JPH0142110B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142110B2 JPH0142110B2 JP7465979A JP7465979A JPH0142110B2 JP H0142110 B2 JPH0142110 B2 JP H0142110B2 JP 7465979 A JP7465979 A JP 7465979A JP 7465979 A JP7465979 A JP 7465979A JP H0142110 B2 JPH0142110 B2 JP H0142110B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- cathode ray
- ray tube
- magnetic
- electromagnetic focusing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/50—Electron guns two or more guns in a single vacuum space, e.g. for plural-ray tube
- H01J29/503—Three or more guns, the axes of which lay in a common plane
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電磁集束形陰極線管に関するのであ
る。
る。
第１図〜第４図は従来の電子銃が一直線上にな
らび、かつ磁石がネツク部内に配設されたいわゆ
るインライン配列内磁形電磁集束陰極線管の一例
を示したものであり、第１図は陰極線管ネツク部
の横断面図、第２図は縦断面図、第３図は第２図
のＡ−A′断面図、第４図は第２図のＢ−B′断面
図である。これらの図において、１は外囲器、２
は陰極、３は第１グリツド電極、３ａはその電子
ビーム通過孔、４は第２グリツド電極、４ａはそ
の電子ビーム通過孔、５は一対の磁性体ヨーク、
５ａはその電子ビーム通過孔、６は複数個の陽極
導通片、７は陽極導電体で外囲器１の内壁面に被
着形成されている。８は永久磁石で、磁性体ヨー
ク５間に配設されている。９は複数本の電極支持
棒、１０は外囲器１の外側に配置された偏向ヨー
ク、１１はステム導入線で、図示しないが外囲器
１内で電極と接続される。１２ｃ，１２ｓはセン
タ、サイド電子ビームを示している。
らび、かつ磁石がネツク部内に配設されたいわゆ
るインライン配列内磁形電磁集束陰極線管の一例
を示したものであり、第１図は陰極線管ネツク部
の横断面図、第２図は縦断面図、第３図は第２図
のＡ−A′断面図、第４図は第２図のＢ−B′断面
図である。これらの図において、１は外囲器、２
は陰極、３は第１グリツド電極、３ａはその電子
ビーム通過孔、４は第２グリツド電極、４ａはそ
の電子ビーム通過孔、５は一対の磁性体ヨーク、
５ａはその電子ビーム通過孔、６は複数個の陽極
導通片、７は陽極導電体で外囲器１の内壁面に被
着形成されている。８は永久磁石で、磁性体ヨー
ク５間に配設されている。９は複数本の電極支持
棒、１０は外囲器１の外側に配置された偏向ヨー
ク、１１はステム導入線で、図示しないが外囲器
１内で電極と接続される。１２ｃ，１２ｓはセン
タ、サイド電子ビームを示している。
このように構成された電磁集束形陰極線管にお
いて、陰極２より放射した電子ビーム１２ｃ，１
２ｓは第１グリツド電極３、第２グリツド電極４
を通過し、一旦電子ビームは収束されいわゆるク
ロスオーバを形成する。その後陽極導電体７から
陽極導通片６を介して陽極電圧が印加された磁性
体ヨーク５によつて加速され、電子ビーム通過孔
５ａを通過して螢光面（図示せず）に到達する。
いて、陰極２より放射した電子ビーム１２ｃ，１
２ｓは第１グリツド電極３、第２グリツド電極４
を通過し、一旦電子ビームは収束されいわゆるク
ロスオーバを形成する。その後陽極導電体７から
陽極導通片６を介して陽極電圧が印加された磁性
体ヨーク５によつて加速され、電子ビーム通過孔
５ａを通過して螢光面（図示せず）に到達する。
一方、高透磁率磁性体よりなる磁性体ヨーク５
