JPH0779188B2 - 両面配線基板の製造方法 - Google Patents
両面配線基板の製造方法Info
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- JPH0779188B2 JPH0779188B2 JP2139654A JP13965490A JPH0779188B2 JP H0779188 B2 JPH0779188 B2 JP H0779188B2 JP 2139654 A JP2139654 A JP 2139654A JP 13965490 A JP13965490 A JP 13965490A JP H0779188 B2 JPH0779188 B2 JP H0779188B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は両面配線基板の製造方法に関する。
［従来の技術］ 近年、サーマル印字ヘッドにおいては、小型化および高
密度化に伴って発熱抵抗体および電極配線の微細ピッチ
化が要望されている。このようなサーマル印字ヘッド
は、基板上に発熱抵抗体を等間隔に多数配列し、各発熱
抵抗体を挟んで選択電極と共通電極を対向させて各発熱
抵抗体に接続し、かつ選択電極にICチップの駆動トラン
ジスタを接続した構造となっている。
密度化に伴って発熱抵抗体および電極配線の微細ピッチ
化が要望されている。このようなサーマル印字ヘッド
は、基板上に発熱抵抗体を等間隔に多数配列し、各発熱
抵抗体を挟んで選択電極と共通電極を対向させて各発熱
抵抗体に接続し、かつ選択電極にICチップの駆動トラン
ジスタを接続した構造となっている。
このサーマル印字ヘッドにおいては、基板の同一面上に
発熱抵抗体およびICチップを設けると機器全体が大型化
するため、基板の表面側に発熱抵抗体を設け、裏面側に
ICチップを搭載して小型化を図ることが検討されてい
る。
発熱抵抗体およびICチップを設けると機器全体が大型化
するため、基板の表面側に発熱抵抗体を設け、裏面側に
ICチップを搭載して小型化を図ることが検討されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、上述したサーマル印字ヘッドでは、基板の裏面
側にICチップを搭載して、このICチップの各駆動トラン
ジストを基板の表面の各選択電極に接続するためには、
各選択電極に基板の表裏面に貫通するスルーホールを形
成しなければならないが、スルーホールは従来ドリル加
工や打ち抜き加工等の機械加工により形成されるため、
微細な孔に形成することが困難である。そのため、選択
電極はスルーホールの孔径よりも微細な幅で形成するこ
とができず、高密度配線が困難で、基板全体が大きくな
り、小型化を図ることができないという問題がある。仮
に、選択電極を微細な幅で形成したとしても、スルーホ
ールを形成する箇所はスルーホールの孔径よりも広い幅
に形成しなければならないため、上述した問題が生じ
る。
側にICチップを搭載して、このICチップの各駆動トラン
ジストを基板の表面の各選択電極に接続するためには、
各選択電極に基板の表裏面に貫通するスルーホールを形
成しなければならないが、スルーホールは従来ドリル加
工や打ち抜き加工等の機械加工により形成されるため、
微細な孔に形成することが困難である。そのため、選択
電極はスルーホールの孔径よりも微細な幅で形成するこ
とができず、高密度配線が困難で、基板全体が大きくな
り、小型化を図ることができないという問題がある。仮
に、選択電極を微細な幅で形成したとしても、スルーホ
ールを形成する箇所はスルーホールの孔径よりも広い幅
に形成しなければならないため、上述した問題が生じ
る。
この発明の目的は、スルーホールを微細な孔径に形成で
き、選択電極等の電極の微細化を図り、高密度配線およ
び基板の小型化を図ることのできる両面配線基板の製造
方法を提供することである。
き、選択電極等の電極の微細化を図り、高密度配線およ
び基板の小型化を図ることのできる両面配線基板の製造
方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ この発明は上述した目的を達成するために、基板の両面
に設けられた電極をスルーホールにより電気的に接続す
る両面配線基板の製造方法において、前記基板の少なく
とも一方の面に金以外の金属よりなる下地層と前記下地
層の上部及び前記基板の他方の面に設けられた金層とか
らなる導電層で前記電極を形成し、前記金層をマスクと
して反応性イオンエッチングにより前記電極と対応する
箇所の前記下地層及び前記基板を貫通するスルーホール
