JPH01431A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPH01431A JPH01431A JP62-30079A JP3007987A JPH01431A JP H01431 A JPH01431 A JP H01431A JP 3007987 A JP3007987 A JP 3007987A JP H01431 A JPH01431 A JP H01431A
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- Japan
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- case
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- semiconductor
- substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体圧力センサに係り、特にプリント板等
の印刷基板へ組み付けるタイプの半導体圧力センサに関
する。
の印刷基板へ組み付けるタイプの半導体圧力センサに関
する。
第2図に従来構造の半導体圧力センサの断面図を示す、
図において、セラミック基板lにICチップ2を接着し
、そのセラミック基板1をクリップ7aによりプリント
板等の基板14に取り付けている。そして、その基板1
4にはカンパッケージ15により気密封止されたパッケ
ージ型圧力センサ20がピン13aにより接続されてい
る。その状態でケース10aに収納し、充てん剤8を入
(以下余白) れ、ケースにフタ10bをして構成している。尚、カン
パッケージ型圧力センサ20の中には台座5aに搭載さ
れた半導体式圧力センサチップ3を収納しており、その
電気信号をワイヤ9を介してピン13aから取り出して
いる。又、その台座5aにはケース10aに形成された
圧力導入ポート16から圧力導入パイプ17に入る圧力
媒体を半導体式圧力センサチップ3に伝える為に貫通孔
が開けられている。又、図中11は真空室、12aはケ
ース10aと圧力導入パイプ17の気密性を高める為の
0リング、13は半導体圧力センサに得られた電気信号
を外部に取り出す為のピンである。
図において、セラミック基板lにICチップ2を接着し
、そのセラミック基板1をクリップ7aによりプリント
板等の基板14に取り付けている。そして、その基板1
4にはカンパッケージ15により気密封止されたパッケ
ージ型圧力センサ20がピン13aにより接続されてい
る。その状態でケース10aに収納し、充てん剤8を入
(以下余白) れ、ケースにフタ10bをして構成している。尚、カン
パッケージ型圧力センサ20の中には台座5aに搭載さ
れた半導体式圧力センサチップ3を収納しており、その
電気信号をワイヤ9を介してピン13aから取り出して
いる。又、その台座5aにはケース10aに形成された
圧力導入ポート16から圧力導入パイプ17に入る圧力
媒体を半導体式圧力センサチップ3に伝える為に貫通孔
が開けられている。又、図中11は真空室、12aはケ
ース10aと圧力導入パイプ17の気密性を高める為の
0リング、13は半導体圧力センサに得られた電気信号
を外部に取り出す為のピンである。
しかしながら、上記従来の構成においては、ICチップ
2を水、油等から保護する充てん剤8が半導体式圧力セ
ンサチップ3に影響を与えないように、又、その他の外
部条件から影響を受ける事なく精度良く圧力を検出する
ようにカンパッケージ15で気密封止されており、さら
に、測定する圧力媒体は圧力導入ボート16.圧力導入
パイプ17、台座5aを介して取り入れられており、そ
の為の部品点数が多く、構成が複雑となっていた。
2を水、油等から保護する充てん剤8が半導体式圧力セ
ンサチップ3に影響を与えないように、又、その他の外
部条件から影響を受ける事なく精度良く圧力を検出する
ようにカンパッケージ15で気密封止されており、さら
に、測定する圧力媒体は圧力導入ボート16.圧力導入
パイプ17、台座5aを介して取り入れられており、そ
の為の部品点数が多く、構成が複雑となっていた。
又、カンパッケージ型圧力センサ20.ICチップ2等
が平面的に配置されており、半導体圧力センサをプリン
ト板に取り付けた場合、広い面積を占めてしまい装置の
小型化に不向きであるという問題が生じている。
