている（特開昭55−64216号公報）。
しかしながら、このような従来のエレクトロク
ロミツク表示素子にあつては、第１の形式のエレ
クトロクロミツク表示素子においては、透明電極
側からのみ発色層が見えるだけであるため利用範
囲が狭く、また第２の形式のエレクトロクロミツ
ク表示素子においては、第２のエレクトロクロミ
ツク層の発色強度が弱いため、その発色はほぼ第
１のエレクトロクロミツク層の発色強度に等しく
なることから、発色強度が低く、コントラストが
低いという問題点があつた。またこれらの素子
は、より電解を行なうことにより、発色種の濃度
を増すことができるが、この場合にはガスの発生
等による電解の劣化、発色種の蓄積が起り、寿命
が低下するという問題点があつた。
ロミツク表示素子にあつては、第１の形式のエレ
クトロクロミツク表示素子においては、透明電極
側からのみ発色層が見えるだけであるため利用範
囲が狭く、また第２の形式のエレクトロクロミツ
ク表示素子においては、第２のエレクトロクロミ
ツク層の発色強度が弱いため、その発色はほぼ第
１のエレクトロクロミツク層の発色強度に等しく
なることから、発色強度が低く、コントラストが
低いという問題点があつた。またこれらの素子
は、より電解を行なうことにより、発色種の濃度
を増すことができるが、この場合にはガスの発生
等による電解の劣化、発色種の蓄積が起り、寿命
が低下するという問題点があつた。
本発明はこのような従来の問題点に着目してな
されたもので、少なくとも一方が透光性である一
対の電極の一方の電極表面上に第１のエレクトロ
クロミツク層を備え、対向電極表面上に第２のエ
レクトロクロミツク層を備え、両電極間に電解質
が封入されて成るエレクトロクロミツク表示素子
において、第１のエレクトロクロミツク層を還元
状態で発色する金属酸化物層より構成し、第２の
エレクトロクロミツク層を次の一般式： M1x〔M2（CN）6〕ｙ (1) （式中のM1およびM2は遷移金属、ｘは３〜４、
ｙは２〜３を示す）で表わされる混合原子価錯体
より構成したことを特徴とする。
されたもので、少なくとも一方が透光性である一
対の電極の一方の電極表面上に第１のエレクトロ
クロミツク層を備え、対向電極表面上に第２のエ
レクトロクロミツク層を備え、両電極間に電解質
が封入されて成るエレクトロクロミツク表示素子
において、第１のエレクトロクロミツク層を還元
状態で発色する金属酸化物層より構成し、第２の
エレクトロクロミツク層を次の一般式： M1x〔M2（CN）6〕ｙ (1) （式中のM1およびM2は遷移金属、ｘは３〜４、
ｙは２〜３を示す）で表わされる混合原子価錯体
より構成したことを特徴とする。
本発明の表示素子に用いる第１のエレクトロク
ロミツク層を構成する還元状態で発色する金属酸
化物層の金属酸化物としては、遷移金属酸化物が
好ましく、例えばWO3、MoO3、Nb2O5、Cr2O3、
Ta2O5、TiO2、などがあげられる。
ロミツク層を構成する還元状態で発色する金属酸
化物層の金属酸化物としては、遷移金属酸化物が
好ましく、例えばWO3、MoO3、Nb2O5、Cr2O3、
Ta2O5、TiO2、などがあげられる。
また第２のエレクトロクロミツク層を構成する
前記(1)式で表わされる遷移金属混合原子価錯体と
しては、M1が鉄（Fe）、銅（Cu）、クロム（Cr）、
M2が鉄（Fe）、ルテニウム（Ru）、コバルト
（Co）、オスミウム（Os）、クロム（Cr）である
化合物が好ましく、M1がFeで、M2がFeまたは
Ruである組合せよりなる化合物が最も好ましい。
またこれ等の化合物は積層して、あるいは混合物
として第２のエレクトロクロミツク層として用い
ることも可能である。このように異なつた吸収ス
ペクトルをもつ遷移金属混合原子価錯体を積層し
て、あるいは混合物として第２のエレクトロクロ
ミツク層とすることにより、より広い波長領域に
おいて光を吸収することができる。これにより、
全波長領域において光透過率を低減することがで
き、エレクトロクロミツク素子を、より高コント
ラスト化することができる。
前記(1)式で表わされる遷移金属混合原子価錯体と
しては、M1が鉄（Fe）、銅（Cu）、クロム（Cr）、
M2が鉄（Fe）、ルテニウム（Ru）、コバルト
（Co）、オスミウム（Os）、クロム（Cr）である
化合物が好ましく、M1がFeで、M2がFeまたは
Ruである組合せよりなる化合物が最も好ましい。
またこれ等の化合物は積層して、あるいは混合物
として第２のエレクトロクロミツク層として用い
ることも可能である。このように異なつた吸収ス
ペクトルをもつ遷移金属混合原子価錯体を積層し
て、あるいは混合物として第２のエレクトロクロ
ミツク層とすることにより、より広い波長領域に
おいて光を吸収することができる。これにより、
全波長領域において光透過率を低減することがで
