JPH0142959B2 - - Google Patents
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- JPH0142959B2 JPH0142959B2 JP59053600A JP5360084A JPH0142959B2 JP H0142959 B2 JPH0142959 B2 JP H0142959B2 JP 59053600 A JP59053600 A JP 59053600A JP 5360084 A JP5360084 A JP 5360084A JP H0142959 B2 JPH0142959 B2 JP H0142959B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0073—Rhodium compounds
- C07F15/008—Rhodium compounds without a metal-carbon linkage
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C209/00—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
- C07C209/68—Preparation of compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton from amines, by reactions not involving amino groups, e.g. reduction of unsaturated amines, aromatisation, or substitution of the carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/51—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition
- C07C45/516—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by pyrolysis, rearrangement or decomposition involving transformation of nitrogen-containing compounds to >C = O groups
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、各種有機合成ならびに不斉合成すな
わち不斉異性化反応、不斉水素化反応により、プ
ロキラルな化合物からキラルな化合物を製造する
工業的触媒として用いられるロジウム−ホスフイ
ン錯体に関するものである。 〔従来技術〕 従来から、多くの遷移金属錯体が有機合成反応
の触媒として使用されている。特に貴金属錯体は
高価であるが安定で取扱いが容易であるため、こ
れを触媒として使用する多くの合成研究がなされ
ており、とくに、不斉合成すなわち不斉異性化反
応、不斉水素化反応などに用いられる不斉触媒に
ついて多くの報告がなされている。 一般的にはロジウム、パラジウム、ニツケル触
媒に、光学活性な配位子として第3級ホスフイン
を供与したものが良い結果を与え、たとえば、不
斉水添触媒として、キラルなホスフインをロジウ
ムに配位させたロジウム−ホスフイン触媒〔特開
昭55−61937号公報〕が知られている。 本発明者らは、さきに特開昭58−4748号公報に
不斉異性化触媒を開示した。すなわち、これには 〔Rh(オレフイン)L〕+X- () (式中、オレフインは、エチレン、1,3−ブタ
ジエン、ノルボルナジエン、シクロオクタ−1,
5−ジエンのいずれかを意味し、XはClO4、
BF4、PF6のいずれかを意味し、Lは2個のトリ
アリールホスフインであるか、または次式 (アリール)2−P−Z−P−(アリール)2
() (式中、Zは−(CH2)3−、−(CH2)4−、−
(CH2)5−、
わち不斉異性化反応、不斉水素化反応により、プ
ロキラルな化合物からキラルな化合物を製造する
工業的触媒として用いられるロジウム−ホスフイ
ン錯体に関するものである。 〔従来技術〕 従来から、多くの遷移金属錯体が有機合成反応
の触媒として使用されている。特に貴金属錯体は
高価であるが安定で取扱いが容易であるため、こ
れを触媒として使用する多くの合成研究がなされ
ており、とくに、不斉合成すなわち不斉異性化反
応、不斉水素化反応などに用いられる不斉触媒に
ついて多くの報告がなされている。 一般的にはロジウム、パラジウム、ニツケル触
媒に、光学活性な配位子として第3級ホスフイン
を供与したものが良い結果を与え、たとえば、不
斉水添触媒として、キラルなホスフインをロジウ