を形成することである。
に設けられた電極をスルーホールにより電気的に接続す
る両面配線基板の製造方法において、前記基板の少なく
とも一方の面に金以外の金属よりなる下地層と前記下地
層の上部及び前記基板の他方の面に設けられた金層とか
らなる導電層で前記電極を形成し、前記金層をマスクと
して反応性イオンエッチングにより前記電極と対応する
箇所の前記下地層及び前記基板を貫通するスルーホール
を形成することである。
［作用］ この発明の作用は次の通りである。
反応性イオンエッチングにより電極と対応する箇所に基
板を貫通するスルーホールを形成するので、スルーホー
ルを微細な孔径で形成することができる。そのため、基
板の両面に電極を微細な幅および微細なピッチで形成す
ることができ、高密度配線および基板の小型化を図るこ
とができる。特に、導電層の最上部を金層で形成してい
るので、この金層をマスクとして使用することができ、
製造工程の簡略化を図ることができるとともに、反応性
イオンエッチングの際、微細なスルーホールを精度よく
形成することができる。
板を貫通するスルーホールを形成するので、スルーホー
ルを微細な孔径で形成することができる。そのため、基
板の両面に電極を微細な幅および微細なピッチで形成す
ることができ、高密度配線および基板の小型化を図るこ
とができる。特に、導電層の最上部を金層で形成してい
るので、この金層をマスクとして使用することができ、
製造工程の簡略化を図ることができるとともに、反応性
イオンエッチングの際、微細なスルーホールを精度よく
形成することができる。
［実施例］ 以下、第１図および第２図を参照して、この発明をサー
マル印字ヘッドに適用した一実施例について説明する。
マル印字ヘッドに適用した一実施例について説明する。
第１図および第２図はサーマル印字ヘッドの要部を示
す。これらの図において、１はフィルム基板である。こ
のフィルム基板１はポリイミド等の合成樹脂よりなる。
その上面には幅方向の全域に亘って選択電極２および共
通電極３が多数離間対向して配列されている。下面には
選択電極２と対応する接続電極４、共通電極と対応する
アース電極５、および入力電極６が配列されている。そ
して、選択電極２と接続電極４はスルーホール７により
それぞれ電気的に接続されており、共通電極３とアース
電極５はスルーホール８により所定箇所が接続されてい
る。これらの電極２〜６は、それぞれCuやAl等の金属層
の表面に直接もしくはNi層等を介してAu層をメッキした
構造となっており、その膜厚は10μｍ程度と比較的厚く
形成することにより後述する如く、その幅が30〜70μｍ
程度と小さい場合にも大電流の導通を可能としている。
す。これらの図において、１はフィルム基板である。こ
のフィルム基板１はポリイミド等の合成樹脂よりなる。
その上面には幅方向の全域に亘って選択電極２および共
通電極３が多数離間対向して配列されている。下面には
選択電極２と対応する接続電極４、共通電極と対応する
アース電極５、および入力電極６が配列されている。そ
して、選択電極２と接続電極４はスルーホール７により
それぞれ電気的に接続されており、共通電極３とアース
電極５はスルーホール８により所定箇所が接続されてい
る。これらの電極２〜６は、それぞれCuやAl等の金属層
の表面に直接もしくはNi層等を介してAu層をメッキした
構造となっており、その膜厚は10μｍ程度と比較的厚く
形成することにより後述する如く、その幅が30〜70μｍ
程度と小さい場合にも大電流の導通を可能としている。
この場合、選択電極２は第２図に示すように、それぞれ
細い帯状に形成され、これらが等間隔、例えば16ドット
/mmであれば、62.5μｍ程度の間隔で平行に配列されて
いる。これに伴って、下面側の接続電極４は選択電極２
と対応する部分が同じ間隔で配列されているが、後述す
るICチップ15側に延びた部分はそれよりも狭い間隔で配
列されている。したがって、選択電極２と接続電極４を
接続するスルーホール７は後述する反応性イオンエッチ
ング（RIE）により各電極２、４の幅よりも小さい孔径
（例えば10〜20μｍ程度）で形成されている。また、共
通電極３は櫛型に形成されている。すなわち、選択電極
２側の一端部は選択電極２と同じ形状に形成され、選択
電極２の各端部から所定間隔だけ離れ、かつその配列方
向に交互に位置がずれた所謂千鳥状に配列されており、
他端部６は上述した一端部の配列方向に沿って幅広の帯
状に形成され、各一端部が接続されている。下面側のア
ース電極５は共通電極３の幅広部分と対応して設けられ
ている。したがって、共通電極３とアース電極５を接続
