JPH0142511B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0142511B2 JPH0142511B2 JP56166754A JP16675481A JPH0142511B2 JP H0142511 B2 JPH0142511 B2 JP H0142511B2 JP 56166754 A JP56166754 A JP 56166754A JP 16675481 A JP16675481 A JP 16675481A JP H0142511 B2 JPH0142511 B2 JP H0142511B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- strips
- pair
- lead wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置、特に半導体発光装置を
製造する際に用いられるリードフレームの新規な
製造方法に関する。
製造する際に用いられるリードフレームの新規な
製造方法に関する。
従来、半導体発光装置の一つであるLEDラン
プは、リード固定部がセラミツク製のリードフレ
ームを用いて製造されている。ところがこのセラ
ミツク製のリード固定部は単品としてしか取り扱
えず、このためLEDランプの製造工程が複雑に
なつて製造コストが高価となる欠点がある。
プは、リード固定部がセラミツク製のリードフレ
ームを用いて製造されている。ところがこのセラ
ミツク製のリード固定部は単品としてしか取り扱
えず、このためLEDランプの製造工程が複雑に
なつて製造コストが高価となる欠点がある。
そこで最近では、樹脂成型によつて多数のリー
ド固定部を一度にしかも連続した状態で形成する
ことによつて、LEDランプの自動製造に適した
構成のリードフレームが開発されている。このリ
ードフレームは第１図の平面図に示すように、鉄
製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平坦
な金属細条を打抜き加工またはエツチング加工し
たものである。１ａ，１ｂは互いに平行に延長さ
れた一対のリード線支持細条であり、この細条１
ａ，１ｂの所定位置には自動製造時に用いられる
ピツチ送り用孔２が開孔されている。上記細条１
ａ，１ｂ相互間にはこの細条１ａ，１ｂと直交す
る方向に２本を１組とするリード線３ａ，３ｂが
複数組形成されていて、このリード線３ａ，３ｂ
がアノードリード線およびカソードリード線とな
るものである。また上記各組のリード線３ａ，３
ｂと直交する方向には、これらリード線３ａ，３
ｂの変形を防止するための一対の橋絡細条４ａ，
４ｂが所定間隔を保つて平行に形成されている。
そしてこのように加工されたリードフレームの、
一対の橋絡細条４ａ，４ｂ相互間の各組のリード
線３ａ，３ｂの図中斜線を付して示す２個所を樹
脂によつて結合成型してリード固定部となる２個
の単位樹脂部５ａ，５ｂを形成する。この樹脂成
型後は、各単位樹脂部５ａ，５ａ，…および各単
位樹脂部５ｂ，５ｂ，…はそれぞれ一列に配列さ
れた状態となる。次に一列に配列形成された単位
樹脂５ａ，５ｂ間の図中破線を付して示す位置で
各組のリード線３ａ，３ｂを切断することによつ
て、前記リード線支持細条１ａまたは１ｂによつ
て支持された二つのリードフレームを得る。この
後は、このようにして得られたリードフレームを
自動製造工程にかけて、各単位樹脂部５ａまたは
５ｂの端面から突出している一方のリード線たと
えば３ａ上に発光素子をマウントし、次にこの素
子と他方のリード線３ｂとをボンデイングワイヤ
で結線し、さらに次に発光素子およびボンデイン
グワイヤの保護ならびに効率良く光を出させるた
めに光透過性のエポキシ樹脂を用いて単位樹脂部
５ａまたは５ｂ上にたとえば半球状のレンズ部を
形成した後に一つずつ分離する。
ド固定部を一度にしかも連続した状態で形成する
ことによつて、LEDランプの自動製造に適した
構成のリードフレームが開発されている。このリ
ードフレームは第１図の平面図に示すように、鉄
製あるいは銅製で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平坦
な金属細条を打抜き加工またはエツチング加工し
たものである。１ａ，１ｂは互いに平行に延長さ
れた一対のリード線支持細条であり、この細条１
ａ，１ｂの所定位置には自動製造時に用いられる
ピツチ送り用孔２が開孔されている。上記細条１
ａ，１ｂ相互間にはこの細条１ａ，１ｂと直交す
る方向に２本を１組とするリード線３ａ，３ｂが
複数組形成されていて、このリード線３ａ，３ｂ
がアノードリード線およびカソードリード線とな
るものである。また上記各組のリード線３ａ，３
ｂと直交する方向には、これらリード線３ａ，３
ｂの変形を防止するための一対の橋絡細条４ａ，
