JPH0143869Y2 - - Google Patents

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JPH0143869Y2
JPH0143869Y2 JP16972683U JP16972683U JPH0143869Y2 JP H0143869 Y2 JPH0143869 Y2 JP H0143869Y2 JP 16972683 U JP16972683 U JP 16972683U JP 16972683 U JP16972683 U JP 16972683U JP H0143869 Y2 JPH0143869 Y2 JP H0143869Y2
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tape
wafer
adhesive tape
cut
lower guide
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  • Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 この考案は半導体ウエーハの片面に粘着テープ
を貼布する製造工程に利用される。
ロ 従来技術 半導体製造工程には半導体ウエーハをその片面
に粘着テープを貼布し保護しておいて、他の片面
から所定の厚さで切削研磨して薄形化する工程が
ある。例えば一般的なNPN型エピタキシヤルト
ランジスタはN+型サブストレートの表面上にN-
型エピタキシヤル成長層を形成した半導体ウエー
ハの前記エピタキシヤル成長層内に、多数のベー
ス領域とエミツタ領域を不純物の選択拡散で順次
に形成してから、前記サブストレートを裏面より
所定の厚さだけ切削研磨して半導体ウエーハを薄
形化し、その後所望の電極形成を行つてから半導
体ウエーハを個々のトランジスタ素子毎に細分割
して製造される。このような半導体ウエーハの薄
形化処理はN+型サブストレートの厚さを小さく
することによりトランジスタ素子動作時のサブス
トレート部分での抵抗を小さくし発熱量を抑える
と共に、発生した熱を速やかに放熱板へ放散する
等の目的で行われる。尚、サブストレートとして
予め薄いものを使用すれば上記薄形化処理は不必
要になるが、薄いサブストレートは機械的に弱く
て製造工程中に割れや反りが発生して半導体製造
の作業性、歩留りを悪くする可能性が大となり、
従つてサブストレートは厚さの大きいものを使用
して最終段階で薄くすることが一般に行われてい
る。
この半導体ウエーハの薄形化処理は半導体ウエ
ーハの主面である表面に粘着テープを貼布して保
護した状態で、例えば第1図と第2図に示すよう
に半導体ウエーハ(以下ウエーハと称す)1を表
面に貼布した粘着テープ2を下にしてターンテー
ブル3の周辺部上に真空吸着で固定しておき、ウ
エーハ1の裏面をターンテーブル3の上方定位置
で回転する円筒状のグラインダ4の下端面で切削
研磨して行われる。この薄形化は一般に荒削り、
中仕上げ、精密仕上げの3段階で行われる。
ところで、ウエーハ1に貼布された粘着テープ
2のウエーハ1からの食み出し量が多いと食み出
し部分2′がウエーハ切削研磨時にターンテーブ
ル3より浮き上つてグラインダ4に接着して、ウ
エーハを破損する等の不都合を招く。そのためウ
エーハ1には粘着テープ2を食み出し量を極力少
なくして貼布する必要があるが、このテープ貼布
作業に次の問題があつた。
例えば従来は長尺な粘着テープからウエーハサ
イズに合わせて切断された粘着テープを用意し、
このウエーハサイズの粘着テープをウエーハの表
面に位置合せして貼布していた。しかしこのよう
な貼布は貼布時に薄い粘着テープが変形する等し
て両者を正確に合わせて実行することが極めて難
しく、実用的でなかつた。そこで現在は第3図と
第4図に示すように、ウエーハ1より若干大きい
四角形状のテープ下紙5と粘着テープ6でウエー
ハ1をサンドイツチ式に挾持貼布したものを用意
し、ウエーハ1の外周に沿つてテープ下紙5及び
接着テープ6を鋭利な刃物7で手動により切断し
ていた。尚、テープ下紙5はウエーハ1と粘着し
ないもので、刃物7で切断されるとウエーハ1か
ら離れてウエーハ1には粘着テープ6のみが貼布
されて残る。ところが、このような手段は粘着テ
ープ6とテープ下紙5をウエーハ1を傷付けるこ
と無く、而もウエーハ1からの食み出し量を少く
して刃物7で切断していく作業に非常な注意と熟
練を要し、極めて作業性が悪かつた。
ハ 考案の目的 本考案の目的は上記従来の問題点に鑑み、ウエ
ーハを貼布した長尺な粘着テープをウエーハに合
わせてウエーハを傷付けること無く高速に且つ自
動的に切断し得る装置を提供するにある。
ニ 考案の構成 本考案はウエーハを貼布した粘着テープをウエ
ーハ外周に沿つて高速のジエツト水流で順次に切
断していく装置で、下面にウエーハを貼布した長
尺な粘着テープを長手方向に間欠送りするテープ
搬送部と、粘着テープの搬送路の定位置の上下に
配置されて搬入された粘着テープを貼布された1
枚のウエーハを囲んで適宜挾持する一対の上部及
び下部ガイド筒及び上部ガイド筒内に周回可能に
配置されて上下各ガイド筒で挾持された粘着テー
プを上面からウエーハ外周に沿つてジエツト水流
