JPH0142739B2 - - Google Patents
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- JPH0142739B2 JPH0142739B2 JP10371284A JP10371284A JPH0142739B2 JP H0142739 B2 JPH0142739 B2 JP H0142739B2 JP 10371284 A JP10371284 A JP 10371284A JP 10371284 A JP10371284 A JP 10371284A JP H0142739 B2 JPH0142739 B2 JP H0142739B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/008—Feed or outlet control devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は光フアイバや半導体製造装置におい
て、精密に流量がコントロールされた原料ガスを
反応装置へ送るためのバブリング装置に係る。
て、精密に流量がコントロールされた原料ガスを
反応装置へ送るためのバブリング装置に係る。
＜従来技術＞
光フアイバや半導体製造装置において原料液を
保つたバブラー容器にキヤリアガスを送給して原
料液をバブリングし、原料ガスとキヤリアガスの
混合気体にして配管を通じて反応装置へ送るバブ
リング装置は広く用いられている。このようなバ
ブリング装置においては混合気体中の原料ガスの
流量を精密にコントロールするための一方法とし
てバブラー容器に導入するキヤリアガスの流量を
精密にコントロールするとともに、混合気体が送
通する上記配管中に一定温度に保たれたコンデン
サを介装し、コンデンサによつて混合ガスをコン
デンサの温度における原料ガスの飽和蒸気とする
ことが知られている。このような従来のバブリン
グ装置の１例の構成図を第１図に示す。第１図に
示すバブリング装置によれば、気密なバブラー容
器１には原料液２が収容されるとともに、バブラ
ー容器１の外周面にはヒータ３が装着されてバブ
ラー容器１の原料液を所定の温度に保つている。
バブラー容器１には液２中に開放端を有する配管
４が挿入されている。配管４には精密流量計５が
介装されている。精密流量計５としては質量流量
計が広く用いられ、配管４内を流れバブラー容器
１へ供給されるキヤリアガスの流量を精密に測定
している。一方気密なバブラー容器１の原料液２
の上部空間に吸入端Ｐをもつ配管６が導出され、
配管６はコンデンサ７の巻管９の下端Ｑへ接続さ
れている。コンデンサ７は循環水等によつて一定
温度に保たれている。巻管９の上端Ｒには反応容
器（図示せず）に導かれる配管８が接続されてい
る。配管６と配管８には加熱手段（図示せず）が
設けられている。第１図に示す装置において、キ
ヤリアガスが精密流量計５で精密に流量コントロ
ールされ、配管４を通じてバブラー容器１の原料
液２内へ送給される。キヤリアガスはバブラー容
器１の原料液２をバブリングすることによつて、
バブラー容器１の原料液２の上部空間にキヤリア
ガスと原料ガスの混合ガスを充満する。キヤリア
ガスの流量が多い場合、通常混合ガスはバブラー
容器温度では原料ガスの飽和蒸気とはならないの
で、コンデンサ７の出口で混合ガスをコンデンサ
温度での原料ガスの飽和蒸気とするために原料液
２の液温はヒータ３によつてコンデンサ温度より
高く保たれる。通常原料液温度とコンデンサ温度
の差は５℃〜10℃である。バブラー容器上部の混
合ガスは配管６、コンデンサ７、配管８を経て反
応容器に導かれる。コンデンサ７は循環温水によ
つて一定温度に保たれており、コンデンサ７を通
過した混合ガスはコンデンサ温度まで冷却されコ
ンデンサ温度の飽和蒸気となる。この過程で過剰
の原料ガスはコンデンサ内の巻管９内で凝縮し、
凝縮した原料液は重力によつて巻管９から配管６
を経てバブラー容器１へ戻る。配管６及び配管８
はこれら配管内で混合ガスの原料ガスが凝縮しな
いようにコンデンサ温度以上に保たれる。かくし
てキヤリアガスの流量を精密に制御し混合ガスを
コンデンサ温度での飽和蒸気とすることにより、
原料ガスの分圧を一定にすることによつて原料ガ
スの流量が精密に制御された混合ガスを反応容器
へ送ることができる。しかしこのようなバブリン
グ装置では混合ガス流量が増加していくと、コン
デンサ内で凝縮しバブラー容器へ落下しようとす
る原料液と反応容器へ向う混合ガス流は向きが逆
のため、原料液の巻管９内での流れが阻害されて
配管６を通じてバブラー容器１へ戻ることができ
ずコンデンサ巻管９内に滞留したり、あるいはコ
ンデンサ７から反応容器の方へ流れるようにな
る。このような状態を放置しておくと滞留した凝