き、エレクトロクロミツク素子を、より高コント
ラスト化することができる。
またこれ等の遷移金属混合原子価錯体は、電
着、スピンコート、あるいはデイツプコート法な
どで、その膜を形成することができる。
着、スピンコート、あるいはデイツプコート法な
どで、その膜を形成することができる。
第１図に本発明の一実施例のエレクトロクロミ
ツク表示素子を示す。第１図において１は第１の
エレクトロクロミツク層、２は第２のエレクトロ
クロミツク層、３は表基板、４は裏基板、５は
In2O3、SnO2等から成る透明電極、６はシール
材、７は電解質層を示す。この表示素子は、表基
板３上に設けた電極５上に所定パターンの第１の
エレクトロクロミツク層を、また裏基板４上に設
けた対向電極５上に第２のエレクトロクロミツク
層を、予め各電極上に設けることを除いては従来
の表示素子と同様に作成することができる。即ち
第１のエレクトロクロミツク層と第２のエレクト
ロクロミツク層を対向させ、電極５と５の間をシ
ール材６を介して平行に保持してセルをつくり、
セルの空隙部に、予じめ設けた注入口（図示せ
ず）から電解質溶液をセル内に注入し、注入口を
エポキシ樹脂等により封止し、電解質層を形成す
ればよい。
ツク表示素子を示す。第１図において１は第１の
エレクトロクロミツク層、２は第２のエレクトロ
クロミツク層、３は表基板、４は裏基板、５は
In2O3、SnO2等から成る透明電極、６はシール
材、７は電解質層を示す。この表示素子は、表基
板３上に設けた電極５上に所定パターンの第１の
エレクトロクロミツク層を、また裏基板４上に設
けた対向電極５上に第２のエレクトロクロミツク
層を、予め各電極上に設けることを除いては従来
の表示素子と同様に作成することができる。即ち
第１のエレクトロクロミツク層と第２のエレクト
ロクロミツク層を対向させ、電極５と５の間をシ
ール材６を介して平行に保持してセルをつくり、
セルの空隙部に、予じめ設けた注入口（図示せ
ず）から電解質溶液をセル内に注入し、注入口を
エポキシ樹脂等により封止し、電解質層を形成す
ればよい。
上記電解質層としては、極性有機溶媒にリチウ
ム、ナトリウムなどアルカリ金属イオンを溶解し
た電解質溶液あるいはこれらの溶液に可溶なポリ
アクリロニトリルなどの高分子を添加した高分子
電解質が用いられる。
ム、ナトリウムなどアルカリ金属イオンを溶解し
た電解質溶液あるいはこれらの溶液に可溶なポリ
アクリロニトリルなどの高分子を添加した高分子
電解質が用いられる。
本発明を次の実施例および比較例により説明す
る。
る。
実施例 １
第１のエレクトロクロミツク層としてWO3を
3000Åの厚さに真空蒸着し、第２のエレクトロク
ロミツク層としてFeCl3およびK3Fe（CN）6の0.01
（モル／ｌ）混合水溶液より1000Åの厚さに電着
したプルシアンブルー（Fe4〔Fe（CN）6〕3）を用
い、電解質層として１（モル／ｌ）LiClO4を溶解
したプロピレンカーボネートを用い、第１図に示
す構成より成る表示素子をつくつた。
3000Åの厚さに真空蒸着し、第２のエレクトロク
ロミツク層としてFeCl3およびK3Fe（CN）6の0.01
（モル／ｌ）混合水溶液より1000Åの厚さに電着
したプルシアンブルー（Fe4〔Fe（CN）6〕3）を用
い、電解質層として１（モル／ｌ）LiClO4を溶解
したプロピレンカーボネートを用い、第１図に示
す構成より成る表示素子をつくつた。
第２図に上記素子の消色時の透過率を曲線Ａ
で、10mc／cm2着色した場合の透過率を曲線Ｂで
示す。このエレクトロクロミツク表示素子の透過
率は可視部平均で10％弱と極めて低下した。
で、10mc／cm2着色した場合の透過率を曲線Ｂで
示す。このエレクトロクロミツク表示素子の透過
率は可視部平均で10％弱と極めて低下した。
比較例
第２のエレクトロクロミツク層としてNiOを
3000Åの厚さに電子ビームにて真空蒸着し、電解
質に0.1Nの硫酸水溶液を用いた以外は実施例１
と同様なエレクトロクロミツク表示素子を作成し
た。
3000Åの厚さに電子ビームにて真空蒸着し、電解
質に0.1Nの硫酸水溶液を用いた以外は実施例１
と同様なエレクトロクロミツク表示素子を作成し
た。
この表示素子の10mc／cm2着色時の透過率を第
２図に曲線Ｃで示す。この素子の着色時の透過率
は前述の実施例１の表示素子の透過率に比して全
可視領域で高くなつており、平均透過率も約35％
という高い値であつた。
２図に曲線Ｃで示す。この素子の着色時の透過率
は前述の実施例１の表示素子の透過率に比して全
可視領域で高くなつており、平均透過率も約35％
という高い値であつた。
実施例 ２
電解質層としてポリアクロニトリル４重量部に
LiClO42重量部とプロピレンカーボネート３重量
部を溶解した高分子イオン導電体を用いた以外は