が平面的に配置されており、半導体圧力センサをプリン
ト板に取り付けた場合、広い面積を占めてしまい装置の
小型化に不向きであるという問題が生じている。
そこで本発明は、比較的構造の簡単な、しかも、作業性
、プリント板への搭載性に優れた半導体圧力センサを提
供する事を目的としている。
、プリント板への搭載性に優れた半導体圧力センサを提
供する事を目的としている。
上記の目的を達成する為に、本発明の半導体圧力センサ
は、半導体式圧力センサチップ、及び他の半導体チップ
を搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 ・ 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力
センサチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴
としている。
は、半導体式圧力センサチップ、及び他の半導体チップ
を搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 ・ 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力
センサチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴
としている。
そして、上記の手段によると、何らカンパッケージを使
用する事なく、半導体式圧力センサチップへ圧力媒体を
導(事が可能となり、その際、遮へい部材により充てん
剤等の影響を受ける事がない。
用する事なく、半導体式圧力センサチップへ圧力媒体を
導(事が可能となり、その際、遮へい部材により充てん
剤等の影響を受ける事がない。
以下、図面に示す実施例により本発明を説明する。第1
図に本発明の第1の実施例を示し、同図(a)にその正
面の断面図、同図伽)にそのA−A線断面図、同図(C
)にそのB−B線断面図を示す。図社おいて、3はシリ
コンに歪ゲージを形成し、中央にダイヤフラムを設けた
半導体式圧力センサチップ(以下「センサチップ」とい
う)であり、そのセンサチップ1への熱応力を緩和する
素材、例えばパイレックスガラス等から成る台座5と陽
極接合する事により、センサチップ3の基準圧力室とな
る真空室11を形成している。そして台座5をシリコン
ゴム等により厚膜抵抗回路を印刷したセラミック基板1
に固着し、ワイヤ9をポンディングしてセラミック基板
1とセンサチップ3の電気接続を行っている。尚、セラ
ミック基板1には台座5の他にセンサチップ3からの信
号を増幅する機能を有するICチップ2等が半田により
接着されている。又、本発明のいう基板としては、この
セラミック基板の他にガラス−エポキシ基板、ホーロー
基板、フェノール基板等であってもよい。
図に本発明の第1の実施例を示し、同図(a)にその正
面の断面図、同図伽)にそのA−A線断面図、同図(C
)にそのB−B線断面図を示す。図社おいて、3はシリ
コンに歪ゲージを形成し、中央にダイヤフラムを設けた
半導体式圧力センサチップ(以下「センサチップ」とい
う)であり、そのセンサチップ1への熱応力を緩和する
素材、例えばパイレックスガラス等から成る台座5と陽
極接合する事により、センサチップ3の基準圧力室とな
る真空室11を形成している。そして台座5をシリコン
ゴム等により厚膜抵抗回路を印刷したセラミック基板1
に固着し、ワイヤ9をポンディングしてセラミック基板
1とセンサチップ3の電気接続を行っている。尚、セラ
ミック基板1には台座5の他にセンサチップ3からの信
号を増幅する機能を有するICチップ2等が半田により
接着されている。又、本発明のいう基板としては、この
セラミック基板の他にガラス−エポキシ基板、ホーロー
基板、フェノール基板等であってもよい。
そして、例えばニトリルゴム等の弾性力を有し、圧縮に
よってシール性を保つ素材から成る遮へい部材であるパ
ツキン4を、センサチップ3を囲むように配置してセラ
ミック基板1に固着し、その状態で袋形状のケース10
内にセラミック基板1を押し込む。ここで、パツキン4
はセラミック基板1を押し込んだ際に、そのセラミック
基板1と、センサチップ3をはさんで相対するケース1
0との間に押しつぶされて気密性良く介在するように、
その厚さは適切に調整されている。又、セラミック基板
1に相対するケース10には圧力導入口である貫通孔6