縮液によりコンデンサ７内の混合ガス流に対する
管内抵抗が増大し、原料ガスを反応容器へ安定し
て送れなくなつたり、コンデンサ巻管９内を逆流
した原料液が配管８に達し、高温の配管８内で再
気化し、反応容器へ送られることによつて、コン
デンサ７による原料ガスの流量制御の機能が失な
われ、目的を達することができなくなる。このよ
うな問題を解決する最も簡単な手段はコンデンサ
の巻管９の内径を太くすることである。しかしコ
ンデンサの巻管９の内径を太くするにはコンデン
サを大型にしなければならない欠点がある。また
コンデンサの巻管を複数本並列に接続して、巻管
１本当りの混合ガス流を減らす手段もあるが、こ
の場合混合ガス流を全ての巻管に一様に分流する
ことが難かしいのに加えてコンデンサ全体の大き
さも大きくなる欠点がある。
保つたバブラー容器にキヤリアガスを送給して原
料液をバブリングし、原料ガスとキヤリアガスの
混合気体にして配管を通じて反応装置へ送るバブ
リング装置は広く用いられている。このようなバ
ブリング装置においては混合気体中の原料ガスの
流量を精密にコントロールするための一方法とし
てバブラー容器に導入するキヤリアガスの流量を
精密にコントロールするとともに、混合気体が送
通する上記配管中に一定温度に保たれたコンデン
サを介装し、コンデンサによつて混合ガスをコン
デンサの温度における原料ガスの飽和蒸気とする
ことが知られている。このような従来のバブリン
グ装置の１例の構成図を第１図に示す。第１図に
示すバブリング装置によれば、気密なバブラー容
器１には原料液２が収容されるとともに、バブラ
ー容器１の外周面にはヒータ３が装着されてバブ
ラー容器１の原料液を所定の温度に保つている。
バブラー容器１には液２中に開放端を有する配管
４が挿入されている。配管４には精密流量計５が
介装されている。精密流量計５としては質量流量
計が広く用いられ、配管４内を流れバブラー容器
１へ供給されるキヤリアガスの流量を精密に測定
している。一方気密なバブラー容器１の原料液２
の上部空間に吸入端Ｐをもつ配管６が導出され、
配管６はコンデンサ７の巻管９の下端Ｑへ接続さ
れている。コンデンサ７は循環水等によつて一定
温度に保たれている。巻管９の上端Ｒには反応容
器（図示せず）に導かれる配管８が接続されてい
る。配管６と配管８には加熱手段（図示せず）が
設けられている。第１図に示す装置において、キ
ヤリアガスが精密流量計５で精密に流量コントロ
ールされ、配管４を通じてバブラー容器１の原料
液２内へ送給される。キヤリアガスはバブラー容
器１の原料液２をバブリングすることによつて、
バブラー容器１の原料液２の上部空間にキヤリア
ガスと原料ガスの混合ガスを充満する。キヤリア
ガスの流量が多い場合、通常混合ガスはバブラー
容器温度では原料ガスの飽和蒸気とはならないの
で、コンデンサ７の出口で混合ガスをコンデンサ
温度での原料ガスの飽和蒸気とするために原料液
２の液温はヒータ３によつてコンデンサ温度より
高く保たれる。通常原料液温度とコンデンサ温度
の差は５℃〜10℃である。バブラー容器上部の混
合ガスは配管６、コンデンサ７、配管８を経て反
応容器に導かれる。コンデンサ７は循環温水によ
つて一定温度に保たれており、コンデンサ７を通
過した混合ガスはコンデンサ温度まで冷却されコ
ンデンサ温度の飽和蒸気となる。この過程で過剰
の原料ガスはコンデンサ内の巻管９内で凝縮し、
凝縮した原料液は重力によつて巻管９から配管６
を経てバブラー容器１へ戻る。配管６及び配管８
はこれら配管内で混合ガスの原料ガスが凝縮しな
いようにコンデンサ温度以上に保たれる。かくし
てキヤリアガスの流量を精密に制御し混合ガスを
コンデンサ温度での飽和蒸気とすることにより、
原料ガスの分圧を一定にすることによつて原料ガ
スの流量が精密に制御された混合ガスを反応容器
へ送ることができる。しかしこのようなバブリン
グ装置では混合ガス流量が増加していくと、コン
デンサ内で凝縮しバブラー容器へ落下しようとす
る原料液と反応容器へ向う混合ガス流は向きが逆
のため、原料液の巻管９内での流れが阻害されて
配管６を通じてバブラー容器１へ戻ることができ
ずコンデンサ巻管９内に滞留したり、あるいはコ
ンデンサ７から反応容器の方へ流れるようにな
る。このような状態を放置しておくと滞留した凝
縮液によりコンデンサ７内の混合ガス流に対する
管内抵抗が増大し、原料ガスを反応容器へ安定し
て送れなくなつたり、コンデンサ巻管９内を逆流
した原料液が配管８に達し、高温の配管８内で再
気化し、反応容器へ送られることによつて、コン
デンサ７による原料ガスの流量制御の機能が失な
われ、目的を達することができなくなる。このよ
うな問題を解決する最も簡単な手段はコンデンサ
の巻管９の内径を太くすることである。しかしコ
ンデンサの巻管９の内径を太くするにはコンデン
サを大型にしなければならない欠点がある。また