ムに配位させたロジウム−ホスフイン触媒〔特開
昭55−61937号公報〕が知られている。 本発明者らは、さきに特開昭58−4748号公報に
不斉異性化触媒を開示した。すなわち、これには 〔Rh(オレフイン)L〕+X- () (式中、オレフインは、エチレン、1,3−ブタ
ジエン、ノルボルナジエン、シクロオクタ−1,
5−ジエンのいずれかを意味し、XはClO4、
BF4、PF6のいずれかを意味し、Lは2個のトリ
アリールホスフインであるか、または次式 (アリール)2−P−Z−P−(アリール)2
() (式中、Zは−(CH2)3−、−(CH2)4−、−
(CH2)5−、
【式】
【式】
本発明は新規なロジウム−ホスフイン錯体に関
し、その目的とするところは各種有機合成ならび
に不斉合成に有用な活性が高く持続性のある触媒
を提供することにある。 〔本発明の構成〕 本発明者はこのような工業界の要請にこたえる
べく研究を重ねた結果、触媒中の配位子に光学活
性をもたないものを用いれば一般合成触媒として
用いられ、同一の配位子で光学活性を有するもの
を用いれば不斉合成触媒として用いることのでき
る、しかも活性度の高い新規な触媒を見出し、そ
の合成法を確立し、こゝに本発明を完成したもの
である。 すなわち、本発明は、触媒として有用な一般式 〔Rh(p−Tolyl BINAP)2〕+Y- () (式中、p−Tolyl BINAPは、ラセミ体または
光学活性体である2,2′−ビス(ジ−パラ−トリ
ルホスフイノ)−1,1′−ビナフチルを意味し、
YはClO4、PF6、BF4、PCl6のいずれかを意味す
る)で表わされる新規なロジウム−ホスフイン錯
体に関するものである。 〔錯体の製法〕 本発明の新規ロジウム−ホスフイン錯体は、一
般式 〔Rh(オレフイン)(p−Tolyl BINAP
)〕+Y-() 〔式中、オレフインはエチレン、1,3−ブタジ
エン、シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン、
シクロオクタ1,5−ジエンのいずれかを意味
し、p−Tolyl BINAPは、ラセミ体または光学
活性体である2,2′−ビス(ジ−パラ−トリルホ
スフイノ)−1,1′−ビナフチルを意味し、Yは
ClO4、PF6、BF4、PCl6のいずれかを意味する〕
で表わされるロジウム錯体に、更にもう1分子の
p−Tolyl BINAPをテトラヒドロフランあるい
はアセトンなどの可溶性溶媒中で反応させること
により高収率で得ることができる。 具体的には、例えば式()で示されるロジウ
ム錯体を適当な可溶性溶媒にとかしておき、これ
に更に等モルまたは過剰のp−Tolyl BINAPを
加えて均一溶液としてから常圧水素添加装置にお
いて水素化を行う。水素化の条件としては温度10
〜50℃、水素化に要する時間は1〜10時間であつ
て、水素吸収の終りをもつて反応終了とする。水
素圧が常圧の場合は、ロジウムのモル数に等しい
モル数の水素が吸収されて反応が終了するが、例
えば5Kg/cm2程度の水素圧の場合はロジウムに対
し2倍モルの水素を吸収して反応を終了する場合
もある。 本反応溶液より溶媒を留去して、結晶として本
発明の新規錯体()を得る。工業的には溶媒を
留去せず、反応溶液をそのまま使用することもで
きる。この反応に用いることのできる可溶性溶媒
としては、テトラヒドロフラン、アセトン、ジク
ロロメタンなどがある。 本発明の新規錯体()は、また以下の方法で
も製造することができる。即ち、ロジウム錯体
()を、テトラヒドロフラン、アセトンなどの
可溶性溶媒にとかしておき、更に錯体()と等
モル、あるいは過剰のp−Tolyl BINAPを加え
て50〜60℃に加熱して反応させ、反応終了後、減
圧下に溶媒を留去する。次に再び溶媒を加えて均
一溶液を形成し、同様に加熱反応を行つて減圧下
に溶媒を留去する。この操作を2〜4回繰返すこ
とにより錯体()を得るものである。 〔出発原料の製法〕 本発明の錯体()を製造するために必要なp
−Tolyl BINAPのラセミ体及び光学活性体はト
リフエニルホスフインを反応助剤とし、1,1′−
ビ−2−ナフトールにブロムを反応せしめて、
2,2−ジブロモ−1,1′−ビナフチルを得る。
これに一般的なグリニヤ−試薬の調整法により、
例えばマグネシウムを使用し、グリニヤ−試薬を
つくる。これにジ−パラ−トリルホスフイニルク
ロライドを縮合せしめ(±)−2,2′−ビス(ジ
−パラ−トリルホスフイニル)−1,1′−ビナフ
チルを得る。これをトリクロシランと加熱して、
還元して(±)−2,2′−ビス(ジ−パラ−トリ
ルホスフイノ)−1,1′−ビナフチル((±)p−
Tolyl BINAP)を得る。 光学活性体のp−Tolyl BINAPを得る場合
は、Henri Brunner:Angw.Chem.Int.Edt.