４ｂが所定間隔を保つて平行に形成されている。
そしてこのように加工されたリードフレームの、
一対の橋絡細条４ａ，４ｂ相互間の各組のリード
線３ａ，３ｂの図中斜線を付して示す２個所を樹
脂によつて結合成型してリード固定部となる２個
の単位樹脂部５ａ，５ｂを形成する。この樹脂成
型後は、各単位樹脂部５ａ，５ａ，…および各単
位樹脂部５ｂ，５ｂ，…はそれぞれ一列に配列さ
れた状態となる。次に一列に配列形成された単位
樹脂５ａ，５ｂ間の図中破線を付して示す位置で
各組のリード線３ａ，３ｂを切断することによつ
て、前記リード線支持細条１ａまたは１ｂによつ
て支持された二つのリードフレームを得る。この
後は、このようにして得られたリードフレームを
自動製造工程にかけて、各単位樹脂部５ａまたは
５ｂの端面から突出している一方のリード線たと
えば３ａ上に発光素子をマウントし、次にこの素
子と他方のリード線３ｂとをボンデイングワイヤ
で結線し、さらに次に発光素子およびボンデイン
グワイヤの保護ならびに効率良く光を出させるた
めに光透過性のエポキシ樹脂を用いて単位樹脂部
５ａまたは５ｂ上にたとえば半球状のレンズ部を
形成した後に一つずつ分離する。
上記のような方法によつてリードフレームを製
造すれば、自動製造工程を適用してLEDランプ
を連続的に製造することができるために製造コス
トの大幅な低下が実現できる。ところが前記単位
樹脂部５ａ，５ｂ間で各組のリード線３ａ，３ｂ
を切断して二つのリードフレームを得る際、リー
ド線３ａ，３ｂは第２図の断面図に示すように単
位樹脂部５の端面から突出した構造となる。この
ため第２図に示すように一方のリード線３ａの端
面上に発光素子６をマウントすると、点灯時にこ
のリード線３ａの突出部分がどうしても暗部とな
り、均一な効率の良い発光状態が得にくいという
不都合が生じる。
造すれば、自動製造工程を適用してLEDランプ
を連続的に製造することができるために製造コス
トの大幅な低下が実現できる。ところが前記単位
樹脂部５ａ，５ｂ間で各組のリード線３ａ，３ｂ
を切断して二つのリードフレームを得る際、リー
ド線３ａ，３ｂは第２図の断面図に示すように単
位樹脂部５の端面から突出した構造となる。この
ため第２図に示すように一方のリード線３ａの端
面上に発光素子６をマウントすると、点灯時にこ
のリード線３ａの突出部分がどうしても暗部とな
り、均一な効率の良い発光状態が得にくいという
不都合が生じる。
この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たものであり、その目的とすところは、自動製造
工程が適用可能でありしたがつて半導体装置を安
価に製造することができると共に、点灯時に暗部
が生ぜず均一な効率の良い発光状態を得ることが
できる半導体装置を製造できる半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を提供することにある。
たものであり、その目的とすところは、自動製造
工程が適用可能でありしたがつて半導体装置を安
価に製造することができると共に、点灯時に暗部
が生ぜず均一な効率の良い発光状態を得ることが
できる半導体装置を製造できる半導体装置用リー
ドフレームの製造方法を提供することにある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明
する。このリードフレームは前記第１図の場合と
同様、まず第３図に示すように鉄製あるいは銅製
で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平坦な金属細条を打
抜き加工またはエツチング加工して、ピツチ送り
用孔２が開孔された一対のリード線支持細条１
ａ，１ｂ、複数組のリード線３ａ，３ｂおよび一
対の橋絡細条４ａ，４ｂそれぞれを形成する。次
に樹脂を導びくゲート部分が上記一対の橋絡細条
４ａ，４ｂ相互間のほぼ中央部となるように設定
したトランスフアモールド用金型に上記リードフ
レームをセツトし、熱硬化性の白色樹脂たとえば
不飽和ポリエステル樹脂を用いて、第４図に示す
ように一対の橋絡細条４ａ，４ｂ相互間の各組の
リード線３ａ，３ｂを結合成型してリード固定部
となる単位樹脂部７を形成する。なおこの単位樹
脂部７の形状はその目的に応じて種々に設定され
るが、ここではたとえば第５図に示すように直径
が３mm程度の円筒状に設定される。また第４図お
よび第５図中、各単位樹脂部７を連結している連
結樹脂部８は前記ゲート部に残つた樹脂が固化し
たものであり、各単位樹脂部７はこの連結樹脂部
８を介して一体的に連結した状態となつている。
次に樹脂成型が終了したならば、上記各単位樹脂
部７をそのほぼ中央部から上記リード線支持細条
１ａ，１ｂと平行する方向にブレードなどで切断
してリードフレームを二つに分割する。この切断
の際、ブレードはほぼ前記連結樹脂部８上に位置