を吹き付けて切断するノズルを有するテープ切断
部と、テープ切断後の粘着テープ付ウエーハをテ
ープ切断部から外部に取出すウエーハ回収部とで
構成される。このようにテープ切断をジエツト水
流で行うことにより、ウエーハに正確に沿つた且
つウエーハを傷付けることの無いテープ切断を高
速で且つ自動的に行うことが可能となり、上記目
的が難無く達成される。
ホ 実施例 第5図乃至第7図の実施例において、8はテー
プ搬送部、9はウエーハ供給部、10はテープ切
断部、11はウエーハ回収部である。テープ搬送
部8の12は長尺なテープ下紙13に長尺な粘着
テープ14が貼布された2層のテープ部材15が
巻回されたテープ供給ドラム、16はテープ供給
ドラム12から繰り出されたテープ部材15を長
手方向に間欠送りして巻取るテープ巻取ドラム
で、この両ドラム12,16間でテープ部材15
は先ず3つのガイドローラ17a,17b,17
cで粘着テープ14が上にテープ下紙13が下に
分けられ、粘着テープ14は粘着面を下にしてガ
イドローラ17cを経て上下一対の圧着ローラ1
8,18間に送られ、一方テープ下紙13はガイ
ドローラ17bから圧着ローラ18,18間に送
られてこの圧着ローラ18,18間を通過する間
に粘着テープ14とテープ下紙13は再び一体と
なつてそのまま水平方向に搬送されて前方のテー
プ下紙吸引除去用吸引ローラ19からテープ巻取
ドラム16へと巻取られていく。
ウエーハ供給部9はテープ下紙13のガイドロ
ーラ17bと圧着ローラ18,18の間に配置さ
れ、テープ下紙13の間欠送りと同期してテープ
下紙13上にウエーハ1を1枚ずつ供給する。例
えばテープ下紙13の搬送路の一側方に間欠上下
動可能に設置した昇降台20と、昇降台20上に
載置したキヤリア21と、キヤリア21に整列収
納した複数のウエーハ1,1……を昇降台20の
1ピツチ上昇(又は下降)動毎に1往復動して1
枚ずつテープ下紙13上に切出す切出し爪22と
で構成される。テープ下紙13上に供給されたウ
エーハ1はその外周のオリエンテーシヨンフラツ
ト部1′を基準に位置決めされる。そしてテープ
下紙13上のウエーハ1はテープ下紙13と共に
圧着ローラ18,18間を通り、この時にウエー
ハ1はテープ下紙13と粘着テープ14とでサン
ドイツチ状に挾持貼布される。
テープ切断部10は圧着ローラ18,18と吸
引ローラ19の間のテープ搬送路の上下に配置さ
れた一体の上部ガイド筒23及び下部ガイド筒2
4と、上部ガイド筒23内に周回可能に設置した
1本のノズル25と、下部ガイド筒24内に設置
した上面平坦なステージ26を有する。上下各ガ
イド筒23,24はウエーハ1の外径サイズより
少し大き目の内径サイズを有し、この両者は常時
は一定の間隔で離隔し、テープ部材15の1枚の
ウエーハ1を挾持貼布した部分が間欠送りで両者
間に搬入されると上部ガイド筒23が下降してテ
ープ部材15をウエーハ1を囲んで上下から挾持
する。ステージ26はウエーハ1と同一サイズの
略円柱状のもので、この上端面にテープ部材15
のウエーハ挾持部分が適宜搬入される。ノズル2
5はテープ部材15の上面からウエーハ1の外周
に沿つて周回移動し乍らジエツト水流27を吹き
付けるもので、ジエツト水流27はテープ部材1
5を破断貫通してステージ26と下部ガイド筒2
4間に入り排水口28より排出される。ノズル2
5はノズル駆動機構29から下方に延びて後述周
回移動を行う。
ウエーハ回収部11はテープ部材15から粘着
テープ付ウエーハ1を1枚ずつ回収するもので、
例えば吸引ローラ19の前方に配したコンベア3
0と、コンベア30の前方に配した間欠上下動可
能な昇降台31と、昇降台31上に載置した回収
用キヤリア32を有し、吸引ローラ19と共に後
述ウエーハ回収動作を行う。
次に上記装置の動作要領を説明すると、テープ
搬送部8の1ピツチテープ送り動作毎にウエーハ
供給部9、テープ切断部10及びウエーハ回収部
11が1回動作する。即ち、ウエーハ供給部9か
ら分離されたテープ下紙13上に供給された1枚
のウエーハ1はテープ送りと共に圧着ローラ1
8,18間を通つて粘着テープ14に貼布され、
そして上昇位置にある上部ガイド筒23と下部ガ
イド筒24間に搬入されると上部ガイド筒23が
下降して下部ガイド筒24とでウエーハ1の周辺
近傍のテープ部材15が挾持される。この諺持が
行なわれるとノズル25からジエツト水流27が
噴出され、ノズル25が1回周回移動してテープ
切断が行われる。例えばノズル25は第9図に示
すように先ずウエーハ1のオリエンテーシヨンフ
ラツト部1′の一端から他端へとウエーハ1の円
弧部1″に沿つて円弧運動してから次にオリエン
テーシヨンフラツト部1′に沿つて直線運動する
よう制御され、これによつてウエーハ1の外周に
沿つて粘着テープ14とテープ下紙13がジエツ
ト水流27により順次に切断される。この時ウエ
ーハ1にジエツト水流27の一部が当るがウエー
ハ1はステージ26で安定に支持されているので
ジエツト水流27によつてウエーハ1が傷付く心
配は無い。また粘着テープ14やテープ下紙13
は薄いためジエツト水流27で容易に且つ高速で
切断され得る。更にジエツト水流27は粘着テー
プ14をウエーハ1のエツジに押し付ける如くし
