JPH0238942B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0238942B2 JPH0238942B2 JP54062226A JP6222679A JPH0238942B2 JP H0238942 B2 JPH0238942 B2 JP H0238942B2 JP 54062226 A JP54062226 A JP 54062226A JP 6222679 A JP6222679 A JP 6222679A JP H0238942 B2 JPH0238942 B2 JP H0238942B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developer
- xylene
- butyl acetate
- solution
- developing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、ゴム系フオトレジストの微細パター
ンの現像方法において、回収された現像廃液から
現像液を再生し、循環再使用する際に、その現像
力の低下を生じないような現像液組成物を用いる
現像方法に関するものである。 従来の方法 従来、ゴム系フオトレジストの現像液として、
キシレンや脂肪族炭化水素又はこれらの組合せが
用いられており、また現像後のリンス液として酢
酸ｎ−ブチルが最も広く用いられている。 ところで、トランジスター、IC、LSIなどをフ
オトレジストで製作する微細加工においては、ゴ
ム系フオトレジスト用の現像液としてキシレンの
みを用いると溶解性が大きいため、ゴム系フオト
レジストを基板（シリコン酸化膜など）に塗布
し、露光現像すると、レジストパターンの膨潤や
蛇行などをひき起し、微細なパターンが得られな
いという問題があつた。特に近年LSIの集積度向
上によつて、たとえば16K〜64KビツトのLSIの
場合には最小線幅２〜3μｍのレジストパターン
が必要とされるので、微細パターンの得られる現
像液の開発が要望されている。 ところで、今日のように省資源時代においては
現像液などの材料の回収再使用が必要であるが、
半導体製号プロセスの自動化の結果、現像とリン
ス処理とを自動的に連続して行う自動現像処理に
おいては、リンス液の現像液への混入は避けられ
ず、これを分離するための操作が必要になる。特
に、現在、広く使用されているキシレン系現像液
に酢酸ｎ−ブチル系リンス液が混入した場合、後
者がわずか残つていても前者の現像能力の低下を
もたらすため、両者の分離には多大の労力と経費
を要し、実用上問題となつていた。 発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来の再生、再使用が困
難であつたゴム系フオトレジストの現像液を改良
し、リンス液が混入してもその現像能力が低下し
ないものとすることにより、自動現像装置におけ
る現像廃液から簡単に現像液を再生し、循環再使
用しうる方法を提供することを目的としてなされ
たものである。 課題を解決するための手段 本発明者らは、ゴム系フオトレジストの微細パ
ターンの現像方法について種々研究を重ねた結
果、キシレンに酢酸ｎ−ブチルを所定の容量比で
混合したものは、以外にもゴム系フオトレジスト
の微細パターンの現像用として好適な現像能力を
示すと共に、その現像廃液からの再生も容易であ
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をな
すに至つた。 すなわち、本発明は、ゴム系フオトレジストの
微細パターンを、キシレン系現像液及び酢酸ｎ−
ブチル系リンス液を用いて現像処理する工程にお
いて、現像廃液から回収されたキシレンと酢酸ｎ
−ブチルとの混合物について、キシレンと酢酸ｎ
−ブチルとの容量比を９：１ないし５：５に調整
し、現像液として循環再使用することを特徴とす
る方法を提供するものである。 本発明方法においては、ゴム系フオトレジスト
の微細パターンを、キシレン系現像液と酢酸ｎ−
ブチル系リンス液とを用いて現像処理した際に生
じる酢酸ｎ−ブチルを混入した現像廃液につい
て、その中のキシレンと酢酸ｎ−ブチルとの容量
比９：１ないし５：５の範囲、好ましくは8.5：
1.5ないし６：４の範囲に調整したものが現像液
として循環再使用される。 この場合キシレンの量が上記の上限より多いと
得られたパターンが膨潤しやすく、窓開きパター
ンなどは細かい穴があかなくなり、また酢酸ｎ−
ブチルの量が上記の範囲の上限を越えるとフオト
レジストは溶解しにくく、現像されなくなる。 本発明の現像方法は公知のゴム系フオトレジス
トに適用することができる。そのようなゴム系フ
オトレジストとしては、市販されているOMR−
83〔商品名、東京応化工業(株)社製〕、KMR−747
（商品名、イーストマンコダツク社製）、ウエイコ
