JPH0142353Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0142353Y2 JPH0142353Y2 JP1983157638U JP15763883U JPH0142353Y2 JP H0142353 Y2 JPH0142353 Y2 JP H0142353Y2 JP 1983157638 U JP1983157638 U JP 1983157638U JP 15763883 U JP15763883 U JP 15763883U JP H0142353 Y2 JPH0142353 Y2 JP H0142353Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- heater chip
- pellet
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
イ 産業上の利用分野
この考案は半導体装置の組立工程におけるリー
ドのボンデイング工程に利用され、詳しくは半導
体ペレツトの各電極に一端がボンデイングされて
外方に延びる複数のリードの先端部を外部の基板
上に形成された被リードボンデイング箇所に一括
して熱圧着によりボンデイングする装置に関す
る。
ドのボンデイング工程に利用され、詳しくは半導
体ペレツトの各電極に一端がボンデイングされて
外方に延びる複数のリードの先端部を外部の基板
上に形成された被リードボンデイング箇所に一括
して熱圧着によりボンデイングする装置に関す
る。
ロ 従来技術
例えば小形電子計算器などに使用される
MOS・ICは第１図及び第２図に示すようにフレ
キシブルなプリント基板１に次の要領で組付けら
れる。即ち、プリント基板１の一部にはMOS・
ICの矩形の半導体ペレツト（以下、ペレツトと
称す）２のサイズより十分大きな矩形サイズの開
口３が形成され、プリント基板１上には開口３の
４辺から延びる複数の導電パターンがアウトリー
ド４，４…として被着形成されている。一方ペレ
ツト２には４辺の周縁部上に形成された複数の電
極（ボンデイングパツド）に一端がボンデイング
された複数のリード（以下インナリードと称す）
５，５…が矩形リング状のポリイミド等の絶縁性
テープ６に接着固定された状態で外方に延びる。
このインナリード５，５…はテープ６で固定され
た状態でその各内側端がペレツト２上の対応する
ボンデイングパツド上に一括して熱圧着によりボ
ンデイングされる。各インナリード５，５…の外
側の先端部はアウタリード４，４…の開口３にあ
る端部の被リードボンデイング箇所７，７…と対
応して矩形に整形され、この両者対応するものは
次のTAB方式（Tape Automated Bonding方
式）で電気的機械的に接続される。
MOS・ICは第１図及び第２図に示すようにフレ
キシブルなプリント基板１に次の要領で組付けら
れる。即ち、プリント基板１の一部にはMOS・
ICの矩形の半導体ペレツト（以下、ペレツトと
称す）２のサイズより十分大きな矩形サイズの開
口３が形成され、プリント基板１上には開口３の
４辺から延びる複数の導電パターンがアウトリー
ド４，４…として被着形成されている。一方ペレ
ツト２には４辺の周縁部上に形成された複数の電
極（ボンデイングパツド）に一端がボンデイング
された複数のリード（以下インナリードと称す）
５，５…が矩形リング状のポリイミド等の絶縁性
テープ６に接着固定された状態で外方に延びる。
このインナリード５，５…はテープ６で固定され
た状態でその各内側端がペレツト２上の対応する
ボンデイングパツド上に一括して熱圧着によりボ
ンデイングされる。各インナリード５，５…の外
側の先端部はアウタリード４，４…の開口３にあ
る端部の被リードボンデイング箇所７，７…と対
応して矩形に整形され、この両者対応するものは
次のTAB方式（Tape Automated Bonding方
式）で電気的機械的に接続される。
通常インナリード５，５…はSnメツキされ、
アウタリード４，４…の被リードボンデイング箇
所７，７…はAuメツキが施され、両者の接続は
第３図及び第４図に示す如き熱圧着用ヒータチツ
プ８を使つて行われる。ヒータチツプ８はモリブ
デン等の中空な金属チツプで、下端面にプリント
基板１の開口３の４辺に並ぶ被リードボンデイン
グ箇所７，７…の４辺毎に対向させて突設した４
つの矩形に並ぶ熱圧着部８ａ〜８ｄを有し、各熱
圧着部８ａ〜８ｄで第５図に示すように受台９上