は永久磁石９により発生する磁界を吸収し、磁性
体ヨーク５間の間隙部５ｂに強い集束磁界が発生
し、該部分が集束部位となつている。したがつて
ここを通過した電子ビーム１２ｃ，１２ｓは集束
作用を受けクロスオーバの物点を螢光面上に結ぶ
のである。
は永久磁石９により発生する磁界を吸収し、磁性
体ヨーク５間の間隙部５ｂに強い集束磁界が発生
し、該部分が集束部位となつている。したがつて
ここを通過した電子ビーム１２ｃ，１２ｓは集束
作用を受けクロスオーバの物点を螢光面上に結ぶ
のである。
しかしながら、上記構成による電磁集束形陰極
線管は、各電子ビーム１２ｃ，１２ｓに作用する
集束磁界が回転対称な集束磁界分布とならず、非
点収差を含んだ磁界レンズを形成していた。つま
り、ビーム通過孔の集束磁界は横方向（ｘ方向）
が縦方向（ｙ方向）よりも弱くなつている。その
ために、この集束磁界を通過し螢光面上に到達し
た電子ビーム１２ｃ，１２ｓは第５図ａ，ｂに示
すような偏平したビームスボツト形状を呈し、全
面フオーカス特性、コンバーゼンス特性に多大な
悪影響をおよぼしていた。なお、第５図ａ，ｂに
おいてビームの偏平方向が回転している原因は、
集束磁界による回転作用によるものである。
線管は、各電子ビーム１２ｃ，１２ｓに作用する
集束磁界が回転対称な集束磁界分布とならず、非
点収差を含んだ磁界レンズを形成していた。つま
り、ビーム通過孔の集束磁界は横方向（ｘ方向）
が縦方向（ｙ方向）よりも弱くなつている。その
ために、この集束磁界を通過し螢光面上に到達し
た電子ビーム１２ｃ，１２ｓは第５図ａ，ｂに示
すような偏平したビームスボツト形状を呈し、全
面フオーカス特性、コンバーゼンス特性に多大な
悪影響をおよぼしていた。なお、第５図ａ，ｂに
おいてビームの偏平方向が回転している原因は、
集束磁界による回転作用によるものである。
第６図は前述したような電子銃のビーム軌道の
慨略を示したので、クロスオーバー１４を通つた
後の電子ビームは集束磁界のｙ方向がｘ方向より
も強いために、磁界レンズ１５は設明の便宜上破
線で示すｙ方向磁界レンズ１５ａが実線で示すｘ
方向磁界レンズ１５ｂより強いレンズを形成し、
このため一点鎖線で示すｙ方向ビームの像点は螢
光面１３より手前に結び、一方実線で示すｘ方向
ビームは螢光面１３上に像点を結びことになり、
結果的に第５図ａ，ｂに示すような偏平なビーム
スポツト形状を呈することになる。
慨略を示したので、クロスオーバー１４を通つた
後の電子ビームは集束磁界のｙ方向がｘ方向より
も強いために、磁界レンズ１５は設明の便宜上破
線で示すｙ方向磁界レンズ１５ａが実線で示すｘ
方向磁界レンズ１５ｂより強いレンズを形成し、
このため一点鎖線で示すｙ方向ビームの像点は螢
光面１３より手前に結び、一方実線で示すｘ方向
ビームは螢光面１３上に像点を結びことになり、
結果的に第５図ａ，ｂに示すような偏平なビーム
スポツト形状を呈することになる。
したがつて本発明の目的は、上記の欠点を除去
し、螢光面上でのビームスポツト形状を真円にし
た電磁集束形陰極線管を提供することにある。
し、螢光面上でのビームスポツト形状を真円にし
た電磁集束形陰極線管を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、電
磁集束部位に入射する電子ビームスポツトを非円
形（歪ませる）とする手段を前記電磁集束部位よ
り前段に設けたものである。以下図面に示す実施
例を用いて本発明による電磁集束形陰極線管につ
いて詳細に説明する。
磁集束部位に入射する電子ビームスポツトを非円
形（歪ませる）とする手段を前記電磁集束部位よ
り前段に設けたものである。以下図面に示す実施
例を用いて本発明による電磁集束形陰極線管につ
いて詳細に説明する。
第７図〜第９図は本発明によるインライン配列
内磁形電磁集束陰極線管の一実施例を示したもの
であり、第１図〜第３図と同じ部分には同一記号
を付してある。また、第１０図は本発明の電磁集
束形陰極線管内の電子ビームの軌道の概略を示し
た第６図に相当するものである。
内磁形電磁集束陰極線管の一実施例を示したもの
であり、第１図〜第３図と同じ部分には同一記号
