JPH0141272B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は２つの伝導体の層の間にはさまれた
誘電体すなわち絶縁体の層を貫いて伝導性の貫通
孔を形成するための改良方法に関するものであ
る。この方法は殊にプリント回路板の形成に有用
なものである。

米国特許第3969815号明細書には基体の対向し
た側面上に配置された２つの金属層に電気的連結
を生ぜしめる方法が開示されている。そこではこ
の２つの金属層および中間の絶縁体層を貫いて１
個の孔がはじめにドリルによつてかまたは孔あけ
によつて作られる。この絶縁体層中の孔は絶縁体
層のみをエツチングする選択的エツチング法によ
つて拡大され、絶縁体層中に拡大された環状孔を
形成して、それによつて金属層部分をアンダーカ
ツトする。その後で絶縁体層の対向した側のこれ
ら張り出した金属の部分は圧力をかけることによ
り互に接触するかまたはほとんど接触するに至る
までに変形される。この変形された金属部分は好
ましくは亜鉛による薄層のオーバーコートであ
る、電気メツキの金属（galvanic metal）によ
り被覆されて導電性通路を形成する。

本発明は２つの伝導体層の間にはさまれた誘電
体層中に導電性通路を作るための方法であつて、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り去
ることなく上記の伝導体層のうちの少なくとも
１つを完全に貫いて環状の孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層にプラズマエツ
チングを行ないかくして伝導体層の間の誘電体
層を完全に貫通して通路（pathway）を形成さ
せ、そしてまた伝導体層はその伝導体層中の孔
に近接した誘電体物質のところでアンダーカツ
トし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層をもう一方
の伝導体層に向つて変形させて互いに接触さ
せ、そして (d) この２つの伝導体層の間に上記通路を通つて
導電性通路を形成させる、 ことからなる。

第１Ａ図は導電体層、誘電体層および導電体層
とからなり、導電体層の１つを貫いて孔が設けら
れている複合物品の断面図である。

第１Ｂ図は第１Ａ図に示された物品であつて、
その誘電体層を貫いてエツチングによつて付加的
に孔が形成されている断面図である。

第１Ｃ図は第１Ｂ図に示された物品であつて誘
電体層中の孔へ導電体層が変形されて入りこんで
いることを示す断面図である。

第２Ａ図は導電体層、誘電体層および導電体層
とからなり、各々の導電体層を貫いて孔が設けら
れている複合物品の断面図である。

第２Ｂ図は第２Ａ図の物品であつて、その誘電
体層中にエツチングによつて付加的に孔が形成さ
れている断面図である。

第２Ｃ図は第２Ｂ図に示された物品であつて、
その誘電体層中の孔へ導電体層が変形されて入り
こんでいることを示す断面図である。

第３Ａ図は導電体層、誘電体層および導電体層
とからなる複合物品であつて、この複合物品を貫
いて孔が設けられている断面図である。

第３Ｂ図は第３Ａ図の物品であつてその誘電体
層中に拡大された孔が付加されている断面図であ
る。

第３Ｃ図は第３Ｂ図に示された物品であつて、
その孔の中へ導電体層が変形されて入りこんでい
ることを示す断面図である。

第４図は本発明に有用なプラズマ装置の略図で
ある。

本発明は特に２つの導電性物質の間にはさまれ
た誘電体層を貫いて設けられる導電性貫通孔を形
成するため、とりわけ多数の精密に位置ぎめされ
た貫通孔を形成するために適用されるものであ
る。通常、誘電体層は金属、好ましくは銅であ
り、一方誘電体物質は一般に電気絶縁性の重合体
である。

誘電体物質によつて隔てらた導電性物質の２つ
の層からなる複合材料は、回路板を形成するため
の慣用の出発材料であり、ここでも好適な材料で
ある。一般にこの誘電体層は厚さが少くとも１ミ
ルであり、また伝導体層は厚さが0.7〜2.8ミルで
あり、例えば銅箔はより薄いか又はより厚い層の
両者を用いることができる。絶縁層を構成する材
料については限定的なものではなく、ただプラズ
マエツチング技法によつて除去しうるものであれ
ば良い。