が開けられている。尚、ケース10にこの貫通孔6を開
ける位置は、外部から貫通孔6を通って侵入する異物に
よる悪影響を低減するために、相対的にセンサチップ3
.ワイヤ9等が配置しない位置が良い、又、ケース10
には、セラミック基板1の押し込みを容易に行なう為に
、その一部の肉厚を厚くしたガイド10aが形成されて
いる。
よってシール性を保つ素材から成る遮へい部材であるパ
ツキン4を、センサチップ3を囲むように配置してセラ
ミック基板1に固着し、その状態で袋形状のケース10
内にセラミック基板1を押し込む。ここで、パツキン4
はセラミック基板1を押し込んだ際に、そのセラミック
基板1と、センサチップ3をはさんで相対するケース1
0との間に押しつぶされて気密性良く介在するように、
その厚さは適切に調整されている。又、セラミック基板
1に相対するケース10には圧力導入口である貫通孔6
が開けられている。尚、ケース10にこの貫通孔6を開
ける位置は、外部から貫通孔6を通って侵入する異物に
よる悪影響を低減するために、相対的にセンサチップ3
.ワイヤ9等が配置しない位置が良い、又、ケース10
には、セラミック基板1の押し込みを容易に行なう為に
、その一部の肉厚を厚くしたガイド10aが形成されて
いる。
次に、セラミック基板1にクリップ7を半田付けし、電
気接続を行う。そして、セラミック基板1上の回路、I
Cチップ2等を水、油等から保護する為に例えばエポキ
シ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤8をケース10内に
入れ、パッケージングを行い半導体圧力センサを形成し
、図示しないプリント板等にクリップ7により接続する
。尚、本実施例の場合、ケース10と充てん剤8との接
着強度を高め、半導体圧力センサの機械的強度の向上、
湿気の侵入防止を達成する為に、ケース10の成形加工
後に、ケース10内の表面にガラス粉末、くるみの粉末
等を用いたタンブラ−加工を施し凹凸を形成している。
気接続を行う。そして、セラミック基板1上の回路、I
Cチップ2等を水、油等から保護する為に例えばエポキ
シ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤8をケース10内に
入れ、パッケージングを行い半導体圧力センサを形成し
、図示しないプリント板等にクリップ7により接続する
。尚、本実施例の場合、ケース10と充てん剤8との接
着強度を高め、半導体圧力センサの機械的強度の向上、
湿気の侵入防止を達成する為に、ケース10の成形加工
後に、ケース10内の表面にガラス粉末、くるみの粉末
等を用いたタンブラ−加工を施し凹凸を形成している。
この処理はサンドブラストエツチング等によって表面に
凹凸を形成したものと比較して、外観を損なうことがな
いのでケース材として透明材料を用いた場合には特に好
都合で(以下余白) ある。
凹凸を形成したものと比較して、外観を損なうことがな
いのでケース材として透明材料を用いた場合には特に好
都合で(以下余白) ある。
そこで上記の構成によると、パツキン4を用い、ケース
10にセラミック基板1を押し込むだけで、そのパツキ
ン4を押しつぶして気密性を確保でき、充てん材8が流
れ込むのを防ぐ事が出来る。したがって、作業性が良く
なり、又、構造が比較的間車となる。さらに、本実施例
では、縦方向にセンサチップ3等が配置された立体構造
であるので、プリント板等に組み付ける際に面積をそれ
程占める事なく、したがって搭載性に優れる。
10にセラミック基板1を押し込むだけで、そのパツキ
ン4を押しつぶして気密性を確保でき、充てん材8が流
れ込むのを防ぐ事が出来る。したがって、作業性が良く
なり、又、構造が比較的間車となる。さらに、本実施例
では、縦方向にセンサチップ3等が配置された立体構造
であるので、プリント板等に組み付ける際に面積をそれ
程占める事なく、したがって搭載性に優れる。
第3図に本発明の第2の実施例を示し、同図(a)にそ
め正面の断面図、同図(b)にそのC−C線断面図を示
す。図において、第1実施例との相違点は、パツキン4
の代わりにその断面が6字形状の枠18を用いている事
であり、気密性を良くする為に枠18の溝にOリング1
2を入れている。尚、枠18の四角はセラミック基板1
との接合をはかるために鉤形状18aとなっている。本
実施例においても第1実施例と同様の効果が得られる事
は言うまでもない。
め正面の断面図、同図(b)にそのC−C線断面図を示