するため、リードフレームの切断と同時に連結樹
脂部８が除去され第６図の斜視図に示すようなリ
ードフレームが二つ得られる。
する。このリードフレームは前記第１図の場合と
同様、まず第３図に示すように鉄製あるいは銅製
で厚みが0.4〜0.5mmの細長い平坦な金属細条を打
抜き加工またはエツチング加工して、ピツチ送り
用孔２が開孔された一対のリード線支持細条１
ａ，１ｂ、複数組のリード線３ａ，３ｂおよび一
対の橋絡細条４ａ，４ｂそれぞれを形成する。次
に樹脂を導びくゲート部分が上記一対の橋絡細条
４ａ，４ｂ相互間のほぼ中央部となるように設定
したトランスフアモールド用金型に上記リードフ
レームをセツトし、熱硬化性の白色樹脂たとえば
不飽和ポリエステル樹脂を用いて、第４図に示す
ように一対の橋絡細条４ａ，４ｂ相互間の各組の
リード線３ａ，３ｂを結合成型してリード固定部
となる単位樹脂部７を形成する。なおこの単位樹
脂部７の形状はその目的に応じて種々に設定され
るが、ここではたとえば第５図に示すように直径
が３mm程度の円筒状に設定される。また第４図お
よび第５図中、各単位樹脂部７を連結している連
結樹脂部８は前記ゲート部に残つた樹脂が固化し
たものであり、各単位樹脂部７はこの連結樹脂部
８を介して一体的に連結した状態となつている。
次に樹脂成型が終了したならば、上記各単位樹脂
部７をそのほぼ中央部から上記リード線支持細条
１ａ，１ｂと平行する方向にブレードなどで切断
してリードフレームを二つに分割する。この切断
の際、ブレードはほぼ前記連結樹脂部８上に位置
するため、リードフレームの切断と同時に連結樹
脂部８が除去され第６図の斜視図に示すようなリ
ードフレームが二つ得られる。
このようにして得られたリードフレームを用い
れば、第１図のものと同様に自動製造工程を適用
してLEDランプを製造的に製造することができ
るために製造コストの大幅な低下が実現できる。
しかも第６図に示すように、リード線３ａ，３ｂ
の端面は単位樹脂部７の端面とほぼ同一面となる
ために、この後、第７図に示すように発光素子６
をマウントし、またボンデイングワイヤ９によつ
て結線しさらにレンズ部１０を形成して完成され
たLEDランプを点灯する場合、前記突出部分が
存在しないので暗部は生ぜず、したがつて均一な
効率の良い発光状態が容易に得られる。なお、発
光素子のマウント部およびボンデイング部には予
め必要に応じてAuやAgによるメツキが施こされ
ると共にリード線３ａ，３ｂにはSnによるメツ
キや半田被覆が行なわれる。
れば、第１図のものと同様に自動製造工程を適用
してLEDランプを製造的に製造することができ
るために製造コストの大幅な低下が実現できる。
しかも第６図に示すように、リード線３ａ，３ｂ
の端面は単位樹脂部７の端面とほぼ同一面となる
ために、この後、第７図に示すように発光素子６
をマウントし、またボンデイングワイヤ９によつ
て結線しさらにレンズ部１０を形成して完成され
たLEDランプを点灯する場合、前記突出部分が
存在しないので暗部は生ぜず、したがつて均一な
効率の良い発光状態が容易に得られる。なお、発
光素子のマウント部およびボンデイング部には予
め必要に応じてAuやAgによるメツキが施こされ
ると共にリード線３ａ，３ｂにはSnによるメツ
キや半田被覆が行なわれる。
またこの発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、たとえば単位樹脂部７は熱硬化性樹脂に
よつて形成する場合について説明したが、これは
熱軟化性樹脂を用いるようにしてもよい。
はなく、たとえば単位樹脂部７は熱硬化性樹脂に
よつて形成する場合について説明したが、これは
熱軟化性樹脂を用いるようにしてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、各組の
リード線を樹脂によつて結合成型して単位樹脂部
を形成し、これら各単位樹脂部をそのほぼ中央部
からリード線支持細条と平行する方向に切断分離
するようにしたので、自動製造工程が適用できし
たがつて半導体装置を安価に製造することがで
き、またリード線端面と単位樹脂部の端面とがほ
ぼ同一面となつて点灯時に暗部が生ぜず、均一な
効率の良い発光状態を得ることができる半導体装
置を製造することができる。
リード線を樹脂によつて結合成型して単位樹脂部
を形成し、これら各単位樹脂部をそのほぼ中央部
からリード線支持細条と平行する方向に切断分離
するようにしたので、自動製造工程が適用できし
たがつて半導体装置を安価に製造することがで
き、またリード線端面と単位樹脂部の端面とがほ
ぼ同一面となつて点灯時に暗部が生ぜず、均一な
効率の良い発光状態を得ることができる半導体装
置を製造することができる。
第１図および第２図はそれぞれこの発明の途中
経過の段階で開発された製造方法を説明するため
の平面図および断面図、第３図ないし第７図はそ
