JPH0145055B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145055B2 JPH0145055B2 JP55002585A JP258580A JPH0145055B2 JP H0145055 B2 JPH0145055 B2 JP H0145055B2 JP 55002585 A JP55002585 A JP 55002585A JP 258580 A JP258580 A JP 258580A JP H0145055 B2 JPH0145055 B2 JP H0145055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- developer
- development
- developing
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は紫外線や電子ビームなどによつてレ
ジストを露光してのち現像する方法の改良に関す
る。
ジストを露光してのち現像する方法の改良に関す
る。
基板上にレジストが塗布されてなるレジスト膜
が紫外線や電子ビームや軟Ｘ線などにより露光さ
れてのち現像して所定のパターンを得る技術は金
属、写真及び印刷分野などで使用されており、
種々の製品の製造工程中で露光、現像さらにはエ
ツチングが行なわれるものである。例えば半導体
装置の製造工程においては、半導体ウエハにトラ
ンジスタ等の素子、ICおよびLSIなどを形成する
ときそれぞれ所定のパターンを得るために前記の
技術が用いられている。このような半導体装置の
製造技術の開発にともなつて最近特にホトリソグ
ラフイ技術が急速に発展した。しかしながらこの
技術発達はレジスト材料やレジストへの露光技術
についてであり、レジストへの露光後の現像工程
については余り研究が進んでいなかつた。所望の
パターン通りのものが得られるためには、この現
像工程もきわめて大切なものである。
が紫外線や電子ビームや軟Ｘ線などにより露光さ
れてのち現像して所定のパターンを得る技術は金
属、写真及び印刷分野などで使用されており、
種々の製品の製造工程中で露光、現像さらにはエ
ツチングが行なわれるものである。例えば半導体
装置の製造工程においては、半導体ウエハにトラ
ンジスタ等の素子、ICおよびLSIなどを形成する
ときそれぞれ所定のパターンを得るために前記の
技術が用いられている。このような半導体装置の
製造技術の開発にともなつて最近特にホトリソグ
ラフイ技術が急速に発展した。しかしながらこの
技術発達はレジスト材料やレジストへの露光技術
についてであり、レジストへの露光後の現像工程
については余り研究が進んでいなかつた。所望の
パターン通りのものが得られるためには、この現
像工程もきわめて大切なものである。
従来ネガタイプのホトレジストを露光後現像す
るときには、現像液を用いて現像してのちひきつ
づきリンス液を用いて洗浄し、次いで乾燥して現
像工程が終つていた。このときには現像処理が終
つた時点で除去すべき部分のレジストを溶かした
現像液がいくらか基板上に残存しているものであ
る。これにリンス液が作用するとレジストはゲル
状態となつて、この状態ではリンス液で洗浄除去
できなくなり、所定のパターンが得られない。
るときには、現像液を用いて現像してのちひきつ
づきリンス液を用いて洗浄し、次いで乾燥して現
像工程が終つていた。このときには現像処理が終
つた時点で除去すべき部分のレジストを溶かした
現像液がいくらか基板上に残存しているものであ
る。これにリンス液が作用するとレジストはゲル
状態となつて、この状態ではリンス液で洗浄除去
できなくなり、所定のパターンが得られない。
この発明はこの点にかんがみなされたものであ
つて、基板などの表面に形成されたレジスト膜を
露光してのち現像し、所定のパターンが得られる
ようにしたホトレジストの現像方法を提供するも
のである。すなわち現像液で処理するときほぼ現
像の終る時点で現像液中に溶解したレジストが基
板などの上に残留しているが、これをリンス液を
適切に使用して前記レジストをコロイド状態にし
て除去し、所定通りの寸法形状のパターンを有す
るレジスト膜を得ることを特徴とするものであ
る。
つて、基板などの表面に形成されたレジスト膜を
露光してのち現像し、所定のパターンが得られる
ようにしたホトレジストの現像方法を提供するも
のである。すなわち現像液で処理するときほぼ現
像の終る時点で現像液中に溶解したレジストが基
板などの上に残留しているが、これをリンス液を
適切に使用して前記レジストをコロイド状態にし
て除去し、所定通りの寸法形状のパターンを有す
るレジスト膜を得ることを特徴とするものであ
る。
以下この発明についてさらに説明する。
除去すべきレジストをウエハ上から除去するた
めにリンス液を作用させる手段として、現像液を
たとえばスプレーなどを用いる方法でレジスト膜
上に注ぐとき、リンス液を現像液に添加し、次第
にその添加割合を増やしながら注いで行く。この
とき図に示すような状態の現像液によつて現像さ
れるものである。すなわち現像液の濃度は次第に
減少して行き、遂には０となり、リンス液による
洗浄となる。曲線１の領域ではレジストは完全溶
解であり、曲線２の領域ではリンス液が大分増加
してきてレジストはコロイド状態となり、さらに
リンス液が増加して曲線３の領域ではコロイド状
態と一部ゲル化した状態となる。さらにリンス液