す。図において、第1実施例との相違点は、パツキン4
の代わりにその断面が6字形状の枠18を用いている事
であり、気密性を良くする為に枠18の溝にOリング1
2を入れている。尚、枠18の四角はセラミック基板1
との接合をはかるために鉤形状18aとなっている。本
実施例においても第1実施例と同様の効果が得られる事
は言うまでもない。
第÷図に本発明の第3の実施例を示し、同図(a)にそ
の正面の断面図、同図(ロ)及び(C)にそのD−D線
断面図を示す0図において、第1実施例との相違点は、
パツキン4aの高さが同図(ハ)に示すようにセラミッ
ク基板lとケース10の間隔よりも少し低くなるように
設定しである事であり、本実施例の場合、パツキン4a
とケース10の間隔は例えば0.3 wa以下となって
いる。又、セラミック基板1はケース10内に何ら強制
的に押し込む事な(、重力により挿入する。そして、そ
の状態にて、袋形状であるケース10の開口部側より、
粘度の低い充てん材8aをパツキン4aとケース10と
の間隙に所定の量だけ注入する。本実施例の場合、充て
ん剤8aの粘度は20poise以下である。ここで、
注入された充てん剤8aは毛管現象によりパツキン4a
とケース10との間隙−を同図(a)の矢印に示すよう
に進行し、その間隙を埋め、パツキン4aとケース10
との間に気密性良く介在する。
の正面の断面図、同図(ロ)及び(C)にそのD−D線
断面図を示す0図において、第1実施例との相違点は、
パツキン4aの高さが同図(ハ)に示すようにセラミッ
ク基板lとケース10の間隔よりも少し低くなるように
設定しである事であり、本実施例の場合、パツキン4a
とケース10の間隔は例えば0.3 wa以下となって
いる。又、セラミック基板1はケース10内に何ら強制
的に押し込む事な(、重力により挿入する。そして、そ
の状態にて、袋形状であるケース10の開口部側より、
粘度の低い充てん材8aをパツキン4aとケース10と
の間隙に所定の量だけ注入する。本実施例の場合、充て
ん剤8aの粘度は20poise以下である。ここで、
注入された充てん剤8aは毛管現象によりパツキン4a
とケース10との間隙−を同図(a)の矢印に示すよう
に進行し、その間隙を埋め、パツキン4aとケース10
との間に気密性良く介在する。
尚、本実施例の場合、本発明のいう遮へい部材はパツキ
ン4aと充てん剤8aとから構成される。
ン4aと充てん剤8aとから構成される。
又、充てん剤8aはその注入量が所定量に調整されるの
で、パツキン4aと充てん剤8aとの間隙部分にとどま
り、空間21に入り込みセンサチップ3に接触するとい
う不具合はない。その後、充てん剤8aを硬化させ、引
き続き、充てん剤8bを注入し、硬化させ、パッケージ
ングを行う。
で、パツキン4aと充てん剤8aとの間隙部分にとどま
り、空間21に入り込みセンサチップ3に接触するとい
う不具合はない。その後、充てん剤8aを硬化させ、引
き続き、充てん剤8bを注入し、硬化させ、パッケージ
ングを行う。
そこで上記第3実施例によると、第1実施例と同様の効
果が得られるのに加え、セラミック基板1をケース10
内に挿入する際に、何ら強制的に押し込む事なく重力に
より挿入しているのでより作業性に優れ、又、パツキン
4aの圧縮反力によりケース10、セラミック基板1等
に応力が加わる事がないという効果がある。尚、第3実
施例において、パツキン4aの高さは、パツキン4aの
圧縮反力による応力がケース10、セラミンク基板1等
に加わる事なく、且つ、充てん剤8aに毛管現象が起こ
る様な高さであればよく、例えばセラミック基板1とケ
ース10の間隔と同じ値であってもよい、又、充てん剤
8bの材質は、充てん剤8aと同一のものであってもよ
いし、粘度が比較的高い他の材質であってもよい。又、
ケース10の材質としてはPBT(ポリブチレンテレフ
タレート)、PPS (ポリフェニレンサルファイド)
。
果が得られるのに加え、セラミック基板1をケース10
内に挿入する際に、何ら強制的に押し込む事なく重力に
より挿入しているのでより作業性に優れ、又、パツキン
4aの圧縮反力によりケース10、セラミック基板1等
に応力が加わる事がないという効果がある。尚、第3実
施例において、パツキン4aの高さは、パツキン4aの
圧縮反力による応力がケース10、セラミンク基板1等
に加わる事なく、且つ、充てん剤8aに毛管現象が起こ
る様な高さであればよく、例えばセラミック基板1とケ