するスルーホール８は、上述したスルーホール７のよう
に小さい孔径で形成する必要はなく、比較的大きな孔径
で形成されている。なお、入力電極６は上述した電極と
同様に形成されている。
細い帯状に形成され、これらが等間隔、例えば16ドット
/mmであれば、62.5μｍ程度の間隔で平行に配列されて
いる。これに伴って、下面側の接続電極４は選択電極２
と対応する部分が同じ間隔で配列されているが、後述す
るICチップ15側に延びた部分はそれよりも狭い間隔で配
列されている。したがって、選択電極２と接続電極４を
接続するスルーホール７は後述する反応性イオンエッチ
ング（RIE）により各電極２、４の幅よりも小さい孔径
（例えば10〜20μｍ程度）で形成されている。また、共
通電極３は櫛型に形成されている。すなわち、選択電極
２側の一端部は選択電極２と同じ形状に形成され、選択
電極２の各端部から所定間隔だけ離れ、かつその配列方
向に交互に位置がずれた所謂千鳥状に配列されており、
他端部６は上述した一端部の配列方向に沿って幅広の帯
状に形成され、各一端部が接続されている。下面側のア
ース電極５は共通電極３の幅広部分と対応して設けられ
ている。したがって、共通電極３とアース電極５を接続
するスルーホール８は、上述したスルーホール７のよう
に小さい孔径で形成する必要はなく、比較的大きな孔径
で形成されている。なお、入力電極６は上述した電極と
同様に形成されている。
一方、フィルム基板１上には、第１図に示すようにファ
イバ９が選択電極２と共通電極３の対向間に接着剤10に
より接着されている。ファイバ９はガラス、石英、樹脂
等からなる線状のものであり、透明であっても、透明で
なくてもよい。このファイバ９は太さが50μｍ程度であ
り、各電極２、３の上面よりも上方に突出して設けられ
ている。接着剤10は熱ストレスに対して信頼性の良いポ
リイミド系のものが望ましいが、これに限られない。そ
して、ファイバ９上には薄膜発熱抵抗層11が電極２、３
の配列方向に沿って帯状に設けられている。すなわち、
薄膜発熱抵抗層11は、電極２、３の対向間よりも広い幅
の帯状に形成され、ファイバ９を乗り越え、その両側端
が選択電極２と共通電極３の各対向端部上に延びて接続
されている。この薄膜発熱抵抗層11は、窒化タンタル、
酸化ルテニウム、イオンをドープしたポリシリコン等よ
りなり、膜厚が1000Å程度と薄く形成されている。な
お、これらの上面には保護層12が設けられている。この
保護層はSiO2等の耐湿用保護膜13とTa2O5等の耐摩耗用
保護膜14の２層構造となっているが、単層構造であって
もよい。
イバ９が選択電極２と共通電極３の対向間に接着剤10に
より接着されている。ファイバ９はガラス、石英、樹脂
等からなる線状のものであり、透明であっても、透明で
なくてもよい。このファイバ９は太さが50μｍ程度であ
り、各電極２、３の上面よりも上方に突出して設けられ
ている。接着剤10は熱ストレスに対して信頼性の良いポ
リイミド系のものが望ましいが、これに限られない。そ
して、ファイバ９上には薄膜発熱抵抗層11が電極２、３
の配列方向に沿って帯状に設けられている。すなわち、
薄膜発熱抵抗層11は、電極２、３の対向間よりも広い幅
の帯状に形成され、ファイバ９を乗り越え、その両側端
が選択電極２と共通電極３の各対向端部上に延びて接続
されている。この薄膜発熱抵抗層11は、窒化タンタル、
酸化ルテニウム、イオンをドープしたポリシリコン等よ
りなり、膜厚が1000Å程度と薄く形成されている。な
お、これらの上面には保護層12が設けられている。この
保護層はSiO2等の耐湿用保護膜13とTa2O5等の耐摩耗用
保護膜14の２層構造となっているが、単層構造であって
もよい。
また、フィルム基板１の下面には、ICチップ15が接続電
極４と入力電極６とに接続されている。このICチップ15
は、接続電極４を介して各選択電極２に選択的に印字電
流を供給する駆動トランジスタ、およびこの駆動トラン
ジスタを制御する制御素子等を内蔵したものであり、そ
の上面にはバンプ16が突出して配列形成されている。そ
して、ICチップ15は各バンプ16が接続電極４および入力
電極６にフリップチップ方式等のフェイスダウン方式に
より接合され、その接合箇所が封止樹脂17により樹脂封
止されている。さらに、フィルム基板１の下面には接着
剤18により絶縁フィルム19が接着され、この絶縁フィル
ム19の下面には放熱用の金属板20が接着剤21により接着
されている。この場合、絶縁フィルム19にはICチップ15
が挿通する開口部22が形成されており、金属板20にはIC
チップ15を収納する収納凹部23が形成されている。