コンデンサの巻管を複数本並列に接続して、巻管
１本当りの混合ガス流を減らす手段もあるが、こ
の場合混合ガス流を全ての巻管に一様に分流する
ことが難かしいのに加えてコンデンサ全体の大き
さも大きくなる欠点がある。
＜発明の目的＞
本発明はかかる従来技術の欠点に鑑みてなされ
たもので、安定して大流量の原料ガスを反応装置
に送ることを可能にしたバブリング装置を提供す
ることを目的とするものである。
たもので、安定して大流量の原料ガスを反応装置
に送ることを可能にしたバブリング装置を提供す
ることを目的とするものである。
＜問題点解決の具体的手段＞
かかる目的を達成した第１の発明によるバブリ
ング装置の構成は、バブラー容器に保たれた液体
の原料をキヤリアガスでバブリングしてキヤリア
ガスと原料ガスの混合ガスを作り、該、混合ガス
を一定温度に保たれたコンデンサの巻管を通過さ
せて、該混合ガスをコンデンサの上記温度におけ
る原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応
装置に上記混合ガスを供給する配管が、上記バブ
ラー容器の液体上部の空間から導出され、上記コ
ンデンサの巻管の上端から下端を経て、さらに下
端に設けられた２分岐管の一方の上方に向う分岐
を経て上記反応装置に導かれ、上記分岐管の他方
の下方に向う分岐は上記容器の液体中に開放され
ていることを特徴とするものである。
ング装置の構成は、バブラー容器に保たれた液体
の原料をキヤリアガスでバブリングしてキヤリア
ガスと原料ガスの混合ガスを作り、該、混合ガス
を一定温度に保たれたコンデンサの巻管を通過さ
せて、該混合ガスをコンデンサの上記温度におけ
る原料ガスの飽和蒸気として反応装置に導くバブ
リング装置において、上記バブラー容器から反応
装置に上記混合ガスを供給する配管が、上記バブ
ラー容器の液体上部の空間から導出され、上記コ
ンデンサの巻管の上端から下端を経て、さらに下
端に設けられた２分岐管の一方の上方に向う分岐
を経て上記反応装置に導かれ、上記分岐管の他方
の下方に向う分岐は上記容器の液体中に開放され
ていることを特徴とするものである。
また第２の発明のバブリング装置の構成は、バ
ブラー容器に保たれた原料の液体をキヤリアガス
でバブリングしてキヤリアガスと原料ガスの混合
ガスを作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコ
ンデンサの巻管を通過させて、該混合ガスを上記
コンデンサの温度における原料ガスの飽和蒸気と
して反応装置に導くバブリング装置において、上
記バブラー容器から反応装置に上記混合ガスを供
給する配管が、上記バブラー容器の液体上部空間
から導出され、上記コンデンサの巻管の上端から
下端を経、下端に設けられた２分岐管の一方の上
方に向う分岐を経て上記反応装置へ導かれ、上記
分岐管の他方の下方に向う分岐は液溜に導かれ、
該液溜の下端には開閉弁を経て上記バブラー容器
に開放された配管が導出されていることを特徴と
するものである。
ブラー容器に保たれた原料の液体をキヤリアガス
でバブリングしてキヤリアガスと原料ガスの混合
ガスを作り、該混合ガスを一定温度に保たれたコ
ンデンサの巻管を通過させて、該混合ガスを上記
コンデンサの温度における原料ガスの飽和蒸気と
して反応装置に導くバブリング装置において、上
記バブラー容器から反応装置に上記混合ガスを供
給する配管が、上記バブラー容器の液体上部空間
から導出され、上記コンデンサの巻管の上端から
下端を経、下端に設けられた２分岐管の一方の上
方に向う分岐を経て上記反応装置へ導かれ、上記
分岐管の他方の下方に向う分岐は液溜に導かれ、
該液溜の下端には開閉弁を経て上記バブラー容器
に開放された配管が導出されていることを特徴と
するものである。
＜実施例＞
本発明によるバブリング装置の実施例を図面に
従つて説明する。
従つて説明する。
第２図は本発明によるバブリング装置の構成図
である。第２図に示す如く、気密なバブラー容器
１には光フアイバや半導体製造用の原料液２が収
容されていて、その外周面にはヒータ３が装置さ
れている。ヒータ３は原料液２を所定の温度に保
つためのものである。バブラー容器１にはキヤリ
アガスを供給する配管４が原料液２中に挿入され
ている。配管４の途中には送給されるキヤリアガ
スの流量を測定する精密流量計５が介装されてい
る。精密流量計５としては質量流量計が広く用い
られる。一方バブラー容器１の原料液２の上部空
間に開放端Ｐをもつ配管６が導出されている。バ
ブラー容器１の原料液２の上部空間にはバブラー
容器１内へ送給されたキヤリアガスと原料液が気
化した原料ガスの混合ガスが充満され、配管６を
経てコンデンサ７の巻管９の上端Ｒへ供給され
る。巻管９の下端Ｑには２分岐管が設けてあり、