ートタイプ３（商品名、フイリツプ・エイ・ハン
トケミカル社製）などがある。 本発明方法における再生現像液は、自動現像装
置における現像廃液を蒸留回収し、得られたキシ
レンと酢酸ｎ−ブチルとの混合液にキシレンを追
加するだけで簡単に調製することができる。その
際、その組成はガスクロマトグラフイーなどによ
り容易に確認調整することができる。 また、本発明方法に従つて現像を行うと、最小
線幅２〜3μｍの微細パターンをゴム系フオトレ
ジストの膨潤や蛇行、すそ引きを起こさずに得る
ことができる。また、この方法によると、自動現
像装置を用いた場合でも現像廃液から、現像液を
容易に回収再使用ができるので、省資源的である
と共に非常に効率的であるという利点を有する。 次に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。 参考例 表面に厚さ8000Åの酸化膜を有するシリコンウ
エハー上にゴム系フオトレジストであるOMR−
83〔東京応化工業(株)社製〕をスピンナーにより膜
厚8000Åに塗布し、80℃で20分間プレベークした
のち、200Wの超高圧水銀灯を用いて窒素雰囲気
中で２秒間、テストチヤートマスクを介して露光
した。 このようにして得られたシリコンウエハーを使
用し、表に示すキシレンと酢酸ｎ−ブチルとの配
合割合からなる各現像液に１分間浸漬して現像を
行い、次いで酢酸ｎ−ブチルで１分間リンス処理
してレジストパターンを得たときの現像後のレジ
スト残りの有無及びリンス処理後の2μｍ窓開き
パターン部の膨潤によるブリツジ現像の有無を評
価した結果を該表に示した。
ンの現像方法において、回収された現像廃液から
現像液を再生し、循環再使用する際に、その現像
力の低下を生じないような現像液組成物を用いる
現像方法に関するものである。 従来の方法 従来、ゴム系フオトレジストの現像液として、
キシレンや脂肪族炭化水素又はこれらの組合せが
用いられており、また現像後のリンス液として酢
酸ｎ−ブチルが最も広く用いられている。 ところで、トランジスター、IC、LSIなどをフ
オトレジストで製作する微細加工においては、ゴ
ム系フオトレジスト用の現像液としてキシレンの
みを用いると溶解性が大きいため、ゴム系フオト
レジストを基板（シリコン酸化膜など）に塗布
し、露光現像すると、レジストパターンの膨潤や
蛇行などをひき起し、微細なパターンが得られな
いという問題があつた。特に近年LSIの集積度向
上によつて、たとえば16K〜64KビツトのLSIの
場合には最小線幅２〜3μｍのレジストパターン
が必要とされるので、微細パターンの得られる現
像液の開発が要望されている。 ところで、今日のように省資源時代においては
現像液などの材料の回収再使用が必要であるが、
半導体製号プロセスの自動化の結果、現像とリン
ス処理とを自動的に連続して行う自動現像処理に
おいては、リンス液の現像液への混入は避けられ
ず、これを分離するための操作が必要になる。特
に、現在、広く使用されているキシレン系現像液
に酢酸ｎ−ブチル系リンス液が混入した場合、後
者がわずか残つていても前者の現像能力の低下を
もたらすため、両者の分離には多大の労力と経費
を要し、実用上問題となつていた。 発明が解決しようとする課題 本発明は、このような従来の再生、再使用が困
難であつたゴム系フオトレジストの現像液を改良
し、リンス液が混入してもその現像能力が低下し
ないものとすることにより、自動現像装置におけ
る現像廃液から簡単に現像液を再生し、循環再使
用しうる方法を提供することを目的としてなされ
たものである。 課題を解決するための手段 本発明者らは、ゴム系フオトレジストの微細パ
ターンの現像方法について種々研究を重ねた結
果、キシレンに酢酸ｎ−ブチルを所定の容量比で
混合したものは、以外にもゴム系フオトレジスト
の微細パターンの現像用として好適な現像能力を
示すと共に、その現像廃液からの再生も容易であ
ることを見出し、この知見に基づいて本発明をな
すに至つた。 すなわち、本発明は、ゴム系フオトレジストの
微細パターンを、キシレン系現像液及び酢酸ｎ−
ブチル系リンス液を用いて現像処理する工程にお
いて、現像廃液から回収されたキシレンと酢酸ｎ
−ブチルとの混合物について、キシレンと酢酸ｎ
−ブチルとの容量比を９：１ないし５：５に調整
し、現像液として循環再使用することを特徴とす
る方法を提供するものである。 本発明方法においては、ゴム系フオトレジスト
の微細パターンを、キシレン系現像液と酢酸ｎ−
ブチル系リンス液とを用いて現像処理した際に生
じる酢酸ｎ−ブチルを混入した現像廃液につい
て、その中のキシレンと酢酸ｎ−ブチルとの容量
比９：１ないし５：５の範囲、好ましくは8.5：
1.5ないし６：４の範囲に調整したものが現像液
として循環再使用される。 この場合キシレンの量が上記の上限より多いと
得られたパターンが膨潤しやすく、窓開きパター