極４と入力電極６とに接続されている。このICチップ15
は、接続電極４を介して各選択電極２に選択的に印字電
流を供給する駆動トランジスタ、およびこの駆動トラン
ジスタを制御する制御素子等を内蔵したものであり、そ
の上面にはバンプ16が突出して配列形成されている。そ
して、ICチップ15は各バンプ16が接続電極４および入力
電極６にフリップチップ方式等のフェイスダウン方式に
より接合され、その接合箇所が封止樹脂17により樹脂封
止されている。さらに、フィルム基板１の下面には接着
剤18により絶縁フィルム19が接着され、この絶縁フィル
ム19の下面には放熱用の金属板20が接着剤21により接着
されている。この場合、絶縁フィルム19にはICチップ15
が挿通する開口部22が形成されており、金属板20にはIC
チップ15を収納する収納凹部23が形成されている。
次に、上述したサーマル印字ヘッドのフィルム基板１に
各電極２〜６を形成する場合について説明する。
各電極２〜６を形成する場合について説明する。
この場合には、まず、フィルム基板１の上下両面にCrを
真空蒸着法またはスパッタ法等で被着し、その上にCu層
を電解メッキにより積層し、さらにその上に直接もしく
はNiメッキ層を介してAu層電解メッキにより積層する。
この場合、Cu層およびNi層はそれぞれ５μｍ程度であ
り、Au層は0.5μｍ程度と薄く形成される。これによ
り、最上部にAu層が被着された金属層が10μｍ前後の膜
厚で形成される。そして、この金属層上にフォトリソグ
ラフィ技術によりレジストをパターン形成し、このレジ
ストをマスクとして金属層のAu層のみをエッチングし、
スルーホール７、８と対応する箇所のAu層を除去する。
この場合には、スルーホール７と対応する箇所は小径に
形成され、スルーホール８の箇所はそれよりも大きい径
で形成される。これにより、Au層がパターン形成され
る。しかる後、Au層をマスクとして反応性イオンエッチ
ングを行なう。このときには、反応ガスとしてO2ガスを
用いて行なう。そのため、Au層は反応ガスと反応せず、
Au層が除去された箇所のみがエッチングされる。これに
より、Au層の小径の箇所には金属層を通してフィルム基
板１を貫通するスルーホール７が形成されるとともに、
大きい径の箇所には金属層を通してフィルム基板１を貫
通するスルーホール８が形成される。この場合、反応性
イオンエッチングでは微細加工ができるので、小径のス
ルーホール７を10〜20μｍ程度の孔径で形成することが
可能である。そのため、選択電極２および接続電極４の
幅が30〜70μｍ程度と狭くても、その幅内にスルーホー
ル７を確実に形成することができる。この後、金属層の
上面にフォトリソグラフィ技術により再びレジストをパ
ターン形成し、このレジストをマスクとして金属層（Au
層を含む）をエッチングし、金属層の不要な部分を除去
する。これにより、フィルム基板１の上下面に選択電極
２、共通電極３、接続電極４、アース電極５、および入
力電極６がパターン形成される。しかる後、スルーホー
ル７、８を除く箇所にレジストを塗布した上、無電解メ
ッキまたはスパッタ法等で各スルーホール７、８の内面
に導電層を被着する。これにより、選択電極２と接続電
極４がスルーホール７によりそれぞれ接続され、共通電
極３とアース電極５がスルーホール８により接続され
る。
真空蒸着法またはスパッタ法等で被着し、その上にCu層
を電解メッキにより積層し、さらにその上に直接もしく
はNiメッキ層を介してAu層電解メッキにより積層する。
この場合、Cu層およびNi層はそれぞれ５μｍ程度であ
り、Au層は0.5μｍ程度と薄く形成される。これによ
り、最上部にAu層が被着された金属層が10μｍ前後の膜
厚で形成される。そして、この金属層上にフォトリソグ
ラフィ技術によりレジストをパターン形成し、このレジ
ストをマスクとして金属層のAu層のみをエッチングし、
スルーホール７、８と対応する箇所のAu層を除去する。
この場合には、スルーホール７と対応する箇所は小径に
形成され、スルーホール８の箇所はそれよりも大きい径
で形成される。これにより、Au層がパターン形成され
る。しかる後、Au層をマスクとして反応性イオンエッチ
ングを行なう。このときには、反応ガスとしてO2ガスを
用いて行なう。そのため、Au層は反応ガスと反応せず、
Au層が除去された箇所のみがエッチングされる。これに
より、Au層の小径の箇所には金属層を通してフィルム基
板１を貫通するスルーホール７が形成されるとともに、
大きい径の箇所には金属層を通してフィルム基板１を貫
通するスルーホール８が形成される。この場合、反応性
