JPH0143025B2 - - Google Patents
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- JPH0143025B2 JPH0143025B2 JP18348181A JP18348181A JPH0143025B2 JP H0143025 B2 JPH0143025 B2 JP H0143025B2 JP 18348181 A JP18348181 A JP 18348181A JP 18348181 A JP18348181 A JP 18348181A JP H0143025 B2 JPH0143025 B2 JP H0143025B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
- G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
- G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は比較的、無電解メツキされにくいと言
われるガラス、アクリル等の透明プラスチツク上
に主剤として水溶性ポリビニルブチラール、それ
に架橋剤メラミン、界面活性剤ラピゾール、溶媒
エチルアルコールと水を加えた溶液又は、主剤と
して２ヒドロキシエチルメタアクリレート、それ
に重合剤ベンゾインエチルエーテル、界面活性剤
トリオキシエチレンノニルフエノールエーテル、
溶剤であるエチレングリコールモノエチルエーテ
ルを加えた溶液をデイツピング、スピンナーまた
はロールコーター法により塗布し硬化させた後紫
外線露光による選択的電解メツキによつて形状パ
ターニングを行つて得られるエンコーダースリツ
ト板の製造方法に関している。
われるガラス、アクリル等の透明プラスチツク上
に主剤として水溶性ポリビニルブチラール、それ
に架橋剤メラミン、界面活性剤ラピゾール、溶媒
エチルアルコールと水を加えた溶液又は、主剤と
して２ヒドロキシエチルメタアクリレート、それ
に重合剤ベンゾインエチルエーテル、界面活性剤
トリオキシエチレンノニルフエノールエーテル、
溶剤であるエチレングリコールモノエチルエーテ
ルを加えた溶液をデイツピング、スピンナーまた
はロールコーター法により塗布し硬化させた後紫
外線露光による選択的電解メツキによつて形状パ
ターニングを行つて得られるエンコーダースリツ
ト板の製造方法に関している。
従来、エンコーダースリツト板は金属のエツチ
ング又は、ガラス基板にクロム蒸着によりクロム
被膜を形成し、目的とする形状にパターニングす
ることによつて作られていた。しかし金属エツチ
ングの場合、スリツト穴径の微細エツチングには
限度があり、高分解機能を有するエンコーダとし
ては、限界があつた。又、ガラス上にクロム蒸着
して得られた金属クロム膜を目的とする形状にパ
ターニングすることによつて作られたエンコーダ
スリツト板は一度に大量又大表面積のものを作る
ことができず、また真空設備を使用することから
も、コストダウンが困難であつた。
ング又は、ガラス基板にクロム蒸着によりクロム
被膜を形成し、目的とする形状にパターニングす
ることによつて作られていた。しかし金属エツチ
ングの場合、スリツト穴径の微細エツチングには
限度があり、高分解機能を有するエンコーダとし
ては、限界があつた。又、ガラス上にクロム蒸着
して得られた金属クロム膜を目的とする形状にパ
ターニングすることによつて作られたエンコーダ
スリツト板は一度に大量又大表面積のものを作る
ことができず、また真空設備を使用することから
も、コストダウンが困難であつた。
本発明はこのような課題を解決しようとするも
ので、その目的とするところは、高品質、高分解
機能を有すると共にコストダウンのできるエンコ
ーダスリツト板の製造方法を提供するところにあ
る。
ので、その目的とするところは、高品質、高分解
機能を有すると共にコストダウンのできるエンコ
ーダスリツト板の製造方法を提供するところにあ
る。
本発明におけるエンコーダスリツト板の製造方
法の要旨は、透明基板上に主剤として水溶性ポリ
ビニルプチラール、架橋剤としてメラミン、界面
活性剤としてラビゾール、溶媒にエチルアルコー
ルと水を成分とした有機高分子被膜又は主剤に２
−ヒドロキシエチルメタアクリレート、重合剤と
してベンゾインエチルエーテル、界面活性剤とし
てトリオキシエチレンノニルフエノールエーテ
ル、溶剤としてエチレングリコールモノエチルエ
ーテルを成分とした有機高分子被膜を形成する工
程と、前記有機高分子被膜上に塩化第一錫を形成
する工程と、前記塩化第一錫上にスリツトパター
ンの形成されたフオトマスクを密着させ紫外線を
照射する工程と、塩化パラジウム溶液に浸漬され
前記塩化第一錫がパターニングされる工程と、パ
ターニングされた前記塩化第一錫上に施こされる
無電解ニツケルメツキ工程とを有することを特徴
とする。
法の要旨は、透明基板上に主剤として水溶性ポリ
ビニルプチラール、架橋剤としてメラミン、界面