ンなどは細かい穴があかなくなり、また酢酸ｎ−
ブチルの量が上記の範囲の上限を越えるとフオト
レジストは溶解しにくく、現像されなくなる。 本発明の現像方法は公知のゴム系フオトレジス
トに適用することができる。そのようなゴム系フ
オトレジストとしては、市販されているOMR−
83〔商品名、東京応化工業(株)社製〕、KMR−747
（商品名、イーストマンコダツク社製）、ウエイコ
ートタイプ３（商品名、フイリツプ・エイ・ハン
トケミカル社製）などがある。 本発明方法における再生現像液は、自動現像装
置における現像廃液を蒸留回収し、得られたキシ
レンと酢酸ｎ−ブチルとの混合液にキシレンを追
加するだけで簡単に調製することができる。その
際、その組成はガスクロマトグラフイーなどによ
り容易に確認調整することができる。 また、本発明方法に従つて現像を行うと、最小
線幅２〜3μｍの微細パターンをゴム系フオトレ
ジストの膨潤や蛇行、すそ引きを起こさずに得る
ことができる。また、この方法によると、自動現
像装置を用いた場合でも現像廃液から、現像液を
容易に回収再使用ができるので、省資源的である
と共に非常に効率的であるという利点を有する。 次に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説
明する。 参考例 表面に厚さ8000Åの酸化膜を有するシリコンウ
エハー上にゴム系フオトレジストであるOMR−
83〔東京応化工業(株)社製〕をスピンナーにより膜
厚8000Åに塗布し、80℃で20分間プレベークした
のち、200Wの超高圧水銀灯を用いて窒素雰囲気
中で２秒間、テストチヤートマスクを介して露光
した。 このようにして得られたシリコンウエハーを使
用し、表に示すキシレンと酢酸ｎ−ブチルとの配
合割合からなる各現像液に１分間浸漬して現像を
行い、次いで酢酸ｎ−ブチルで１分間リンス処理
してレジストパターンを得たときの現像後のレジ
スト残りの有無及びリンス処理後の2μｍ窓開き
パターン部の膨潤によるブリツジ現像の有無を評
価した結果を該表に示した。
【表】
【表】
この結果から明らかなように、キシレンと酢酸
ｎ−ブチルとの容量比９：１ないし５：５の範囲
のもののみが、ゴム系フオトレジストの現像液と
して使用可能である。 実施例 １ 表面に厚さ8000Åの酸化膜を有するシリコンウ
エハーにゴム系フオトレジストOMR−82〔商品
名、東京応化工業(株)社製〕をスピンナーで膜厚
8000Åに塗布した。 次いでこれを80℃で20分間プレベークしたの
ち、200Wの超高圧水銀灯を用いて窒素雰囲気中
で２秒間、解像度テストチヤートをあてて露光し
た。次に現像廃液から調製されたキシレン80容量
％と酢酸ｎ−ブチル20容量％とからなる混合液を
現像液として１分間現像し、酢酸ｎ−ブチルで１
分間リンスした。 このようにして得られたレジストパターンには
細かいしわやダレ、すそ引きなどは見られず、
3μｍの線幅のパターンもシヤープに現れていた。 比較例 １ 実施例１と全く同様にしてゴム系フオトレジス
トを塗布し露光処理したのち、現像液としてキシ
レンを用いて１分間現像し、酢酸ｎ−ブチルで１
分間リンスを行つたところ、得られたレジストパ
ターンには細かいしわが無数に見られ、レジスト
の蛇行やダレ、すそ引きにより、実用線幅は4μ
ｍ以上であり、これより線幅の小さいものは作成
できなかつた。 実施例 ２ 現像液としてキシレンを用い、リンス液として
酢酸ｎ−ブチルを用いている半導体製作工程より
回収精製し、組成を調整したキシレン80容量％と
酢酸ｎ−ブチル20容量％とからなる混合液を現像
液として現像処理を行つた以外は実施例１と同様
にしてレジストパターンを作成した。このレジス
トパターンには細かいしわや蛇行、ダレ、すそ引
きなどはなく、3μｍのパターン寸法もシヤープ
に切れていた。 比較例 ２ 実施例１の現像液に代えてOMR−現像液SL
（キシレン20容量％＋ナフサ80容量％）を用いる
と実施例１と同様の結果であつた。
ｎ−ブチルとの容量比９：１ないし５：５の範囲
のもののみが、ゴム系フオトレジストの現像液と
して使用可能である。 実施例 １ 表面に厚さ8000Åの酸化膜を有するシリコンウ
エハーにゴム系フオトレジストOMR−82〔商品
名、東京応化工業(株)社製〕をスピンナーで膜厚
8000Åに塗布した。 次いでこれを80℃で20分間プレベークしたの
ち、200Wの超高圧水銀灯を用いて窒素雰囲気中
で２秒間、解像度テストチヤートをあてて露光し
た。次に現像廃液から調製されたキシレン80容量
％と酢酸ｎ−ブチル20容量％とからなる混合液を
現像液として１分間現像し、酢酸ｎ−ブチルで１
分間リンスした。 このようにして得られたレジストパターンには
細かいしわやダレ、すそ引きなどは見られず、
3μｍの線幅のパターンもシヤープに現れていた。 比較例 １ 実施例１と全く同様にしてゴム系フオトレジス