本発明においては誘電体のプラズマエツチング
に先立つて、誘電体層からは実質的に何等の物質
を除くことなしに伝導体層の少なくとも１つに孔
を形成することが必要である。この伝導体層中に
孔を形成するための好適な技法としては、写真平
版法および化学エツチング法が用いられるが、こ
れらはプリント回路の形成において良く知られた
ものである。このような化学エツチング法の１つ
の例にはネガ型感光性フイルムを少くとも１つの
金属層の誘電体層とは面していない伝導体面に積
層し、この感光性重合体をフオトマスクを通して
化学放射線に露光させ、現像し、未露光の感光性
重合体を取り除いて金属層の部分を露出させ、そ
の後でこの露出された伝導性層をその厚みの全体
にわたつて完全に化学的にエツチングする方法が
含まれる。この化学的エツチング工程によつては
誘電性重合体層からはほとんど物質を除かないか
又は全く物質を除くことはない。好ましい方法は
米国特許第3469982号明細書中に開示されている。
当該技術分野でよく知られているポジ型フオトポ
リマー及びその現像技法を同様に使用することが
できる（例えば米国特許第4193797号明細書参照
のこと）。

伝導体層中に写真平版法を用いて形成される孔
の直径は小さいもの、例えば25から250ミクロン
の範囲のものとすることができ、また回路中にそ
の模様（feature）に対して正確な場所に位置さ
せることができる。また写真平版法は多数の孔を
同時に、例えば数百又は数千の孔を容易に12イン
チ×12インチの寸法の回路板の複合材料の空所に
形成させることができる。存外、機械ドリルによ
る孔の数の増加に従つてエラーの機会が増大し、
又は正確さが失われる面倒な工程になる不利点を
伴うものである。またこの機械ドリルによる孔あ
け又はパンチによる孔あけによつて800ミクロン
よりも小さい孔をあける場合にはドリルの破損に
よるコストの増大を伴うものであり、325ミクロ
ンよりも小さい直径の孔では一般には孔あけを達
成することができない。

パンチ又はドリルによる孔あけでは一般に金
属、誘電体及び第２の金属の層を完全に貫いた孔
が出来上つてしまう。

プラズマエツチングにあつては、プラズマは孔
が形成されている場所でのみ誘電体を攻撃するの
で、金属伝導体層は誘電体のためのマスクとして
働くのである。金属は実質的にプラズマによつて
影響を受けないか、又は少くとも誘電体のエツチ
ング速度の方が伝導体のエツチング速度よりも可
なり速い。

プラズマガスの種々の型のものを使用すること
ができる。このエツチング用ガスとしてはエツチ
ングされるべき材料とは化学的に反応し揮発性の
反応生成物を生成する種類のものが選ばれる。
種々のプラズマエツチングガスの混合物もまた使
用することができる。絶縁材料すなわち有機材料
がポリイミドで、マスクが銅である場合にいて用
いられる好ましいガス組成物は、容積で50／50〜
10／90の割合の四弗化炭素／酸素である。

図面について説明すると、第１Ａ図の態様では
伝導体層１２中に化学的にエツチングして作られ
た孔１４を有する複合材料を示している。この伝
導体層に対するエツチング剤は誘電体層１１には
認められるようなエツチング作用を及ぼしていな
い。

その後でこの伝導体層中に形成された孔を通し
て誘電体層をエツチングするためにプラズマエツ
チングが用いられる。これによつて形成された複
合物品は第１Ｂ図に示されるが、この図中には伝
導体層１２中において張り出し部分１５が存在し
ている。この等方性エツチング法（isotropic
etching process）に誘電体の壁の構造１６は角
度をなしたものとなつており、これによりプラズ
マは誘電体層の厚みの全体にわたつて完全に物質
を除去して、かつその間同時に誘電体を貫通孔の
形成に当り横方向にもエツチングする。