ース10の間隔と同じ値であってもよい、又、充てん剤
8bの材質は、充てん剤8aと同一のものであってもよ
いし、粘度が比較的高い他の材質であってもよい。又、
ケース10の材質としてはPBT(ポリブチレンテレフ
タレート)、PPS (ポリフェニレンサルファイド)
。
PES (ポリエーテルサルフォン)、PC(ポリカー
ボネート)等が適用可能であるが、PES。
ボネート)等が適用可能であるが、PES。
PC等の透明の材質を使用する場合には、ケース10内
の充てん剤8a、8bの注入状態を、ケース10外から
確認する事ができる。その場合、充てん剤8a、8bに
例えば黒色の顔料を混ぜて着色する事により、その効果
が増す。
の充てん剤8a、8bの注入状態を、ケース10外から
確認する事ができる。その場合、充てん剤8a、8bに
例えば黒色の顔料を混ぜて着色する事により、その効果
が増す。
次に、本発明を負圧センサとして良好に適用し得る構造
の第4の実施例を第5図及び第6図を用いて説明する。
の第4の実施例を第5図及び第6図を用いて説明する。
第5図(a)は第4の実施例の側面断面図、同図(ロ)
はその正面図、同図(C)はその上面図である。図にお
いて、第1乃至第3実施例との相違点は、第3図の第2
実施例における枠18をその断面が凹字形状の枠19と
して、枠19とセラミック基板1とは接着剤で接着して
いる。又、ケース10に突出した形状の圧力導入ポー)
16aを形成し、この圧力導入ボート16aを介して負
圧力を検出する。又、ケース10の側壁には、コンピュ
ータ等を一緒に格納するケースに良好に実装し得るよう
に固定用部材22が形成されており、その固定用部材2
2には貫通孔22aが開けられている。
はその正面図、同図(C)はその上面図である。図にお
いて、第1乃至第3実施例との相違点は、第3図の第2
実施例における枠18をその断面が凹字形状の枠19と
して、枠19とセラミック基板1とは接着剤で接着して
いる。又、ケース10に突出した形状の圧力導入ポー)
16aを形成し、この圧力導入ボート16aを介して負
圧力を検出する。又、ケース10の側壁には、コンピュ
ータ等を一緒に格納するケースに良好に実装し得るよう
に固定用部材22が形成されており、その固定用部材2
2には貫通孔22aが開けられている。
第6図は第4実施例の半導体圧力センサをケースに実装
した状態を表わす図であり、同図(a)はその上面図、
同図(ロ)はその側面図である。図に示すように、ケー
ス24に開けられた穴24bに圧力導入ボート16aを
挿入し、又、クリップ7をプリント板25に挿入し半田
付けを行なう。そうした上で、ケース24に開けられた
穴24aと貫通孔22aが一致するようにして固定用ピ
ン23を両者に挿入し、固定する。上述のよ号にして半
導体圧力センサを固定する事により、クリップ7にかか
る負担を低減する事ができる。又、ケース24外に突出
した圧力導入ボート16aに例えば導管等を設置して負
圧力を導く事ができる。
した状態を表わす図であり、同図(a)はその上面図、
同図(ロ)はその側面図である。図に示すように、ケー
ス24に開けられた穴24bに圧力導入ボート16aを
挿入し、又、クリップ7をプリント板25に挿入し半田
付けを行なう。そうした上で、ケース24に開けられた
穴24aと貫通孔22aが一致するようにして固定用ピ
ン23を両者に挿入し、固定する。上述のよ号にして半
導体圧力センサを固定する事により、クリップ7にかか
る負担を低減する事ができる。又、ケース24外に突出
した圧力導入ボート16aに例えば導管等を設置して負
圧力を導く事ができる。
又、負圧センサとして使用する場合には、枠19で囲ま
れた空間内の気密性をより高めるために、ケース10の
内側表面は、第5図(a)のE部の拡大図である同図(
d)に示すように、前述のタンブラ−加工を施し凹凸を
形成するのが望ましい。さらに、湿気、ガソリン等の汚
れに対してセンサチップ3を保護する為にゲル状の例え
ばシリコンゲル等の充てん剤26を枠19で囲まれた空
間に注入してもよい。この場合、その注入はケース10
内にセンサチップ3等を挿入する前に行う事ができるの
で、従来と比較して容易に行なう事ができる。さらに、
センサチップ3を搭載する基板としては第5図(a)に
示すように、上記第1乃至第3実施例において台座とし
て用いたパイレックスガラス等を基板5aとして使用し
てもよい。尚、この基板5aは、第1乃至第3実施例の