実施例１と同様にしてエレクトロクロミツク表示
素子を作製したところ、実施例１と同様な結果が
得られた。
LiClO42重量部とプロピレンカーボネート３重量
部を溶解した高分子イオン導電体を用いた以外は
実施例１と同様にしてエレクトロクロミツク表示
素子を作製したところ、実施例１と同様な結果が
得られた。
実施例 ３
第１のエレクトロクロミツク層としてMoO3を
用いた以外は実施例１と同様にしてエレクトロク
ロミツク表示素子を作製したところ、実施例１と
同様な結果が得られた。
用いた以外は実施例１と同様にしてエレクトロク
ロミツク表示素子を作製したところ、実施例１と
同様な結果が得られた。
実施例 ４
第２のエレクトロクロミツク層として用いるプ
ルシアンブルーを、透明導電膜上にFeCl3および
K3Fe（CN）6の混合水溶液をスピンコートするこ
とにより形成した後、実施例１と同様にしてエレ
クトロクロミツク表示素子を作製し。この表示素
子も可視部の平均透過率は10％となり、実施例１
と同様の結果となつた。
ルシアンブルーを、透明導電膜上にFeCl3および
K3Fe（CN）6の混合水溶液をスピンコートするこ
とにより形成した後、実施例１と同様にしてエレ
クトロクロミツク表示素子を作製し。この表示素
子も可視部の平均透過率は10％となり、実施例１
と同様の結果となつた。
実施例 ５
FeCl3およびK4Ru（CN）6の0.01（モル／ｌ）の
混合水溶液より0.01（mA／cm2）にて透明導電膜上
にルテニウム紫（Fex〔Ru（CN）6〕ｙ但し３≦ｘ
≦４、２≦ｖ≦３）を1000Å電着し、第２のエレ
クトロクロミツク層とした以外は実施例１と同様
してエレクトロクロミツク表示素子を作製した。
この表示素子に1.5Vの電圧を印加し駆動させた
ところ、着色時には極めて濃い濃青色の発色が見
られた。この素子の消色および着色時の透過率を
第３図に夫々曲線ＤおよびＥで示す。透過率は比
較例に比して著しく低減し、その可視部での平均
透過率は約６％であつた。
混合水溶液より0.01（mA／cm2）にて透明導電膜上
にルテニウム紫（Fex〔Ru（CN）6〕ｙ但し３≦ｘ
≦４、２≦ｖ≦３）を1000Å電着し、第２のエレ
クトロクロミツク層とした以外は実施例１と同様
してエレクトロクロミツク表示素子を作製した。
この表示素子に1.5Vの電圧を印加し駆動させた
ところ、着色時には極めて濃い濃青色の発色が見
られた。この素子の消色および着色時の透過率を
第３図に夫々曲線ＤおよびＥで示す。透過率は比
較例に比して著しく低減し、その可視部での平均
透過率は約６％であつた。
実施例 ６
透明導電膜上にプルシアンブルーを500Å電着
した後、更に積層してルテニウム紫を700Å電着
して、第２のエレクトロクロミツク層とし、実施
例１と同様の構成のエレクトロクロミツク表示素
子を作製した。この素子の平均透過率は約７％で
あつた。
した後、更に積層してルテニウム紫を700Å電着
して、第２のエレクトロクロミツク層とし、実施
例１と同様の構成のエレクトロクロミツク表示素
子を作製した。この素子の平均透過率は約７％で
あつた。
実施例 ７
実施例６と同様に、透明電極上にプルシアンブ
ルーを500Å、ルテニウム紫を700Å電着した後、
更に0.005（モル／ｌ）のFeCl3およびK3Co（CN）6
水溶液より５（μA／cm2）にてFem〔Co（CN）6〕ｎ
を700Å電着し、３層の混合原子価錯体を積層し
て第２のエレクトロクロミツク層とし、実施例１
の構成のエレクトロクロミツク表示素子を作製し
た。この表示素子の着色時透過率は極めて減少
し、450〜470nm付近に僅かにピークが見られる
だけであり、可視部の平均透過率は５％以下とな
り、かつ無彩色に近くなつた。
ルーを500Å、ルテニウム紫を700Å電着した後、
更に0.005（モル／ｌ）のFeCl3およびK3Co（CN）6
水溶液より５（μA／cm2）にてFem〔Co（CN）6〕ｎ
を700Å電着し、３層の混合原子価錯体を積層し
て第２のエレクトロクロミツク層とし、実施例１
の構成のエレクトロクロミツク表示素子を作製し
た。この表示素子の着色時透過率は極めて減少
し、450〜470nm付近に僅かにピークが見られる
だけであり、可視部の平均透過率は５％以下とな
り、かつ無彩色に近くなつた。
以上の結果から明らかなように本発明による
と、還元状態で発色する金属酸化物層を第１エレ
クトロクロミツク層とし、酸化状態で発色する前
記(1)式の遷移金属混合原子価錯体を第２のエレク
トロクロミツク層としたため、発色時には両エレ
クトロクロミツク層が同時に濃く発色し、消色時
には共に無色となるため、高コントラストとな
り、極めて透過率の低いエレクトロクロミツク表
示素子が得られる。
と、還元状態で発色する金属酸化物層を第１エレ