Engl.18、620(1979)に記載の方法を利用し、
(±)−2,2′−ビス(ジ−パラ−トリルホスフイ
ニル)−1,1′−ビナフチルをジベンゾイル酒石
酸を用いて分割を行い、光学活性なものを分離し
た後、トリクロルシランで還元を行えば光学活性
なp−Tolyl BINAPを得ることができる。必要
に応じて分割剤であるジベンゾイル酒石酸の(d)
体、或は(l)体を選択することによつて光学活性の
一方のみを選択的に取得できる。 一方、錯体()は、メタノール、エタノール
などの溶媒中で三塩化ロジウムにシクロオクタ−
1,5−ジエンなどのオレフインを作用させて得
られるロジウム、オレフイン錯体に三価のリン化
合物としてラセミ体または光学活性体のp−
Tolyl BINAPを反応させて容易に得ることがで
きる。 〔用途〕 本発明に係るロジウム−ホスフイン錯体は各種
有機合成ならびに不斉異性化反応、不斉水素化反
応などの触媒として用いられる。 〔効果〕 本発明のロジウム−ホスフイン錯体触媒は、従
来用いられている触媒たとえば、〔Rh
(BINAP)2〕+ClO4 -や〔Rh(BINAP)2〕+PF6 -など
に比し約1.2〜1.4倍の活性を有するので、製品原
価の引き下げに貢献すると共に、光学活性な配位
子を用いて同様に製造した錯体は、不斉合成触媒
としても好適に作用するものである。 この効果を、例えば、アリルアミンの異性化反
応に適用した場合について説明すると、アリルア
ミンの6000分の1〜8000分の1モルの本発明の錯
体触媒を用いて異性化を行い、2回目以降の異性
化反応は最初に加えた触媒量の7〜8重量%を追
加するのみでよく、本操作を繰返すことにより、
錯体1量に対し、約130000倍量のアリルアミンを
エナミンに異性化することができる。また生成物
の光学純度は、十分満足できる高いものを得るこ
とができる。 〔実施例〕 次に実施例および使用例によつて本発明を説明
する。 実施例 1 〔Rh(シクロオクタ−1,5−ジエン)((−)
−p−Tolyl BINAP)〕+ClO4 -14.8gをテトラヒ
ドロフラン750mlに懸濁させ、この中に(−)−p
−Tolyl BINAP(mp257〜8℃、〔α〕25 D−169.49゜
(C=1.052、ベンゼン))10.17gを加えて均一と
した後、常圧水素添加装置にて25〜30℃で水素化
を行い、約13時間後に水素の吸収が認められなく
なつたとき反応終了とした。次に溶媒として用い
たテトラヒドロフランを減圧下に留去し、目的と
する。 〔Rh((−)(p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -の赤
褐色の結晶23.4gを得た。このものの元素分析値
は次のとおりである。 C H P Cl Rh 実測値 73.75 5.35 8.10 2.05 6.43 計算値 73.92 5.13 7.96 2.28 6.60 錯体〔Rh((−)−p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -
中のp−Tolyl BINAPの部分のプロトンNMR
の数値は次のとおりである。 NMR(8ppm): (a)5.95(4H、d) (b)6.6(4H、d) (c)7.70
(2H、d) (d)7.5(2H、d) (e)7.65(2H、d) (f)7.38
(2H、t) (g)7.05(2H、t) (h)6.72(2H、d) (a′)
6.65(4H、d) (b′)7.61(4H、d) (i)1.80(6H、s) (j)
2.17(6H、s) 上のNMRスペクトルは日本電子株式会社製J.
N.M−GX−400型装置(400MHz)を用いて測定
した。 スペクトルは第1図に示した。 実施例 2 〔Rh(シクロヘキサ−1,3−ジエン)((+)
−p−Tolyl BINAP)〕+PF6 -15.09gをアセトン
750mlに懸濁させ、この中に(+)−p−Tolyl
BINAP(mp257〜8℃、〔α〕25 D+174.04゜(C=
0.886、ベンゼン))10.17gを加えて均一とした
後、常圧水素添加装置にて25〜30℃で水素化を行
い、約15時間後に水素の吸収が認められなくなつ
たとき反応を終了とした。次に溶媒として用いた
アセトンを減圧下に留去し、目的とする〔Rh
((+)−p−Tolyl BINAP)2〕+PF6 -の褐色の結
晶24gを得た。本錯体の元素分析の結果は次のと
おりである。 C H P F Rh 実測値 72.11 5.03 9.82 6.98 6.27 計算値 71.83 4.98 9.66 7.10 6.42 実施例 3 実施例1と同様にして、〔Rh(ノルボルナジエ
ン)((+)−p−Tolyl BINAP)〕+BF4 -9.6gを
テトラヒドロフラン中で、(+)−p−Tolyl
BINAP6.78gと水素化を行い、〔Rh((+)−p−
Tolyl BINAP)2〕+BF4 -の褐色の結晶15.47gを
得た。本錯体の元素分析の結果は次のとおりであ