活性剤としてラビゾール、溶媒にエチルアルコー
ルと水を成分とした有機高分子被膜又は主剤に２
−ヒドロキシエチルメタアクリレート、重合剤と
してベンゾインエチルエーテル、界面活性剤とし
てトリオキシエチレンノニルフエノールエーテ
ル、溶剤としてエチレングリコールモノエチルエ
ーテルを成分とした有機高分子被膜を形成する工
程と、前記有機高分子被膜上に塩化第一錫を形成
する工程と、前記塩化第一錫上にスリツトパター
ンの形成されたフオトマスクを密着させ紫外線を
照射する工程と、塩化パラジウム溶液に浸漬され
前記塩化第一錫がパターニングされる工程と、パ
ターニングされた前記塩化第一錫上に施こされる
無電解ニツケルメツキ工程とを有することを特徴
とする。
本発明に用いられる基板としては、光透過性基
板なら何でもかまわないが平面の平滑性、透過率
（各エンコーダ中のフオトトランジスタの感応波
長で選択）熱膨張係数の低さ等から、アクリル樹
脂、ポリエステル、ポリカーボネート樹脂、CR
−39樹脂、Ｖポリマー樹脂、ポリサルフオン樹
脂、ポリエーテルサルフオン樹脂、スピラン樹
脂、ガラス等がある。基板としては100μ〜数mm
厚のものが用いられる。これらの基板に無電解メ
ツキを可能にし、しかも密着を向上させるため
に、透明な基板上にポリビニルブチラールを溶
剤、加橋剤、界面活性剤を用い、被覆化する。又
は２−ヒドロキシエチルメタアクリレートを溶
剤、重合剤、界面活性剤を用い、被覆化する。そ
れらのコートの膜厚は、1000Å〜30000Åである。
薄すぎた場合のピンホール、厚すぎた場合の平面
精度を考慮に入れ通常は3000〜10000Åが用いら
れる。これらの被膜は、デイツピング法、スピン
ナー法、スプレー法、ロールコーター法等により
塗布され、基板の耐熱上耐える上限温度で硬化す
る。この有機被膜は基板表面のぬれ性を向上させ
メツキを可能にするためとメツキ被膜の密着性、
光沢性を向上させる重要な役割をもつ。
板なら何でもかまわないが平面の平滑性、透過率
（各エンコーダ中のフオトトランジスタの感応波
長で選択）熱膨張係数の低さ等から、アクリル樹
脂、ポリエステル、ポリカーボネート樹脂、CR
−39樹脂、Ｖポリマー樹脂、ポリサルフオン樹
脂、ポリエーテルサルフオン樹脂、スピラン樹
脂、ガラス等がある。基板としては100μ〜数mm
厚のものが用いられる。これらの基板に無電解メ
ツキを可能にし、しかも密着を向上させるため
に、透明な基板上にポリビニルブチラールを溶
剤、加橋剤、界面活性剤を用い、被覆化する。又
は２−ヒドロキシエチルメタアクリレートを溶
剤、重合剤、界面活性剤を用い、被覆化する。そ
れらのコートの膜厚は、1000Å〜30000Åである。
薄すぎた場合のピンホール、厚すぎた場合の平面
精度を考慮に入れ通常は3000〜10000Åが用いら
れる。これらの被膜は、デイツピング法、スピン
ナー法、スプレー法、ロールコーター法等により
塗布され、基板の耐熱上耐える上限温度で硬化す
る。この有機被膜は基板表面のぬれ性を向上させ
メツキを可能にするためとメツキ被膜の密着性、
光沢性を向上させる重要な役割をもつ。
次に、無電解メツキを行う。本製造方法は、低
コスト化、工程短縮も目的の一つであるため、紫
外線露光による選択的無電解メツキによるパター
ニング方法の確立も行い、スリツトパターンを形
成した。紫外線露光による選択的無電解メツキ方
式は、 (1) 先に述べたコート基板をSnCl2（HCl酸性）溶
液に浸漬し、数分後乾燥する。乾燥方法は70〜
80℃以下が適当。又は、アルコール、ダイフロ
ンによる置換乾燥もよい。
コスト化、工程短縮も目的の一つであるため、紫
外線露光による選択的無電解メツキによるパター
ニング方法の確立も行い、スリツトパターンを形
成した。紫外線露光による選択的無電解メツキ方
式は、 (1) 先に述べたコート基板をSnCl2（HCl酸性）溶
液に浸漬し、数分後乾燥する。乾燥方法は70〜
80℃以下が適当。又は、アルコール、ダイフロ
ンによる置換乾燥もよい。
(2) 基板に石英ガラスを用いたフオトマスクを密
着し、2000Å以上の波長をもつ紫外線を適度の
時間を持つて照射する。
着し、2000Å以上の波長をもつ紫外線を適度の
時間を持つて照射する。
(3) PdCl2（HCl酸性）溶液に基板を浸漬し、水洗
後、無電解ニツケル浴に数分間入れ、メツキす
る。
後、無電解ニツケル浴に数分間入れ、メツキす
る。
(2)の紫外線露光により
Sn2+UV
――→
Sn4+となり、
(3)のPdCl2溶液の浸漬により非露光部の反応は
Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0となり、そのパラジウム
金属にニツケルが析出すると考えらえる。また紫
外線露光部はSn4+となつているためPd2+を還元
することは不可能である。それゆえ、ニツケルが
析出されない。
Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0となり、そのパラジウム