て切断するのでテープ剥れの心配無く切断し、而
もウエーハ1からの食み出し量がほぼ皆無の状態
で正確に切断する。またこのテープ切断時にウエ
ーハ1が水に漏れてそのまま回収されるが、これ
は後のウエーハ裏面の切削研磨時にウエーハ1に
冷却水を噴射し乍ら切削研磨が行なわれることか
ら何ら問題無い。
上記テープ切断が完了すると上部ガイド筒23
が上昇しテープ1ピツチ送りが行われ、ウエーハ
1は上下に切断された粘着テープ14′とテープ
下紙13′を付けたままテープ部材15と共にス
テージ26から離れて吸引ローラ19へと移行す
る。吸引ローラ19は周面に真空吸着穴を定間隔
で有し、この上にウエーハ1が送られてくるとウ
エーハ下面のテープ下紙13′を真空吸引してウ
エーハ1から積極的に離脱させ、かつ下方に移送
した後は積極的にエアー吹出し等により吸引ロー
ラ19より離脱させて、下方のテープ下紙収容箱
33へと落下収納させる。これと併行してテープ
部材15は吸引ローラ19を回つてテープ巻取ド
ラム16へと巻取られる。一方ウエーハ1は上面
に粘着テープ14が貼布されたままコンベア30
へと移行し、前方で1ペツチ下降(又は上昇)し
て待機している昇降台31上のキヤリア32内へ
と収納されていく。
尚、本考案は上記実施例に限らず、例えば粘着
テープ14とテープ下紙13でウエーハ1を挾持
貼布したテープ部材15をジエツト水流27で切
断したが、粘着テープ14だけにウエーハ1を貼
布しておいて上記要領で切断するようにしてもよ
い。またテープ切断用ノズル25は直接切り用と
円弧切り用等の複数本を配備して各々分担させて
テープ切断に使用し、テープ切断速度のより高速
化を図る等の工夫も可能である。
ヘ 考案の効果 以上の如く、本考案によればウエーハに貼布て
された粘着テープのウエーハに沿つた切断をウエ
ーハを傷付けること無く安全に、高速で行うこと
を容易で且つ自動的に行うことができ、而も粘着
テープをウエーハに食み出し量を最小限に迎えて
貼布することができ、従つてウエーハ薄形化工程
の作業性向上、精度改善が図れ、その実施効果は
極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は半導体ウエーハ薄形化工程
における製造装置の部分側断面図及びA−A線に
沿う部分平面図、第3図及び第4図は半導体ウエ
ーハをテーピングした接着構体の部分平面図及び
B−B線に沿う拡大断面図、第5図及び第6図は
本考案の一実施例を示す平面図及び部分断面側面
図、第7図は第6図のC−C線に沿う断面図、第
8図は第6図の要部の動作時での拡大断面図、第
9図は第8図のD−D線に沿う断面図である。 1……半導体ウエーハ、8……テープ搬送部、
10……テープ切断部、11……テープ回収部、
14,14′……粘着テープ、23……上部ガイ
ド筒、24……下部ガイド筒、25……ノズル、
27……ジエツト水流。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 下面に半導体ウエーハを貼布した長尺な粘着テ
    ープを長手方向に間欠送りするテープ搬送部と、
    前記粘着テープの搬送路の定位置の上下に配置さ
    れて搬入された粘着テープを貼布された1枚の半
    導体ウエーハを囲んで適宜挾持する一対の上部及
    び下部ガイド筒及び上部ガイド筒内に周回可能に
    配置されて上下各ガイド筒で挾持された粘着テー
    プを上面から半導体ウエーハの外周に沿つてジエ
    ツト水流を吹き付けて切断するノズルを有するテ
    ープ切断部と、上下各ガイド筒から粘着テープ付
    半導体ウエーハを取出し回収するウエーハ回収部
    と具備したことを特徴とする半導体製造装置。
JP16972683U 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置 Granted JPS6078136U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16972683U JPS6078136U (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置

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JP16972683U JPS6078136U (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置

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Publication Number Publication Date
JPS6078136U JPS6078136U (ja) 1985-05-31
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JP16972683U Granted JPS6078136U (ja) 1983-10-31 1983-10-31 半導体製造装置

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