孔が誘電体を完全に貫いて完成した後で、アン
ダーカツトされた伝導体層１５（すなわち張り出
し部分）は変形されて層１３と接触するか又はぴ
つたりと接触するようになる。好ましい方法はア
ンダーカツトされた伝導体部分に直接に圧力をか
けることである。この態様は第１Ｃ図に示される
が、この図において伝導体の部分１５はエツチン
グされた誘電体表面１６を被覆する。この後で、
もしも必要ならばこの変形された導電性材料は銅
のような金属で電解的に鍍金されるか、溶融され
た錫／鉛のはんだではんだづけされるか、又は溶
接されて誘電体層を貫通した導電性通路が完成さ
れるか又は確実なものとされる。本発明による技
法にづく貫通孔の形成によつて、薄い伝導体層例
えば3.0ミル又はそれ以下のものが使用されるが、
これまでのドリルによる孔あけの技法では誘電体
層を貫いて孔がドリルであけられ、このドリルに
よる孔あけは第２の伝導体層の保全性を破壊す
る、すなわちこの第２の伝導体層にも孔が形成さ
れてしまうことになるから、このような薄い伝導
体層は使用することができなかつたのである。

第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図に示される本
発明のその外の態様においては、第１Ａ図中に示
された１つの伝導体に孔が設けられたものとは異
なり孔２４ａ及び２４ｂは互に対向した伝導体層
２２及び２３の両方に設けられる。これに同様の
処理工程が適用されるが、但し誘電体のエツチン
グは両側の表面から同時に進行させることができ
る。金属伝導体は２５ａ及び２５ｂでアンダーカ
ツトされている。誘電体の対向する側からの同時
にエツチングによつて誘電体壁２６中に２つの明
確な角度をなした壁の部分が存在することにな
る。この重合体のエツチングの完了の後アンダー
カツトされた伝導体部分は他の夫々の伝導体部分
の方向に変形せしめられて接触させられるか又は
ほぼ接触するようにされる。第２Ｃ図は圧縮され
た伝導体部分２５ｃ及び２５ｄを誘電体表面２６
ａと対比して示すものである。その後で、もしも
所望ならば電解メツキ、はんだづけ又は溶接を行
なつて導電性を確実なものにする。

第３Ａ図、番３Ｂ図及び第３Ｃ図の態様は米国
特許第3969815号明細書開示の方法に従つて形成
された品物及び貫通孔を例示するものである。導
電体層３２、誘電体３１及び導電体層３３からな
る複合体はその中にドリル又はパンチであけられ
た孔３４を有し、これは第３Ａ図に示されてい
る。第３Ｂ図に示される態様では誘電体層を選択
的にエツチングして取り去るために液体の化学エ
ツチング剤が用いられて壁３６が形成されるが、
この壁は導電性の張り出し部分３５ａ及び３５ｂ
とは実質的に平坦な壁をなしている。第３Ｃ図に
示される態様では、これらの伝導体層を誘電体中
の孔の中に押し込む変形によつて、誘電体の表面
部分３６ａに押つけられしめつけられた伝導体部
分３５ｃ及び３５ｄの形成を引き起し、そして誘
電体の表面部分３６ａはこの伝導体層の変形の力
によつて外方に屈曲される。

先行技術によるドリルでの孔あけ操作によつて
はたつた１つの伝導体のみがその中に任意の孔を
形成せしめられる第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ
図に示される態様のものとは異なり、両方の伝導
体中に孔の形成が起つてしまう。伝導体としては
箔及び他の薄いシートを使用することができ、そ
してこの伝導体はその完全な形状を保有するもの
である。また先行技術によるものと比較して、第
１Ｃ図及び第２Ｃ図に示される態様の物品はその
通路において伝導体部分に対して小さなひずみし
か有さない。先行技術による第３Ｃ図に示された
伝導通路の形成に当つて起きる誘電体の変形は、
本発明の態様のものよりも大きい残留ひずみを引
き起すことになる。また一般に機械ドリルによる
孔あけで実用的に形成させることができる最も小
さい孔は325ミクロンのオーダーのものである。
これと対比して本発明において用いられる好まし
い化学的エツチング技法では伝導体層中の孔はか
なり小さい例えば25〜250ミクロンの範囲のもの
にすることができる。勿論のことであるがもし必
要であればより大きい孔を形成させることもでき
る。