如く、セラミック基板を用い、台座もそれらの例のよう
な形状としてもよく、又、充てん剤26.基板5a、枠
19における考え方は、大気圧センサに対しても適用可
能である。
れた空間内の気密性をより高めるために、ケース10の
内側表面は、第5図(a)のE部の拡大図である同図(
d)に示すように、前述のタンブラ−加工を施し凹凸を
形成するのが望ましい。さらに、湿気、ガソリン等の汚
れに対してセンサチップ3を保護する為にゲル状の例え
ばシリコンゲル等の充てん剤26を枠19で囲まれた空
間に注入してもよい。この場合、その注入はケース10
内にセンサチップ3等を挿入する前に行う事ができるの
で、従来と比較して容易に行なう事ができる。さらに、
センサチップ3を搭載する基板としては第5図(a)に
示すように、上記第1乃至第3実施例において台座とし
て用いたパイレックスガラス等を基板5aとして使用し
てもよい。尚、この基板5aは、第1乃至第3実施例の
如く、セラミック基板を用い、台座もそれらの例のよう
な形状としてもよく、又、充てん剤26.基板5a、枠
19における考え方は、大気圧センサに対しても適用可
能である。
尚、本発明は上記第1乃至第4実施例に限定される事な
く、その主旨から逸脱しない限り種々変形可能であり、
例えば第7図の第5の実施例の断面図に示す如く、平面
的に配置してもよい。又、上記実施例においては本発明
のいう遮へい部材として、センサチップ3を囲うパツキ
ンを用いているが、第8図(a)、Φ)の他の実施例の
正面の断面図に示すように、センサチップ3とICチッ
プ2とを隔てるようにして形成されたパツキン4bを用
いて、エポキシ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤はIC
チップ2側だけに注入してもよ(、又、折れ曲がった2
辺から成るパツキン4Cを用い、ケース10とでセンサ
チップ3を囲んでもよい。又、言うまでもなく遮へい部
材の正面形状は角形でなくとも円形等であってもよい。
く、その主旨から逸脱しない限り種々変形可能であり、
例えば第7図の第5の実施例の断面図に示す如く、平面
的に配置してもよい。又、上記実施例においては本発明
のいう遮へい部材として、センサチップ3を囲うパツキ
ンを用いているが、第8図(a)、Φ)の他の実施例の
正面の断面図に示すように、センサチップ3とICチッ
プ2とを隔てるようにして形成されたパツキン4bを用
いて、エポキシ樹脂、シリコンゴム等の充てん剤はIC
チップ2側だけに注入してもよ(、又、折れ曲がった2
辺から成るパツキン4Cを用い、ケース10とでセンサ
チップ3を囲んでもよい。又、言うまでもなく遮へい部
材の正面形状は角形でなくとも円形等であってもよい。
さらに、遮へい部材の形状はその他に箱型形状、言い換
えると凹部を有する有底孔の形状として、圧力導入口は
充てん剤を注入、硬化後に針状の部材により穴を開ける
事により形成してもよい。
えると凹部を有する有底孔の形状として、圧力導入口は
充てん剤を注入、硬化後に針状の部材により穴を開ける
事により形成してもよい。
以上述べた如く、本発明の半導体圧力センサによれば、
基板に遮へい部材を接合し、ケースに押し込むだけでセ
ンサチップを充てん剤等から保護する事ができ、作業性
が良くなり、構造が比較的簡単となる。
基板に遮へい部材を接合し、ケースに押し込むだけでセ
ンサチップを充てん剤等から保護する事ができ、作業性
が良くなり、構造が比較的簡単となる。
また立体構造にする事によりプリント板への搭載性が優
れた半導体圧力センサを提供する事が出来るという優れ
た効果がある。
れた半導体圧力センサを提供する事が出来るという優れ
た効果がある。
第1図(a)、(6)、(C)は本発明の第1の実施例
の断面図、第2図は従来構造の断面図、第3図(a)、
(b)は本発明の第2の実施例の断面図、第4図(a
)、(ロ)。 (C)は本発明の第3の実施例の断面図、第5図(a)
。 ら)、 (C)、 (d)は本発明の第4の実施例の断
面図、第6図(a)、 (b)は本発明の第4の実施例
のケースへの実装状態を表わす図、第7図は本発明の第
5実施例の断面図、第8図(a)、(ロ)は本発明の他
の実施例の正面断面図である。 1・・・セラミック基板、2・・・ICチップ、3・・
・半導体式圧力センサチップ、4.4a、4b、4c・
・・パツキン、5・・・台座、6・・・貫通孔、8.8
a。 8b・・・充てん剤、10・・・ケース、12・・・0