一方の上に向う分岐は配管１１、配管８を経て反
応容器（図示せず）へ連通している。２分岐管の
他方の下方に向う分岐は開放端をバブラー容器の
原料液２の中へ挿入した配管１０に連結してい
る。
である。第２図に示す如く、気密なバブラー容器
１には光フアイバや半導体製造用の原料液２が収
容されていて、その外周面にはヒータ３が装置さ
れている。ヒータ３は原料液２を所定の温度に保
つためのものである。バブラー容器１にはキヤリ
アガスを供給する配管４が原料液２中に挿入され
ている。配管４の途中には送給されるキヤリアガ
スの流量を測定する精密流量計５が介装されてい
る。精密流量計５としては質量流量計が広く用い
られる。一方バブラー容器１の原料液２の上部空
間に開放端Ｐをもつ配管６が導出されている。バ
ブラー容器１の原料液２の上部空間にはバブラー
容器１内へ送給されたキヤリアガスと原料液が気
化した原料ガスの混合ガスが充満され、配管６を
経てコンデンサ７の巻管９の上端Ｒへ供給され
る。巻管９の下端Ｑには２分岐管が設けてあり、
一方の上に向う分岐は配管１１、配管８を経て反
応容器（図示せず）へ連通している。２分岐管の
他方の下方に向う分岐は開放端をバブラー容器の
原料液２の中へ挿入した配管１０に連結してい
る。
なお、コンデンサ７は循環温水によつて一定温
度に保たれている。配管６によつてコンデンサ７
の巻管９の上端Ｒへ供給された混合ガスはコンデ
ンサ７の巻管９内で所定の温度に冷却され、原料
ガスはその温度での飽和蒸気となる。この過程で
過剰の原料ガスは巻管９内で凝縮し、凝縮した原
料液は巻管９内を重力によつて落下し、分岐管、
配管１０を経て原料液２中に戻る。また飽和蒸気
の原料ガスとキヤリアガスの混合ガスは巻管９の
下端Ｑの分岐管、配管１１、配管８を経て反応容
器へ送られる。配管１１は図示のものは直管であ
るが巻管であつてもよい。配管６及び配管８は管
内で混合ガス中の原料ガスが凝縮しないのに必要
な温度以上に保たれている。
度に保たれている。配管６によつてコンデンサ７
の巻管９の上端Ｒへ供給された混合ガスはコンデ
ンサ７の巻管９内で所定の温度に冷却され、原料
ガスはその温度での飽和蒸気となる。この過程で
過剰の原料ガスは巻管９内で凝縮し、凝縮した原
料液は巻管９内を重力によつて落下し、分岐管、
配管１０を経て原料液２中に戻る。また飽和蒸気
の原料ガスとキヤリアガスの混合ガスは巻管９の
下端Ｑの分岐管、配管１１、配管８を経て反応容
器へ送られる。配管１１は図示のものは直管であ
るが巻管であつてもよい。配管６及び配管８は管
内で混合ガス中の原料ガスが凝縮しないのに必要
な温度以上に保たれている。
第２図に示す本発明によるバブリング装置を用
いて、原料ガスの流量が精密にコントロールされ
た混合ガスを反応容器へ送るのは以下の方法によ
る。キヤリアガスを精密流量計５で精密に流量を
コントロールして配管４を通じてバブラー容器１
内の原料液２内に導入する。バブラー容器１内で
キヤリアガスで原料液をバブリングすることによ
つてバブラー容器１上部ではキヤリアガスと原料
ガスの混合ガスとなる。キヤリアガスの流量が多
い場合、通常混合ガスはバブラー容器温度での原
料ガスの飽和蒸気とはならない。コンデンサ出口
で混合ガスをコンデンサ温度での原料ガスの飽和
蒸気とするために原料液２の液温はヒータ３によ
つてコンデンサ温度より高く保たれている。通常
原料液温とコンデンサ温度の温度差は５℃〜10℃
である。コンデンサ７内で混合ガスは配管６に沿
つてコンデンサ上部の巻管９の上端Ｒまで上昇し
た後、下向きの巻管９に沿つて下降し、巻管の下
端Ｑの２分岐管によつて一方の上方に向う分岐は
配管１１に入り、コンデンサ内を通過し、コンデ
ンサ出口Ｓで配管８に連通されて反応容器へ送給
される。コンデンサ７は循環温水で一定温度に保
たれており、コンデンサ７を上から下へ通過した
混合ガスはコンデンサ温度まで冷却され、混合ガ
ス内の原料ガスはコンデンサ温度の飽和蒸気とな
る。この過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の
配管内で凝縮し、凝縮した原料液は配管にそつて
流下しバブラー容器１へ戻る。配管６のコンデン
サ７の入口からコンデンサ巻管９の上端Ｒまでに
配管６内で凝縮した原料液は垂直な配管６を通つ
て混合ガスと逆行して流下しバブラー容器１へ戻
る。なお、配管６内を流下する原料液は混合ガス
と逆行するが、配管６は直管であり、阻害されず
流下する。コンデンサ巻管９の上端Ｒから下端Ｑ
までの間で凝縮した原料液は勾配の緩やかな巻管
９にそつて流下するが、混合ガス流と原料液の流
下の方向が同一であるため混合ガス流によつて原
料液の流れが阻害されることはなくむしろ加速さ
れて巻管９にそつて下端まで流れる。巻管９の下
端Ｑの分岐管を経て配管１０を経てバブラー容器