クトロクロミツク層とし、酸化状態で発色する前
記(1)式の遷移金属混合原子価錯体を第２のエレク
トロクロミツク層としたため、発色時には両エレ
クトロクロミツク層が同時に濃く発色し、消色時
には共に無色となるため、高コントラストとな
り、極めて透過率の低いエレクトロクロミツク表
示素子が得られる。
第１図は本発明の一例のエレクトロクロミツク
表示素子の断面図、第２図は実施例１および比較
例のエレクトロクロミツク表示素子の透過率を示
す曲線図、第３図は実施例５のエレクトロクロミ
ツク表示素子の透過率を示す曲線図である。 １……第１のエレクトロクロミツク層、２……
第２のエレクトロクロミツク層、３……表基板、
４……裏基板、５……透明電極、６……シール
材、７……電解質層。
表示素子の断面図、第２図は実施例１および比較
例のエレクトロクロミツク表示素子の透過率を示
す曲線図、第３図は実施例５のエレクトロクロミ
ツク表示素子の透過率を示す曲線図である。 １……第１のエレクトロクロミツク層、２……
第２のエレクトロクロミツク層、３……表基板、
４……裏基板、５……透明電極、６……シール
材、７……電解質層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一方が透光性である一対の電極の
一方の電極表面上に第１のエレクトロクロミツク
層を備え、対向電極表面上に第２のエレクトロク
ロミツク層を備え、両電極間に電解質が封入され
て成るエレクトロクロミツク表示素子において、
第１のエレクトロクロミツク層を還元状態で発色
する金属酸化物層より構成し、第２のエレクトロ
クロミツク層を次の一般式 M1x〔M2（CN）6〕ｙ (1) （式中のM1およびM2は遷移金属、ｘは３〜４、
ｙは２〜３を示す）で表わされる混合原子価錯体
より構成したことを特徴とするエレクトロクロミ
ツク表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029289A JPS59155833A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58029289A JPS59155833A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155833A JPS59155833A (ja) | 1984-09-05 |
| JPH0140967B2 true JPH0140967B2 (ja) | 1989-09-01 |
Family
ID=12272086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58029289A Granted JPS59155833A (ja) | 1983-02-25 | 1983-02-25 | エレクトロクロミツク表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155833A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4801195A (en) * | 1985-01-29 | 1989-01-31 | Nissan Motor Co., Ltd. | Variable light transmittance glass board functional as electrochromic cell |
| JPS61219030A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロクロミツク素子 |
| JPH0695187B2 (ja) * | 1985-05-01 | 1994-11-24 | 豊田合成株式会社 | エレクトロクロミック素子 |
| JPS6237247A (ja) * | 1985-05-08 | 1987-02-18 | Nissan Motor Co Ltd | 防眩ミラ− |
| AU643093B2 (en) * | 1990-12-26 | 1993-11-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Solid-state electrochromic device with protong-conducting polymer electrolyte |
-
1983
- 1983-02-25 JP JP58029289A patent/JPS59155833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59155833A (ja) | 1984-09-05 |
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