のプリント基板１の各被リードボンデイング箇所
７，７…にペレツト２から延びる対応するインナ
リード５，５…の先端部を押圧した状態でヒータ
チツプ８に第５図矢印方向に電流Ｉを流して内部
抵抗により自己発熱させると、被リードボンデイ
ング箇所７，７…のAuメツキとインナリード５，
５…のSnメツキが融合してAu−Snの共晶合金が
作成され、これによりインナリード５，５…とア
ウタリード４，４…が一括して接続される。
アウタリード４，４…の被リードボンデイング箇
所７，７…はAuメツキが施され、両者の接続は
第３図及び第４図に示す如き熱圧着用ヒータチツ
プ８を使つて行われる。ヒータチツプ８はモリブ
デン等の中空な金属チツプで、下端面にプリント
基板１の開口３の４辺に並ぶ被リードボンデイン
グ箇所７，７…の４辺毎に対向させて突設した４
つの矩形に並ぶ熱圧着部８ａ〜８ｄを有し、各熱
圧着部８ａ〜８ｄで第５図に示すように受台９上
のプリント基板１の各被リードボンデイング箇所
７，７…にペレツト２から延びる対応するインナ
リード５，５…の先端部を押圧した状態でヒータ
チツプ８に第５図矢印方向に電流Ｉを流して内部
抵抗により自己発熱させると、被リードボンデイ
ング箇所７，７…のAuメツキとインナリード５，
５…のSnメツキが融合してAu−Snの共晶合金が
作成され、これによりインナリード５，５…とア
ウタリード４，４…が一括して接続される。
ところで、プリント基板１は薄いフレキシフル
なもので取扱い中に曲がり、そのためペレツト２
のインナリード５，５…とアウタリード４，４…
との接続部分に曲げモーメント等の外力が加わる
ことがあり、アウタリード４，４…へのインナリ
ード５，５…のボンデイング強度に弱いところが
あるとその部分で接続が外れたり接触不良が生じ
たりすることがある。従つてアウタリード４，４
…へのインナリード５，５…のボンデイングは十
分大きく、且つ全体に均一な強さで行うことが望
まれるが、これの実行が難しかつた。即ち、上記
ボンデイングを行うヒータチツプ８は短時間の通
電で急激に発熱するよう設計されているが、この
発熱時における熱圧着部８ａ〜８ｄの熱分布は
各々の両端部分が中央部分より放熱性か良いため
中央部分が高く両端部分が低い山形となり、ボン
デイング温度は中央部分を基準に設定される。従
つて熱圧着部８ａ〜８ｄでインナリード５，５…
の先端部を被ボンデイング箇所７，７…に均一な
圧力で押圧して熱圧着した場合、熱圧着部８ａ〜
８ｄの両端部分に熱不足が生じてこの両端部分で
ボンデイングされる箇所のボンデイグ強度が不足
し、上述ボンデイグ不良を引き起すことがあつ
た。
なもので取扱い中に曲がり、そのためペレツト２
のインナリード５，５…とアウタリード４，４…
との接続部分に曲げモーメント等の外力が加わる
ことがあり、アウタリード４，４…へのインナリ
ード５，５…のボンデイング強度に弱いところが
あるとその部分で接続が外れたり接触不良が生じ
たりすることがある。従つてアウタリード４，４
…へのインナリード５，５…のボンデイングは十
分大きく、且つ全体に均一な強さで行うことが望
まれるが、これの実行が難しかつた。即ち、上記
ボンデイングを行うヒータチツプ８は短時間の通
電で急激に発熱するよう設計されているが、この
発熱時における熱圧着部８ａ〜８ｄの熱分布は
各々の両端部分が中央部分より放熱性か良いため
中央部分が高く両端部分が低い山形となり、ボン
デイング温度は中央部分を基準に設定される。従
つて熱圧着部８ａ〜８ｄでインナリード５，５…
の先端部を被ボンデイング箇所７，７…に均一な
圧力で押圧して熱圧着した場合、熱圧着部８ａ〜
８ｄの両端部分に熱不足が生じてこの両端部分で
ボンデイングされる箇所のボンデイグ強度が不足
し、上述ボンデイグ不良を引き起すことがあつ
た。
ハ 考案の目的
本考案は上記TAB方式のボンデイング装置の
問題点を解決した高信頼性のTAB方式ボンデイ
ング装置を提供することを目的とする。
問題点を解決した高信頼性のTAB方式ボンデイ
ング装置を提供することを目的とする。
ニ 考案の構成
本考案は半導体ペレツトから延びる複数のリー
ドの先端部を基板上の対応する複数の被リードボ
ンデイング箇所に一括して熱圧着によりボンデイ
ングするヒータチツプの突設された熱圧着部を円
環形にして、これでこの円環形熱圧着部に対応し
て円形配列した上記被リードボンデイング箇所に
上記リード先端部をボンデイングすることを特徴