１へ戻る。この際配管１０の開放端Ｔは原料液２
中に設けられていることが望ましく、もしそうで
ないと混合ガスが配管１０を通つてコンデンサ内
の配管１１に進入し、配管８へ抜けてしまうので
コンデンサ温度における原料ガスの飽和蒸気が得
られない。分岐管を通過した混合ガスはコンデン
サ７に設けられた配管１１を経て、コンデンサの
出口Ｓで接続された配管８を介して反応容器へ送
られる。配管１１を混合ガスが通過するとき、原
料ガスはコンデンサの巻管で充分に冷却されてい
るため、配管１１で凝縮する原料液は少なく、た
とえ凝縮されても、配管１１は直管であるので混
合ガスと逆行しても流下する原料液に作用する重
力は大きく問題にならない。コンデンサ７に導入
される配管６及びコンデンサ７から導出される配
管８は共に配管内で原料ガスが凝縮しない必要温
度以上に保たれる。
いて、原料ガスの流量が精密にコントロールされ
た混合ガスを反応容器へ送るのは以下の方法によ
る。キヤリアガスを精密流量計５で精密に流量を
コントロールして配管４を通じてバブラー容器１
内の原料液２内に導入する。バブラー容器１内で
キヤリアガスで原料液をバブリングすることによ
つてバブラー容器１上部ではキヤリアガスと原料
ガスの混合ガスとなる。キヤリアガスの流量が多
い場合、通常混合ガスはバブラー容器温度での原
料ガスの飽和蒸気とはならない。コンデンサ出口
で混合ガスをコンデンサ温度での原料ガスの飽和
蒸気とするために原料液２の液温はヒータ３によ
つてコンデンサ温度より高く保たれている。通常
原料液温とコンデンサ温度の温度差は５℃〜10℃
である。コンデンサ７内で混合ガスは配管６に沿
つてコンデンサ上部の巻管９の上端Ｒまで上昇し
た後、下向きの巻管９に沿つて下降し、巻管の下
端Ｑの２分岐管によつて一方の上方に向う分岐は
配管１１に入り、コンデンサ内を通過し、コンデ
ンサ出口Ｓで配管８に連通されて反応容器へ送給
される。コンデンサ７は循環温水で一定温度に保
たれており、コンデンサ７を上から下へ通過した
混合ガスはコンデンサ温度まで冷却され、混合ガ
ス内の原料ガスはコンデンサ温度の飽和蒸気とな
る。この過程で過剰の原料ガスはコンデンサ内の
配管内で凝縮し、凝縮した原料液は配管にそつて
流下しバブラー容器１へ戻る。配管６のコンデン
サ７の入口からコンデンサ巻管９の上端Ｒまでに
配管６内で凝縮した原料液は垂直な配管６を通つ
て混合ガスと逆行して流下しバブラー容器１へ戻
る。なお、配管６内を流下する原料液は混合ガス
と逆行するが、配管６は直管であり、阻害されず
流下する。コンデンサ巻管９の上端Ｒから下端Ｑ
までの間で凝縮した原料液は勾配の緩やかな巻管
９にそつて流下するが、混合ガス流と原料液の流
下の方向が同一であるため混合ガス流によつて原
料液の流れが阻害されることはなくむしろ加速さ
れて巻管９にそつて下端まで流れる。巻管９の下
端Ｑの分岐管を経て配管１０を経てバブラー容器
１へ戻る。この際配管１０の開放端Ｔは原料液２
中に設けられていることが望ましく、もしそうで
ないと混合ガスが配管１０を通つてコンデンサ内
の配管１１に進入し、配管８へ抜けてしまうので
コンデンサ温度における原料ガスの飽和蒸気が得
られない。分岐管を通過した混合ガスはコンデン
サ７に設けられた配管１１を経て、コンデンサの
出口Ｓで接続された配管８を介して反応容器へ送
られる。配管１１を混合ガスが通過するとき、原
料ガスはコンデンサの巻管で充分に冷却されてい
るため、配管１１で凝縮する原料液は少なく、た
とえ凝縮されても、配管１１は直管であるので混
合ガスと逆行しても流下する原料液に作用する重
力は大きく問題にならない。コンデンサ７に導入
される配管６及びコンデンサ７から導出される配
管８は共に配管内で原料ガスが凝縮しない必要温
度以上に保たれる。
本発明によるバブリング装置によれば、キヤリ
アガスの流量をキヤリアガス流量計で精密に制御
し、コンデンサ７によつて原料ガスを飽和蒸気と
することによつて、大流量の所定の濃度の原料ガ
スを安定して反応容器へ送給することを可能とし
たものである。
アガスの流量をキヤリアガス流量計で精密に制御
し、コンデンサ７によつて原料ガスを飽和蒸気と
することによつて、大流量の所定の濃度の原料ガ
スを安定して反応容器へ送給することを可能とし
たものである。
第２図の装置を使つた場合、配管１０から混合
ガスがコンデンサ内に入らないようにするため、
配管１０の開放端Ｔは原料液内に開放されてい
る。このためバブラー容器１空隙部とコンデンサ
７の巻管の下端の分岐管部Ｑとの圧力差は、原料
液がこの圧力差で配管１０内を上昇し、分岐管部
Ｑまで達する程大きくならないようにする必要が
ある。通常この間の圧力差は10mmH2O程度で、
原料液面の配管１０内での上昇は１cm程度である
ので問題にならない。しかしこの問題をさらに解