を付してある。また、第１０図は本発明の電磁集
束形陰極線管内の電子ビームの軌道の概略を示し
た第６図に相当するものである。
第７図〜第１０図において２３は第１グリツド
電極で、この第１グリツド電極２３はその電子ビ
ーム通過孔２３ａが非円形な楕円形状を呈し、か
つその長軸をｙ軸からやや傾斜させた構造であ
り、陰極２より放射した電子ビームはこの第１グ
リツド電極２３を通過する時、ｙ方向がｘ方向よ
りも弱い収束作用を受け、電子ビームのクロスオ
ーバ１４は螢光面１３側に移動する。その結果、
螢光面１３上ではｙ方向の像点が螢光面１３側に
移動し、ｘ方向とｙ方向共に螢光面上に像点を結
ぶ事になり、ビームスポツト形状は真円となる。
もちろん、第１グリツド電極の楕円の方向は、集
束磁界によるビームスポツトの回転作用も考慮
し、決めなければならないが、実験の結果では14
インチ90゜偏向のカラーブラウン管で高圧20KV、
集束磁界のピーク値1000Gの場合、約20゜傾けれ
ばよいことが判つた。また、この孔形状は前記楕
円に限らず長方形、菱形など真円でない非円形で
あれば良い。
電極で、この第１グリツド電極２３はその電子ビ
ーム通過孔２３ａが非円形な楕円形状を呈し、か
つその長軸をｙ軸からやや傾斜させた構造であ
り、陰極２より放射した電子ビームはこの第１グ
リツド電極２３を通過する時、ｙ方向がｘ方向よ
りも弱い収束作用を受け、電子ビームのクロスオ
ーバ１４は螢光面１３側に移動する。その結果、
螢光面１３上ではｙ方向の像点が螢光面１３側に
移動し、ｘ方向とｙ方向共に螢光面上に像点を結
ぶ事になり、ビームスポツト形状は真円となる。
もちろん、第１グリツド電極の楕円の方向は、集
束磁界によるビームスポツトの回転作用も考慮
し、決めなければならないが、実験の結果では14
インチ90゜偏向のカラーブラウン管で高圧20KV、
集束磁界のピーク値1000Gの場合、約20゜傾けれ
ばよいことが判つた。また、この孔形状は前記楕
円に限らず長方形、菱形など真円でない非円形で
あれば良い。
以上は第１グリツド電極について説明したが、
第２グリツド電極第３グリツド等の孔を非円形状
としても同様の効果が得られる。
第２グリツド電極第３グリツド等の孔を非円形状
としても同様の効果が得られる。
また、前述では電磁集束部位に入射する電子ビ
ームを歪ませる手段として前記電磁集束部位より
前段の電極の電子ビーム通過孔を非円形とした
が、孔形状に限らず例えば第１１図に示す如く第
１グリツド電極３３の孔３３ａの周縁の板厚を変
えるような構造としても同様である。また、前述
では、インライン配列内磁形電磁集束陰極線管に
ついて述べたが、永久磁石をネツク部外に設けた
インライン配列外磁形電磁集束陰極線管について
も、さらには電子銃を三角形に配置したデルタ配
列電磁集束陰極線管についても本発明が成りたつ
事は明らかである。さらにまた前述では第１グリ
ツド電極の孔周縁の板厚を変えたが、第２グリツ
ド電極等他の電板の板厚を変えてもよい。
ームを歪ませる手段として前記電磁集束部位より
前段の電極の電子ビーム通過孔を非円形とした
が、孔形状に限らず例えば第１１図に示す如く第
１グリツド電極３３の孔３３ａの周縁の板厚を変
えるような構造としても同様である。また、前述
では、インライン配列内磁形電磁集束陰極線管に
ついて述べたが、永久磁石をネツク部外に設けた
インライン配列外磁形電磁集束陰極線管について
も、さらには電子銃を三角形に配置したデルタ配
列電磁集束陰極線管についても本発明が成りたつ
事は明らかである。さらにまた前述では第１グリ
ツド電極の孔周縁の板厚を変えたが、第２グリツ
ド電極等他の電板の板厚を変えてもよい。
以上、説明したように本発明による電磁集束形
陰極線管によれば、螢光面上のビームスポツト形
状を真円とする事が出来、しかも安価で量産性の
良い方法で得られるなどの極めて優れた効果が得
られる。
陰極線管によれば、螢光面上のビームスポツト形
状を真円とする事が出来、しかも安価で量産性の
良い方法で得られるなどの極めて優れた効果が得
られる。
第１図は従来のインライン配列内磁形電磁集束
陰極線管の一例を示すネツク部横断面図、第２図
はその縦断面図、第３図は第１図のＡ−A′断面