とする。このようにヒータチツプの熱圧着部を円
環形にすると発熱時の熱圧着部における熱分布は
円形ゆえ均一になり、従つて熱不足の心配の無い
良好なボンデイングが実行される。
ドの先端部を基板上の対応する複数の被リードボ
ンデイング箇所に一括して熱圧着によりボンデイ
ングするヒータチツプの突設された熱圧着部を円
環形にして、これでこの円環形熱圧着部に対応し
て円形配列した上記被リードボンデイング箇所に
上記リード先端部をボンデイングすることを特徴
とする。このようにヒータチツプの熱圧着部を円
環形にすると発熱時の熱圧着部における熱分布は
円形ゆえ均一になり、従つて熱不足の心配の無い
良好なボンデイングが実行される。
ホ 実施例
本考案を上記ペレツト２をプリント基板１に組
付ける際のボンデイング装置に適用した例を第６
図乃至第１０図から説明する。本考案実施の前提
条件として、第６図と第７図に示すようにプリン
ト基板１上のアウタリード４，４…の被リードボ
ンデイング箇所７′，７′…を１つの円上に配列
し、これに対応させてペレツト２から延びるイン
ナリード５，５…の先端部を円形に切断して整形
する。またプリント基板１のペレツト２が嵌め込
まれる開口３′も円形にしてこの囲りに上記被リ
ードボンデイング箇所７′，７′…を並べ、またペ
レツト２から延びるインナリード５，５…は予め
円環形テープ６′に接着固定したものが使用され
る。
付ける際のボンデイング装置に適用した例を第６
図乃至第１０図から説明する。本考案実施の前提
条件として、第６図と第７図に示すようにプリン
ト基板１上のアウタリード４，４…の被リードボ
ンデイング箇所７′，７′…を１つの円上に配列
し、これに対応させてペレツト２から延びるイン
ナリード５，５…の先端部を円形に切断して整形
する。またプリント基板１のペレツト２が嵌め込
まれる開口３′も円形にしてこの囲りに上記被リ
ードボンデイング箇所７′，７′…を並べ、またペ
レツト２から延びるインナリード５，５…は予め
円環形テープ６′に接着固定したものが使用され
る。
而して、本考案は第８図及び第９図に示す如き
ヒータチツプ１０を使用したものを提供する。こ
のヒータチツプ１０は従来同様のモリブデン等の
中空な金属チツプで、その特徴は下端面に上記円
形に並ぶ被リードボンデイング箇所７′，７′…と
対向する大きさの１つの円環形熱圧着部１１を一
体に突設することである。
ヒータチツプ１０を使用したものを提供する。こ
のヒータチツプ１０は従来同様のモリブデン等の
中空な金属チツプで、その特徴は下端面に上記円
形に並ぶ被リードボンデイング箇所７′，７′…と
対向する大きさの１つの円環形熱圧着部１１を一
体に突設することである。
従つて第１０図に示すように受台９′上にプリ
ント基板１を載せ、その開口３′にリード付ペレ
ツト２を位置決め供給して各インナリード５，５
…の円形の先端部を同じ円形の被リードボンデイ
ング箇所７′，７′…に載置してから、ヒータチツ
プ１０を下降させて円環形熱圧着部１１で各イン
ナリード５，５…の先端部を対応する各被リード
ボンデイング箇所７′，７′…に押圧し、ヒータチ
ツプ１０を通電により所定温度まで発熱させる
と、熱圧着部１１は円環形のため全体が均一に発
熱し、そのため全ての被リードボンデイング箇所
７′，７′…におけるインナリード５，５…のボン
デイング条件が同一となり、全体に均一で良好な
ボンデイングが達成される。
ント基板１を載せ、その開口３′にリード付ペレ
ツト２を位置決め供給して各インナリード５，５
…の円形の先端部を同じ円形の被リードボンデイ
ング箇所７′，７′…に載置してから、ヒータチツ
プ１０を下降させて円環形熱圧着部１１で各イン
ナリード５，５…の先端部を対応する各被リード
ボンデイング箇所７′，７′…に押圧し、ヒータチ
ツプ１０を通電により所定温度まで発熱させる
と、熱圧着部１１は円環形のため全体が均一に発
熱し、そのため全ての被リードボンデイング箇所
７′，７′…におけるインナリード５，５…のボン
デイング条件が同一となり、全体に均一で良好な
ボンデイングが達成される。
尚、本考案は上記実施例に限らず、MOS・IS
以外の半導体ペレツトをプリント基板以外の基板
にTAB方式でボンデイングするものにおいても
同様に適用し得る。
以外の半導体ペレツトをプリント基板以外の基板
にTAB方式でボンデイングするものにおいても
同様に適用し得る。
ヘ 考案の効果
以上の如く、本考案によればヒータチツプの熱
圧着部における熱分布が均一になるのでTAB方