る。 C H P F Rh 実測値 74.81 5.34 8.13 4.71 6.35 計算値 74.53 5.18 8.02 4.92 6.66 実施例 4 実施例1と同様にして、〔Rh(1,5シクロオ
クタジエン)((−)−p−Tolyl BINAP)〕
+PCl6 -11.3gをアセトン中で(−)−p−Tolyl
BINAP6.78gと水素化を行い、〔Rh((−)−p−
Tolyl BINAP)2〕+PCl6 -の赤褐色の結晶17.13g
を得た。本錯体の元素分析の結果は次のとおりで
ある。 C H P Cl Rh 実測値 67.81 4.93 5.97 8.93 12.14 計算値 67.66 4.70 6.04 9.09 12.51 実施例 5 実施例1と同様にして〔Rh(1,5シクロオク
タジエン)((±)−p−Tolyl BINAP)〕
+ClO4 -14.8gをテトラヒドロフラン750mlに懸濁
させ、この中に(±)−p−Tolyl BINAP10.17
gを加え、均一とした後、常圧水素添加装置にて
30℃で水素化を行い、約15時間後に水素化を終了
した、次に溶媒として用いたテトラヒドロフラン
を減圧下に留去し、目的とする〔Rh((±)−p−
Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -の赤褐色結晶23.5gを得
た。本錯体の元素分析の結果は次の通りである。 C H P Cl Rh 実測値 72.68 5.48 7.54 2.13 6.85 計算値 73.92 5.13 7.96 2.28 6.60 使用例 1 1の耐圧容器をあらかじめ窒素置換してお
き、窒素雰囲気下に実施例1で調製した〔Rh
((−)−p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のテトラヒ
ドロフラン溶液10ml(0.2ミリモル)、テトラヒド
ロフラン200mlおよびN,N−ジエチルゲラニル
アミン334g(1.6モル)を加え、100℃にて15時
間反応させる。反応終了後、別に用意した蒸留器
に反応溶液を移し、テトラヒドロフランを留去し
た後、減圧蒸留して異性化生成物であるd−シト
ロネラールジエチルエナミン330g(純度99%)
を得た。 蒸留残渣中にn−ヘプタン10mlを加え充分に攪
拌し、高沸点及び副生分をn−ヘプタンに溶解さ
せ、n−ヘプタン可溶部を別し、更にn−ヘプ
タン10mlを加えて同様の操作を行つてから、テト
ラヒドロフラン200mlを蒸留器に加えて残留触媒
を均一溶液としてから再び耐圧容器に戻す。次に
新しい触媒溶液0.7ml(0.014ミリモル)を追加
し、N,N−ジエチルゲラニルアミン334gを加
えて2回目の反応を行い、1回目と同様の純度の
d−シトロネラールジエチルエナミン約同量を得
た。同様の操作を25回繰りかえしてもなお同様の
成果を得た。 異性化して得たシトロネラールエナミンを同量
のトルエンに溶解し、0℃〜5℃にて、エナミン
に対し0.55モル倍の10%硫酸を加えて加水分解
し、常法にて処理し、加水分解物を減圧蒸留して
純度99.8%のd−シトロネラールが得られた。な
お、このものの旋光度は〔α〕25 D+16.37゜であり、
これは文献値〔α〕D+16.5゜よりみて光学純度99.7
%であつた。 使用例 2 1の耐圧反応容器をあらかじめ窒素置換して
おき、窒素雰囲気下に実施例2で調製した〔Rh
((+)−p−Tolyl BINAP)2〕+PF6 -のテトラヒ
ドロフラン溶液20ml(0.2ミリモル)と、テトラ
ヒドロフラン200mlおよびN,N−ジエチルネリ
ルアミン251g(1.2モル)を加え、110℃にて15
時間反応させる。反応終了後、別に用意した蒸留
器に反応溶液を移し、テトラヒドロフランを留去
した後、減圧蒸留器にて異性化生成物であるd−
シトロネラールジエチルエナミン249g(純度
98.3%)を得た。蒸留残渣中にn−ヘプタン10ml
を加えて充分攪拌することにより高沸点分および
副生分をn−ヘプタンに溶解させ、n−ヘプタン
可溶部を別し、更にもう一度n−ヘプタン10ml
を加えて同様の操作を行つてからテトラヒドロフ
ラン200mlを蒸留器に加えて残留触媒を均一溶液
としてから再び耐圧容器にもどし、新しい触媒
0.8ml(0.016ミリモル)を追加し、N,N−ジエ
チルネリルアミン251gを加えて2回目の反応を
行い、1回目と同様の純度のd−シトロネラール
ジエチルエナミンを約同量得た。同様な操作を12
回繰り返してもなお同様な成果を得ることができ
た。なお、異性化反応で得たd−シトロネラール
ジエチルエナミンを使用例1と同様にして、硫酸
を用いて加水分解し、純度99.7%のd−シトロネ
ラールを得た。このものの旋光度は〔α〕25 D+
16.28゜であり、文献値〔α〕D+16.5゜よりみて光学
純度は98.7%であつた。 使用例 3 あらかじめ窒素置換したオートクレーブに窒素
雰囲気下に、実施例5で調整した〔Rh((±)−p
−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のテトラヒドロフラ
ン溶液10ml(0.133ミリモル)、テトラヒドロフラ