決した本発明によるバブリング装置の他の実施例
を第３図に示す。
ガスがコンデンサ内に入らないようにするため、
配管１０の開放端Ｔは原料液内に開放されてい
る。このためバブラー容器１空隙部とコンデンサ
７の巻管の下端の分岐管部Ｑとの圧力差は、原料
液がこの圧力差で配管１０内を上昇し、分岐管部
Ｑまで達する程大きくならないようにする必要が
ある。通常この間の圧力差は10mmH2O程度で、
原料液面の配管１０内での上昇は１cm程度である
ので問題にならない。しかしこの問題をさらに解
決した本発明によるバブリング装置の他の実施例
を第３図に示す。
第３図のものは第２図に示す実施例を比較する
と、コンデンサ７の下端Ｑに設けられた分岐管の
１方の上方に向う分岐は配管１１に接続され、他
方の下方に向う分岐は配管１０を経て、液溜１
２、開閉バルブ１３、配管１０を経て、配管１０
の開放端Ｔはバブラー容器１に（必ずしも液中で
ある必要はない。）開放されている。第３図のも
のは配管１０の部分でのみ第２図のものと相異
し、その他の部分は同一である。従つて第３図の
実施例では、コンデンサ７内の巻管９及び配管１
１で凝縮された原料液はそれぞれ巻管９内及び直
管１１内を流下し、分岐管を経由して配管１０を
通じてバブラー容器１へ戻される代りに、配管１
０の中途に設けられた液溜１２に回収される。回
収された原料液はバブラー容器に原料液を供給し
ていない時に開閉弁１３を開いて液溜１２の原料
液をバブラー容器へ戻すものである。
と、コンデンサ７の下端Ｑに設けられた分岐管の
１方の上方に向う分岐は配管１１に接続され、他
方の下方に向う分岐は配管１０を経て、液溜１
２、開閉バルブ１３、配管１０を経て、配管１０
の開放端Ｔはバブラー容器１に（必ずしも液中で
ある必要はない。）開放されている。第３図のも
のは配管１０の部分でのみ第２図のものと相異
し、その他の部分は同一である。従つて第３図の
実施例では、コンデンサ７内の巻管９及び配管１
１で凝縮された原料液はそれぞれ巻管９内及び直
管１１内を流下し、分岐管を経由して配管１０を
通じてバブラー容器１へ戻される代りに、配管１
０の中途に設けられた液溜１２に回収される。回
収された原料液はバブラー容器に原料液を供給し
ていない時に開閉弁１３を開いて液溜１２の原料
液をバブラー容器へ戻すものである。
第３図に示すものは原料液回収用の配管１０を
通じてバブラー容器１から混合ガスあるいは原料
液がコンデンサの方へ逆流することは全くない。
通じてバブラー容器１から混合ガスあるいは原料
液がコンデンサの方へ逆流することは全くない。
第４図は本発明によるバブリング装置の他の実
施例の概略構成図である。第２図に示す施例のも
のではコンデンサ内の巻管９を流れる混合ガスの
流速が速い場合、コンデンサ内の巻管９の下端Ｑ
の分岐管において混合ガスと凝縮液のミストが完
全に分離されずに、配管１１、配管８の混合ガス
に凝縮液が混合することが起る。第４図に示すも
のは、このような場合にも混合ガスと凝縮液を完
全に分離できるバブリング装置である。第４図に
示すものはコンデンサ７の巻管の下端Ｑの２分岐
管がガス溜１４になつていて、ガス溜１４から配
管１１が配管８に連通され、ガス溜１４から他の
配管１０が分岐されて、凝縮された原料液をバブ
ラー容器１へ戻す構成になつているガス溜１４に
じやま板１５が設けてある。第４図に示す装置に
おいて、速い流速の混合ガスと凝縮液が巻管９の
下端のガス溜に流入すると、流速が下り、凝縮液
と混合ガスが分離される。またじやま板に凝縮液
がぶつかると混合ガスと凝縮液の分離性が更によ
くなる。じやま板で分離された原料液は配管１０
を通つてバブラー容器へ戻り、混合ガスは巻管１
１，８を通つて反応容器へ送給される。もちろ
ん、第４図に示すじやま板１５を有するガス溜１
４で第３図の２分岐管を構成することができる。
施例の概略構成図である。第２図に示す施例のも
のではコンデンサ内の巻管９を流れる混合ガスの
流速が速い場合、コンデンサ内の巻管９の下端Ｑ
の分岐管において混合ガスと凝縮液のミストが完
全に分離されずに、配管１１、配管８の混合ガス
に凝縮液が混合することが起る。第４図に示すも
のは、このような場合にも混合ガスと凝縮液を完
全に分離できるバブリング装置である。第４図に
示すものはコンデンサ７の巻管の下端Ｑの２分岐
管がガス溜１４になつていて、ガス溜１４から配
管１１が配管８に連通され、ガス溜１４から他の
配管１０が分岐されて、凝縮された原料液をバブ
ラー容器１へ戻す構成になつているガス溜１４に
じやま板１５が設けてある。第４図に示す装置に
おいて、速い流速の混合ガスと凝縮液が巻管９の
下端のガス溜に流入すると、流速が下り、凝縮液
と混合ガスが分離される。またじやま板に凝縮液
がぶつかると混合ガスと凝縮液の分離性が更によ
くなる。じやま板で分離された原料液は配管１０