式のボンデイング強度の均一化が容易に達成さ
れ、信頼性の高いボンデイング装置が提供でき
る。
圧着部における熱分布が均一になるのでTAB方
式のボンデイング強度の均一化が容易に達成さ
れ、信頼性の高いボンデイング装置が提供でき
る。
第１図及び第２図は被ボンデイング物を示す部
分平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び
第４図は従来のボンデイング装置におけるヒータ
チツプの底面図及びＢ−Ｂ線に沿う部分断面図、
第５図は第３図のヒータチツプによるボンデイン
グ動作時の部分断面部、第６図と第７図は本考案
装置でボンデイングされる被ボンデイング物の二
例を示す各平面図、第８図及び第９図は本考案に
おけるヒータチツプの実施例を示す底面図及びＣ
−Ｃ線に沿う部分断面図、第１０図は第８図のヒ
ータチツプによるボンデイング動作時の部分断面
図である。 １……基板、２……半導体ペレツト、５……リ
ード（インナリード）、７′……被リードボンデイ
ング箇所、１０……ヒータチツプ、１１……円環
形熱圧着部。
分平面図及びＡ−Ａ線に沿う断面図、第３図及び
第４図は従来のボンデイング装置におけるヒータ
チツプの底面図及びＢ−Ｂ線に沿う部分断面図、
第５図は第３図のヒータチツプによるボンデイン
グ動作時の部分断面部、第６図と第７図は本考案
装置でボンデイングされる被ボンデイング物の二
例を示す各平面図、第８図及び第９図は本考案に
おけるヒータチツプの実施例を示す底面図及びＣ
−Ｃ線に沿う部分断面図、第１０図は第８図のヒ
ータチツプによるボンデイング動作時の部分断面
図である。 １……基板、２……半導体ペレツト、５……リ
ード（インナリード）、７′……被リードボンデイ
ング箇所、１０……ヒータチツプ、１１……円環
形熱圧着部。
Claims (1)
- 半導体ペレツトから延びる複数の電極外部引出
し用リードの各先端部を外部の基板上に形成され
た対応する複数の被リードボンデイング箇所に一
括して熱圧着するヒータチツプを有する装置にお
いて、前記リード先端部と被リードボンデイング
箇所を円形配列にして、前記ヒータチツプのリー
ド熱圧着部分を前記円形配列に対応させて円環形
状にしたことを特徴とするボンデイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983157638U JPS6066030U (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ボンデイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983157638U JPS6066030U (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ボンデイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066030U JPS6066030U (ja) | 1985-05-10 |
| JPH0142353Y2 true JPH0142353Y2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=30347487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983157638U Granted JPS6066030U (ja) | 1983-10-11 | 1983-10-11 | ボンデイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066030U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4988607B2 (ja) * | 2008-01-08 | 2012-08-01 | ミヤチテクノス株式会社 | ヒータチップ及び接合装置及び接合方法 |
-
1983
- 1983-10-11 JP JP1983157638U patent/JPS6066030U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6066030U (ja) | 1985-05-10 |
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