が増加した曲線４の領域では、レジストはゲル化
する領域となつて、基板上に残留してレジストを
除去洗浄しにくくなつてしまう。この発明の方法
では従来の方法のように現像液による処理の後、
リンス液のみによる処理を行うことなく、図に示
すようなリンス液の添加された溶液を作用させる
ので、従来のように現像液に溶けて残存していた
レジストが直ちにゲル化して除去できなくなるこ
とはなく、レジストは次第に溶解して行き、ほと
んど残存することはなくなる。すなわち除去すべ
きレジストはほぼ除去洗浄されて所望のパターン
のレジスト膜が得られる。したがつて次工程のエ
ツチングを行うときには、たとえばIC製造のと
きに配線が細くなつたり断線したりすることなく
所定の配線が得られるものである。
めにリンス液を作用させる手段として、現像液を
たとえばスプレーなどを用いる方法でレジスト膜
上に注ぐとき、リンス液を現像液に添加し、次第
にその添加割合を増やしながら注いで行く。この
とき図に示すような状態の現像液によつて現像さ
れるものである。すなわち現像液の濃度は次第に
減少して行き、遂には０となり、リンス液による
洗浄となる。曲線１の領域ではレジストは完全溶
解であり、曲線２の領域ではリンス液が大分増加
してきてレジストはコロイド状態となり、さらに
リンス液が増加して曲線３の領域ではコロイド状
態と一部ゲル化した状態となる。さらにリンス液
が増加した曲線４の領域では、レジストはゲル化
する領域となつて、基板上に残留してレジストを
除去洗浄しにくくなつてしまう。この発明の方法
では従来の方法のように現像液による処理の後、
リンス液のみによる処理を行うことなく、図に示
すようなリンス液の添加された溶液を作用させる
ので、従来のように現像液に溶けて残存していた
レジストが直ちにゲル化して除去できなくなるこ
とはなく、レジストは次第に溶解して行き、ほと
んど残存することはなくなる。すなわち除去すべ
きレジストはほぼ除去洗浄されて所望のパターン
のレジスト膜が得られる。したがつて次工程のエ
ツチングを行うときには、たとえばIC製造のと
きに配線が細くなつたり断線したりすることなく
所定の配線が得られるものである。
さらに又レジスト膜に作用させるリンス液とし
て単一溶媒たとえばｎ―酢酸ブチルを用いるかわ
りに、複数種のレジスト可溶性の溶媒とレジスト
不溶性の溶媒とを混合した液を用いればきわめて
効率よく現像することができる。たとえばレジス
ト可溶性のｎ―ヘプタン70％とトリクレン15％と
さらにレジスト不溶性のメタノール15％とを調合
した混合液をリンス液とする。これは図に示す曲
線においてはＡ点にあたり、現像液中に溶解した
レジストをコロイド状態とする領域に該当する。
したがつて半導体ウエハ上においてレジストのゲ
ル化析出がなく、このリンス液を作用させると十
分に除去洗浄できるので、ブリツジによるレジス
トパターンの解像性低下の要因がなくなり高解像
性を備えた所定のパターンのレジスト膜が得られ
ることになる。
て単一溶媒たとえばｎ―酢酸ブチルを用いるかわ
りに、複数種のレジスト可溶性の溶媒とレジスト
不溶性の溶媒とを混合した液を用いればきわめて
効率よく現像することができる。たとえばレジス
ト可溶性のｎ―ヘプタン70％とトリクレン15％と
さらにレジスト不溶性のメタノール15％とを調合
した混合液をリンス液とする。これは図に示す曲
線においてはＡ点にあたり、現像液中に溶解した
レジストをコロイド状態とする領域に該当する。
したがつて半導体ウエハ上においてレジストのゲ
ル化析出がなく、このリンス液を作用させると十
分に除去洗浄できるので、ブリツジによるレジス
トパターンの解像性低下の要因がなくなり高解像
性を備えた所定のパターンのレジスト膜が得られ
ることになる。
このようなリンス液は、前記の組成のものに限
ることなく、２種以上混合させて図に示す曲線の
ように、レジスト溶解領域、レジストのコロイド
状態とする領域、レジストをコロイドとごく一部
ゲル化する領域という状態の何れかに該当するよ
うに調合したものを用いれば同じような効果を示
すものである。このことは又レジストの種類やそ
の塗膜の状態に適応させて、数種の溶媒を調合し
きわめて良好な現像処理が行なえるリンス液を得
ることができ、経済的であるという利点がある。
ることなく、２種以上混合させて図に示す曲線の
ように、レジスト溶解領域、レジストのコロイド
状態とする領域、レジストをコロイドとごく一部
ゲル化する領域という状態の何れかに該当するよ
うに調合したものを用いれば同じような効果を示
すものである。このことは又レジストの種類やそ
の塗膜の状態に適応させて、数種の溶媒を調合し
きわめて良好な現像処理が行なえるリンス液を得
ることができ、経済的であるという利点がある。
このようなレジスト可溶溶媒としては脂肪族炭
化水素が好適であり、レジスト不溶溶媒としては
アルコール、ケトン、エステルなど前記脂肪族炭
化水素とよく混合するものが好適である。
化水素が好適であり、レジスト不溶溶媒としては
アルコール、ケトン、エステルなど前記脂肪族炭
化水素とよく混合するものが好適である。
なおこのように調合して得られるリンス液はレ
ジストをゲル化することがないので、レジスト膜
に対する現像処理において現像液によるレジスト
の溶解を行わずに、調合されたリンス液によつて
現像することができる。すなわち露光後前記のよ
うに調合されたリンス液を作用させてレジストの
溶解、ウエハ上からのレジストの除去洗浄を行う