第４図は本発明で有用なプラズマエツチング装
置の略図である。この装置は入口１２１及び出口
１２２を有する室１２０からなり、この出口から
プラズマガスがポンプで取り出される。この室１
２０の内部には慣用のラジオ周波数発生１２７に
導体１２６で接続されてラジオ周波数の電力が供
給された電極（陽極）及び接地された電極１２４
が設けられている。エツチングされるべき材料は
電極１２３及び１２４の間に置かれる。この室の
中にプラズマガスが導入された後でよく知られた
原理に従つてガスプラズマを発生させるために発
生器１２７が作動される。プラズマエツチング装
置のブランソン・プラズマ・エツチヤー・モデル
7411（Branson Plasma Etcher Model7411）を
用いての、銅が伝導体であり、ポリイミドが誘電
体である複合材に対する好ましい操作条件の一組
を示すと次の通りである。

RF出力 ＞2000ワツト RF出力密度 ＞0.06ワツト／平方インチ 操作圧力 ＞10ミクロン ガス組成 容積で50／50→10／90のCF₄／
O₂ ガス流速 ＞150c.c.／分 RF周波数 13.56MHz パートバイアス 陽極、陰極又はプラズマポテ
ンシヤル 排気速度 ＞245CFM 本発明の方法は殊に多層の回路構成要素の形成
に適用されるものである。例示的に述べれば、誘
電体層を貫いて１つの導電性通路が完成したあと
で、新たな誘電体層を少くとも１つの伝導体層に
施すことができ、そしてこの誘電体層の上に新た
な伝導体層を施すことができるのである。この新
たな誘電体層と伝導体層とは導電性の貫通孔を有
する物品へ同時に施すことができる。すなわち、
事前に処理して少くとも１つの貫通孔を形成させ
ておいた伝導体層の上に誘電体層と伝導体層との
複合体を積層することができる。そのあとで、新
たに施した誘電体層を貫いてこれまでに開示した
技法に従つて伝導性通路が形成される。

本発明の方法を更に説明するために次の実施例
を示す。他に例示のない限りすべての部とパーセ
ントは重量によるものとする。

実施例 １ 0.006インチ（0.01524cm）の厚さで6″×
6″（15.24cm×15.24cm）の大きさのパイララツクス
（Pyralux） LF−9111（デユポン社製）のパネ
ルに、その片面に回路パターンを作り、他の面の
銅箔にリストン（Riston） 215Rを用い米国特
許第3469982号明細書に記載の方法に従つて10ミ
ル（0.0254cm）の直径の孔を作つた。この孔はこ
の10ミルの孔があけられる銅箔と回路パターンが
作られる側の上の箔との間に貫通孔が形成される
ような場所に符合して位置せしめられる。アルミ
ニウム板に接続がなされる場合には、回路側の銅
箔は除かれる。パネルの回路パターンの側は次い
で0.002インチ（0.0057cm）厚さのパイララツク
ス（Pyralux） WA接着剤を用い、積層プレス
中で350psiの圧力、350〓（176.7℃）の温度で45
分間プレスしてアルミニウム板に積層される。

この部品は次いでブランソン・プラズマ・エツ
チヤー・モデル7411のプラズマエツチング室中で
プラズマによるエツチングに付される。この装置
において基礎圧力が50ミクロンになる迄減圧し次
いで容積でO₂が70％、CF₄が29％、アルゴンが１
％よりなるガスが室の圧力が200ミクロンに達す
る迄導入された。ポンプ速度は550CFMであり、
ガス流速は750c.c.／分であると概算した。RF出力
をオンにして3800ワツトの所に70分の間セツトし
た。このアルミニウムの板はバツクの回路パター
ンをプラズマから保護するマスクとして働く。
0.01インチ（0.0254cm）の孔があけられた銅箔は
パネルの他の側でプラズマに対するマスクとして
働き、銅箔中に作られた孔のところでのみエツチ
ングが生じるようにした。プラズマは0.003イン
チ（0.0076cm）の誘電体を貫いて金属箔回路パタ
ーンと接触するに至るまでエツチングするか、又
は0.005インチ（0.0127cm）の誘電体を貫いてア
ルミニウム板に到達するに到るまでエツチングす
る。

張り出し部分は次いでこのパネルを積層用のプ
レス中に置いてつぶされる。圧力を平均化させる
ための厚紙のシートを片持ちばりと共に銅箔の隣
りに置いた。この厚紙の上にシリコンゴム製のパ
ツドを置きその上に鋼製の当て板を置いた。
18000psiの圧力を10秒間加えて張り出し部分を孔
の中に押しつぶした。次いで米国特許第3469982
号明細書記載の慣用の描画とエツチングの技法を
用いて銅箔中に回路のパターンが作られる。相互
の連結を増大させるために、このパネルは60／40
の錫／鉛のはんだの中に500〓（260℃）で５秒間
浸潰されこの連結をはんだづで被覆する。