を通つてバブラー容器へ戻り、混合ガスは巻管１
１，８を通つて反応容器へ送給される。もちろ
ん、第４図に示すじやま板１５を有するガス溜１
４で第３図の２分岐管を構成することができる。
第２図ないし第４図に示す本発明のバブリング
装置における配管６はコンデンサ７の中を直管で
進み、巻管９の上端Ｒで巻管に連結されているた
め、混合ガスが配管６のコンデンサ７の中の直管
部を通る際原料ガスが凝縮して配管６に沿つて流
下するが、大流量の混合ガスを流す際、この部分
での凝縮液の逆行を避けたい場合には、加熱され
ている配管６をコンデンサ７の上端までコンデン
サの外に配管して、上端でコンデンサへ導入すれ
ばよい。
装置における配管６はコンデンサ７の中を直管で
進み、巻管９の上端Ｒで巻管に連結されているた
め、混合ガスが配管６のコンデンサ７の中の直管
部を通る際原料ガスが凝縮して配管６に沿つて流
下するが、大流量の混合ガスを流す際、この部分
での凝縮液の逆行を避けたい場合には、加熱され
ている配管６をコンデンサ７の上端までコンデン
サの外に配管して、上端でコンデンサへ導入すれ
ばよい。
本発明によるバブリング装置の有効性を示す実
験例を以下に示す。バブラー容器１に原料液２と
して四塩化珪素SiCl4が保たれ、ヒータ３により
原料液温度を50℃に保ち、かかるバブラー容器１
に流量計で精密測定されたHeガスのキヤリアガ
スを供給し、混合ガスを作り、44℃に保つた従来
型のコンデンサと本発明のコンデンサ７に送給し
た場合について比較実験を行つた。従来型のバブ
リング装置の場合、コンデンサの巻管内径は10mm
であるが、He流量を400c.c.／分として13分Heガ
スをコンデンサ７に流し続けた処、コンデンサ巻
管９内で原料液の滞留を起し、安定な原料ガスの
反応容器への供給ができなくなつた。第２図に示
す本発明のものの場合、コンデンサの巻管内径は
7.5mmであるが、Heガス流量を800c.c.／分にして
１時間Heガスを連続して流してもコンデンサ内
での原料液の滞留が起らなかつた。
験例を以下に示す。バブラー容器１に原料液２と
して四塩化珪素SiCl4が保たれ、ヒータ３により
原料液温度を50℃に保ち、かかるバブラー容器１
に流量計で精密測定されたHeガスのキヤリアガ
スを供給し、混合ガスを作り、44℃に保つた従来
型のコンデンサと本発明のコンデンサ７に送給し
た場合について比較実験を行つた。従来型のバブ
リング装置の場合、コンデンサの巻管内径は10mm
であるが、He流量を400c.c.／分として13分Heガ
スをコンデンサ７に流し続けた処、コンデンサ巻
管９内で原料液の滞留を起し、安定な原料ガスの
反応容器への供給ができなくなつた。第２図に示
す本発明のものの場合、コンデンサの巻管内径は
7.5mmであるが、Heガス流量を800c.c.／分にして
１時間Heガスを連続して流してもコンデンサ内
での原料液の滞留が起らなかつた。
＜発明の効果＞
本発明によるバブリング装置によれば、コンデ
ンサの巻管に混合ガスを上端から下端に向けて送
給し、コンデンサ内で凝縮された原料液を巻管の
下端に設けられた分岐管を経て収集できるように
したため、コンデンサ内で凝縮した原料液の流下
方向と混合ガスの送給方向が一致し、原料濃度が
一定の大量の原料ガスを安定して反応装置へ送る
ことを可能にした。
ンサの巻管に混合ガスを上端から下端に向けて送
給し、コンデンサ内で凝縮された原料液を巻管の
下端に設けられた分岐管を経て収集できるように
したため、コンデンサ内で凝縮した原料液の流下
方向と混合ガスの送給方向が一致し、原料濃度が
一定の大量の原料ガスを安定して反応装置へ送る
ことを可能にした。
第１図は従来のバブリング装置の構成図、第２
図は本発明によるバブリング装置の１実施例の構
成図、第３図は本発明の他の実施例の構成図、第
４図は本発明のさらに他の実施例の構成図であ
る。 図面中、１はバブラー容器、２は原料液、３は
ヒータ、４，６，８，１０，１１は配管、５はガ
ス流量計、７はコンデンサ、９は巻管、１２は液
溜、１３は開閉弁、１４はガス溜、１５はじやま
板である。
図は本発明によるバブリング装置の１実施例の構
成図、第３図は本発明の他の実施例の構成図、第
４図は本発明のさらに他の実施例の構成図であ
る。 図面中、１はバブラー容器、２は原料液、３は
ヒータ、４，６，８，１０，１１は配管、５はガ
ス流量計、７はコンデンサ、９は巻管、１２は液
溜、１３は開閉弁、１４はガス溜、１５はじやま
板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バブラー容器に保たれた液体の原料をキヤリ
アガスでバブリングしてキヤリアガスと原料ガス
の混合ガスを作り、該混合ガスを一定温度に保た
れたコンデンサの巻管を通過させて、該混合ガス
をコンデンサの上記温度における原料ガスの飽和