イオンエッチングでは微細加工ができるので、小径のス
ルーホール７を10〜20μｍ程度の孔径で形成することが
可能である。そのため、選択電極２および接続電極４の
幅が30〜70μｍ程度と狭くても、その幅内にスルーホー
ル７を確実に形成することができる。この後、金属層の
上面にフォトリソグラフィ技術により再びレジストをパ
ターン形成し、このレジストをマスクとして金属層（Au
層を含む）をエッチングし、金属層の不要な部分を除去
する。これにより、フィルム基板１の上下面に選択電極
２、共通電極３、接続電極４、アース電極５、および入
力電極６がパターン形成される。しかる後、スルーホー
ル７、８を除く箇所にレジストを塗布した上、無電解メ
ッキまたはスパッタ法等で各スルーホール７、８の内面
に導電層を被着する。これにより、選択電極２と接続電
極４がスルーホール７によりそれぞれ接続され、共通電
極３とアース電極５がスルーホール８により接続され
る。
このように、上述したサーマル印字ヘッドによれば、選
択電極２と接続電極４を接続するスルーホール７を微細
な孔径で形成することができるので、各電極２、４の幅
および間隔を微細に形成することができ、高密度配線お
よび高密度実装が可能となり、ひいてはフィルム基板１
全体の小型化が可能となる。したがって、このサーマル
印字ヘッドでは、フィルム基板１の上面側に薄膜発熱抵
抗層11を設け、下面側にICチップ15を搭載することがで
きるので、小型化しても、発熱部分をプラテン等に押し
当てて記録紙に感熱印字を行なう際に、ICチップ15がプ
ラテンの邪魔にならず、良好に感熱印字を行なうことが
できる。
択電極２と接続電極４を接続するスルーホール７を微細
な孔径で形成することができるので、各電極２、４の幅
および間隔を微細に形成することができ、高密度配線お
よび高密度実装が可能となり、ひいてはフィルム基板１
全体の小型化が可能となる。したがって、このサーマル
印字ヘッドでは、フィルム基板１の上面側に薄膜発熱抵
抗層11を設け、下面側にICチップ15を搭載することがで
きるので、小型化しても、発熱部分をプラテン等に押し
当てて記録紙に感熱印字を行なう際に、ICチップ15がプ
ラテンの邪魔にならず、良好に感熱印字を行なうことが
できる。
なお、この発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。例えば、基板はフィルム基板１である必要はな
く、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等であって
もよい。また、選択電極２、および共通電極３は必ずし
も千鳥状に配列される必要はなく、各電極２、３の端部
を互いに向かい合うように離間対向させて配列してもよ
い。さらに、この発明はサーマル印字ヘッド用の基板に
限らず、一般の両面基板の製造方法に幅広く適用するこ
とができるものである。
ない。例えば、基板はフィルム基板１である必要はな
く、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等であって
もよい。また、選択電極２、および共通電極３は必ずし
も千鳥状に配列される必要はなく、各電極２、３の端部
を互いに向かい合うように離間対向させて配列してもよ
い。さらに、この発明はサーマル印字ヘッド用の基板に
限らず、一般の両面基板の製造方法に幅広く適用するこ
とができるものである。
［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、この発明によれば、反応性
イオンエッチングにより電極と対応する箇所に基板を貫
通するスルーホールを形成するので、スルーホールを微
細な孔径で形成することができる。そのため、基板の両
面に電極を微細な幅および微細なピッチで形成すること
ができ、高密度配線および基板全体の小型化を図ること
ができる。特に、導電層の最上部を金層で形成したの
で、この金層をマスクとして使用することができ、製造
工程の簡略化を図ることができるとともに、反応性イオ
ンエッチングの際、微細なスルーホールを精度よく形成
することができる。
イオンエッチングにより電極と対応する箇所に基板を貫
通するスルーホールを形成するので、スルーホールを微
細な孔径で形成することができる。そのため、基板の両
面に電極を微細な幅および微細なピッチで形成すること
ができ、高密度配線および基板全体の小型化を図ること
ができる。特に、導電層の最上部を金層で形成したの
で、この金層をマスクとして使用することができ、製造
工程の簡略化を図ることができるとともに、反応性イオ
ンエッチングの際、微細なスルーホールを精度よく形成