金属にニツケルが析出すると考えらえる。また紫
外線露光部はSn4+となつているためPd2+を還元
することは不可能である。それゆえ、ニツケルが
析出されない。
メツキは硬さ及び密着性、安価を考慮に入れ
Ni−Ｐを使用した。被膜厚は300Å〜1μ程度であ
り、エンコーダースリツト板の場合、スリツトサ
イドエツジがしつかりでていれば多少のピンホー
ルは問題ないので1000Å〜3000Åあれば十分であ
る。
Ni−Ｐを使用した。被膜厚は300Å〜1μ程度であ
り、エンコーダースリツト板の場合、スリツトサ
イドエツジがしつかりでていれば多少のピンホー
ルは問題ないので1000Å〜3000Åあれば十分であ
る。
このようにして得られたエンコーダスリツト板
は微細パターンが可能であり、作成にあたつての
低コスト化、工程短縮もみのがせない。さらに、
レジストなどを用いないので品質向上にもつなが
る。
は微細パターンが可能であり、作成にあたつての
低コスト化、工程短縮もみのがせない。さらに、
レジストなどを用いないので品質向上にもつなが
る。
次に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 １
コート成分
水溶性ポリビニルブチラール
（主剤）
メラミン（加橋剤）
ラピゾール（界面活性剤） 100wt％
２ 〃
0.2 〃
エチルアルコール
水 50Vol％
50 〃
Ａ：Ｂ＝１：３
溶媒にを混合しよく撹拌を行う。よく洗浄
したガラスに上の混合液をデイツピング法又はス
ピンナー法により、塗布し、135℃で2hr乾燥する
ことによつて硬化させた。この時の膜厚は2000Å
であつた。次に１％SnCl2溶液に上の基板を１分
間浸漬し、水洗、70℃で乾燥し、適度の時間Ｖ・
Ｖ照射する。（照射時間は紫外線露光装置の能力
により異る。）基板を一分程度、PdCl2溶液（実
験では日本カニゼン社製レツドシユーマー608の
５倍希釈液）を用い適当に水洗してからNi−Ｐ
メツキ浴（日本カニゼン社製シユーマS680を純
水にて８倍希釈）に45℃４分間浸漬し、Ni膜厚
2500Åを得た。密着性も良好で、メツキ被膜は均
一であつた。
したガラスに上の混合液をデイツピング法又はス
ピンナー法により、塗布し、135℃で2hr乾燥する
ことによつて硬化させた。この時の膜厚は2000Å
であつた。次に１％SnCl2溶液に上の基板を１分
間浸漬し、水洗、70℃で乾燥し、適度の時間Ｖ・
Ｖ照射する。（照射時間は紫外線露光装置の能力
により異る。）基板を一分程度、PdCl2溶液（実
験では日本カニゼン社製レツドシユーマー608の
５倍希釈液）を用い適当に水洗してからNi−Ｐ
メツキ浴（日本カニゼン社製シユーマS680を純
水にて８倍希釈）に45℃４分間浸漬し、Ni膜厚
2500Åを得た。密着性も良好で、メツキ被膜は均
一であつた。
実施例 ２
コート成分
２−ヒドロキシエチルメタアクリレート（主
剤） 20c.c. ベンゾインエチルエーテル（重合剤） 0.1ｇ トリオキシエチレンノニルフエノールエーテル
（界面活性剤） １ｇ エチレングリコールモノエチルエーテル（溶
剤） 80c.c. 上の成分をよく撹拌混合し、十分洗浄されたガ
ラスに混合液をデイツピング法により塗布し190
℃±５で45hr重合することにより硬化させた。こ
の時のコート厚は1.4μｍであつた。以下紫外線露
光による選択的無電解メツキ膜の形成方法は実施
例１に上げた通りである。
剤） 20c.c. ベンゾインエチルエーテル（重合剤） 0.1ｇ トリオキシエチレンノニルフエノールエーテル
（界面活性剤） １ｇ エチレングリコールモノエチルエーテル（溶
剤） 80c.c. 上の成分をよく撹拌混合し、十分洗浄されたガ
ラスに混合液をデイツピング法により塗布し190
℃±５で45hr重合することにより硬化させた。こ
の時のコート厚は1.4μｍであつた。以下紫外線露
光による選択的無電解メツキ膜の形成方法は実施
例１に上げた通りである。
実施例 ３
実施例１のコート成分を用いてアクリル板上に
被膜をつくつた。作成方法は、混合撹拌後、スピ
ンナー法により塗布し、80℃で5hr乾燥すること
によつて硬化させた。膜厚は1800Å〜2200Åの間
にしぼられた。以下紫外線露光による選択的無電
解メツキ膜の形成方法は実施例１に上げた通りで
ある。以上述べたように本発明によれば、透明基
板上に前述の如く構成された有機高分子被膜を形
成するので、この有機高分子被膜とその上に形成
される塩化第一錫との密着性が向上されることか
ら、この塩化第一錫に形成されるパターンの輪郭
形状がフオトマスクのパターンの輪郭形状になら
つて正確に形成されることとなり、このパターニ
ングされた塩化第一錫上に無電解ニツケルメツキ
工程により形成されるニツケル層のパターンの輪
郭形状も極わめて高精度に形成されると共に微細
パターンが可能になるという効果を有する。ま
た、例えばガラス上に金属クロム被膜を形成する
従来技術と比較すれば、一度に大量に又大表面積