実施例 ２ プラズマエツチングに先立つてパネルの回路パ
ターンの側をアルミニウム板に代えて銅張りガラ
スエポキシ板に積層したことだけが異なる上記の
やり方で張り出し部分をパネル中に形成させ、こ
れをつぶした。プラズマエツチング上押しつぶし
の後でこのパネルは硫酸銅の鍍金浴中で30分間
30ASFでそして錫／鉛フルオロボーレート浴中
で15分間15ASFで回路パターンのメツを行ない、
上部伝導層と下部伝導層との間の連絡結合を増大
させた。そして最後にメツキ操作時に用いたレジ
ストをはがし取り、上部表面に回路パターンを形
成させるための慣用の技法を用いバツクグラウン
ドの銅をエツチングした。

実施例 ３ 0.006インチ（0.1524cm）の厚さで6″×6″（15.24
cm×15.24cm）の大きさのパイララツクス −
9111積層材（デユポン社製）であつて、その銅箔
の双方に３から15ミル（0.0076〜0.038cm）の範
囲の孔を写真平版法によつて形成したものを用い
た。このパネルを実施例１に記載した方法及び装
置を用いてプラズマでエツチングしてパネルの両
側の銅箔に張り出しの部分を形成させた。この張
り出しの部分を形成させた。この張り出し部分を
孔の中に押しつぶし、この銅箔の両方に回路パタ
ーンを形成させ、そして実施例１に記載したよう
にして相互の結合を増大させた。