蒸気として反応装置に導くバブリング装置におい
て、上記バブラー容器から反応装置に上記混合ガ
スを供給する配管が、上記バブラー容器の液体上
部の空間から導出され、上記コンデンサの巻管の
上端から下端を経て、さらに下端に設けられた２
分岐管の一方の上方に向う分岐を経て上記反応装
置に導かれ、上記分岐管の他方の下方に向う分岐
は上記バブラー容器の液体中に開放されているこ
とを特徴とするバブリング装置。 ２ 上記２分岐管がじやま板を有したガス溜で構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のバブリング装置。 ３ バブラー容器に保たれた原料の液体をキヤリ
アガスでバブリングしてキヤリアガスと原料ガス
の混合ガスを作り、該混合ガスを一定温度に保た
れたコンデンサの巻管を通過させて、該混合ガス
を上記コンデンサの温度における原料ガスの飽和
蒸気として反応装置に導くバブリング装置におい
て、上記バブラー容器から反応装置に上記混合ガ
スを供給する配管が、上記バブラー容器の液体上
部空間から導出され、上記コンデンサの巻管の上
端から下端を経、下端に設けられた２分岐管の一
方の上方に向う分岐を経て上記反応装置へ導か
れ、上記分岐管の他方の下方に向う分岐は液溜に
導かれ、該液溜の下端には開閉弁を経て上記バブ
ラー容器に開放された配管が導出されていること
を特徴とするバブリング装置。 ４ 上記２分岐管がじやま板を有したガス溜で構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
３項記載のバブリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371284A JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10371284A JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60248228A JPS60248228A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0142739B2 true JPH0142739B2 (ja) | 1989-09-14 |
Family
ID=14361329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10371284A Granted JPS60248228A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | バブリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60248228A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61257232A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Nippon Tairan Kk | 液体材料ガス発生方法 |
| JPH0621740U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-22 | 徳山曹達株式会社 | 混合ガスモノマー供給装置 |
| JPH06196419A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Canon Inc | 化学気相堆積装置及びそれによる半導体装置の製造方法 |
| JP2996101B2 (ja) | 1994-08-05 | 1999-12-27 | 信越半導体株式会社 | 液体原料ガスの供給方法および装置 |
| JP2969101B2 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-11-02 | アプリオリ株式会社 | バブリング装置に用いるコンデンサ |
| KR100990792B1 (ko) * | 2003-05-02 | 2010-10-29 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다공질 유리 모재 원료 가스의 공급 장치 |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10371284A patent/JPS60248228A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60248228A (ja) | 1985-12-07 |
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