ン360mlおよび7−ヒドロキシ−N,N−ジエチ
ルゲラニルアミン181g(0.8モル)を加えて、
100℃にて10時間反応させ、反応終了後、別に用
意した蒸留器に反応溶液を移し、テトラヒドロフ
ランを留去後、蒸留器内の温度が100℃を越えな
いように注意深く減圧蒸留し、異性化生成物であ
る7−ヒドロキシシトロネラールジエチルエナミ
ン180g(純度98.5%)を得た。蒸留残渣中にn
−ヘプタン7mlを加えて充分攪拌し、高沸点分お
よび副生分をn−ヘプタンに溶解させ、n−ヘプ
タン可溶部を別し、更にn−ヘプタン7mlを加
えて同様な操作を行つてから、テトラヒドロフラ
ン360mlを加えて残留触媒を均一溶液としてから
再び耐圧容器に戻し、次い新しい触媒0.71ml
(0.009ミリモル)を追加し、7−ヒドロキシ−
N,N−ジエチルゲラニルアミン181gを加えて
2回目の反応を行い、1回目と同様の純度の7−
ヒドロキシシトロネラールジエチルエナミンを約
同量得た。同様な操作を10回繰り返しても同様の
成果を得た。
し、その目的とするところは各種有機合成ならび
に不斉合成に有用な活性が高く持続性のある触媒
を提供することにある。 〔本発明の構成〕 本発明者はこのような工業界の要請にこたえる
べく研究を重ねた結果、触媒中の配位子に光学活
性をもたないものを用いれば一般合成触媒として
用いられ、同一の配位子で光学活性を有するもの
を用いれば不斉合成触媒として用いることのでき
る、しかも活性度の高い新規な触媒を見出し、そ
の合成法を確立し、こゝに本発明を完成したもの
である。 すなわち、本発明は、触媒として有用な一般式 〔Rh(p−Tolyl BINAP)2〕+Y- () (式中、p−Tolyl BINAPは、ラセミ体または
光学活性体である2,2′−ビス(ジ−パラ−トリ
ルホスフイノ)−1,1′−ビナフチルを意味し、
YはClO4、PF6、BF4、PCl6のいずれかを意味す
る)で表わされる新規なロジウム−ホスフイン錯
体に関するものである。 〔錯体の製法〕 本発明の新規ロジウム−ホスフイン錯体は、一
般式 〔Rh(オレフイン)(p−Tolyl BINAP
)〕+Y-() 〔式中、オレフインはエチレン、1,3−ブタジ
エン、シクロヘキサジエン、ノルボルナジエン、
シクロオクタ1,5−ジエンのいずれかを意味
し、p−Tolyl BINAPは、ラセミ体または光学
活性体である2,2′−ビス(ジ−パラ−トリルホ
スフイノ)−1,1′−ビナフチルを意味し、Yは
ClO4、PF6、BF4、PCl6のいずれかを意味する〕
で表わされるロジウム錯体に、更にもう1分子の
p−Tolyl BINAPをテトラヒドロフランあるい
はアセトンなどの可溶性溶媒中で反応させること
により高収率で得ることができる。 具体的には、例えば式()で示されるロジウ
ム錯体を適当な可溶性溶媒にとかしておき、これ
に更に等モルまたは過剰のp−Tolyl BINAPを
加えて均一溶液としてから常圧水素添加装置にお
いて水素化を行う。水素化の条件としては温度10
〜50℃、水素化に要する時間は1〜10時間であつ
て、水素吸収の終りをもつて反応終了とする。水
素圧が常圧の場合は、ロジウムのモル数に等しい
モル数の水素が吸収されて反応が終了するが、例
えば5Kg/cm2程度の水素圧の場合はロジウムに対
し2倍モルの水素を吸収して反応を終了する場合
もある。 本反応溶液より溶媒を留去して、結晶として本
発明の新規錯体()を得る。工業的には溶媒を
留去せず、反応溶液をそのまま使用することもで
きる。この反応に用いることのできる可溶性溶媒
としては、テトラヒドロフラン、アセトン、ジク
ロロメタンなどがある。 本発明の新規錯体()は、また以下の方法で
も製造することができる。即ち、ロジウム錯体
()を、テトラヒドロフラン、アセトンなどの
可溶性溶媒にとかしておき、更に錯体()と等
モル、あるいは過剰のp−Tolyl BINAPを加え
て50〜60℃に加熱して反応させ、反応終了後、減
圧下に溶媒を留去する。次に再び溶媒を加えて均
一溶液を形成し、同様に加熱反応を行つて減圧下
に溶媒を留去する。この操作を2〜4回繰返すこ
とにより錯体()を得るものである。 〔出発原料の製法〕 本発明の錯体()を製造するために必要なp
−Tolyl BINAPのラセミ体及び光学活性体はト
リフエニルホスフインを反応助剤とし、1,1′−
ビ−2−ナフトールにブロムを反応せしめて、
2,2−ジブロモ−1,1′−ビナフチルを得る。
これに一般的なグリニヤ−試薬の調整法により、
例えばマグネシウムを使用し、グリニヤ−試薬を
つくる。これにジ−パラ−トリルホスフイニルク
ロライドを縮合せしめ(±)−2,2′−ビス(ジ
−パラ−トリルホスフイニル)−1,1′−ビナフ
チルを得る。これをトリクロシランと加熱して、
還元して(±)−2,2′−ビス(ジ−パラ−トリ
ルホスフイノ)−1,1′−ビナフチル((±)p−
Tolyl BINAP)を得る。 光学活性体のp−Tolyl BINAPを得る場合
は、Henri Brunner:Angw.Chem.Int.Edt.