ことができることになつて、きわめて効率のよい
現像処理を可能とするものであり、作業能率は向
上し、得られたレジスト膜の高解像度が実現する
というすぐれた効果を奏するものである。
ジストをゲル化することがないので、レジスト膜
に対する現像処理において現像液によるレジスト
の溶解を行わずに、調合されたリンス液によつて
現像することができる。すなわち露光後前記のよ
うに調合されたリンス液を作用させてレジストの
溶解、ウエハ上からのレジストの除去洗浄を行う
ことができることになつて、きわめて効率のよい
現像処理を可能とするものであり、作業能率は向
上し、得られたレジスト膜の高解像度が実現する
というすぐれた効果を奏するものである。
以上は半導体装置を製造するときの半導体ウエ
ハにおけるレジスト膜の現像について説明した
が、これに限ることなく、他の電子部品や金属な
ど種々の分野におけるホトレジストの現像に対し
て適用されることはいうまでもない。
ハにおけるレジスト膜の現像について説明した
が、これに限ることなく、他の電子部品や金属な
ど種々の分野におけるホトレジストの現像に対し
て適用されることはいうまでもない。
図は現像液とリンス液との混合割合と時間によ
るレジストに対する反応状態を示す曲線図であ
る。
るレジストに対する反応状態を示す曲線図であ
る。
Claims (1)
- １ 基板表面の露光の施されたレジスト膜に現像
液により現像を施す段階と、上記現像のほぼ終了
直前から上記現像液にリンス液を連続して添加す
る段階とを含むホトレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP258580A JPS56101148A (en) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Photoresist developing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP258580A JPS56101148A (en) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Photoresist developing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56101148A JPS56101148A (en) | 1981-08-13 |
| JPH0145055B2 true JPH0145055B2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=11533442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP258580A Granted JPS56101148A (en) | 1980-01-16 | 1980-01-16 | Photoresist developing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56101148A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144444A (en) * | 1980-04-12 | 1981-11-10 | Victor Co Of Japan Ltd | Developing method |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4078098A (en) * | 1974-05-28 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | High energy radiation exposed positive resist mask process |
| JPS6010299B2 (ja) * | 1978-06-28 | 1985-03-16 | 日本ビクター株式会社 | 電子ビ−ムレジストの現像方法 |
| JPS55155353A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Developer composition |
| JPS6058465B2 (ja) * | 1979-11-15 | 1985-12-20 | 富士通株式会社 | 微細パタ−ン形成法 |
| JPS5671939A (en) * | 1979-11-16 | 1981-06-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern formation |
| JPS5683740A (en) * | 1979-12-13 | 1981-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Developer for polymer photoresist |
-
1980
- 1980-01-16 JP JP258580A patent/JPS56101148A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56101148A (en) | 1981-08-13 |
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