のものを作れないこと、および真空設備を必要と
する等の制約条件がないことから低コストに製造
できるという効果も有する。
被膜をつくつた。作成方法は、混合撹拌後、スピ
ンナー法により塗布し、80℃で5hr乾燥すること
によつて硬化させた。膜厚は1800Å〜2200Åの間
にしぼられた。以下紫外線露光による選択的無電
解メツキ膜の形成方法は実施例１に上げた通りで
ある。以上述べたように本発明によれば、透明基
板上に前述の如く構成された有機高分子被膜を形
成するので、この有機高分子被膜とその上に形成
される塩化第一錫との密着性が向上されることか
ら、この塩化第一錫に形成されるパターンの輪郭
形状がフオトマスクのパターンの輪郭形状になら
つて正確に形成されることとなり、このパターニ
ングされた塩化第一錫上に無電解ニツケルメツキ
工程により形成されるニツケル層のパターンの輪
郭形状も極わめて高精度に形成されると共に微細
パターンが可能になるという効果を有する。ま
た、例えばガラス上に金属クロム被膜を形成する
従来技術と比較すれば、一度に大量に又大表面積
のものを作れないこと、および真空設備を必要と
する等の制約条件がないことから低コストに製造
できるという効果も有する。
Claims (1)
- １ 透明基板上に主剤として水溶性ポリビニルプ
チラール、架橋剤としてメラミン、界面活性剤と
してラビゾール、溶媒にエチルアルコールと水を
成分とした有機高分子被膜又は主剤に２−ヒドロ
キシエチルメタアクリレート、重合剤としてベン
ゾインエチルエーテル、界面活性剤としてトリオ
キシエチレンノニルフエノールエーテル、溶剤と
してエチレングリコールモノエチルエーテルを成
分とした有機高分子被膜を形成する工程と、前記
有機高分子被膜上に塩化第一錫を形成する工程
と、前記塩化第一錫上にスリツトパターンの形成
されたフオトマスクを密着させ紫外線を照射する
工程と、塩化パラジウム溶液に浸漬され前記塩化
第一錫がパターニングされる工程と、パターニン
グされた前記塩化第一錫上に施こされる無電解ニ
ツケルメツキ工程とを有することを特徴とするエ
ンコーダスリツト板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18348181A JPS5885111A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | エンコ−ダスリツト板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18348181A JPS5885111A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | エンコ−ダスリツト板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885111A JPS5885111A (ja) | 1983-05-21 |
| JPH0143025B2 true JPH0143025B2 (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=16136559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18348181A Granted JPS5885111A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | エンコ−ダスリツト板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014192287A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 出光興産株式会社 | 無電解めっき下地膜形成用組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621875A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Tokai Rika Co Ltd | 無電解めつき複合体及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP18348181A patent/JPS5885111A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014192287A1 (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-04 | 出光興産株式会社 | 無電解めっき下地膜形成用組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885111A (ja) | 1983-05-21 |
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