Engl.18、620(1979)に記載の方法を利用し、
(±)−2,2′−ビス(ジ−パラ−トリルホスフイ
ニル)−1,1′−ビナフチルをジベンゾイル酒石
酸を用いて分割を行い、光学活性なものを分離し
た後、トリクロルシランで還元を行えば光学活性
なp−Tolyl BINAPを得ることができる。必要
に応じて分割剤であるジベンゾイル酒石酸の(d)
体、或は(l)体を選択することによつて光学活性の
一方のみを選択的に取得できる。 一方、錯体()は、メタノール、エタノール
などの溶媒中で三塩化ロジウムにシクロオクタ−
1,5−ジエンなどのオレフインを作用させて得
られるロジウム、オレフイン錯体に三価のリン化
合物としてラセミ体または光学活性体のp−
Tolyl BINAPを反応させて容易に得ることがで
きる。 〔用途〕 本発明に係るロジウム−ホスフイン錯体は各種
有機合成ならびに不斉異性化反応、不斉水素化反
応などの触媒として用いられる。 〔効果〕 本発明のロジウム−ホスフイン錯体触媒は、従
来用いられている触媒たとえば、〔Rh
(BINAP)2〕+ClO4 -や〔Rh(BINAP)2〕+PF6 -など
に比し約1.2〜1.4倍の活性を有するので、製品原
価の引き下げに貢献すると共に、光学活性な配位
子を用いて同様に製造した錯体は、不斉合成触媒
としても好適に作用するものである。 この効果を、例えば、アリルアミンの異性化反
応に適用した場合について説明すると、アリルア
ミンの6000分の1〜8000分の1モルの本発明の錯
体触媒を用いて異性化を行い、2回目以降の異性
化反応は最初に加えた触媒量の7〜8重量%を追
加するのみでよく、本操作を繰返すことにより、
錯体1量に対し、約130000倍量のアリルアミンを
エナミンに異性化することができる。また生成物
の光学純度は、十分満足できる高いものを得るこ
とができる。 〔実施例〕 次に実施例および使用例によつて本発明を説明
する。 実施例 1 〔Rh(シクロオクタ−1,5−ジエン)((−)
−p−Tolyl BINAP)〕+ClO4 -14.8gをテトラヒ
ドロフラン750mlに懸濁させ、この中に(−)−p
−Tolyl BINAP(mp257〜8℃、〔α〕25 D−169.49゜
(C=1.052、ベンゼン))10.17gを加えて均一と
した後、常圧水素添加装置にて25〜30℃で水素化
を行い、約13時間後に水素の吸収が認められなく
なつたとき反応終了とした。次に溶媒として用い
たテトラヒドロフランを減圧下に留去し、目的と
する。 〔Rh((−)(p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -の赤
褐色の結晶23.4gを得た。このものの元素分析値
は次のとおりである。 C H P Cl Rh 実測値 73.75 5.35 8.10 2.05 6.43 計算値 73.92 5.13 7.96 2.28 6.60 錯体〔Rh((−)−p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -
中のp−Tolyl BINAPの部分のプロトンNMR
の数値は次のとおりである。 NMR(8ppm): (a)5.95(4H、d) (b)6.6(4H、d) (c)7.70
(2H、d) (d)7.5(2H、d) (e)7.65(2H、d) (f)7.38
(2H、t) (g)7.05(2H、t) (h)6.72(2H、d) (a′)
6.65(4H、d) (b′)7.61(4H、d) (i)1.80(6H、s) (j)
2.17(6H、s) 上のNMRスペクトルは日本電子株式会社製J.