図、第４図は第１図のＢ−B′断面図、第５図は
従来技術の螢光面上でのビームスポツト形状、第
６図は従来の構造による電子ビーム軌道を示す
図、第７図は本発明によるインライン配列内磁形
電磁集束陰極線管の一実施例を示すネツク部横断
面図、第８図はその縦断面図、第９図は第８図の
Ｃ−C′断面図、第１０図は本発明のものの電子ビ
ーム軌道を示す図、第１１図は本発明の他の実施
例を示す縦断面図である。 ３，２３，３３……第１グリツド電極、３ａ，
２３ａ……電子ビーム通過孔、４……第２グリツ
ド、４ａ……電子ビーム通過孔、５……磁性体ヨ
ーク、５ｂ……電磁集束部、８……永久磁石、１
２……電子ビーム。
陰極線管の一例を示すネツク部横断面図、第２図
はその縦断面図、第３図は第１図のＡ−A′断面
図、第４図は第１図のＢ−B′断面図、第５図は
従来技術の螢光面上でのビームスポツト形状、第
６図は従来の構造による電子ビーム軌道を示す
図、第７図は本発明によるインライン配列内磁形
電磁集束陰極線管の一実施例を示すネツク部横断
面図、第８図はその縦断面図、第９図は第８図の
Ｃ−C′断面図、第１０図は本発明のものの電子ビ
ーム軌道を示す図、第１１図は本発明の他の実施
例を示す縦断面図である。 ３，２３，３３……第１グリツド電極、３ａ，
２３ａ……電子ビーム通過孔、４……第２グリツ
ド、４ａ……電子ビーム通過孔、５……磁性体ヨ
ーク、５ｂ……電磁集束部、８……永久磁石、１
２……電子ビーム。
Claims (1)
- １ 複数の電子ビーム通過孔をインライン配列で
有する一対の磁性体ヨークを電子ビームの進行方
向に配設すると共に収束磁界発生用永久磁石を陰
極線管ネツクに設けた電磁集束形陰極線管におい
て、前記磁性体ヨークより陰極側の少なくとも一
つの電極の電子ビーム通過孔を楕円形、長方形、
菱形等の非円形とし、かつ該非円形通過孔の長軸
を、前記インライン配列方向及びこのインライン
配列方向と直交する方向に対しそれぞれ傾斜さ
せ、電磁集束部位に入射する電子ビームスポツト
を歪ませたことを特徴とする電磁集束形陰極線
管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7465979A JPS55166851A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Electromagnetic focussing type cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7465979A JPS55166851A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Electromagnetic focussing type cathode-ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55166851A JPS55166851A (en) | 1980-12-26 |
| JPH0142110B2 true JPH0142110B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=13553575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7465979A Granted JPS55166851A (en) | 1979-06-15 | 1979-06-15 | Electromagnetic focussing type cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55166851A (ja) |
-
1979
- 1979-06-15 JP JP7465979A patent/JPS55166851A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55166851A (en) | 1980-12-26 |
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