実施例 ４ ケブラー（Kevlar） の織物にエポシ樹脂を
含浸させその両側面に0.0014インチの銅箔を接着
させた厚さ0.004インチ（0.0102cm）の積層体に、
その両側面をリストン（Riston） 215Rで被覆
した。その両銅箔に米国特許第3469982号明細書
に記載の慣用の技法を用いて0.010インチ
（0.0254cm）と0.005インチ（0.0127cm）の孔を写
真平版法によつて形成させた。このパネルを実施
例１に記載した方法及び装置を用いてプラズマエ
ツチングしてパネルの両側面の銅箔の張り出し部
分を形成させた。この張り出し部分を孔の中に押
しつぶし、この銅箔の両方に回路パターンを形成
させ、そして実施例１に記載したようにして相互
の結合を増大させた。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図は本発明の実施の態様を示す複合物品
の断面図であり、第１Ｂ図は第１Ａ図に示された
物品であつて、誘電体層を貫いてエツチングによ
つて付加的に孔が形成されている断面図であり、
第１Ｃ図は第１Ｂ図に示された物品であつて、誘
電体層中の孔へ導電体層が変形されて入りこんで
いることを示す断面図であり、第２Ａ図は本発明
の別の実施の態様を示す複合物品の断面図であ
り、第２Ｂ図は第２Ａ図の物品であつて、誘電体
層中にエツチングによつて付加的に孔が形成され
ている断面図であり、第２Ｃ図は第２Ｂ図に示さ
れた物品であつて、その誘電体層中の孔へ導電体
層が変形されて入りこんでいることを示す断面図
であり、第３Ａ図は従来技術による複合物品であ
つて、この複合物品を貫いて孔が設けられている
断面図であり、第３Ｂ図は第３Ａ図の物品であつ
て誘電体層中に拡大された孔が付加されている断
面図であり、第３Ｃ図は第３Ｂ図に示された物品
であつて、その孔の中へ導電体層が変形されて入
りこんでいることを示す断面図であり、第４図は
本発明の実施に有用なプラズマ装置の略図であ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ２つの伝導体層の間にはさまれた誘電体層中
   に導電性通路を形成するための方法であつて、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り去
   ることなく上記の伝導体層のうちの少くとも１
   つを完全に貫いて環状の孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層にプラズマエツ
   チングを行ない、それによつて伝導体層の間の
   誘電体層を完全に貫通して通路を形成させ、そ
   してそれによつて伝導体層はその伝導体層中の
   孔に近接した誘電体物質のところをアンダーカ
   ツトし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層を他の伝導
   体層の方向に向つて変形させて互いに接触さ
   せ、そして (d) この２つの伝導体層の間に上記の通路を通つ
   て導電性通路を形成させる ことからなる方法。 ２ 工程(a)において１つの伝導体層にのみ孔を形
   成させる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３ 工程(a)において形成された孔をその中に有し
   ない伝導体層が3.0ミルよりも大きくない厚さを
   有する特許請求の範囲第２項に記載の方法。 ４ 伝導体層が銅である特許請求の範囲第２項に
   記載の方法。 ５ 工程(a)において重合体誘電体層の両側の伝導
   体層中に孔を形成させ、工程(b)において伝導体層
   中の両側の孔を通して誘電体層をプラズマエツチ
   ングし、そして工程(c)において両方の伝導体層を
   互いの方向に変形させる特許請求の範囲第１項に
   記載の方法。 ６ 工程(d)における電気的接続が２つの伝導体層
   の接触によつて形成される特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。 ７ 工程(d)における電気的接続の形成が導電体材
   料の電気メツキ、はんだづけまたは溶接によつて
   確実にされる特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 ８ 工程(a)において複数個の孔が同時に形成さ
   れ、そして工程(b)において複数個の通路が同時に
   形成される特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ９ 誘電体層が少なくとも１ミルの厚さを有する
   特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １０ 工程(c)及び工程(d)が実質的に同時に行なわ
   れる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １１ ２つの銅の伝導体層の間にはさまれた誘電
   体層を貫いた導電性通路を形成するための方法で
   あつて、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り去
   ることなく化学的エツチングによつて銅の伝導
   体層の１つを完全に貫いて孔を形成させ、 (b) この孔を通して重合体の誘電体層にプラズマ
   エツチングを行ない、それによつて伝導体層を
   完全に貫通して通路を形成させ、そして銅の伝
   導体層の１つはその銅の伝導体層中の孔に近接
   した誘電体物質のところをアンダーカツトし、 (c) このアンダーカツトされた銅の伝導体層を第
   ２の銅の伝導体層の方向に向つて変形させ互い
   に接触させ、そして (d) この２つの銅の伝導体層の間に上記の通路を
   通して電気的接続を形成させる 特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １２ 複数の伝導体層の間に交互にはさまれた複
   数の誘電体層中に導電性通路を形成するための方
   法であつて、 (イ) ２つの伝導体層の間にはさまれた誘電体層か
   らなるものに対して、 (a) 誘電体層からは実質的に何らの物質を取り
   去ることなく上記の伝導体層のうちの少くと
   も１つを完全に貫いて孔を形成させ、 (b) この孔を通してこの誘電体層にプラズマエ
   ツチングを行ない、それによつて伝導体層の
   間の誘電体層を完全に貫通して通路を形成さ
   せ、そしてそれによつて伝導体層はその伝導
   体層中の孔に近接した誘電体物質のところを
   アンダーカツトし、 (c) このアンダーカツトした伝導体層を他の伝
   導体層の方向に向つて変形させて互いに接触
   させ、そして (d) この２つの伝導体層の間に上記の通路を通
   つて導電性通路を形成させ、次に (ロ) 新たな誘電体層と新たな伝導体層とを、伝導
   体層のうちの１つにこの新たな誘電体層が２つ
   の伝導体層によつてはさまれるように適用し、
   次いで下記の工程 （a′） 新たな誘電体層からは実質的に何らの
   物質を取り去ることなくこの新たな伝導体層
   を完全に貫いて孔を形成させ、 （b′） この孔を通してこの新たな誘電体層に
   プラズマエツチングを行ない、それによつて
   伝導体層の間の新たな誘電体層を完全に貫通
   して通路を形成させ、そしてそれによつてこ
   の新たな伝導体層はその新たな伝導体層中の
   孔に近接した誘電体物質のところをアンダー
   カツトし、 （c′） このアンダーカツトした新たな伝導体
   層をもう一方の伝導体層の方向に向つて変形
   させて互いに接触させ、そして （d′） この２つの伝導体層の間に上記の通路
   を通つて導電性通路を形成させる ことからなる方法。