N.M−GX−400型装置(400MHz)を用いて測定
した。 スペクトルは第1図に示した。 実施例 2 〔Rh(シクロヘキサ−1,3−ジエン)((+)
−p−Tolyl BINAP)〕+PF6 -15.09gをアセトン
750mlに懸濁させ、この中に(+)−p−Tolyl
BINAP(mp257〜8℃、〔α〕25 D+174.04゜(C=
0.886、ベンゼン))10.17gを加えて均一とした
後、常圧水素添加装置にて25〜30℃で水素化を行
い、約15時間後に水素の吸収が認められなくなつ
たとき反応を終了とした。次に溶媒として用いた
アセトンを減圧下に留去し、目的とする〔Rh
((+)−p−Tolyl BINAP)2〕+PF6 -の褐色の結
晶24gを得た。本錯体の元素分析の結果は次のと
おりである。 C H P F Rh 実測値 72.11 5.03 9.82 6.98 6.27 計算値 71.83 4.98 9.66 7.10 6.42 実施例 3 実施例1と同様にして、〔Rh(ノルボルナジエ
ン)((+)−p−Tolyl BINAP)〕+BF4 -9.6gを
テトラヒドロフラン中で、(+)−p−Tolyl
BINAP6.78gと水素化を行い、〔Rh((+)−p−
Tolyl BINAP)2〕+BF4 -の褐色の結晶15.47gを
得た。本錯体の元素分析の結果は次のとおりであ
る。 C H P F Rh 実測値 74.81 5.34 8.13 4.71 6.35 計算値 74.53 5.18 8.02 4.92 6.66 実施例 4 実施例1と同様にして、〔Rh(1,5シクロオ
クタジエン)((−)−p−Tolyl BINAP)〕
+PCl6 -11.3gをアセトン中で(−)−p−Tolyl
BINAP6.78gと水素化を行い、〔Rh((−)−p−
Tolyl BINAP)2〕+PCl6 -の赤褐色の結晶17.13g
を得た。本錯体の元素分析の結果は次のとおりで
ある。 C H P Cl Rh 実測値 67.81 4.93 5.97 8.93 12.14 計算値 67.66 4.70 6.04 9.09 12.51 実施例 5 実施例1と同様にして〔Rh(1,5シクロオク
タジエン)((±)−p−Tolyl BINAP)〕
+ClO4 -14.8gをテトラヒドロフラン750mlに懸濁
させ、この中に(±)−p−Tolyl BINAP10.17
gを加え、均一とした後、常圧水素添加装置にて
30℃で水素化を行い、約15時間後に水素化を終了
した、次に溶媒として用いたテトラヒドロフラン
を減圧下に留去し、目的とする〔Rh((±)−p−
Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -の赤褐色結晶23.5gを得
た。本錯体の元素分析の結果は次の通りである。 C H P Cl Rh 実測値 72.68 5.48 7.54 2.13 6.85 計算値 73.92 5.13 7.96 2.28 6.60 使用例 1 1の耐圧容器をあらかじめ窒素置換してお
き、窒素雰囲気下に実施例1で調製した〔Rh
((−)−p−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のテトラヒ
ドロフラン溶液10ml(0.2ミリモル)、テトラヒド
ロフラン200mlおよびN,N−ジエチルゲラニル
アミン334g(1.6モル)を加え、100℃にて15時
間反応させる。反応終了後、別に用意した蒸留器
に反応溶液を移し、テトラヒドロフランを留去し
た後、減圧蒸留して異性化生成物であるd−シト
ロネラールジエチルエナミン330g(純度99%)
を得た。 蒸留残渣中にn−ヘプタン10mlを加え充分に攪
拌し、高沸点及び副生分をn−ヘプタンに溶解さ
せ、n−ヘプタン可溶部を別し、更にn−ヘプ
タン10mlを加えて同様の操作を行つてから、テト
ラヒドロフラン200mlを蒸留器に加えて残留触媒
を均一溶液としてから再び耐圧容器に戻す。次に
新しい触媒溶液0.7ml(0.014ミリモル)を追加
し、N,N−ジエチルゲラニルアミン334gを加
えて2回目の反応を行い、1回目と同様の純度の
d−シトロネラールジエチルエナミン約同量を得
た。同様の操作を25回繰りかえしてもなお同様の
成果を得た。 異性化して得たシトロネラールエナミンを同量
のトルエンに溶解し、0℃〜5℃にて、エナミン
に対し0.55モル倍の10%硫酸を加えて加水分解
し、常法にて処理し、加水分解物を減圧蒸留して
純度99.8%のd−シトロネラールが得られた。な
お、このものの旋光度は〔α〕25 D+16.37゜であり、
これは文献値〔α〕D+16.5゜よりみて光学純度99.7
%であつた。 使用例 2 1の耐圧反応容器をあらかじめ窒素置換して
おき、窒素雰囲気下に実施例2で調製した〔Rh
((+)−p−Tolyl BINAP)2〕+PF6 -のテトラヒ
ドロフラン溶液20ml(0.2ミリモル)と、テトラ
ヒドロフラン200mlおよびN,N−ジエチルネリ
ルアミン251g(1.2モル)を加え、110℃にて15
時間反応させる。反応終了後、別に用意した蒸留
器に反応溶液を移し、テトラヒドロフランを留去
した後、減圧蒸留器にて異性化生成物であるd−
シトロネラールジエチルエナミン249g(純度