れぞれこの発明の一実施例方法を説明するための
平面図および斜視図である。 １ａ，１ｂ……リード線支持細条、２……ピツ
チ送り用孔、３ａ，３ｂ……リード線、４ａ，４
ｂ……橋絡細条、６……発光素子、７……単位樹
脂部、８……連結樹脂部、９……ボンデイングワ
イヤ、１０……レンズ部。
経過の段階で開発された製造方法を説明するため
の平面図および断面図、第３図ないし第７図はそ
れぞれこの発明の一実施例方法を説明するための
平面図および斜視図である。 １ａ，１ｂ……リード線支持細条、２……ピツ
チ送り用孔、３ａ，３ｂ……リード線、４ａ，４
ｂ……橋絡細条、６……発光素子、７……単位樹
脂部、８……連結樹脂部、９……ボンデイングワ
イヤ、１０……レンズ部。
Claims (1)
- １ 一体の細長く平坦な金属細条から平行に延長
された一対のリード線支持細条およびこの細条の
相互間にこれの延長方向と直交する方向に複数本
を一組として複数組のリード線を設けかつこれら
のリード線と直交する方向に所定間隔を保つて一
対の橋絡細条を設ける工程と、樹脂を導びくゲー
ト部分を上記一対の橋絡細条相互間のほぼ中央部
に設定し、上記各組のリード線を樹脂によつて結
合成型して単位樹脂部を形成する工程と、上記各
単位樹脂部をそのほぼ中央部から上記リード線支
持細条と平行する方向に切断分割する工程とを具
備したことを特徴とする半導体装置用リードフレ
ームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166754A JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56166754A JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5867077A JPS5867077A (ja) | 1983-04-21 |
| JPH0142511B2 true JPH0142511B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=15837110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56166754A Granted JPS5867077A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5867077A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744283B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1995-05-15 | 株式会社精工舎 | 受光装置の製造方法 |
| US10008637B2 (en) | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
| US10686107B2 (en) | 2011-07-21 | 2020-06-16 | Cree, Inc. | Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods |
| US10211380B2 (en) | 2011-07-21 | 2019-02-19 | Cree, Inc. | Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods |
| TW201312807A (zh) | 2011-07-21 | 2013-03-16 | 克里股份有限公司 | 光發射器元件封裝與部件及改良化學抵抗性的方法與相關方法 |
| US9496466B2 (en) * | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
| US9240530B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
| US9343441B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-05-17 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved light output and related methods |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP56166754A patent/JPS5867077A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5867077A (ja) | 1983-04-21 |
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