トを塗布し露光処理したのち、現像液としてキシ
レンを用いて１分間現像し、酢酸ｎ−ブチルで１
分間リンスを行つたところ、得られたレジストパ
ターンには細かいしわが無数に見られ、レジスト
の蛇行やダレ、すそ引きにより、実用線幅は4μ
ｍ以上であり、これより線幅の小さいものは作成
できなかつた。 実施例 ２ 現像液としてキシレンを用い、リンス液として
酢酸ｎ−ブチルを用いている半導体製作工程より
回収精製し、組成を調整したキシレン80容量％と
酢酸ｎ−ブチル20容量％とからなる混合液を現像
液として現像処理を行つた以外は実施例１と同様
にしてレジストパターンを作成した。このレジス
トパターンには細かいしわや蛇行、ダレ、すそ引
きなどはなく、3μｍのパターン寸法もシヤープ
に切れていた。 比較例 ２ 実施例１の現像液に代えてOMR−現像液SL
（キシレン20容量％＋ナフサ80容量％）を用いる
と実施例１と同様の結果であつた。
Claims (1)
- １ ゴム系フオトレジストの微細パターンを、キ
シレン系現像液及び酢酸ｎ−ブチル系リンス液を
用いて現像処理する工程において、現像廃液から
回収されたキシレンと酢酸ｎ−ブチルとの混合物
について、キシレンと酢酸ｎ−ブチルとの容量比
を９：１ないし５：５に調整し、現像液として循
環再使用することを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222679A JPS55155353A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Developer composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6222679A JPS55155353A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Developer composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55155353A JPS55155353A (en) | 1980-12-03 |
| JPH0238942B2 true JPH0238942B2 (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=13194023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6222679A Granted JPS55155353A (en) | 1979-05-22 | 1979-05-22 | Developer composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55155353A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56101148A (en) * | 1980-01-16 | 1981-08-13 | Toshiba Corp | Photoresist developing method |
| JPS592043A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | フオトレジストの現像方法 |
| JPS6043826A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000292938A (ja) | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | レジストパターン現像液及び形成方法、並びにそれらを使用して製造されたフォトマスク |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5359367A (en) * | 1976-11-10 | 1978-05-29 | Hitachi Ltd | Formation of electron beam resist image |
| DE2817256A1 (de) * | 1977-05-06 | 1978-11-09 | Allied Chem | Verfahren zur entwicklung einer mit fotoaetzgrund bedeckten flaeche |
-
1979
- 1979-05-22 JP JP6222679A patent/JPS55155353A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55155353A (en) | 1980-12-03 |
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