98.3%)を得た。蒸留残渣中にn−ヘプタン10ml
を加えて充分攪拌することにより高沸点分および
副生分をn−ヘプタンに溶解させ、n−ヘプタン
可溶部を別し、更にもう一度n−ヘプタン10ml
を加えて同様の操作を行つてからテトラヒドロフ
ラン200mlを蒸留器に加えて残留触媒を均一溶液
としてから再び耐圧容器にもどし、新しい触媒
0.8ml(0.016ミリモル)を追加し、N,N−ジエ
チルネリルアミン251gを加えて2回目の反応を
行い、1回目と同様の純度のd−シトロネラール
ジエチルエナミンを約同量得た。同様な操作を12
回繰り返してもなお同様な成果を得ることができ
た。なお、異性化反応で得たd−シトロネラール
ジエチルエナミンを使用例1と同様にして、硫酸
を用いて加水分解し、純度99.7%のd−シトロネ
ラールを得た。このものの旋光度は〔α〕25 D+
16.28゜であり、文献値〔α〕D+16.5゜よりみて光学
純度は98.7%であつた。 使用例 3 あらかじめ窒素置換したオートクレーブに窒素
雰囲気下に、実施例5で調整した〔Rh((±)−p
−Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のテトラヒドロフラ
ン溶液10ml(0.133ミリモル)、テトラヒドロフラ
ン360mlおよび7−ヒドロキシ−N,N−ジエチ
ルゲラニルアミン181g(0.8モル)を加えて、
100℃にて10時間反応させ、反応終了後、別に用
意した蒸留器に反応溶液を移し、テトラヒドロフ
ランを留去後、蒸留器内の温度が100℃を越えな
いように注意深く減圧蒸留し、異性化生成物であ
る7−ヒドロキシシトロネラールジエチルエナミ
ン180g(純度98.5%)を得た。蒸留残渣中にn
−ヘプタン7mlを加えて充分攪拌し、高沸点分お
よび副生分をn−ヘプタンに溶解させ、n−ヘプ
タン可溶部を別し、更にn−ヘプタン7mlを加
えて同様な操作を行つてから、テトラヒドロフラ
ン360mlを加えて残留触媒を均一溶液としてから
再び耐圧容器に戻し、次い新しい触媒0.71ml
(0.009ミリモル)を追加し、7−ヒドロキシ−
N,N−ジエチルゲラニルアミン181gを加えて
2回目の反応を行い、1回目と同様の純度の7−
ヒドロキシシトロネラールジエチルエナミンを約
同量得た。同様な操作を10回繰り返しても同様の
成果を得た。
第1図は実施例1で得られた〔Rh((−)−p−
Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のNMRスペクトルであ
る。
Tolyl BINAP)2〕+ClO4 -のNMRスペクトルであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔Rh(p−Tolyl BINAP)2〕+Y- () (式中、p−Tolyl BINAPはラセミ体または光
学活性体である2,2′−ビス(ジ−パラ−トリル
ホスフイノ)−1,1′−ビナフチルを意味し、Y
はClO4、PF6、BF4、PCl6のいずれかを意味す
る) で表わされるロジウム−ホスフイン錯体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053600A JPS60199898A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | ロジウム−ホスフイン錯体 |
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| DE8585301846T DE3566261D1 (en) | 1984-03-22 | 1985-03-15 | Rhodium-phosphine complex catalyst |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59053600A JPS60199898A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | ロジウム−ホスフイン錯体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60199898A JPS60199898A (ja) | 1985-10-09 |
| JPH0142959B2 true JPH0142959B2 (ja) | 1989-09-18 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59053600A Granted JPS60199898A (ja) | 1984-03-22 | 1984-03-22 | ロジウム−ホスフイン錯体 |
Country Status (4)
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| JP (1) | JPS60199898A (ja) |
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-
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