りング。 16・・・圧力導入ボート、18.19・・・枠。
の断面図、第2図は従来構造の断面図、第3図(a)、
(b)は本発明の第2の実施例の断面図、第4図(a
)、(ロ)。 (C)は本発明の第3の実施例の断面図、第5図(a)
。 ら)、 (C)、 (d)は本発明の第4の実施例の断
面図、第6図(a)、 (b)は本発明の第4の実施例
のケースへの実装状態を表わす図、第7図は本発明の第
5実施例の断面図、第8図(a)、(ロ)は本発明の他
の実施例の正面断面図である。 1・・・セラミック基板、2・・・ICチップ、3・・
・半導体式圧力センサチップ、4.4a、4b、4c・
・・パツキン、5・・・台座、6・・・貫通孔、8.8
a。 8b・・・充てん剤、10・・・ケース、12・・・0
りング。 16・・・圧力導入ボート、18.19・・・枠。
Claims (7)
- (1)半導体式圧力センサチップ、及び他の半導体チッ
プを搭載する基板と、 該基板を収納するケースと、 該ケースと前記基板との間に気密性良く介在し、前記半
導体式圧力センサチップと前記他の半導体チップとを隔
てるように形成された遮へい部材とを備えており、 前記遮へい部材により隔てられた前記半導体式圧力セン
サチップ側の前記ケースに貫通孔を有する事を特徴とす
る半導体圧力センサ。 - (2)上記遮へい部材が、弾性力を有するものである特
許請求の範囲第1項記載の半導体圧力センサ。 - (3)上記遮へい部材が、上記ケースと上記基板との間
に間隙を有し形成される第1の部材と、該間隙に気密性
良く介在する第2の部材より成るものである特許請求の
範囲第1項記載の半導体圧力センサ。 - (4)上記遮へい部材が、上記半導体式圧力センサチッ
プを囲うように形成されている特許請求の範囲第1項乃
至第3項いずれかに記載の半導体圧力センサ。 - (5)上記ケースの内側表面が、微細な凹凸形状を有し
ている特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記
載の半導体圧力センサ。 - (6)上記ケースが、透明の材質より成る特許請求の範
囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の半導体圧力セン
サ。 - (7)上記貫通孔が、相対的に上記半導体式圧力センサ
チップの配置しない位置に形成されている特許請求の範
囲第1項乃至第6項のいずれかに記載の半導体圧力セン
サ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62030079A JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
| US07/046,582 US4838089A (en) | 1986-05-07 | 1987-05-06 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10445886 | 1986-05-07 | ||
| JP61-104458 | 1986-05-07 | ||
| JP859487 | 1987-01-16 | ||
| JP62-8594 | 1987-01-16 | ||
| JP62030079A JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS64431A JPS64431A (en) | 1989-01-05 |
| JPH01431A true JPH01431A (ja) | 1989-01-05 |
| JPH061226B2 JPH061226B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=27278092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62030079A Expired - Lifetime JPH061226B2 (ja) | 1986-05-07 | 1987-02-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4838089A (ja) |
| JP (1) | JPH061226B2 (ja) |
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