することができる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、第１
図はサーマル印字ヘッドの要部拡大断面図、第２図は保
護層を設ける前の状態の要部平面図である。 １……フィルム基板、２……選択電極、４……接続電
極、７……スルーホール。
図はサーマル印字ヘッドの要部拡大断面図、第２図は保
護層を設ける前の状態の要部平面図である。 １……フィルム基板、２……選択電極、４……接続電
極、７……スルーホール。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−70594（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−138992（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−302591（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板の両面に設けられた電極をスルーホー
ルにより電気的に接続する両面配線基板の製造方法にお
いて、 前記基板の少なくとも一方の面に金以外の金属よりなる
下地層と前記下地層の上部及び前記基板の他方の面に設
けられた金層とからなる導電層で前記電極を形成し、前
記金層をマスクとして反応性イオンエッチングにより前
記電極と対応する箇所の前記下地層及び前記基板を貫通
するスルーホールを形成することを特徴とする両面配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2139654A JPH0779188B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 両面配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2139654A JPH0779188B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 両面配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0434989A JPH0434989A (ja) | 1992-02-05 |
| JPH0779188B2 true JPH0779188B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=15250307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2139654A Expired - Fee Related JPH0779188B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 両面配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0779188B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4734767B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-07-27 | Ｔｏｔｏ株式会社 | 外装カバー装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870594A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-27 | シャープ株式会社 | パタ−ン形成法 |
| US4472238A (en) * | 1983-12-05 | 1984-09-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process using plasma for forming conductive through-holes through a dielectric layer |
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-
1990
- 1990-05-31 JP JP2139654A patent/JPH0779188B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0434989A (ja) | 1992-02-05 |
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